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1、(10)申请公布号 CN 102882107 A (43)申请公布日 2013.01.16 C N 1 0 2 8 8 2 1 0 7 A *CN102882107A* (21)申请号 201210403467.1 (22)申请日 2012.10.22 H01S 1/02(2006.01) G02F 1/37(2006.01) (71)申请人上海理工大学 地址 200093 上海市杨浦区军工路516号 (72)发明人彭滟 朱亦鸣 张铎耀 周云燕 方丹 郭博 蔡斌 陈麟 庄松林 (74)专利代理机构上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人吴宝根 (54) 发明名称 一种可快速连续调节太赫兹波。
2、偏振和强度的 方法 (57) 摘要 本发明涉及一种可快速连续调节太赫兹波偏 振和强度的方法,在飞秒激光器出口处放置一块 聚焦透镜,入射激光依次经过聚焦透镜和倍频晶 体后产生倍频光。倍频光和剩余的基频光一起通 过单轴双折射晶体薄片,由于基频光和倍频光在 单轴双折射晶体中的折射率不同,根据这个原理, 通过调整单轴双折射晶体薄片的厚度以及玻璃片 与入射光束的空间夹角,就可以改变基频光与倍 频光的光程差,即调节两者之间的延时,从而改变 基频光和倍频光的相对相位,由此对最终产生的 太赫兹波进行了偏振和强度的调节。最终,产生的 太赫兹波通过高阻硅片滤波,进入太赫兹波探测 系统。此方法可实现对太赫兹波偏振和。
3、强度的快 速连续调节,操作简单,快捷有效。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种可快速连续调节太赫兹波偏振和强度的方法包括如下具体步骤: 1)建立调节光路:在飞秒激光器出口处放置一块聚焦透镜,入射激光依次经过聚焦透 镜和倍频晶体后产生倍频光,倍频光和剩余的基频光垂直入射通过单轴双折射晶体薄片和 玻璃片后,在焦点附近形成空气等离子体,产生太赫兹波; 2)改变单轴双折射晶体薄片的厚度,可计算出基频光与倍频光在单轴双折 射晶体中传播的光程差,即。
4、调节两者之间的延时,改变基频光和倍频光的相对 相位,从而调节太赫兹波的偏振和强度,基频光和倍频光的延时计算公式1为: , 其中, 为基频光与倍频光在单轴双折射晶 体中传播的光程差,C为光在真空中传播的速度,为单轴双折射晶体薄片厚度,n 倍频光 为 所选单轴双折射晶体薄片对入射倍频光的折射率,n为所选单轴双折射晶体薄片对入 射基频光的折射率,延时计算公式中,若0,倍频光在时域上传播速度慢于基频光;反 之,若0,说明倍频光在时域上传播速度慢于基频光;反之,若0 说明倍频光在时域上传播速度快于基频光; 3)改变玻璃片与入射激光的空间夹角,可计算出基频光与倍频光在玻璃片中传播的光 程差,即调节两者之间。
5、的延时,改变基频光和倍频光的相对相位,从而调节太赫兹波的偏振 和强度,延时公式2:,其中, 为基频光 与倍频光在玻璃片中传播的光程差,C为光在真空中传播的速度,为玻璃片厚度,为玻 璃片和与入射激光正交平面的法平面所成夹角,为所选玻璃片对入射倍频光的折射 率,为所选玻璃片对入射基频光的折射率; 4)经过步骤2)和步骤3)调节后产生的太赫兹波通过高阻硅片滤波,进入太赫兹波探 测系统。 0008 所述倍频晶体可以是BBO晶体,LBO晶体或者KTP晶体。 0009 所述单轴双折射晶体薄片厚度可调,其调节方式包括定制一定厚度的单轴双折射 晶体薄片或者将多片单轴双折射晶体薄片的组合使用。所述的单轴双折射晶。
6、体薄片可以是 方解石或铌酸锂。 0010 本发明的有益效果在于:本发明可快速连续调节太赫兹波偏振和强度的方法,通 过定制一定厚度的单轴双折射晶体薄片或将多片单轴双折射晶体薄片组合使用,就可实现 对单轴双折射晶体薄片厚度的改变,从而改变基频光与倍频光的光程差与相对相位,实现 了对太赫兹波偏振和强度的快速连续调节;可自由调节玻璃片与入射激光的空间夹角,改 变基频光与倍频光相对相位,从而实现对太赫兹波偏振和强度的快速连续调节,操作简单, 快捷有效。 附图说明 0011 图1为本发明实现快速连续调节太赫兹波偏振和强度的装置结构示意图。 具体实施方式 0012 结构如附图1所示。我们在飞秒激光器1出口处。
