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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201380028033.0 (22)申请日 2013.07.30 2012-170618 2012.07.31 JP 2012-176507 2012.08.08 JP H01L 51/52(2006.01) (71)申请人 索尼公司 地址 日本东京 (72)发明人 齐藤高寿 和泉健一 寺口晋一 中平忠克 横关弥树博 西正太 古立学 (74)专利代理机构 北京信慧永光知识产权代理 有限责任公司 11290 代理人 梁兴龙 曹正建 (54) 发明名称 具有防湿密封件的显示单元 (57) 摘要 本发明公开了一种显示装置，其包括彼此对 向配置。
2、的第一基板和第二基板 ；在第一基板上的 第一有机绝缘层 ；在显示区域中排列的多个发光 元件，所述显示区域在第一有机绝缘层上并面对 第二基板 ；和在周边区域中覆盖第一有机绝缘层 的第一防湿膜，其中所述周边区域设置在第一基 板上并包围所述显示区域。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2014.11.27 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2013/004606 2013.07.30 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2014/020899 EN 2014.02.06 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求。
3、书2页 说明书20页 附图26页 (10)申请公布号 CN 104471736 A (43)申请公布日 2015.03.25 CN 104471736 A 1/2 页 2 1.一种显示区域，包括 ： 第一基板 ； 在第一基板上的发光元件 ； 在所述发光元件中的电致发光元件 ； 在所述电致发光元件上的平坦化膜，和 至少位于所述电致发光元件周围的第一防湿膜。 2.如权利要求 1 所述的显示区域，还包括位于保护膜和所述平坦化膜之间的第二防湿 膜。 3.如权利要求 2 所述的显示区域，还包括位于所述平坦化膜和保护膜之间的第三防湿 膜。 4.如权利要求 1 所述的显示区域，还包括在密封部中的分离槽。 5。
4、.如权利要求 4 所述的显示区域，其中所述分离槽用第一防湿膜填充。 6.如权利要求 4 所述的显示区域，其中所述分离槽的内表面用金属膜覆盖。 7.一种显示区域，包括 ： 基板 ； 在所述基板上的发光元件 ； 在所述发光元件中的电致发光层 ； 在所述发光层上方的密封基板 ； 在所述密封基板和所述基板之间的密封部 ；和 在所述密封部中的第一分离槽。 8.如权利要求 7 所述的显示区域，其中第一分离槽用所述密封部的至少一部分填充。 9.如权利要求 7 所述的显示区域，其中第一分离槽的内表面用金属膜覆盖。 10.如权利要求 8 所述的显示区域，还包括在所述密封部中的第二分离槽。 11.如权利要求 10。
5、 所述的显示区域，其中第二分离槽的内表面用金属膜覆盖。 12.如权利要求 7 所述的显示区域，其中防湿膜从所述密封基板的一个端面延伸到所 述密封基板的另一个端面。 13.如权利要求 12 所述的显示区域，其中所述防湿膜含有防湿性高的绝缘性树脂。 14.如权利要求 12 所述的显示区域，其中所述防湿膜包含树脂层和无机层。 15.如权利要求 12 所述的显示区域，其中所述防湿膜是玻璃层。 16.一种显示区域，包括 ： 第一基板 ； 在第一基板上方的第二基板 ； 在第一基板和第二基板之间的发光元件 ； 在所述发光元件中的电致发光元件 ； 在所述电致发光元件上的平坦化膜，和 从第二基板的端部延伸到第一。
6、基板的端部的防湿膜。 17.如权利要求 16 所述的显示区域，其中所述防湿膜包含树脂层和无机层。 18.如权利要求 16 所述的显示区域，其中所述防湿膜是玻璃层。 19.一种显示装置，包括 ： 权 利 要 求 书CN 104471736 A 2/2 页 3 显示区域 ； 在所述显示区域周围的周边区域 ；和 至少位于所述周边区域周围的第一防湿膜， 其中， 所述显示区域包括(i)像素电路层，(ii)在所述像素电路层上的第一绝缘层，和(iii) 在第一绝缘层上的发光元件，和 第一防湿膜的至少一部分覆盖第一绝缘层的至少一部分。 20.如权利要求 19 所述的显示装置，还包括在第一绝缘层上的第二绝缘层，。
