显示面板及其制作方法、显示装置.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102799033 A (43)申请公布日 2012.11.28 C N 1 0 2 7 9 9 0 3 3 A *CN102799033A* (21)申请号 201210262807.3 (22)申请日 2012.07.26 G02F 1/1343(2006.01) G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 申请人北京京东方显示技术有限公司 (72)发明人林鸿涛 封宾 刘家荣 (74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理 有限公司 11。

2、112 代理人罗建民 陈源 (54) 发明名称 显示面板及其制作方法、显示装置 (57) 摘要 本发明提供一种显示面板，包括阵列基板与 彩膜基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述彩 膜基板包括公共电极，所述阵列基板还包括屏蔽 电极，其设置在所述多根数据线上方，且所述屏蔽 电极与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电 极对应的显示面板的区域不透光。相应地，本发明 还提供所述显示面板的制作方法以及包括所述显 示面板的显示装置。本发明所述显示面板不但能 够消除侧视或按压时会产生漏光的缺陷，还进一 步减小了黑矩阵的宽度，从而提高了单元像素的 开口率。 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书8页 。

3、附图6页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 8 页 附图 6 页 1/2页 2 1.一种显示面板，包括阵列基板与彩膜基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述彩膜 基板包括公共电极，其特征在于，所述阵列基板还包括屏蔽电极，其设置在所述多根数据线 上方，且所述屏蔽电极与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区 域不透光。 2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括绝缘层，所述 绝缘层设置在所述屏蔽电极与多根数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导 通。 3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于。

4、， 所述显示面板采用常白模式的显示面板，所述屏蔽电极相对公共电极处于低电位以使 得屏蔽电极与公共电极之间形成强电场； 或者，所述显示面板采用常黑模式的显示面板，所述屏蔽电极与公共电极的电位相等 或相差不大以使得屏蔽电极与公共电极之间无电场或形成弱电场。 4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板采用常白模式的显示 面板，所述屏蔽电极采用多个，所述阵列基板还包括多根栅线，所述多根栅线与所述多根数 据线交叉设置，每个屏蔽电极均设置在相邻两根栅线之间的数据线上方，且与所述相邻两 根栅线中的任一相连。 5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板采用常黑模式的显示 面板，。

5、所述阵列基板还包括多根栅线及多根公共电极线，所述多根栅线与所述多根数据线 交叉设置，所述多根公共电极线分别与所述公共电极相连，且每根公共电极线均与一根栅 线平行设置； 所述屏蔽电极采用一个，该屏蔽电极与多根公共电极线中的任一相连； 或者，所述屏蔽电极采用多个，每个屏蔽电极均设置在相邻两根栅线之间的数据线上 方，且与相邻的一根公共电极线相连； 或者，所述屏蔽电极采用多个，每个屏蔽电极均设置在一根数据线的上方，且与多根公 共电极线中的任一相连。 6.一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，所述显示面板采用权利要求1-5中任一 所述的显示面板。 7.一种显示面板的制作方法，包括制作阵列基板与彩膜基板。

6、的步骤，所述制作阵列基 板的步骤中包括制作多根数据线的图形的步骤，所述制作彩膜基板的步骤中包括制作公共 电极的图形的步骤，其特征在于，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作屏蔽电极的图形 的步骤，并使屏蔽电极位于所述多根数据线上方，且能与公共电极之间形成电场以使得所 述屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光。 8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作阵列基板的步骤中还包括 制作绝缘层的图形的步骤，所制作的绝缘层位于屏蔽电极与多根数据线之间，以使得所述 屏蔽电极与多根数据线互不导通。 9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作阵列基板的步骤中还包括 制作多根栅线的图形的步骤，并。

7、使所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置；在制作屏蔽 电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电极均位于相邻两根栅线之 间的数据线上方，且与所述相邻两根栅线中的任一相连。 权 利 要 求 书CN 102799033 A 2/2页 3 10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作阵列基板的步骤中还包括 制作多根栅线及多根公共电极线的步骤，并使所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置， 使所述多根公共电极线分别与所述公共电极相连，且每根公共电极线均与一根栅线平行设 置； 在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为一个，使该屏蔽电极与多根公 共电极线中的任一相连； 或者，在。

