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1、(10)申请公布号 CN 102420117 A (43)申请公布日 2012.04.18 C N 1 0 2 4 2 0 1 1 7 A *CN102420117A* (21)申请号 201110150718.5 (22)申请日 2011.06.07 H01L 21/28(2006.01) H01L 21/336(2006.01) (71)申请人上海华力微电子有限公司 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园 区高斯路568号 (72)发明人谢欣云 黄晓橹 陈玉文 (74)专利代理机构上海新天专利代理有限公司 31213 代理人王敏杰 (54) 发明名称 一种改善后栅极PMOS负偏压温。
2、度不稳定性 的方法 (57) 摘要 本发明公开了一种改善后栅极高介电常数栅 电介质PMOS晶体管负偏压温度不稳定性的方法， 是在高介电常数栅电介质金属栅电极叠层的后栅 极制程中：形成一高介电常数栅电介质层并于该 层上沉积一层附加样本栅极材料，之后刻蚀附加 样本栅极材料及高介电常数栅电介质层；在附加 样本栅形成之后且在源漏离子注入进行热处理之 前，通过离子注入注入单质氟离子或含氟化合物 到PMOS器件区域；进行源漏离子注入并实施热 处理；以绝缘层覆盖PMOS器件及其附加样本栅， 并对绝缘层进行表面研磨处理；刻蚀掉附加样本 栅并在原处形成沟槽，在沟槽中沉积第一金属层； 在第一金属层上沉积填充第二金。
3、属层。本发明有 效改善了PMOS的负偏压温度不稳定性效应。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页 CN 102420129 A 1/1页 2 1.一种改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，在高介电常数栅电 介质金属栅电极叠层的后栅极制程中，包括： 形成一高介电常数栅电介质层并于该高介电常数栅电介质层上沉积一层附加样本栅 极材料，之后刻蚀附加样本栅极材料，以形成MOS器件的栅电介质层及覆盖在栅电介质上 的附加样本栅； 在附加样本栅形成之后且在源漏离子注入进行热处理之前，通过离子注入注。
4、入单质氟 离子或含氟化合物到PMOS器件区域； 进行源漏离子注入并实施热处理，使氟离子或含氟化合物进入高介电常数栅电介质 层，以在HfO 2 /SiO 2 和SiO 2 /Si界面处形成较稳定的氟化物化学键； 以绝缘层覆盖PMOS器件及其附加样本栅，并对绝缘层进行表面研磨处理直至绝缘层 中外露出附加样本栅； 刻蚀掉附加样本栅并在原附加样本栅处形成沟槽，然后在沟槽中沉积第一金属层，同 时通过对其表面进行研磨处理来研磨掉多余的金属； 在第一金属层上沉积填充第二金属层，同时通过对其表面进行研磨处理来研磨掉多余 的金属。 2.根据权利要求1所述的改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，。
5、 氟离子或含氟化合物的注入能量范围是1KeV至20KeV。 3.根据权利要求1所述的改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于， 氟离子或含氟化合物的注入剂量范围为1E14/cm 2 至3E15/cm 2 。 4.根据权利要求1所述的改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于， 所述在HfO 2 /SiO 2 和SiO 2 /Si界面处形成较稳定的氟化物化学键为Hf-F化学键。 5.根据权利要求1所述的改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于， 所述在HfO 2 /SiO 2 和SiO 2 /Si界面处形成较稳定的氟化物化学键为Si-F化学键。 6.根据权。
6、利要求1所述的改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于， 所述对绝缘层进行表面研磨处理直至绝缘层中外露出附加样本栅中是采用化学机械碾磨 法进行研磨。 7.根据权利要求1所述的改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于， 所述第一金属层和所述第二金属层采用不同金属。 权 利 要 求 书CN 102420117 A CN 102420129 A 1/3页 3 一种改善后栅极 PMOS 负偏压温度不稳定性的方法 技术领域 0001 本发明一般涉及半导体制造技术领域，更确切地说，本发明涉及一种改善后栅极 高介电常数栅电介质PMOS晶体管负偏压温度不稳定性的方法。 背景技术 0。