7、第二绝缘 层绘出发光区域的轮廓。 21.如权利要求 19 所述的显示装置，其中第一防湿膜从所述显示区域到所述周边区域 覆盖第一绝缘层。 22.如权利要求 19 所述的显示装置，还包括在第一绝缘层和第二绝缘层之间的第二防 湿膜。 权 利 要 求 书CN 104471736 A 1/20 页 4 具有防湿密封件的显示单元 技术领域 0001 本技术涉及一种具有包含有机层的自发光型发光元件的显示装置，还涉及一种设 有这种显示装置的电子设备。 背景技术 0002 通过使用有机材料的有机 EL 现象发光的有机电致发光 (EL) 元件包括有机层，其 中在阳极和阴极之间层叠着有机空穴传输层和有机发光层。作为。
8、能够实现通过低压直流驱 动而实现高强度发光的发光元件，有机 EL 元件受到关注。然而，在使用有机 EL 元件的显示 装置 ( 有机 EL 显示装置 ) 中，由于吸湿的原因，发生有机 EL 元件中的有机层的劣化，导致 有机 EL 元件中的发光强度降低或发光不稳定等。因此，这种类型的显示装置具有诸如随时 间变化的低稳定性和短寿命等缺点。 0003 因此，例如，日本未审查专利申请公开 No.2002-93576 已经提出了一种有机 EL 显 示装置，其中在基板的形成有有机 EL 元件和其他电路的元件形成面侧上设置用于密封的 覆盖材料，并且基板和覆盖材料之间的边缘部由密封材料密封。JP 2002-93。
9、576A 还提出一 种构造，其中密封材料的外侧覆盖有作为防止水蒸汽等侵入的保护膜的硬质碳膜。这种构 造使得能够在基板上形成的有机 EL 元件与外部完全屏蔽，并且防止通过有机 EL 元件的氧 化而加速劣化的诸如水和氧等物质的侵入。 0004 此外，还提出了一种完全固体型的有机 EL 显示装置，其中用于密封的覆盖材料经 由粘合剂粘附到基板的形成有有机 EL 元件和其他电路的元件形成面侧。 0005 此外，还提出了一种有机 EL 显示装置，其中将有机绝缘膜分离成内部区域侧和外 部区域侧的分离槽形成在显示区域周围的位置(即，在显示区域的外缘侧)。参见，例如，日 本未审查专利申请公开 No.2006-5。
10、4111 和 No.2008-283222。设置该分离槽防止在有机绝 缘膜的外部区域侧存在的水由于通过有机绝缘膜的内侧而侵入内部区域侧 ( 即，显示区域 侧 )。因此，可以抑制由于留在显示装置内的水通过有机绝缘膜而导致有机层 ( 有机 EL 元 件 ) 的劣化。 0006 引用文献列表 0007 专利文献 0008 专利文献 1 日本未审查专利申请公开 No.2002-93576 0009 专利文献 2 日本未审查专利申请公开 No.2006-54111 0010 专利文献 3 日本未审查专利申请公开 No.2008-283222 发明内容 0011 技术问题 0012 另一方面，近年来，有机。
11、EL显示装置被安装在诸如所谓的平板个人电脑(PC)和智 能手机 ( 多功能便携式电话 ) 等便携式信息终端上。对于这种类型的便携式信息终端，从 便携性的观点来看，难以提高主体的大小。然而，从确保使用者的可视性和可操作性的观点 说 明 书CN 104471736 A 2/20 页 5 来看，必需使有效画面区域尽可能大。因此，期望提供一种所谓的窄边框，即，在便携式信息 终端的主体中尽可能减少除了有效画面区域之外的由周边区域所占据的区域。 0013 然而，在诸如上述日本未审查专利申请公开No.2006-54111和No.2008-283222提 出的构造中，例如，使用白色有机 EL 元件的情况，在区。
12、域掩模被用于形成有机层等膜的情 况下，难以提供窄边框。换句话说，考虑到区域掩模的未对准 ( 掩模未对准区域 ) 和膜的环 绕(锥形区域)，实际上，必需在充分远离显示区域的位置形成上述分离槽。因此，需要确保 宽边框(即，需要增大显示区域和周边区域之间的距离)，使得难以提供窄边框。此外，由于 需要增大显示区域和周边区域之间的距离，因此包含在该区域 ( 分离槽的内部区域 ) 的有 机层内的水侵入有机层，由此使有机层劣化。 0014 希望提供一种在抑制由水引起发光元件劣化的同时具有高可靠性和更大有效画 面区域的显示装置以及设有这种显示装置的电子设备。 0015 解决问题的方案 0016 根据本技术实施。
13、方案的显示装置包括 ：彼此对向配置的第一基板和第二基板 ；设 置在第一基板上的第一有机绝缘层 ；在显示区域中排列的多个发光元件，其中所述显示区 域设置在第一有机绝缘层上并面对第二基板 ；和在周边区域中覆盖第一有机绝缘层的第一 防湿膜，其中所述周边区域设置在第一基板上并包围所述显示区域。 0017 根据本技术实施方案的电子设备配备有显示装置。所述显示装置包括 ：彼此对向 配置的第一基板和第二基板 ；设置在第一基板上的第一有机绝缘层 ；在显示区域中排列的 多个发光元件，其中所述显示区域设置在第一有机绝缘层上并面对第二基板 ；和在周边区 域中覆盖第一有机绝缘层的第一防湿膜，其中所述周边区域设置在第一。