8、制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电极均 位于相邻两根栅线之间的数据线上方，且与相邻的一根公共电极线相连； 或者，在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电极均 位于一根数据线上方，且与多根公共电极线中的任一相连。 11.根据权利要求7-10中任一所述的制作方法，其特征在于，所述制作阵列基板的步 骤中还包括制作像素电极的图形的步骤，所述屏蔽电极的图形与像素电极的图形在同一次 构图工艺中完成，且所述屏蔽电极的图形与像素电极的图形互不重合；所述屏蔽电极与像 素电极的材质相同。 权 利 要 求 书CN 102799033 A 1/8页 4 显示面板。

9、及其制作方法、 显示装置 技术领域 0001 本发明属于显示器制造技术领域，具体涉及一种显示面板、所述显示面板的制作 方法以及包括所述显示面板的显示装置。 背景技术 0002 随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经逐渐取代了传统的 显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）以其大尺寸、高度集 成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。 0003 其中，TN（Twisted Nematic，扭曲向列技术。

10、）显示面板由于具有低廉的生产成本 而成为目前应用最广泛的入门级液晶显示面板，并且在市面上主流的中低端液晶显示器中 被广泛使用。 0004 TN显示面板是由阵列基板（即TFT基板）和彩膜基板（即CF基板）对盒组装并灌注 液晶制成。一般的，所述阵列基板上形成有栅线（即扫描线）图形、数据线（即信号线）图形、 TFT图形、过孔图形以及像素电极（即显示电极）图形，其中，多根栅线及多根数据线交叉定 义若干个像素单元，每个像素单元均包括一个TFT元件（包括栅电极、半导体层、源电极和 漏电极）及一个像素电极；所述彩膜基板上形成有黑矩阵（BM）图形、RGB图形以及公共电极 图形等。 0005 所述阵列基板中的像。

11、素电极通过栅线、数据线、TFT以及过孔等共同作用，用于储 存电荷并与彩膜基板中的公共电极之间形成电场，以驱动位于像素电极与公共电极之间的 液晶分子发生偏转，从而显示不同的图像。具体的，所述栅线进行逐行扫描时，数据线依次 给被扫描行的像素单元中的像素电极充电，扫描结束后该行的像素电极将保持所充电荷直 至下一帧该行被再次扫描时。数据线的电压在一帧内不断变化，用于为各行的像素电极充 电。 0006 如图1所示，为了避免像素电极8与数据线10之间发生电容耦合，像素电极的图 形一般与数据线的图形相隔一段距离，因此像素电极8与数据线10之间、公共电极13与数 据线10之间会形成电场。由于数据线依次给各扫描。

12、行的像素电极充电时，其本身的电压 会不断变化，导致像素电极与数据线之间的电场的电压差以及公共电极与数据线之间的电 场的电压差也不断变化，且像素电极与数据线之间的电场、以及公共电极与数据线之间的 电场的电压差的RMS（Root Mean Square，均方根）值处于中间状态而非极值，导致每根数 据线的上方及两侧的液晶分子无法有效偏转，对于常白模式的显示面板来说，由于所述RMS 值无法处于极大值，会导致每根数据线的上方及两侧的液晶分子无法偏转至直立态（相对 于基板）；对于常黑模式的显示面板来说，由于所述RMS值无法处于极小值，会导致每根数据 线的上方及两侧的液晶分子无法偏转至水平状态（相对于基板）。

13、，因而，使得无论是常白模 式的显示面板还是常黑模式的显示面板进行暗态检查时，在侧视或按压的情况下极易发生 漏光，形成画质不良。 说 明 书CN 102799033 A 2/8页 5 0007 为克服上述缺陷，现有技术中一般会采用增加彩膜基板中的黑矩阵的宽度的方法 避免或减轻漏光，但是这种方法势必会降低单元像素的开口率。 发明内容 0008 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷，提供一种能够 消除侧视或按压时产生漏光缺陷的显示面板、所述显示面板的制作方法以及包括所述显示 面板的显示装置。 0009 解决本发明技术问题所采用的技术方案是： 0010 所述显示面板包括阵列基板与彩。

14、膜基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述彩 膜基板包括公共电极，其中，所述阵列基板还包括屏蔽电极，其设置在所述多根数据线上 方，且所述屏蔽电极与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区域 不透光。 0011 优选的是，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述屏蔽电极与多根 数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导通。 0012 优选的是，所述显示面板采用常白模式的显示面板，所述屏蔽电极相对公共电极 处于低电位以使得屏蔽电极与公共电极之间形成强电场； 0013 或者，所述显示面板采用常黑模式的显示面板，所述屏蔽电极与公共电极的电位 相等或相差不大以使得屏蔽电极与公共。

