《一种半导体湿法腐蚀的装置及方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种半导体湿法腐蚀的装置及方法.pdf（5页完整版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 102420159 A (43)申请公布日 2012.04.18 C N 1 0 2 4 2 0 1 5 9 A *CN102420159A* (21)申请号 201110419839.5 (22)申请日 2011.12.15 H01L 21/67(2006.01) (71)申请人杭州立昂微电子股份有限公司 地址 310018 浙江省杭州市江干区杭州经济 技术开发区20号大街199号 (72)发明人陈宝华 郑振宇 王海峰 周诗雨 朱灵辉 朱春生 黄力平 (74)专利代理机构杭州浙科专利事务所 33213 代理人吴秉中 (54) 发明名称 一种半导体湿法腐蚀的装置及方法。
2、 (57) 摘要 本发明属于半导体器件制造领域，具体为一 种半导体湿法腐蚀的装置及方法。其特征在于设 备支架上配合设置传动装置、花篮支架和盛装腐 蚀液的槽体，传动装置带动花篮支架往复运动于 槽体内。本发明通过前后摇动的方式，使盛装晶片 的花篮具有较大的运行轨迹，从而增加了腐蚀液 的流动性，通过控制前后摆动的幅度和频率，在增 加化学腐蚀液的流动性的同时提供了一种腐蚀液 对腐蚀体的冲击动能，能够有效提高腐蚀液的纵 向腐蚀速率，因而改善腐蚀的均匀性，减少腐蚀体 的残留。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 。
3、页 CN 102420171 A 1/1页 2 1.一种半导体湿法腐蚀的装置，包括设备支架，其特征在于所述的设备支架上配合设 置传动装置、花篮支架和盛装腐蚀液的槽体，传动装置带动花篮支架往复运动于槽体内。 2.根据权利要求1所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的传动装置由 气缸、导轨支架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在 设备支架外侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上 方的侧沿；所述的花篮支架配合设置在导轨支架上。 3.根据权利要求1所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的导轨上设置 滑轮，导轨支架与滑轮滑动配合。
4、。 4.根据权利要求1或2所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的花篮支 架内配合设置片架花篮，片架花篮内放置晶片。 5.根据权利要求2所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于气缸通过电磁阀与 气源相连，气源和电磁阀分别与PLC控制器相连。 6.根据权利要求1所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的传动装置由 气缸、导轨支架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在 设备支架外侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上 方的侧沿；所述的花篮支架配合设置在导轨支架上；所述的气缸通过电磁阀与气源相连， 气源和电磁阀分别与PLC控制。
5、器相连；所述的花篮支架内配合设置片架花篮，片架花篮内 放置晶片。 7.根据权利要求6所述的一种半导体湿法腐蚀装置的腐蚀方法，其特征在于工作流程 如下： 1）启动开始按钮，PLC控制器根据事先编好的所需程序开始工作； 2）PLC控制器根据程序设置，输出24V直流信号驱动电磁阀工作，电磁阀控制气源的开 关状态； 3）气缸在气源的作用下带动导轨支架往复运动于槽体上方；同时导轨支架带动设置在 其上方的花篮支架来回运动，使晶片与槽体内的腐蚀液充分接触。 8.根据权利要求7所述的一种半导体湿法腐蚀装置的腐蚀方法，其特征在于PLC控制 器控制气缸的行程和运动频率。 权 利 要 求 书CN 102420159。
6、 A CN 102420171 A 1/2页 3 一种半导体湿法腐蚀的装置及方法 技术领域 0001 本发明属于半导体器件制造领域，具体为一种半导体湿法腐蚀的装置及方法。 背景技术 0002 目前主流的湿法腐蚀，所采用的腐蚀方式均为晶片浸泡在腐蚀液中腐蚀，对于一 些较难腐蚀的物质，不能给硅片起到更好的腐蚀效果，特别是对于较厚的薄膜和混合材料 薄膜经常出现残留和腐蚀不均匀。 发明内容 0003 针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体湿法腐蚀的装置 及方法的技术方案。 0004 所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，包括设备支架，其特征在于所述的设备支架 上配合设置传动装置、花篮支架和。