14、基板上并包围所述 显示区域。 0018 在根据本技术上述实施方案的显示装置和电子设备中，周边区域中的第一有机绝 缘层被第一防湿膜覆盖。因此，第一有机绝缘层与含有水的外部空气充分地隔离。 0019 发明的有益效果 0020 根据本技术上述实施方案的显示装置和电子设备，由于设置有第一防湿膜，所以 在提供简单构造的同时可以有效地防止水从周边区域侵入到显示区域。因此，防止了发光 元件的劣化，这样允许实现高可靠性，同时还实现了窄边框。 0021 应当理解不论上述概括说明还是以下详细说明都是示例性的，并且其目的是用来 提供对所请求保护的技术的进一步解释。 附图说明 0022 图 1 是示出根据本技术实施方。
15、案的显示装置的构成的图。 0023 图 2 是示出图 1 所示的像素驱动电路的一个例子的图。 0024 图 3 是示出图 1 所示的显示区域的构成的平面图。 0025 图 4 是示出图 1 所示的显示区域的构成的断面图。 0026 图 5 是示出图 1 所示的显示区域的构成的另一个断面图。 0027 图 6 是示出图 4 和图 5 所法的有机层的放大断面图。 0028 图 7 是示出根据第一变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0029 图 8 是示出根据第二变形例的显示装置的要部构成的断面图。 说 明 书CN 104471736 A 3/20 页 6 0030 图 9A 是示出根据第三变形例。
16、的显示装置的要部构成的断面图。 0031 图 9B 是示出根据第四变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0032 图 9C 是示出根据第五变形例的显示装置的要部构成的放大断面图。 0033 图 10 是示出根据第六变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0034 图 11 是示出包括根据上述实施方案和变形例的显示装置的模块的示意性构成平 面图。 0035 图 12 是示出根据显示装置的应用例 1 的电视机的外观的立体图。 0036 图 13A 是示出根据显示装置的应用例 2 的数码相机的外观的第一立体图。 0037 图 13B 是示出根据显示装置的应用例 2 的数码相机的外观的第二立体图。 00。
17、38 图 14 是示出根据显示装置的应用例 3 的膝上型电脑的外观的立体图。 0039 图 15 是示出根据显示装置的应用例 4 的摄像机的外观的立体图。 0040 图16A是示出根据显示装置的应用例5的便携式电话的图，即，处于关闭状态的便 携式电话的前视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。 0041 图16B是示出根据显示装置的应用例5的便携式电话的图，即，处于打开状态的便 携式电话的前视图和侧视图。 0042 图 17A 是示出使用显示装置的根据应用例 6 的平板型 PC 的外观的 第一立体图。 0043 图 17B 是示出使用显示装置的根据应用例 6 的平板型 PC 的外观的第二立体图。。
18、 0044 图 18 是示出根据第七变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0045 图 19A 是示出根据第八变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0046 图 19B 是示出根据第九变形例的显示装置的要部构成的放大断面图。 0047 图 20 是示出根据第十变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0048 图 21A 是示出根据第十一变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0049 图 21B 是示出根据第十二变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0050 图 22A 是示出根据第十三变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0051 图 22B 是示出根据第十三变形例的显示装置的要部构成的另一个断。