15、电极之间无电场或形成弱电场。 0014 优选的是，所述显示面板采用常白模式的显示面板，所述屏蔽电极采用多个，所述 阵列基板还包括多根栅线，所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置，每个屏蔽电极均设 置在相邻两根栅线之间的数据线上方，且与所述相邻两根栅线中的任一相连。 0015 优选的是，所述显示面板采用常黑模式的显示面板，所述阵列基板还包括多根栅 线及多根公共电极线，所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置，所述多根公共电极线分 别与所述公共电极相连，且每根公共电极线均与一根栅线平行设置； 0016 所述屏蔽电极采用一个，该屏蔽电极与多根公共电极线中的任一相连； 0017 或者，所述屏蔽电极采用多个，。

16、每个屏蔽电极均设置在相邻两根栅线之间的数据 线上方，且与相邻的一根公共电极线相连； 0018 或者，所述屏蔽电极采用多个，每个屏蔽电极均设置在一根数据线的上方，且与多 根公共电极线中的任一相连。 0019 本发明同时提供一种包括上述显示面板的显示装置。 0020 本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括制作阵列基板与彩膜基板的步骤， 所述制作阵列基板的步骤中包括制作多根数据线的图形的步骤，所述制作彩膜基板的步骤 中包括制作公共电极的图形的步骤，其中，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作屏蔽电 极的图形的步骤，并使屏蔽电极位于多根数据线上方，且与公共电极之间形成电场以使得 所述屏蔽电极对应的显示面。

17、板的区域不透光。 0021 优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作绝缘层的图形的步骤，所制作 的绝缘层位于屏蔽电极与多根数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导通。 0022 优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作多根栅线的图形的步骤，并使 所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置；在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏 说 明 书CN 102799033 A 3/8页 6 蔽电极为多个，使每个屏蔽电极均位于相邻两根栅线之间的数据线上方，且与所述相邻两 根栅线中的任一相连。 0023 优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作多根栅线及多根公共电极线的 步骤，并使所述多根栅。

18、线与所述多根数据线交叉设置，使所述多根公共电极线分别与所述 公共电极相连，且每根公共电极线均与一根栅线平行设置； 0024 在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为一个，使该屏蔽电极与多 根公共电极线中的任一相连； 0025 或者，在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电 极均位于相邻两根栅线之间的数据线上方，且与相邻的一根公共电极线相连； 0026 或者，在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电 极均位于一根数据线上方，且与多根公共电极线中的任一相连。 0027 优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作像素电极的图形的步骤，所述。

19、 屏蔽电极的图形与像素电极的图形在同一次构图工艺中完成，且所述屏蔽电极的图形与像 素电极的图形互不重合；所述屏蔽电极与像素电极的材质相同。 0028 有益效果： 0029 1）本发明所述显示面板在数据线上方设置了屏蔽电极，对于常白模式的显示面板 来说，使屏蔽电极与公共电极之间形成强电场，则位于屏蔽电极上方及两侧的液晶分子能 够有效偏转至直立态（相对于基板），使得屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光；对于常 黑模式的显示面板来说，使屏蔽电极与公共电极之间无电场或形成弱电场，则位于屏蔽电 极上方及两侧的液晶分子能够有效偏转至水平态（相对于基板），使得屏蔽电极对应的显示 面板的区域不透光；故本发明所述。

20、显示面板克服了现有技术中显示面板（包括常白模式和 常黑模式的显示面板）在侧视或按压的情况下极易发生漏光的缺陷；同时，由于克服了漏光 的缺陷，因此还可以进一步减小黑矩阵的宽度，从而能够提高像素单元的开口率。 0030 2）本发明所述显示面板中的屏蔽电极与像素电极的材质相同，且二者在同一次构 图工艺中完成，即可以在制作所述像素电极的图形的同时制作出屏蔽电极的图形。因此在 解决漏光问题的同时，所述显示面板相对于现有的制作过程而言既没有增加成本、工艺，也 没有改变其多层结构的材质。 附图说明 0031 图1为现有技术中显示面板的工作原理示意图； 0032 图2为本发明实施例1中显示面板的工作原理示意图。

