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1、(10)申请公布号 CN 104319252 A (43)申请公布日 2015.01.28 C N 1 0 4 3 1 9 2 5 2 A (21)申请号 201410609033.6 (22)申请日 2014.11.03 H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) (71)申请人苏州同冠微电子有限公司 地址江苏省苏州市张家港市塘市开发区南 园路 (72)发明人吴耀辉 周炳 (74)专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务 所(普通合伙) 32231 代理人陈书华 (54) 发明名称 单片硅片清洗机台 (57) 摘要 本发明涉及一种手动单片硅片清洗装置。本 发明一。
2、种单片硅片清洗机台，用于硅片的清洗，包 括基座和多个限位柱，所述基座上开设有进水口， 多个限位柱围绕进水口装设在基座上，进水口进 水使放置在进水口的硅片浮起。硅片正面受到不 断流出的水的保护，从而不与酸液进行接触。本发 明单片硅片清洗机台利用水压顶起硅片，硅片浮 起在清洗机台上，硅片背面在酸洗过程中，硅片正 面一直处于水中，从而保护硅片正面不与酸液接 触，这样硅片正面的金属层不被腐蚀，从而提高了 硅片的生产合格率。本发明单片硅片清洗机台结 构简单，基座上装设限位柱，限制硅片在限位柱内 漂浮，从而防止硅片随水流漂出。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图2页 (19)中华人民。
3、共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104319252 A CN 104319252 A 1/1页 2 1.一种单片硅片清洗机台，用于硅片的清洗，其特征是：包括基座(1)和多个限位柱 (2)，所述基座(1)上开设有进水口(11)，多个限位柱(2)围绕进水口(11)装设在基座(1) 上。 2.根据权利要求1所述的单片硅片清洗机台，其特征是：所述基座(1)呈圆片形，进水 口(11)开设在基座(1)的端面中心。 3.根据权利要求1所述的单片硅片清洗机台，其特征是：进水口(11)呈圆形，进水口 (11)小于硅片的正面大小。 4.根。
4、据权利要求1所述的单片硅片清洗机台，其特征是：所述限位柱(2)为圆柱体形， 数量为八个，围绕进水口(11)周向均布在基座(1)上，硅片位于限位柱(2)围成的空间内。 5.根据权利要求1所述的单片硅片清洗机台，其特征是：限位柱(2)高度为 10mm-20mm。 权 利 要 求 书CN 104319252 A 1/2页 3 单片硅片清洗机台 技术领域 0001 本发明涉及一种涉及半导体集成电路制作工艺方面的加工设备，尤其涉及一种手 动单片硅片清洗装置。 背景技术 0002 在半导体集成电路制作加工过程中，硅片背面工序加工前经常需要进行酸洗。普 通半导体集成电路工艺背面腐蚀是将整个硅片花篮放入酸液中。
5、进行腐蚀，但是因为正面有 铝层的存在，背面工序做整片清洗时容易腐蚀铝产生产品异常。 发明内容 0003 本发明要解决的技术问题是：为了解决硅片背面酸洗时保护硅片正面不受到酸液 的腐蚀的问题，本发明提供一种单片硅片清洗机台来解决上述问题。 0004 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种单片硅片清洗机台，用于硅片 的清洗，包括基座和多个限位柱，所述基座上开设有进水口，多个限位柱围绕进水口装设在 基座上。进水口进水使放置在进水口的硅片浮起。硅片正面受到不断流出的水的保护，从 而不与酸液进行接触。 0005 进一步优选的，所述基座呈圆片形，进水口开设在基座端面中心。该结构能节约基 座材料，保证。
6、清洗机台的稳定性。 0006 进一步优选的，进水口呈圆形，进水口小于硅片的正面大小保证硅片。该结构能够 使浮起的硅片受到的水压各处相同，浮起平稳。 0007 进一步优选的，所述限位柱为圆柱体形，数量为八个，围绕进水口周向均布在基座 上，硅片位于限位柱围成的空间内。由于限位柱的高度高于芯片浮起时的高度，使硅片不因 水压顶起而从从限位柱内漂出。而且水能够从限位柱之间的间隙流出，使水不会堵塞在基 座上，保证水流能及时流出。 0008 进一步优选的，限位柱高度为10mm-20mm。能够保证硅片浮起而不被水流冲走。 0009 本发明的有益效果是，本发明单片硅片清洗机台利用水压顶起硅片，硅片浮起在 清洗机。
7、台上，硅片背面在酸洗过程中，硅片正面一直处于水中，从而保护硅片正面不与酸液 接触，这样硅片正面的金属层不被腐蚀，从而提高了硅片的生产合格率。本发明单片硅片 清洗机台结构简单，基座上装设限位柱，限制硅片在限位柱内漂浮，从而防止硅片随水流漂 出。 附图说明 0010 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。 0011 图1是本发明单片硅片清洗机台优选实施例的结构示意俯视图。 0012 图2是本发明单片硅片清洗机台优选实施例的结构示意主视图。 0013 图3是本发明单片硅片清洗机台优选实施例的立体示意图。 说 明 书CN 104319252 A 2/2页 4 0014 图中1、基座；2、限位柱；11。
8、、进水口。 具体实施方式 0015 现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以 示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。 0016 如图1-3所示，本发明一种单片硅片清洗机台的优选实施例，该单片硅片清洗机 台用于硅片的清洗，包括基座1和限位柱2。所述基座1呈圆片形，基座1的端面中心上开 设有进水口11，进水口11呈圆形，且进水口11小于硅片的正面大小。所述进水口11连接 有水管(图未示)，所述水管的另一端连接有水源(图未示)，所述水管上装设有调压阀(图 未示)。调节调压阀，控制进水口11的进水量，使放置在进水口的硅片浮起。所述限位柱2 为圆柱体。
9、形，数量为八个，围绕进水口11周向均布在基座1上，芯片位于限位柱2围成的空 间内，限位柱2高度为10mm-20mm，限位柱2高于芯片浮起时的高度，水能够从限位柱2之间 的间隙流出。 0017 将硅片正面向下放置在基座1的进水口11上方，限位柱2以内。对硅片背面酸洗 的过程中，水管进水，调节调压阀，水压使硅片轻轻浮起，进水从硅片的四周较为均匀的流 出。因有限位柱2的保护，硅片不会被水冲开。此时，硅片正面受到不断流出的水的保护。 0018 用喷雾器在硅片背面喷上一层酸，根据工艺要求静置一定时间。然后用水枪将酸 冲去。以上整个工艺时间中，硅片正面都受到了不断流出的水的保护，从而不与喷出的酸雾 进行接触，起到了保护硅片正面的情况下腐蚀背面的工艺过程。 0019 以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完 全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术 性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。 说 明 书CN 104319252 A 1/2页 5 图1 图2 说 明 书 附 图CN 104319252 A 2/2页 6 图3 说 明 书 附 图CN 104319252 A 。