19、面图。 0052 图 23 是用于说明制造图 22A 和图 22B 示出的显示装置的方法的立体图。 0053 图 24A 是示出根据第十四变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0054 图 24B 是示出根据第十四变形例的显示装置的要部构成的另一个断面图。 0055 图 25 是示出根据第十五变形例的显示装置的要部构成的断面图。 0056 图 26 是用于说明制造图 25 示出的显示装置的方法的立体图。 0057 图 27 是示出根据第十六变形例的显示装置的要部构成的断面图。 具体实施方式 0058 下面将参照附图详细说明本公开的实施方案和应用例。需要指出的是，将按以下 顺序进行说明。 005。
20、9 1. 实施方案 ( 图 1 图 10) ：显示装置 0060 2. 显示装置的应用例 ( 图 11 图 17B) ：电子设备 0061 0062 ( 有机 EL 显示装置的整体构成例 ) 说 明 书CN 104471736 A 4/20 页 7 0063 图1示出根据本技术实施方案的有机EL显示装置1(下面简称作显示装置1)的整 体构成例。显示装置 1 可以用作有机 EL 电视机，并且具有在基板 111 上的显示区域 110A。 在显示区域 110A 中，以矩阵状配置多个子像素 10R，10G 和 10B。子像素 10R 显示红色，子像 素10G显示绿色，子像素10B显示蓝色。这里，显示相。
21、同颜色的子像素在Y方向上排列成列， 并且该列在 X 方向上顺次重复。因此，在 X 方向上排列的 3 个子像素的组合形成 1 个图像 元素 ( 像素 )。此外，在显示区域 110A 周围 ( 即，在其外缘侧或外周侧 ) 的周边区域 110B 中，设置有用作图像显示用的驱动器 ( 后述的周边电路 12B) 的信号线驱动电路 120 和扫描 线驱动电路 130。 0064 信号线驱动电路 120 将与从信号供给源 ( 未示出 ) 供给的亮度信息对应的图像信 号的信号电压通过信号线 120A 供给到像素。 0065 扫描线驱动电路 130 包括与输入的时钟脉冲同步顺次移位 ( 转移 ) 起始脉冲的移 。
22、位寄存器等。在向各像素写入图像信号时，扫描线驱动电路 130 逐行扫描各像素，并顺次向 各扫描线 130A 供给扫描信号。 0066 在显示区域110中设置有像素驱动电路140，图2示出了一个像素驱动电路140的 例子 ( 即，子像素 10R，10G 和 10B 的像素电路的例子 )。像素驱动电路 140 是形成在后面将 要说明的第一电极 13 下方 ( 后述的像素驱动电路形成层 112) 的有源型驱动电路。像素驱 动电路 140 包括驱动晶体管 Tr1、写入晶体管 Tr2、位于其间的电容器 ( 保持电容 )Cs。像 素驱动电路 140 还包括位于第一电源线 (Vcc) 和第二电源线 (GND。
23、) 之间并串联连接至驱动 晶体管 Tr1 的白色有机 EL 元件 10W( 下面简称作 EL 元件 10W)。换句话说，各子像素 10R， 10G 和 10B 设有 EL 元件 10W。驱动晶体管 Tr1 和写入晶体管 Tr2 均使用普通的薄膜晶体管 (TFT)构成，并且可以被构造成具有但不限于逆交错结构(所谓的底栅型)或交错结构(所 谓 的顶栅型 )。 0067 在像素驱动电路 140 中，多个信号线 120A 沿列方向配置，多个扫描线 130A 沿行方 向配置。各信号线 120A 与各扫描线 130A 之间的交叉点对应于子像素 10R，10G 和 10B 中 的一个。各信号线 120A 连。
24、接至信号线驱动电路 120，使得信号线驱动电路 120 通过信号线 120A 将图像信号供给写入晶体管 Tr2 的源极。各扫描线 130A 连接至扫描线驱动电路 130， 使得扫描线驱动电路 130 通过扫描线 130A 将扫描信号供给写入晶体管 Tr2 的栅极。 0068 ( 显示装置的平面构成例 ) 0069 图 3 示出在 XY 平面上扩展的显示区域 110A 的构成例。这里，示意性地示出了从 上方观察时包括显示区域 110A 和包围显示区域 110A 的周边区域 110B 的平面构成。显示 区域 110A 处于其中第二电极层 16、填充层 18 和密封基板 19( 均后述 ) 被移除的。