21、； 0033 图3为本发明实施例1中完成第一次构图工艺之后的阵列基板的截面图； 0034 图4为本发明实施例1中进行第二次构图工艺过程中的阵列基板的结构示意图； 0035 其中：图4（a）为在图1所示基板上依次沉积了栅极绝缘薄膜、半导体薄膜、欧姆 接触薄膜、源漏金属薄膜之后的阵列基板的截面图； 0036 图4（b）为在图4（a）所示基板上沉积了光刻胶、对光刻胶进行曝光显影后的阵 列基板的截面图； 0037 图4（c）为对图4（b）所示基板完成第一次刻蚀之后的阵列基板的截面图； 0038 图4（d）为对图4（c）所示基板完成光刻胶灰化之后的阵列基板的截面图； 说 明 书CN 102799033 。

22、A 4/8页 7 0039 图4（e）为对图4（d）所示基板完成第二次刻蚀之后的阵列基板的截面图； 0040 图4（f）为将图4（e）所示基板完成光刻胶剥离之后的阵列基板的截面图； 0041 图4（g）为完成第二次构图工艺之后的阵列基板的平面结构示意图； 0042 图5为本发明实施例1中完成第三次构图工艺之后的阵列基板的结构示意图； 0043 其中：图5（a）为完成第三次构图工艺之后的阵列基板的平面结构示意图； 0044 图5（b）为图5（a）中A-A向的截面图； 0045 图6为本发明实施例1中完成第四次构图工艺之后的阵列基板的结构示意图； 0046 其中：图6（a）为完成第四次构图工艺之后。

23、的阵列基板的平面结构示意图； 0047 图6（b）为图6（a）中A-A向的截面图； 0048 图7为本发明实施例1中阵列基板的制作方法的流程示意图。 0049 图中：1基板；2a栅电极；2b栅线；3栅极绝缘层；4欧姆接触层；5半 导体层；6a源电极；6b漏电极；7钝化层；8像素电极；9光刻胶；10数据线； 11屏蔽电极；12液晶分子；13公共电极；14第一过孔；15第二过孔。 具体实施方式 0050 为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方 式对本发明所述显示面板、所述显示面板的制作方法以及包括所述显示面板的显示装置作 进一步详细描述。 0051 所述显示面板包括。

24、阵列基板与彩膜基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述彩 膜基板包括公共电极，其中，所述阵列基板还包括屏蔽电极，其设置在所述多根数据线上 方，且所述屏蔽电极与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区域 不透光。 0052 所述显示装置采用上述的显示面板。 0053 所述显示面板的制作方法包括制作阵列基板与彩膜基板的步骤，所述制作阵列基 板的步骤中包括制作多根数据线的图形的步骤，所述制作彩膜基板的步骤中包括制作公共 电极的图形的步骤，其中，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作屏蔽电极的图形的步骤， 并使屏蔽电极位于多根数据线上方，且与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应 的显示。

25、面板的区域不透光。 0054 实施例1： 0055 本实施例中，所述显示面板采用常白模式的显示面板，即显示面板在不施加电压 （像素电极与公共电极之间无电场或形成弱电场）时，液晶分子对应的显示面板的有效显示 区域（显示面板通常可划分为两部分，即有效显示区域与外围区域）透光；在施加电压（像素 电极与公共电极之间形成强电场）时，液晶分子对应的显示面板的有效显示区域不透光。 0056 本实施例中，所述显示面板包括阵列基板与彩膜基板；所述阵列基板包括多根栅 线、多根数据线、多根公共电极线，所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置，每根公共电 极线均与一根栅线平行设置；所述彩膜基板包括公共电极。其中，阵列基板。

26、中还包括有屏 蔽电极，其设置在所述多根数据线上方，所述屏蔽电极与公共电极之间形成电场以使得所 述屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光。优选所述屏蔽电极设置在所述多根数据线正上 方。 说 明 书CN 102799033 A 5/8页 8 0057 本实施例中，所述屏蔽电极相对公共电极处于低电位，从而使得屏蔽电极与公共 电极之间形成强电场。由于本实施例中所述显示面板采用常白模式的显示面板，若屏蔽电 极相对公共电极处于低电位（所述低电位一般为-7v-10v），则可使屏蔽电极与公共电极 （公共电极的电位是固定的，一般为5v7v）之间形成强电场，该强电场可驱动所述屏蔽电极 对应区域的液晶分子一直保持直立状。

