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1、(10)申请公布号 CN 102519364 A (43)申请公布日 2012.06.27 C N 1 0 2 5 1 9 3 6 4 A *CN102519364A* (21)申请号 201110391728.8 (22)申请日 2011.11.30 G01B 11/02(2006.01) G01B 11/22(2006.01) H01L 21/66(2006.01) (71)申请人上海华力微电子有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园 区高斯路497号 (72)发明人李程 张瑜 杨渝书 (74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限 公司 72003 代理人郝新慧 张浴月 (。
2、54) 发明名称 用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法及计 算机辅助系统 (57) 摘要 本发明涉及一种用于等离子体刻蚀结构的光 学探测方法及计算机辅助系统。所述光学探测方 法包括步骤S1：将来自光源的入射光处理成平行 偏振光，并通过加装在刻蚀机台上电极的保偏光 纤传输，垂直入射到待测量结构上；S2：经由所述 保偏光纤将所述待测量结构上的反射光引出，并 采集所述反射光的光谱；S3：将所述采集的光谱 发送给计算机辅助系统进行处理，以获得与所述 待测量结构有关的实际参数。本发明能够获取更 多刻蚀结构的相关数据。 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书4页 附图6页 (19)中华人民共和国国家。
3、知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 4 页 附图 6 页 1/2页 2 1.一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法，其特征在于，包括下述步骤： S1：将来自光源的入射光处理成平行偏振光，并通过加装在刻蚀机台上电极的保偏光 纤传输，垂直入射到待测量结构上； S2：经由所述保偏光纤将所述待测量结构上的反射光引出，并采集所述反射光的光 谱； S3：将所采集的光谱发送给计算机辅助系统进行处理，以获得与所述待测量结构有关 的实际参数。 2.根据权利要求1所述的光学探测方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括： 将来自光源的平行光经由偏振滤镜处理成为平行偏振光； 所述平行偏振光通过。
4、所述保偏光纤传输后，通过物镜的聚焦垂直入射到所述待测量结 构上。 3.根据权利要求1所述的光学探测方法，其特征在于，在采集所述反射光的光谱时，还 包括：不断旋转所述保偏光纤来调整入射光的TE模偏振方向，使得所采集的反射光的光谱 的特征Q因子最大，其中Q因子为所述反射光的光谱的谐振中心频率与谐振频率带宽之比。 4.根据权利要求3所述的光学探测方法，其特征在于，当所述待测量结构为沟槽时，通 过使所述入射光的TE模偏振方向垂直于沟槽的延伸方向，来获得最大化的特征Q因子。 5.根据权利要求3所述的光学探测方法，其特征在于，当所述待测量结构为通孔阵列 时，通过使所述入射光的TE模偏振方向的平行于所述通孔。
5、阵列的对称轴方向，来获得最大 化的特征Q因子。 6.根据权利要求1-5任一项所述的光学探测方法，其特征在于，所述计算机辅助系统 对所述采集的反射光进行处理的步骤包括： 接收所述反射光的光谱； 基于一预设值应用时域有限差分方法对所述反射光的光谱进行分析拟合，得到与所述 待测量结构有关的实际参数的中间结果，其中所述预设值包括所述待测量结构的设计参数 和规格； 基于所述预设值对所述中间结果进行筛选，排除不合理的值，以获得与所述待测量结 构有关的实际参数。 7.根据权利要求1-6任一项所述的光学探测方法，其特征在于，所述与待测量结构有 关的实际参数包括关键尺寸、刻蚀深度以及刻蚀坡度中的任一种或任意几种。
6、。 8.根据权利要求1-6任一项所述的光学探测方法，其特征在于，所述刻蚀机台为反应 式离子蚀刻机、等离子体蚀刻机、变压器耦合式蚀刻机、以及电容耦合式蚀刻机中的任一 种。 9.一种计算机辅助系统，用于对待测量结构进行光谱分析以获得所述待测量结构的实 际参数，其特征在于，所述系统包括： 初始化模块，用于读取用于简化拟合过程并用于筛选结果的预设值，其中该预设值包 括待测量结构的设计参数和规格； 信号采集模块，用于接收一反射光的光谱信号。 分析拟合模块，用于基于在所述初始化模块中的预设值对所述信号采集模块所接收到 的光谱信号进行分析拟合，以获得与待测量结构有关的实际参数的中间结果，所述分析拟 权 利 。