25、状态。如 图 3 所示，在显示区域 110A 中，多个 EL 元件 10W 在 X 方向和 Y 方向上配置，即，整体配置成 矩阵状。更具体地，EL 元件 10W 包括各发光部 20，一个 EL 元件 10W 针对各个子像素 10R， 10G 和 10B 设置。各发光部 20 由开口限定绝缘膜 24 彼此分离和限定。 0070 在图 3 中，由包围发光部 20 的虚线所示的矩形表示形成有机层 14 的区域。此外， 由包围形成有机层 14 的区域的虚线所示的矩形表示形成第一电极层 13 的区域。例如，第 一电极层13的一部分设置有可以与驱动晶体管Tr1的源极建立导通的接触部124。需要指 出的是，。
26、在 X 方向和 Y 方向上配置的子像素的数目任选设定，而不限于图 3 所示的数目。此 外，例如，通过进一步设置可以显示黄色和白色的子像素，4 个以上的 EL 元件 10W 可以包括 说 明 书CN 104471736 A 5/20 页 8 在 1 个像素中。 0071 ( 显示装置 1 的断面构成 ) 0072 图 4 示出邻近显示区域 110A 与周边区域 110B 之间边界的部分的 XZ 断面的示意 性构成，XZ 断面沿着图 3 的线 IV-IV 截取。此外，图 5 是图 3 所示的显示区域 110A 沿着线 V-V 截取的断面图。此外，图 6 示出图 4 和图 5 所示的有机层 14 的。
27、断面的放大部分。 0073 本实施方案的显示装置 1 可以是顶面发光型 ( 所谓的顶部发射型 ) 的，其中 R( 红 色 )，G( 绿色 ) 和 B( 蓝色 ) 的任一色光通过使用上述 EL 元件 10W 和后述的滤色片从顶面 (面对基板111的密封基板19)发射。如图4所示，在显示区域110A中，包括EL元件10W的 发光元件形成层 12 形成在基体 11 上，在基体中，像素驱动电路形成层 112 设置在基板 111 上。在 EL 元件 10W 上，防湿膜 17、填充层 18 和密封基板 19 按顺序设置。显示区域 110A 和 周边区域 110B 由密封基板 19 的沿着对向面 19S 上。
28、的周缘部设置的密封部 23 分离，对向面 19S 面对基板 111。在 EL 元件 10W 中，作为阳极的第一电极层 13、包含发光层 14C( 后述 ) 的有机层 14 和作为阴极的第二电极层 16 按顺序在作为像素驱动电路形成层 112 的最上层 的平坦化膜 218 上层叠。有机层 14 和第一电极层 13 针对每个 EL 元件 10W 由开口限定绝 缘膜 24 分离。需要指出的是，平坦化膜 218 和开口限定绝缘膜 24 都可以使用例如具有优 异的图案精度的有机材料构成，如聚酰亚胺、丙烯酸酯类和硅氧烷。另一方面，第二电极层 16 被设置为所有 EL 元件 10W 的共用层。需要指出的是，。
29、图 4 中省略了包括像素驱动电路形 成层 112 中的驱动晶体管 Tr1 和写入晶体管 Tr2 的详细构成。 0074 在基体 11 中，包含像素驱动电路 140 的像素驱动电路形成层 112 设置在基板 111 上。基板111是支撑体，其中EL元件10W以阵列状形成，诸如由石英、玻璃、金属箔或树脂等 制成的膜或片的材料可以用于基板111。其中，石英和玻璃是优选的。在使用树脂作为材料 的情况下，其例子可以包括聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) 代表的甲基丙烯酸树脂、诸如聚对苯 二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等聚酯以 及聚碳酸酯树脂。然而，在这种。
30、情况下，可能需要降低透水性和透气性的层叠结构和表面处 理。在基板 111 的表面上，作为驱动晶体管 Tr1 的栅极的金属层 211G、作为写入晶体管 Tr2 的栅极的金属层 221G( 图 5) 以及信号线 120A( 图 5) 被设置作为第一阶层的金属层。金属 层 211G 和 221G 以及信号线 120A 用可以由氮化硅、氧化硅等制成的栅极绝缘膜 212 覆盖。 0075 在栅极绝缘膜 212 上的区域 ( 对应于金属层 211G 和 221G 的区域 ) 中，设置有可 以由非晶硅等形成的半导体膜制成的通道层 213 和 223。在通道 层 213 和 223 上，绝缘通 道保护膜214。
31、和224被分别设置以占用作为通道层213和223的中心区域的通道区域213R 和 223R。设置在通道保护膜 214 两侧的是漏极 215D 和源极 215S，设置在通道保护膜 224 两侧的是漏极 225D 和源极 225S。漏极 215D 和 225D 以及源极 215S 和 225S 可以由诸如 n 型非晶硅等 n 型半导体膜制成。漏极 215D 和源极 215S 经由通道保护膜 214 彼此分离，漏 极 225D 和源极 225S 经由通道保护膜 224 彼此分离。漏极 215D 和源极 215S 的端面经由夹 在其间的通道区域 213R 彼此相隔，漏极 225D 和源极 225S 的。