7、002 负偏压温度不稳定性（NBTI：Negative Bias Temperature Instability）效应是 CMOS电路中的PMOS管在高温、强场负栅压的作用下出现的一种退化现象，表现为栅电流增 大，阈值电压向负方向漂移，亚阈值斜率减小，跨导和漏电流变小等。负偏压温度不稳定性 效应的产生过程主要涉及正电荷的产生和钝化，即界面陷阱电荷和氧化层固定正电荷的产 生以及扩散物质的扩散过程，氢气和水汽是引起负偏压温度不稳定性的两种主要物质。传 统的R-D模型将负偏压温度不稳定性产生的原因归结于PMOS管在高温负栅压下反型层的 空穴受到热激发，遂穿到硅/二氧化硅界面，由于在界面存在大量的Si。
8、-H键，热激发的空穴 与Si-H键作用生成H原子，从而在界面留下悬挂键，而由于H原子的不稳定性，两个H原 子就会结合，以氢气分子的形式释放，远离界面向栅界面扩散，从而引起阈值电压的负向漂 移。 为了能够很好的解决处理器采用45nm工艺的漏电问题，Intel采用了铪基高介电常数 栅电介质金属栅电极叠层技术，高介电常数金属栅极工艺可使漏电减少10倍之多，使功耗 也能得到很好的控制，而且如果在相同功耗下，理论上性能可提升20左右。但是由于高 介电常数栅电介质与硅的界面具有大量的界面态，这些界面态在半导体制程中会与氢形成 不稳定的化学键，这些不稳定的氢键在PMOS器件工作过程中会产生大量界面态，从而改。
9、变 PMOS性能，使得高介电常数栅电介质的PMOS器件具有很严重的负偏压温度不稳定性效应。 当前，业界为减弱负偏压温度不稳定性效应对于PMOS器件产生的危害性，采用的方法主要 包括：1）通过热退火，在Si/SiO 2 界面处引入氘；2）优化栅氧中的氮的掺杂浓度；3）尽量不 要让水出现在氧化层中；4）在栅氧中进行氟注入；5）采用埋沟器件和中间的功函数栅材料 等。后栅极工艺是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进 行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极，工艺比较复 杂，因此要解决后栅极高介电常数栅电介质PMOS中的负偏压温度不稳定性效应问题也成 。
10、为一个复杂的综合性课题，本申请正是基于改善后栅极高介电常数栅电介质PMOS晶体管 负偏压温度不稳定性而提出的。 发明内容 0003 针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种改善后栅极高介电常数栅电介质 PMOS晶体管负偏压温度不稳定性的方法，是通过下述技术方案实现的： 一种改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其中，在高介电常数栅电介质金属 栅电极叠层的后栅极制程中，包括： 形成一高介电常数栅电介质层并于该高介电常数栅电介质层上沉积一层附加样本栅 说 明 书CN 102420117 A CN 102420129 A 2/3页 4 极材料，之后刻蚀附加样本栅极材料，以形成MOS器件的栅电。
11、介质层及覆盖在栅电介质上 的附加样本栅； 在附加样本栅形成之后且在源漏离子注入进行热处理之前，通过离子注入注入单质氟 离子或含氟化合物到PMOS器件区域； 进行源漏离子注入并实施热处理，使氟离子或含氟化合物进入高介电常数栅电介质 层，以在HfO 2 /SiO 2 和SiO 2 /Si界面处形成较稳定的氟化物化学键； 以绝缘层覆盖PMOS器件及其附加样本栅，并对绝缘层进行表面研磨处理直至绝缘层 中外露出附加样本栅； 刻蚀掉附加样本栅并在原附加样本栅处形成沟槽，然后在沟槽中沉积第一金属层，同 时通过对其表面进行研磨处理来研磨掉多余的金属； 在第一金属层上沉积填充第二金属层，同时通过对其表面进行研磨。