27、态，以使所述屏蔽电极对应的显示面板的区域（即有 效显示区域）不透光，即可以使屏蔽电极与显示面板中处于低电位的元件相连；而在整个显 示面板显示一帧图像的扫描时间内（如显示装置的屏幕刷新频率为60Hz，则一帧图像的扫 描时间为17ms），由于每一行像素对应的栅线只有在该行的扫描时间内处于高电位（与公共 电极的电位相差不大或无电位差），而在其余的非扫描时间内相对公共电极来说均处于低 电位，因此将屏蔽电极与栅线相连可保证屏蔽电极在绝大多数时间内相对公共电极处于低 电位。因而，本实施例中，优选所述屏蔽电极采用多个，每个屏蔽电极均设置在相邻两根栅 线之间的数据线上方，且与所述相邻两根栅线中的任一相连，以使。

28、得所述屏蔽电极处于低 电位。 0058 本实施例中，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述屏蔽电极与多 根数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导通。 0059 如图2所示，所述显示面板由于在数据线10上方设置了屏蔽电极11，使得分别与 像素电极8和公共电极13形成电场的不是数据线10而是屏蔽电极11，且对于常白模式的 显示面板来说，使屏蔽电极11与公共电极13之间形成强电场，则可使得位于屏蔽电极11 上方及两侧的液晶分子能够有效偏转至直立态（相对于基板），并使得屏蔽电极11对应的显 示面板的区域不透光，也就使得数据线10对应的显示面板的区域不透光，因而克服了现有 技术中显示面。

29、板在侧视或按压的情况下极易发生漏光的缺陷。 0060 本实施例同时提供一种包括上述显示面板的显示装置。 0061 本实施例同时还提供一种上述显示面板的制作方法，包括制作阵列基板与彩膜基 板的步骤。所述制作彩膜基板的步骤中包括制作公共电极的图形的步骤；所述制作阵列基 板的步骤中包括制作多根栅线、多根数据线、多根公共电极线以及像素电极的图形的步骤， 并使所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置，使所述多根公共电极线分别与所述公共电 极相连，且每根公共电极线均与一根栅线平行设置，其中，所述制作阵列基板的步骤中还包 括制作屏蔽电极的图形的步骤，并使屏蔽电极位于多根数据线上方，且能与公共电极之间 形成电场以。

30、使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光。 0062 优选在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，并使每个屏蔽 电极均位于相邻两根栅线之间的数据线上方，且与所述相邻两根栅线中的任一相连，以使 得所述屏蔽电极与公共电极之间形成强电场，从而使得屏蔽电极对应的显示面板的区域不 透光。 0063 优选所述制作阵列基板的步骤中还可包括制作绝缘层的图形的步骤，所制作的绝 缘层位于屏蔽电极与多根数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导通。 0064 优选所述屏蔽电极的图形与像素电极的图形在同一次构图工艺中完成，且所述屏 蔽电极的图形与像素电极的图形互不重合；所述屏蔽电极与像素电极的材。

31、质相同。故本发 明所述制作显示面板的方法相对于现有的制作方法而言既没有增加成本、工艺，也没有改 变其多层结构的材质。 说 明 书CN 102799033 A 6/8页 9 0065 如图3-7所示，本实施例中所述显示面板的制作方法具体为： 0066 s101.在基板1上通过第一次构图工艺形成栅电极2a、栅线2b以及模拟栅线（即 dummy栅线，图中未示出）的图形。 0067 具体的，如图3所示，在基板1上沉积栅金属薄膜，然后在其上涂敷一层光刻胶，采 用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影。其中，光刻胶保留区域对应于形成栅电极2a、栅线 2b及模拟栅线的图形的区域，再对暴露出来的栅金属薄膜进行刻蚀，。

32、最后通过光刻胶剥离 工艺将所述光刻胶剥离，形成栅电极2a、栅线2b及模拟栅线的图形。 0068 s102.在完成步骤s101的基板上通过第二次构图工艺形成栅极绝缘层3、欧姆接 触层4、半导体层5、源电极6a、漏电极6b以及数据线10的图形。本步骤中，所述栅极绝缘 层3、欧姆接触层4、半导体层5、源电极6a、漏电极6b以及数据线10的图形是采用多步刻 蚀工艺（狭缝光刻工艺的核心工艺之一）在一次构图工艺中形成的。 0069 具体的，所述步骤s102包括如下步骤： 0070 s102-1如图4（a）所示，在完成步骤s101的基板上依次沉积栅极绝缘薄膜、欧 姆接触薄膜、半导体薄膜以及源漏金属薄膜，此时。