7、要 求 书CN 102519364 A 2/2页 3 合的方法采用的是时域有限差分方法； 校验模块，用于基于在所述初始化模块中的预设值对在所述分析拟合模块中所获得的 中间结果进行筛选，排除不合理的值，获得与所述待测量结构的有关的实际参数； 输出模块，用于输出所述实际参数。 10.根据权利要求9所述的计算机辅助系统，其特征在于，所述与待测量结构有关的实 际参数包括关键尺寸、刻蚀深度以及刻蚀坡度中的任一种或任意几种。 权 利 要 求 书CN 102519364 A 1/4页 4 用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法及计算机辅助系统 技术领域 0001 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子。
8、体刻蚀结构的光学探测方 法及计算机辅助系统。 背景技术 0002 目前，对于等离子体刻蚀的原位实时数据的获取，业界广泛使用的是一种名为 IEP(Interferometry End Point)，即光学干涉终点设定的技术，又称为光学干涉技术，其 原理为利用一光束在薄膜上下界面的反射而形成的两束同源光束之间的相干现象，来测定 薄膜厚度。由其原理可知，IEP被仅仅局限于透光薄膜的厚度的原位实时测量，而无法获取 更多刻蚀结构的相关数据。 发明内容 0003 为了解决上述问题，本发明提供一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法，能 够针对复杂的半导体结构(如周期排列的沟槽或者通孔阵列)的特点，原位实时地。
9、获取其 关键尺寸和刻蚀深度等重要参数。 0004 为实现上述目的，本发明提供一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法，包括 下述步骤：S1：将来自光源的入射光处理成平行偏振光，并通过加装在刻蚀机台上电极的 保偏光纤传输，垂直入射到待测量结构上；S2：经由所述保偏光纤将所述待测量结构上的 反射光引出，并采集所述反射光的光谱；S3：将所采集的光谱发送给计算机辅助系统进行 处理，以获得与所述待测量结构有关的实际参数。 0005 根据本发明的一实施例，所述将来自光源的入射光经由光源偏振光路的处理步骤 S1具体包括：将来自光源的平行光经由偏振滤镜处理成为平行偏振光；所述平行偏振光通 过所述保偏光纤传输后，。
10、通过物镜的聚焦垂直入射到所述待测量结构上。 0006 根据本发明的一实施例，在采集所述反射光的光谱时，还包括：不断旋转所述保偏 光纤来调整入射光的TE模偏振方向，使得所采集的反射光的光谱的特征Q因子最大，其中Q 因子为所述反射光的光谱的谐振中心频率与谐振频率带宽之比。根据本发明的一实施例， 当所述待测量结构为沟槽时，通过使所述入射光的TE模偏振方向垂直于沟槽的延伸方向， 来获得最大化的特征Q因子。根据本发明的另一实施例，当所述待测量结构为通孔阵列时， 通过使所述入射光的TE模偏振方向平行于所述通孔阵列的对称轴方向，来获得最大化的 特征Q因子。 0007 根据本发明的一实施例，所述计算机辅助系统。
11、对所述采集的反射光进行处理的步 骤包括：接收所述反射光的光谱；基于一预设值应用时域有限差分方法对所述反射光的光 谱进行分析拟合，得到与所述待测量结构有关的实际参数的中间结果，其中所述预设值包 括所述待测量结构的设计参数和规格；基于所述预设值对所述中间结果进行筛选，排除不 合理的值，以获得与所述待测量结构有关的实际参数。 0008 根据本发明的一实施例，所述与待测量结构有关的实际参数包括关键尺寸、刻蚀 说 明 书CN 102519364 A 2/4页 5 深度以及刻蚀坡度中的任一种或任意几种。 0009 根据本发明的一实施例，所述刻蚀机台为反应式离子蚀刻机、等离子体蚀刻机、变 压器耦合式蚀刻机、。
12、以及电容耦合式蚀刻机中的任一种。 0010 本发明还提供一种计算机辅助系统，用于对待测量结构进行光谱分析以获得所述 待测量结构的实际参数，所述系统包括：初始化模块，用于读取用于简化拟合过程并用于筛 选结果的预设值，其中该预设值包括待测量结构的设计参数和规格；信号采集模块，用于接 收一反射光的光谱信号；分析拟合模块，用于基于在所述初始化模块中的预设值对所述信 号采集模块所接收到的光谱信号进行分析拟合，以获得与待测量结构有关的实际参数的中 间结果，所述分析拟合的方法采用的是时域有限差分方法；校验模块，用于基于在所述初 始化模块中的预设值对在所述分析拟合模块中所获得的中间结果进行筛选，排除不合理的 。