12、处理来研磨掉多余 的金属。 0004 上述改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其中，氟离子或含氟化合物的 注入能量范围是1KeV至20KeV。 0005 上述改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其中，氟离子或含氟化合物的 注入剂量范围为1E14/cm 2 至3E15/cm 2 。 0006 上述改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其中，所述在HfO 2 /SiO 2 和 SiO 2 /Si界面处形成较稳定的氟化物化学键为Hf-F化学键。 0007 上述改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其中，所述在HfO 2 /SiO 2 和 SiO 2 /Si界面处形成较稳定。
13、的氟化物化学键为Si-F化学键。 0008 上述改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其中，所述对绝缘层进行表面 研磨处理直至绝缘层中外露出附加样本栅中是采用化学机械碾磨法进行研磨。 0009 上述改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法，其中，所述第一金属层和所述 第二金属层采用不同金属。 0010 本领域的技术人员阅读以下较佳实施例的详细说明，并参照附图之后，本发明的 这些和其他方面的优势无疑将显而易见。 附图说明 0011 参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例，然而，所附附图仅用于说明和 阐述，并不构成对本发明范围的限制。 0012 图1A、图1B、图1C、图1D分别是本。
14、发明改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方 法的最佳实施例的流程结构示意图。 具体实施方式 0013 本发明改善后栅极PMOS负偏压温度不稳定性的方法是在高介电常数栅电介质金 属栅电极叠层的后栅极工艺制程中进行，最佳实施例的流程结构示意图如图1A图1D所 示，具体包括： 形成一高介电常数栅电介质层1并于该高介电常数栅电介质层1上沉积一层附加样本 栅极材料2，之后刻蚀附加样本栅极材料2，以形成MOS器件的栅电介质层1及覆盖在栅电 说 明 书CN 102420117 A CN 102420129 A 3/3页 5 介质1上的附加样本栅2，如图1A所示； 如图1B所示，在附加样本栅2形成之后且在源。
15、漏离子注入进行热处理之前，通过离子 注入注入单质氟离子或含氟化合物到PMOS器件区域3；进行源漏离子注入并实施热处理， 使氟离子或含氟化合物进入高介电常数栅电介质层1，以在HfO 2 /SiO 2 和SiO 2 /Si界面处形 成较稳定的氟化物化学键，这种化学键在MOS器件工作中不容易产生界面态，从而改善了 PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性效应；以绝缘层4覆盖PMOS器件区域3及其附加样本 栅2，并对绝缘层4进行表面化学机械碾磨处理直至绝缘层4中外露出附加样本栅2上端； 氟离子或含氟化合物的注入能量范围是1KeV至20KeV，注入剂量范围为1E14/cm 2 至3E15/ cm 2 。 00。
16、14 如图1C所示，刻蚀掉附加样本栅2并在原附加样本栅处形成沟槽5，然后在沟槽5 中沉积第一金属层6，同时通过对其表面进行研磨处理来研磨掉多余的金属，具体是采用化 学机械碾磨法（CMP）研磨掉表面多余的金属。 0015 如图1D所示，在第一金属层6上沉积填充第二金属层7，同时通过对其表面进行化 学机械碾磨处理来研磨掉多余的金属，第二金属层6与第一金属层7可以为不同金属。 0016 通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，例如，本案是以 PMOS器件进行阐述，基于本发明精神，芯片还可作其他类型的转换。因此，尽管上述发明提 出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。 0017 对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。 因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正，在权 利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。 说 明 书CN 102420117 A CN 102420129 A 1/2页 6 图1A 图1B 说 明 书 附 图CN 102420117 A CN 102420129 A 2/2页 7 图1C 图1D 说 明 书 附 图CN 102420117 A 。