33、也形成了栅极绝缘层3。 0071 s102-2如图4（b）所示，在完成步骤s102-1的基板上涂敷一层光刻胶9，采用半 色调掩模板或灰色调掩模板对所述光刻胶9进行曝光、显影，使得位于栅电极2a正上方的 光刻胶的厚度比位于栅电极2a两侧的光刻胶的厚度薄。 0072 s102-3如图4（c）所示，对完成步骤s102-2的基板进行第一次刻蚀，形成欧姆 接触层4与半导体层5的图形。 0073 s102-4如图4（d）所示，对完成步骤s102-3的基板上的光刻胶进行灰化处理直 至露出所述欧姆接触层4中间的部分。由于位于栅电极2a正上方的光刻胶的厚度比位于 栅电极2a两侧的光刻胶的厚度薄，因此对光刻胶进行。

34、灰化处理时，位于栅电极2a正上方的 光刻胶被完全灰化掉后，位于栅电极2a两侧的光刻胶还保留有一定厚度，而欧姆接触层4 位于栅电极2a的正上方，故露出了所述欧姆接触层4中间的部分。 0074 s102-5如图4（e）所示，对完成步骤s102-4的基板进行第二次刻蚀，形成源电 极6a、漏电极6b与数据线10的图形。 0075 s102-6如图4（f）所示，通过光刻胶剥离工艺将剩余的光刻胶（即位于栅电极2a 两侧的光刻胶）剥离。图4（f）是图4（g）中A-A向截面图。 0076 s103在完成步骤s102的基板上通过第三次构图工艺形成钝化层7、第一过孔14 及第二过孔15的图形；所述第一过孔14位于。

35、漏电极6b上方，第二过孔15位于栅线2b上 方。需要说明的是，钝化层7即为前文中提到的位于屏蔽电极与多根数据线之间的绝缘层。 0077 具体的，如图5所示，在完成步骤s102的基板上沉积钝化层薄膜，然后在其上涂敷 一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，其中，光刻胶保留区域对应于形成 钝化层7、第一过孔14及第二过孔15的图形的区域，再对暴露出来的钝化层薄膜进行刻蚀， 最后将所述光刻胶剥离，形成钝化层7、第一过孔14及第二过孔15的图形。 0078 s104在完成步骤s103的基板上通过第四次构图工艺形成像素电极8与屏蔽电 极11的图形。 0079 具体的，如图6所示，在完成步骤s1。

36、03的基板上沉积透明像素电极薄膜，然后在其 上涂敷一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶保留区域对应于 说 明 书CN 102799033 A 7/8页 10 形成像素电极8与屏蔽电极11的图形的区域，再对暴露出来的透明像素电极薄膜进行刻 蚀，最后将所述光刻胶剥离，形成像素电极8与屏蔽电极11的图形；所述像素电极8通过第 一过孔14与漏电极6b连接，所述屏蔽电极11通过第二过孔15与栅线2b连接。 0080 从图6（a）可以看出，本方法中屏蔽电极11与其相邻一侧（定义该侧为左侧）的栅 线2b通过第二过孔15连接，则步骤s101中形成的模拟栅线位于最左侧的栅线之外，用于 与。

37、最左侧的栅线相邻的屏蔽电极连接；若屏蔽电极11与其相邻另一侧的栅线2b通过第二 过孔15连接，则步骤s101中就不需要形成模拟栅线了。 0081 实施例2： 0082 本实施例中，所述显示面板采用常黑模式的显示面板，即显示面板在不施加电压 （像素电极与公共电极之间无电场或形成弱电场）时，液晶分子对应的显示面板的有效显示 区域不透光；在施加电压（像素电极与公共电极之间形成强电场）时，液晶分子对应的显示 面板的有效显示区域透光。 0083 1）本实施例中，所述显示面板与实施例1中的显示面板的区别在于：本实施例中 的屏蔽电极与公共电极线相连，从而可保证屏蔽电极的电位与公共电极的电位相等。 0084 。