32、端面经由夹在其间的通道区域 223R彼此相隔。此外，作为第二阶层的金属层，用作漏极配线的金属层216D和226D以及用 作源极配线的金属层 216S 和 226S 被分别设置以覆盖漏极 215D 和 225D 以及源极 215S 和 225S。金属层 216D 和 226D 以及金属层 216S 和 226S 分别可以具有例如其中钛 (Ti) 层、铝 (Al) 层和钛层按顺序层叠的构造。除了金属层 216D 和 226D 以及金属层 216S 和 226S 之 说 明 书CN 104471736 A 6/20 页 9 外，扫描线 130A( 未示出 ) 也被设置作为第二阶层的金属层。金属层 2。
33、16S 可以被连接到用 于与诸如周边区域 110B 中的 FPC 等外部元件连接的连接配线 31( 图 4)。 0076 像素驱动电路 140 例如可以被由诸如氧化硅 (SiOx)、氮化硅 (SiNx)、氮氧化硅 (SiNxOy)、氧化钛 (TiOx) 和氧化铝 (AlxOy) 等低水分透过性的无机材料制成的保护膜 ( 钝 化膜 )217 完全覆盖。在保护膜 217 上，设置有具有绝缘性的平坦化膜 218。优选地，平坦化 膜 218 可以具有极高的表面平坦性。此外，微细的接触部 124 设置在平坦化膜 218 和保护 膜 217 的一部分区域中 ( 图 4)。接触部 124 被第一电极层 13。
34、 填充，从而建立与形成驱动晶 体管 Tr1 的源极的金属层 216S 的导通。 0077 作为形成在平坦化膜218上的下部电极的第一电极层13也可以用作反射层，并且 优选地，可以使用具有最高可能反射率的材料构成以增加发光效率。因此，第一电极层 13 可以使用例如高反射率的材料构成，如铝 (Al) 和铝钕合金 (AlNd)。第一电极层 13 可以例 如是层叠方向的厚度 ( 下面简称作厚度 ) 为约 10nm 以上和 1,000nm 以下的层。第一电极 层 13 的材料不限于上面提到的那些，并且可以是诸如铬 (Cr)、金 (Au)、铂 (Pt)、镍 (Ni)、铜 (Cu)、钨 (W) 和银 (Ag。
35、) 等金属元素的单体或合金。此外，第一 电极层 13 可以具有层叠结 构，包括金属膜和透明导电膜。金属膜可以由上述金属元素的单体或合金构成，透明导电膜 可以由氧化铟锡 (ITO)、氧化铟锌 (InZnO)、氧化锌 (ZnO) 和铝 (Al) 的合金等构成。 0078 开口限定绝缘膜 24 被设置成填充 EL 元件 10W 与相邻 EL 元件 10W 中的第一电极 层 13 以及有机层 14 之间的间隙，即，发光部 20 之间的间隙。开口限定绝缘膜 24 也被称为 隔壁，其确保第一电极层 13 和第二电极层 16 之间的绝缘性，并且精确地限定 EL 元件 10W 的发光部 20 的轮廓。换句话说。
36、，发光区域由开口限定绝缘膜 24 限定。开口限定绝缘膜 24 还具有当在后述的制造过程中进行喷墨涂布或喷嘴涂布时的隔壁的功能。需要指出的是， 尽管有机层 14 和 / 或第二电极层 16 不仅可以设置在开口上而且可以设置在开口限定绝缘 膜 24 上，但是发光仅在对应于开口限定绝缘膜 24 的开口的发光部 20 中发生。 0079 有机层 14 可以无缝地形成在由开口限定绝缘膜 24 限定的发光部 20 的整个表面 上。例如，如图 6 所示，有机层 14 可以具有其中空穴注入层 14A、空穴传输层 14B、发光层 14C 和电子传输层 14D 按顺序从第一电极层 13 侧层叠的构成。然而，可以根。
37、据需要设置发 光层 14C 以外的各层。 0080 空穴注入层 14A 用于提高发光层 14C 的空穴注入效率，也兼用作防止泄漏的缓冲 层。例如，空穴注入层 14A 可以优选具有 5nm 100nm 的厚度，更优选 8nm 50nm。构成空 穴注入层 14A 的材料可以与电极或相邻层的材料相联系地适当选择。构成空穴注入层 14A 的材料的例子可以包括聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚对苯乙炔、聚噻吩乙烯、聚喹啉、聚喹喔 啉及其衍生物、诸如在主链或侧链上含有芳香胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁 (如铜酞菁)和碳。在其中用于空穴注入层14A的材料是高分子材料的情况下，其重均分子 量 (Mw) 可以为。