7、放置一块聚焦透镜2,入射激光依 次经过聚焦透镜2和倍频晶体3后产生倍频光,倍频光和剩余的基频光一起通过单轴双折 射晶体薄片4,由于基频光和倍频光在单轴双折射晶体中的折射率不同,通过改变单轴双折 射晶体薄片4的厚度以及改变玻璃片5与入射激光束的空间夹角,就可以改变基频光与倍 频光在单轴双折射晶体中传播的光程差,即调节两者之间的延时,从而改变基频光和倍频 光的相对相位,由此对最终产生的太赫兹波进行了偏振和强度的调节。最终,产生的太赫兹 波通过高阻硅片6滤波,进入太赫兹波探测系统7。 0013 在下面的实施例中,以波长为800 nm的入射激光和方解石薄片为例,其他波段的 说 明 书CN 102882。
8、107 A 3/4页 5 入射光源以及其他种类的单轴双折射晶体薄片与该实施例的实施方法一致。波长为800 nm 的入射激光通过BBO(I类)倍频晶体后产生400 nm的倍频光。由于I类BBO倍频晶体的 特性,出射的400 nm倍频光在时域上慢于800 nm的基频光,且两者的偏振方向相互垂直。 进入双折射晶体后,偏振方向相互垂直的两束光即可一束为o光,一束为e光。由于单轴双 折射晶体薄片的晶体光轴平行于晶面,因此o光和e光垂直入射后,在双折射晶体中传播 方向相同,但传播速度不同。方解石材料对中心波长为800 nm的入射激光。光折射率为 ,对中心波长为400 nm的倍频激光e光折射率为;BK7玻 。
9、璃片对中心波长为800 nm的入射激光的折射率为,对中心波长为400 nm 激光的折射率为。 0014 如图1所示,飞秒激光器1输出光中心波长为800 nm,脉冲宽度为35 fs,重复频 率为1 KHz,通过聚焦透镜2和倍频晶体3后获得400 nm的倍频光,由于I类BBO晶体的特 性,此时倍频光与基频光在时域上的时间差为,即时域上倍频光慢于基 频光。两束光进入晶面与入射激光束垂直的方解石薄片4,此时我们可以根据计算公式1: ,其中, 为中心波长为800 nm的基频光(o光)与 中心波长为400 nm的倍频光(e光)在单轴双折射晶体中传播的光程差,C为光在真空中传 播的速度,为方解石薄片4厚度。。
10、算得,说明400 nm的倍频光在通过方解石薄片 时,时域上的传播速度将快于800 nm的基频光。通过调整方解石薄片厚度,即可调节倍频光 与基频光在时域上的相对前后位置。之后,两束光进入BK7玻璃片5,此时根据计算公式2: ,式2中,为中心波长为800 nm的基频光 与中心波长为400 nm的倍频光在玻璃片中传播的光程差,C为光在真空中传播的速度, 为玻璃片厚度,为BK7玻璃片和与入射激光正交平面的法平面所成夹角。算得: ,说明400 nm的倍频光在玻璃片中传播的速度又将慢于800 nm的基频光。通过调整角度 便又可调节倍频光与基频光在时域上的相对前后位置。经过两次调节后可求得总延时 ( 可从负。
11、值到正值连续变化,且幅度可通过调节方解石厚度和玻 璃片角度实现) ;之后,经过调节产生的太赫兹波通过高阻硅片6的滤波后便可进入太赫 兹探测系统7中。 0015 在整个实验过程中,对基波和倍频波的延时可通过计 算公式1:和计算公式2: 求得,调控参数为可改变的单轴双折射晶体 薄片4的厚度及玻璃片5与入射激光正交平面的法平面所成夹角。所述的倍频晶体3 说 明 书CN 102882107 A 4/4页 6 可以是BBO晶体,LBO晶体或者KTP晶体。所述的单轴双折射晶体薄片4厚度可调,其调节 方式包括定制一定厚度的单轴双折射晶体薄片或者将多片单轴双折射晶体薄片的组合使 用。所述的单轴双折射晶体薄片4可以是方解或铌酸锂。 0016 这种可快速连续调节太赫兹偏振和强度的技术方法,去除了繁琐的光学延时系 统,仅通过改变单轴双折射晶体薄片与激光束空间夹角以及单轴双折射晶体薄片的厚度, 就能够快速连续地调节太赫兹波的偏振和强度。 说 明 书CN 102882107 A 1/1页 7 图1 说 明 书 附 图CN 102882107 A 。