38、由于本实施例中所述显示面板采用常黑模式的显示面板，屏蔽电极与公共电极电 位相等，则可使屏蔽电极与公共电极之间无电场，并驱动所述屏蔽电极对应区域的液晶分 子一直保持趋于平行排列，且从公共电极处沿-45方向排列逐步地、均匀地扭曲到像素电 极处沿+45方向的水平排列状态（整体扭曲了90），以使所述屏蔽电极对应的显示面板 的区域不透光，即可以使屏蔽电极与阵列基板中与公共电极同电位的元件相连；由于阵列 基板中的所述多根公共电极线与彩膜基板中的公共电极在所述显示面板的外围区域通过 导电银胶或金球连接，因而所述多根公共电极线与公共电极等电位，因此本实施例中，所述 屏蔽电极与公共电极线相连，可保证屏蔽电极与公。

39、共电极电位相等。 0085 由于每根公共电极线均与一根栅线平行设置，可知每根数据线均与多根公共电极 线垂直设置，且所述屏蔽电极设置在所述多根数据线上方。优选所述屏蔽电极设置在所述 多根数据线正上方。 0086 本实施例中，所述屏蔽电极可采用一个，该屏蔽电极与多根公共电极线中的任一 相连，以使得所述屏蔽电极与公共电极电位相等； 0087 或者，所述屏蔽电极也可采用多个，每个屏蔽电极均设置在相邻两根栅线之间的 数据线上方，且与相邻的一根公共电极线相连，以使得所述屏蔽电极与公共电极电位相 同； 0088 或者，所述屏蔽电极还可采用多个，所述屏蔽电极的数量与数据线的数量相同，每 个屏蔽电极均设置在一根。

40、数据线的上方，且与多根公共电极线中的任一相连，以使得所述 屏蔽电极与公共电极电位相同。 0089 对于常黑模式的显示面板来说，使屏蔽电极与公共电极之间无电场或形成弱电 场，则可使得位于屏蔽电极上方及两侧的液晶分子能够有效偏转至水平态（相对于基板）， 并使得屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光，也就使得数据线对应的显示面板的区域不 透光，因而克服了现有技术中显示面板在侧视或按压的情况下极易发生漏光的缺陷。 0090 本实施例中，所述阵列基板还可包括有绝缘层，所述绝缘层设置在所述屏蔽电极 与多根数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导通。 说 明 书CN 102799033 A 10 8/8。

41、页 11 0091 2）本实施例中所述显示面板的制作方法与实施例1中的制作方法的区别在于： 0092 在制作屏蔽电极的图形的步骤中，如果制作的屏蔽电极为一个，使该屏蔽电极与 多根公共电极线中的任一相连，以使得所述屏蔽电极与公共电极之间无电场，从而使得屏 蔽电极对应的显示面板的区域不透光； 0093 或者，在制作屏蔽电极的图形的步骤中，如果制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽 电极均位于相邻两根栅线之间的数据线上方，且与相邻的一根公共电极线相连，以使得所 述屏蔽电极与公共电极之间无电场，从而使得屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光； 0094 或者，在制作屏蔽电极的图形的步骤中，如果制作的屏蔽电极为多。

42、个，且所述屏蔽 电极的数量与数据线的数量相同，使每个屏蔽电极均位于一根数据线上方，且与多根公共 电极线中的任一相连，以使得所述屏蔽电极与公共电极之间无电场，从而使得屏蔽电极对 应的显示面板的区域不透光。 0095 本实施例所述显示面板的具体制作方法与实施例1的区别在于：在第一次构图工 艺中还同时形成公共电极线（即Vcom线，图中未示出）的图形；在第三次构图工艺形成钝化 层7、第一过孔14及第三过孔（图中未示出）的图形，且第三过孔位于公共电极线上方；在第 四次构图工艺中形成的屏蔽电极11通过第三过孔与公共电极线连接。 0096 本实施例中的其他结构、方法以及作用都与实施例1相同，这里不再赘述。 。

43、0097 本发明所述显示面板特别适用于像素电极与公共电极位于不同基板上的显示面 板，例如TN型显示面板以及VA（Vertical Alignment，垂直排列模式）型显示面板。 0098 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施 方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精 神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。 说 明 书CN 102799033 A 11 1/6页 12 图1 图2 图3 图4(a) 说 明 书 附 图CN 102799033 A 12 2/6页 13 图4(b) 图4(c) 图4(d) 图4(e) 说 明 书 附 图CN 102799033 A 13 3/6页 14 图4(f) 说 明 书 附 图CN 102799033 A 14 4/6页 15 图5(a) 说 明 书 附 图CN 102799033 A 15 5/6页 16 图6 说 明 书 附 图CN 102799033 A 16 6/6页 17 图7 说 明 书 附 图CN 102799033 A 17 。