38、约 10,000 约 300,000，特别地，可以优选为约 5,000 约 200,000。此外， 可以使用约 2,000 约 10,000Mw 的低聚物，但是当 Mw 小于 5,000 时，在形成空穴输送层和 后续层时，空穴注入层可能会溶解。当Mw大于300,000时，成膜可能困难，因为材料凝胶化。 用作空穴注入层 14A 的材料的典型导电性高分子的例子可以包括聚苯胺、低聚苯胺和诸如 聚 (3,4- 乙烯二氧噻吩 )(PEDOT) 等聚二氧噻吩。其他例子可以包括位于 Goslar，Germany 的 H.C. Starck GmbH 以商品名 “Nafion“( 商标 ) 市售的高分子、以商。
39、品名 “Liquion“( 商 说 明 书CN 104471736 A 7/20 页 10 标 ) 市售的溶解形式的高分子、可从位于 Tokyo，Japan 的 Nissan Chemical Industries， Ltd.获得的“EL source“(商标)和从位于Tokyo，Japan的Soken Chemical&Engineering， Co.，Ltd. 以名称 “Verazol“( 商标 ) 市售的导电性高分子。 0081 空穴传输层 14B 用于提高发光层 14C 的空穴传输效率。取决于元件的整体构成， 例如，空穴传输层 14B 可以优选具有约 10nm 200nm 的厚度，更优。
40、选约 15nm 150nm。作 为构成空穴传输层 14B 的高分子材料，可以使用可溶于有机溶剂的发光材料。发光材料的 例子可以包括聚乙烯基咔唑、聚芴、聚苯胺、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链上含有芳香 胺的聚硅氧烷衍生物、聚噻吩及其衍生物和聚吡咯。当用于形成空穴传输层 14B 的材料是 高分子材料时，其重均分子量 (Mw) 可以优选为约 50,000 约 300,000，可以更优选为约 100,000约200,000。当Mw小时50,000时，在形成发光层14C时，高分子材料中的低分子 成分脱落，导致空穴注入层 14A 和空穴传输层 14B 中出现斑点，因此，可能有机 EL 元件的初 始性能降低。
41、或元件劣化。另一方面，当Mw大于300,000时，成膜可能困难，因为材料凝胶化。 需要指出的是，重均分子量 (Mw) 是使用四氢呋喃作为溶剂，通过凝胶渗透色谱法 (GPC)，换 算为聚苯乙烯的重均分子量而求得的值。 0082 当由于电场的施加导致电子和空穴的再结合时，发光层 14C 发射光。取决于元件 的整体构成，例如，发光层14C可以优选具有约10nm200nm的厚度，更优选15nm150nm。 发光层 14C 可以使用其中低分子量材料添加到高分子 ( 发光 ) 材料中的混合材料构成。优 选地，低分子材料可以是单体或通过结合约单体 2 10 个这种单元而形成的低聚物，并且 可以具有 50,0。
42、00 以下的重均分子量。需要指出的是，这并不一定排除具有上述范围之外的 重均分子量的低分子材料。发光层 14C 可以例如通过诸如喷墨涂布等涂布法形成。发光 层 14C 可以通过使用其中至少一种高分子材料和低分子材料溶解在诸如甲苯、二甲苯、苯 甲醚、环己酮、均三甲苯 (1,3,5- 三甲基苯 )、偏三甲苯 (1,2,4- 三甲基苯 )、氢苯并呋喃、 1,2,3,4-四甲基苯、四氢化萘、环己基苯、1-甲基萘、对-茴香基醇、二甲基萘、3-甲基联苯、 4- 甲基联苯、3- 异丙基联苯和单异丙基萘等有机溶剂中的混合物来形成。作为发光层 14C 的高分子材料，可以使用例如聚芴系高分子衍生物、( 聚 ) 对。
43、苯乙炔衍生物、聚苯衍生物、聚 乙烯基咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、苝系色素、香豆素系色素、罗丹明系色素和掺杂有机 EL 材料的这些高分子中的任一种。掺杂材料的例子可以包括红荧烯、二萘嵌苯、9,10- 二苯基 蒽、四苯基丁二烯、尼罗红和香豆素 6。 0083 此外，优选地，低分子材料可以添加到发光层 14C 的高分子材料中。添加到发光层 14C 中的低分子材料可以是由作为低分子化合物的相同链反应或类似链反应的重复结果生 成的高分子量聚合物或缩合产物的分子构成的化合物以外的材料，即，分子量基本上单一 的材料。此外，分子间通过加热不发生新的化学键，并且材料以单分子的形式存在。优选 地，这种低分子材料可以。