13、值，获得与所述待测量结构的有关的实际参数；输出模块，用于输出所述实际参数。 0011 本发明通过上述步骤的光学探测方法，较目前业界普遍使用的IEP而言，具有对 于复杂结构的原位实时数据的获取的明显优势，其可同时获取刻蚀机结构的各种参数数 据；所获取的各种数据，可以被广泛应用于机台流程控制以及实时制程控制系统中，从而获 得更好的刻蚀效果。 附图说明 0012 图1为根据本发明实施例的用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法的流程图； 0013 图2A为根据本发明实施例的入射光和反射光光路的结构示意图； 0014 图2B为根据本发明实施例的在刻蚀机台上加装保偏光纤的示意图； 0015 图3为根据本发明实。
14、施例的反应式离子蚀刻机RIE的结构示意图； 0016 图4为根据本发明实施例的感应耦合式等离子体刻蚀机ICP的结构示意图； 0017 图5为根据本发明实施例的变压器耦合式刻蚀机TCP的结构示意图； 0018 图6为根据本发明实施例的电容耦合式刻蚀机CCP的结构示意图； 0019 图7为根据本发明实施例的入射光偏振方向与沟槽的关系的示意图； 0020 图8为根据本发明实施例的入射光偏振方向与通孔阵列的关系的示意图； 0021 图9为根据本发明实施例的计算机辅助系统的结构框图. 0022 上述附图中的附图标记说明如下： 0023 21光纤光源；22偏振滤镜；23遮光光圈；24中继光路；25分光镜；。
15、 26物镜；27待测量结构；28伯特兰物镜；29接收器；31上电极；32下电极； 41石英管；42天线；43线圈；44晶圆；45永磁体；51陶瓷盖；52腔体；53 变压器线圈；61上电极；62下电极；101上电极；102等离子体；103保偏光纤； 105待测量结构；104下电极；106光路。 具体实施方式 0024 将参照附图对本技术的优选实施例进行阐释。 0025 本发明通过应用改进的光学探测方案，对于半导体制造干法刻蚀过程中的复杂结 构(如周期排列沟槽或者通孔阵列结构)通过保偏光纤引入入射光并通过对反射光谱进行 原位实时的采集；而后通过计算机辅助系统对其进行分析拟合，从而得到其关键尺寸和刻。
16、 说 明 书CN 102519364 A 3/4页 6 蚀深度和坡度等重要数据，用以指导刻蚀过程，以获得最佳的刻蚀结果。 0026 因此，根据本发明的一个实施例，如图1所示，本发明的用于等离子体刻蚀结构的 光学探测方法包括下述步骤： 0027 第一步骤S1，将来自光源的入射光处理成为平行偏振光，并通过加装在刻蚀机台 上电极的保偏光纤进行传输，垂直入射到待测量结构上。 0028 上述第一步骤涉及两个技术要点，首先，需将来自光源的入射光经由特殊的光路 进行处理成为平行偏振光，特殊光路的示意图参见图2A，来自光纤光源21的平行光经过偏 振滤镜22成为平行偏振光，然后将处理之后的平行偏振光经过遮光光圈。
17、23、中继光路24、 以及分光镜25等光路传输之后，经由加装在刻蚀机台上的保偏光纤103传输给待测量结 构，由于保偏光纤一般较粗(为几个微米级别)，而待测量结构(如晶圆)，其尺寸一般在1 微米左右或在纳米级别内，因此，保偏光纤传输的入射光还需物镜镜头26进行聚焦，以使 入射光垂直入射到待测量结构上。 0029 其次，这里所述的保偏光纤可被加装在刻蚀机台的上电极上的任意位置，只要能 够使从光路出来的入射平行偏振光垂直投射到晶圆上且以不影响等离子体生成和传输为 宜，如图2B所示。保偏光纤的加装保证了入射的平行偏振光的线偏振方向不变，提高相干 信噪比，以实现对物理量的高精度测量。例如，如图3-图6所。
18、示，所述刻蚀机台可以为反应 式离子蚀刻机RIE、感应耦合式等离子体刻蚀机ICP、变压器耦合式刻蚀机TCP、电容耦合式 刻蚀机CCP等。 0030 第二步骤S2，经由所述保偏光纤将所述待测量结构上的反射光引出，并采集所述 反射光，获得所述反射光的光谱信号。 0031 入射到待测量结构上的平行偏振光被待测量结构反射出，这里所述的待测量结构 例如为晶圆表面上的复杂结构图案，例如，晶圆表面上的周期排列的沟槽结构或者通孔阵 列等。 0032 反射出的反射光一般为点光源，参考图2A的光路，反射光经由物镜26成为平行 光，再经由所述保偏光纤引出，从分光镜透射出之后，通过接收器29采集所述的反射光，以 获得反。
19、射光谱，这里图2的光路中，还设置有伯兰特物镜28，由于反射光经过传输之后光强 微弱，因此设置伯兰特物镜28用于将反射光聚焦以保证接收器29接收到的反射光足够强。 所述接收器29可为已知的光谱仪、分光计、或分光光度计。由于制造商的不同，接收器具有 各种不同体积、不同精度以及不同量测范围的型号，因此，所述接收器可以独立刻蚀机台之 外，也可集成于刻蚀机台之上。 0033 在通过接收器采集反射光时，观察接收器中的反射光谱，来调整入射光的偏振方 向。这里所述的反射光谱为经由例如上述光谱仪、分光计、或分光光度计采集后生成的数字 信号，该数字信号会显示在例如光谱仪的显示屏上。调整入射光的方式为例如不断地旋转。