7、盛装腐蚀液的槽体，传动装置带动花篮支架往复运动于 槽体内。 0005 所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的传动装置由气缸、导轨支 架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架外 侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上方的侧沿；所 述的花篮支架配合设置在导轨支架上。 0006 所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的导轨上设置滑轮，导轨支 架与滑轮滑动配合。 0007 所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的花篮支架内配合设置片架 花篮，片架花篮内放置晶片。 0008 所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征。
8、在于气缸通过电磁阀与气源相连，气 源和电磁阀分别与PLC控制器相连。 0009 所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的传动装置由气缸、导轨支 架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架外 侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上方的侧沿；所 述的花篮支架配合设置在导轨支架上；所述的气缸通过电磁阀与气源相连，气源和电磁阀 分别与PLC控制器相连；所述的花篮支架内配合设置片架花篮，片架花篮内放置晶片。 0010 所述的一种半导体湿法腐蚀装置的腐蚀方法，其特征在于工作流程如下： 1）启动开始按钮，PLC控制器根据事先编好的所需程。
9、序开始工作； 2）PLC控制器根据程序设置，输出24V直流信号驱动电磁阀工作，电磁阀控制气源的开 关状态； 3）气缸在气源的作用下带动导轨支架往复运动于槽体上方；同时导轨支架带动设置在 其上方的花篮支架来回运动，使晶片与槽体内的腐蚀液充分接触。 0011 所述的一种半导体湿法腐蚀装置的腐蚀方法，其特征在于PLC控制器控制气缸的 说 明 书CN 102420159 A CN 102420171 A 2/2页 4 行程和运动频率。 0012 本发明通过前后摇动的方式，使盛装晶片的花篮具有较大的运行轨迹，从而增加 了腐蚀液的流动性，通过控制前后摆动的幅度和频率，在增加化学腐蚀液的流动性的同时 提供了。
10、一种腐蚀液对腐蚀体的冲击动能，能够有效提高腐蚀液的纵向腐蚀速率，因而改善 腐蚀的均匀性，减少腐蚀体的残留。 附图说明 0013 图1为本发明的结构示意图； 图中：1-气缸，2-导轨支架，3-导轨，4-片架花篮，5-花篮支架，6-槽体，7-设备支架。 具体实施方式 0014 下面结合说明书附图对本发明作进一步说明： 一种半导体湿法腐蚀的装置，包括设备支架7，在设备支架7上配合设置传动装置、花 篮支架5和盛装腐蚀液的槽体6，传动装置带动花篮支架5往复运动于槽体6内。 0015 具体地，传动装置由气缸1、导轨支架2和导轨3组成，气缸1固定设置在设备支 架7的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架7外。
11、侧上方的导轨支架2相连，导轨支架 2滑动设置在导轨3上，导轨3设置在所述槽体6上方的侧沿；可以在导轨3上设置滑轮， 导轨支架2可在滑轮上滑动，实现往复运动；花篮支架5配合设置在导轨支架2上，由导轨 支架2的带动，往复运动与槽体内，实现晶片与槽体6内腐蚀液的充分接触；气缸1通过电 磁阀与气源相连，气源和电磁阀分别与PLC控制器相连；在花篮支架5内配合设置片架花篮 4，片架花篮4内放置晶片。 0016 利用该半导体湿法腐蚀的装置对半导体湿法腐蚀的工作流程如下： 1）启动开始按钮，PLC控制器根据事先编好的所需程序开始工作，计时器计时； 2）PLC控制器根据程序设置，输出24V直流信号驱动电磁阀工作。
12、，电磁阀控制气源的开 关状态；电磁阀根据PLC控制器输出信号的不同，来决定气源（CDA）的输出情况，再由气源 来控制汽缸的伸出和缩回； 3）气缸在气源的作用下带动导轨支架往复运动于槽体上方，同时导轨支架带动设置在 其上方的花篮支架来回运动，使晶片与槽体内的腐蚀液充分接触；气缸的行程和运动频率 由PLC控制器控制，且可调。 0017 通过来回摇动导轨支架，从而增大了片架花篮内晶片的运动行程，同时使得腐蚀 液在槽体内得到较好的流动并向晶片提供冲击的动能，使得晶片与腐蚀液充分接触并增加 纵向冲击力，提高纵向腐蚀速率，因而改善腐蚀的均匀性，减少腐蚀体的残留。 说 明 书CN 102420159 A CN 102420171 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 102420159 A 。