44、具有 50,000 以下的重均分子量 (Mw)。这是因为，与大于 50,000Mw 的材料相比，分子量小到一定程度的材料具有各种特性，并且很容易调整诸如空穴或电子 迁移率、带隙和在溶剂中的溶解度等因素。此外，优选地，对于低分子材料的添加量，用于发 光层 14C 的高分子材料和低分子材料的混合比率按重量比可以为约 10 ：1 以上和约 1 ：2 以 下。一些原因如下。当高分子材料和低分子材料的混合比率小于 10 ：1 时，通过添加低分 子材料所产生的效果很低。另一方面，当混合比率大于 1 ：2 时，难以获得作为发光材料的 高分子材料的特性。这种低分子材料的有用例子可以包括石油挥发油、苯乙烯胺、三。
45、苯胺、 说 明 书CN 104471736 A 8/20 页 11 卟啉、苯并菲、氮杂苯并菲、四氰基对苯二醌二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳烧、苯二胺、芳 胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、茋 (stilbene) 及其衍生物以及诸如聚硅烷系化合物、乙烯基咔唑系 化合物、噻吩系化合物和苯胺系化合物等共轭杂环系的单体或低聚物。更具体的例子可以 包括但不限于 - 萘基苯基苯二胺、卟啉、金属四苯基卟啉、金属萘酞菁、六氰基氮杂三亚 苯、7,7,8,8- 四氰基对苯二醌甲烷 (TCNQ)、7,7,8,8- 四氰基 -2,3,5,6- 四氟对苯二醌甲烷 (F4-TCNQ)、四氰基 -4,4,4- 三 (3- 甲基苯。
46、基苯基氨基 ) 三苯基胺、N,N,N,N- 四 ( 对甲苯 基 ) 对苯二胺、N,N,N,N- 四苯基 -4,4- 二氨基联苯、N- 苯基咔唑、4- 二 - 对甲苯基氨基 茋、聚 ( 对苯撑乙烯 )、聚 ( 噻吩撑乙烯 ) 和聚 (2,2- 噻吩基吡咯 )。需要指出的是，添加 到发光层 14C 中的低分子材料可能并不只有一种，两种或更多种可以混合使用。 0084 作为发光层 14C 中的发光客体材料，可以使用具有高发光效率的材料，其例子可 以包括低分子发光材料和有机发光材料，如磷光染料和金属配合物。这里，蓝色的发光客体 材料可以是发光波长范围在约 400nm 约 490nm 具有峰值的化合物。。
47、作为这样的化合物， 可以使用诸如萘衍生物、蒽衍生物、并四苯衍生物、苯乙烯胺衍生物和双 ( 吖嗪基 ) 甲烷硼 配合物等有机物质。其中，优选地，所述化合物可以选自氨基萘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基 屈 (chrysene) 衍生物、氨基芘衍生物、苯乙烯胺衍生物和双 ( 吖嗪基 ) 甲烷硼配合物。 0085 电子传输层 14D 用于提高发光层 14C 的电子传输效率。构成电子传输层 14D 的材 料的例子可以包括喹啉、二萘嵌苯、菲咯啉、联苯乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、富勒烯、噁二唑、芴 酮及其衍生物以及金属配合物。具体例子可以包括三 (8- 羟基喹啉 ) 铝 ( 简称为 Alq3)、 蒽、萘、菲、芘、蒽。
48、、二萘嵌苯、丁二烯、香豆素、C60、吖啶、茋、1,10- 菲咯啉及其衍生物以及金 属配合物。 0086 电子注入层 ( 未示出 ) 可以由 LiF、Li 2 O 等制成，其可以设置在电子传输层 14D 和 第二电极层 16 之间。电子注入层用来提高电子注入效率，并且可以设置在电子传输层 14D 的整个表面上。例如，作为这种电子注入层的材料，可以使用作为锂 (Li) 的氧化物的氧化 锂 (Li 2 O)、作为铯 (Cs) 的复合氧化物的碳酸铯 (Cs 2 CO 3 ) 以及这些氧化物和复合氧化物的 混合物。电子注入层不限于上面列出的材料。例如，可以使用诸如钙 (Ca) 和钡 (Ba) 等碱 土金。
49、属、诸如锂和铯等碱金属以及诸如铟 (In) 和镁 (Mg) 等具有小功函数的金属。此外，这 些金属的氧化物、复合氧化物、氟化物等可以作为单质使用。此外，可以使用这些金属、氧化 物、复合氧化物和氟化物的混合物或合金以增加稳定性。 0087 需要指出的是，有机层 14 可以进一步包括与发光层 14C 接触的其他空穴传输层。 其他空穴传输层可以通过气相沉积形成，因此，优选的是使用低分子材料，特别是单体。这 是因为诸如高分子和低聚物等聚合分子可能在气相沉积过程中分解。需要指出的是，用于 其他空穴传输层的低分子材料可以是分子量不同的两种或更多种材料的混合物。作为用 于其他空穴传输层的低分子材料，可以使用类似于上面针对发光层 14C 所 述的低分子材 料。因此，同样地，其例子可以包括但不限于石油挥发油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、苯。