20、 光纤以调整入射平行偏振光束的偏振方向，使得所述入射的平行偏振光的TE模与待测量 结构处于正交状态。该正交状态反映在反射光谱上，为反射光谱的吸收峰最窄的状态(主 要观察发生谐振现象的波长处，即反射光谱上随光纤旋转而有明显变化的吸收峰)，在该状 态下，待测量结构的反射光谱的特征Q因子最大，这里所述的Q因子为光电子学基本概念， 被定义为光谱的谐振中心频率与谐振频率带宽之比，Q值越大，则谐振谱线的峰或谷越窄越 尖锐。一般而言，Q因子与待测量结构的结构本身有关，例如，当待测量结构为周期排列的 说 明 书CN 102519364 A 4/4页 7 沟槽结构时，需使得入射偏振光的TE模方向与沟槽的方向相垂。
21、直，当待测量结构为通孔阵 列时，需使得入射偏振光的TE模方向平行于通孔阵列的对称轴。 0034 图7和图8为入射光偏振方向与待测量结构的关系的示意图，如图7所示，偏振方 向水平轴P为TE模，偏振方向垂直轴S为TM模，在待测量结构为沟槽时，应使TE模垂直于 沟槽方向，即P垂直于沟槽的延伸方向，在待测量结构为通孔阵列时，P平行于通孔阵列的 对称轴，这里需要说明的是，由于通孔的阵列不同，会存在不同方向的对称轴，依据结构需 求，来选择合适的对称轴方向。这种由于待测量结构的不同而对入射偏振光的偏振方向的 不同需求，会在如上所述的光谱的谐振谱线上体现出来。换言之，当入射偏振光的偏振方向 与待测量结构的相适。
22、配时，会使光谱的谐振谱线的峰或谷越窄，即特征Q因子最大。 0035 第三步骤S3，将所述获得的反射光谱信号发送给计算机辅助系统进行处理，以获 得与所述待测量结构有关的实际参数。 0036 在该第三步骤中，通过计算机辅助系统来对反射光谱信号进行处理，来获得与待 测量结构有关的实际参数。如图9所示，这里的计算机辅助系统包括初始化模块、信号采集 模块、分析拟合模块、校验模块、以及输出模块。 0037 初始化模块811，用于读取用于简化拟合过程并用于筛选结果的预设值，其中该预 设值包括待测量结构的设计参数和规格，例如刻蚀深度和坡度等。根据本发明的一个实施 例，该预设值可预存在计算机中，也可在使用时根据。
23、需要通过输入装置实时输入，例如通过 键盘手动输入所需的预设值。 0038 信号采集模块812，用于接收来自接收器的反射光的光谱信号。 0039 分析拟合模块813，用于基于在初始化模块中的预设值对信号采集模块所接收到 的光谱信号进行分析拟合，以获得与待测量结构有关的实际参数的中间结果，这里分析拟 合的方法采用的是时域有限差分方法(FDTD)。其中在进行分析拟合时，可基于预存在计算 机中的预设值进行拟合，如果拟合过程中难以收敛，则可选择手动输入其它的预设值，以获 得收敛解，从而获得正确的待测量结构的实际参数。 0040 校验模块814，用于基于在初始化模块中的预设值对在分析拟合模块中所获得中 间。
24、结果进行筛选，排除不合理的值，获得与待测量结构有关的实际参数的计算结果，例如得 到所测量结构的特征尺寸(如关键尺寸)、刻蚀深度和坡度等数据。 0041 输出模块815，用于输出所述计算结果。 0042 本发明通过上述步骤的用于干法刻蚀的复杂结构的光学探测方案，较目前业界普 遍使用的IEP(Interferometry End Point，光学干涉探测技术)而言，具有对于复杂结构的 原位实时数据的进行无损获取的明显优势；所获取的各种数据，可以被广泛应用于机台流 程控制以及实时制程控制系统中，从而获得更好的刻蚀效果。 0043 虽然已参照几个典型实施例描述了本发明，但应当理解，所用的术语是说明和示。
25、 例性、而非限制性的术语。由于本发明能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实 质，所以应当理解，上述实施例不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神 和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权 利要求所涵盖。 说 明 书CN 102519364 A 1/6页 8 图1 说 明 书 附 图CN 102519364 A 2/6页 9 图2A 说 明 书 附 图CN 102519364 A 3/6页 10 图2B 图3 说 明 书 附 图CN 102519364 A 10 4/6页 11 图4 图5 说 明 书 附 图CN 102519364 A 11 5/6页 12 图6 图7 图8 说 明 书 附 图CN 102519364 A 12 6/6页 13 图9 说 明 书 附 图CN 102519364 A 13 。