锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 104178146 A (43)申请公布日 2014.12.03 C N 1 0 4 1 7 8 1 4 6 A (21)申请号 201310196248.5 (22)申请日 2013.05.23 C09K 11/66(2006.01) C23C 14/35(2006.01) H05B 33/14(2006.01) (71)申请人海洋王照明科技股份有限公司 地址 518100 广东省深圳市南山区南海大道 海王大厦A座22层 申请人深圳市海洋王照明技术有限公司 深圳市海洋王照明工程有限公司 (72)发明人周明杰 陈吉星 王平 张娟娟 (74)专利代理机构广州华进联合专利。

2、商标代理 有限公司 44224 代理人何平 (54) 发明名称 锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜及其制备方 法和电致发光器件 (57) 摘要 本发明属于光电材料领域，其公开了一种 锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜及其制备方 法和电致发光器件；该发光薄膜的其化学通式 为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ ；其中，Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子和敏化离 子，Mn 4+ 为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg，Ca， Sr或Ba元素，x的取值范围为0.010.05，y的 取值范围为0.0050.03。锰钛共。

3、掺杂氮锗酸盐 的发光薄膜，其电致发光谱（EL）中，在646nm位置 有很强的发光峰。 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 (10)申请公布号 CN 104178146 A CN 104178146 A 1/2页 2 1.一种锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，其特征在于，其化学通式 为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ ；其中，Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子 和敏化离子，M。

4、n 4+ 为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范围为 0.010.05，y的取值范围为0.0050.03。 2.根据权利要求1所述的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，其特征在于，x的取值为 0.03，y的取值为0.01。 3.根据权利要求1所述的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，其特征在于，包括下述化 学式的发光薄膜: Mg 0.96 Ge 2 O 2 N 2 :0.03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ ；Mg 0.985 Ge 2 O 2 N 2 :0.01Mn 4+ ,0.005Ti 4+ ； Mg 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03。

5、Ti 4+ ；Ca 0.96 Ge 2 O 2 N 2 :0.03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ ；Ca 0.94 Ge 2 O 2 N 2 :0.01Mn 4+ ,0. 005Ti 4+ ；Ca 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03Ti 4+ ；Sr 0.96 Ge 2 O 2 N 2 :0.03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ ；Sr 0.985 Ge 2 O 2 N 2 :0.0 1Mn 4+ ,0.005Ti 4+ ；Sr 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03Ti 4+ ；Ba 0.96 Ge 2 O 2 N 2 :0.。

6、03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ ；Ba 0.985 Ge 2 O 2 N 2 :0.01Mn 4+ ,0.005Ti 4+ ；Ba 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03Ti 4+ 。 4.一种锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 陶瓷靶材的制备:分别称取MeO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，均匀混合后，在 9001300下烧结，制得陶瓷靶材，其中，MeO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 的摩尔比为 1-x-y:0.5:0.5:x:y； 将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃。

7、衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对腔体进行 抽真空处理，控制腔体真空度为1.010 -1.0Pa 1.010 -5 Pa； 设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为5090mm，衬底温度为350750，过程中 通入流量为1530sccm、体积比为8599:115的氩气与氢气混合工作气体，工作压强 为0.24.5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理，得到样品，随后将样品置于0.01Pa 真空炉中500800下退火处理13h；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得锰钛共 掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ 。

8、；其中， Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子和敏化离子，Mn 4+ 为发光薄膜的发光中 心，Me选自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范围为0.010.05，y的取值范围为0.005 0.03。 5.根据权利要求4所述的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于， 所述陶瓷靶材制备过程中的烧结温度为1250。 6.根据权利要求4所述的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于， 所述抽真空处理是采用机械泵和分子泵把腔体进行的。 7.根据权利要求4所述的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于， 所述腔体真空。

9、度为5.010 -4 Pa。 8.根据权利要求4所述的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于， 所述镀膜工艺参数为:基靶间距为70mm，衬底温度为500，过程中通入流量为20sccm、体 积比为95:5的氩气与氢气混合工作气体，工作压强为1.0Pa，退火温度为600，退火时间 为2h。 9.根据权利要求4所述的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，x 的取值为0.03，y的取值为0.01。 权 利 要 求 书CN 104178146 A 2/2页 3 10.一种电致发光器件，包括玻璃衬底、ITO阳极、发光薄膜层以及Ag阴极 层，其特征在于，所述发光薄膜为锰钛共掺杂氮锗。

10、酸盐的发光薄膜，其化学通式 为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ ；其中，Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子 和敏化离子，Mn 4+ 为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范围为 0.010.05，y的取值范围为0.0050.03。 权 利 要 求 书CN 104178146 A 1/5页 4 锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光 器件 技术领域 0001 本发明涉及光电材料领域，尤其涉及一种锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜及其制 备方法。本发明还涉及一种。

11、使用该发光薄膜作为发光层的电致发光器件。 背景技术 0002 与传统的发光粉制作的显示屏相比，发光薄膜在对比度、分辨率、热传导、均匀性、 与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的优越性。因此，作为功能材料，发光薄膜 在诸如阴极射线管（CRTs)、电致发光显示（ELDs)及场发射显示（FEDs)等平板显示领域中 有着广阔的应用前景。 0003 薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角 大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。以ZnS：Mn为发光层 的单色TFELD已发展成熟并已实现商业化。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波。

12、段发 光的材料，是该课题的发展方向。 0004 在发光体系材料中，稀土离子掺杂锗酸盐类荧光粉已经得到深入的研究，能够得 到良好的红光到蓝光的激发。同时，由于加入适量的氮化物可以使其化学稳定性和热稳定 性提高，并且可得到较大范围变化的激发波长，于是含氮的锗酸盐作为发光材料的基质俞 之热门。但是，把该类材料做成发光薄膜，及未见报道。 发明内容 0005 基于上述问题，本发明提供一种锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜。 0006 本发明的技术方案如下: 0007 本发明提供的锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，其化学通式 为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ ；其中，M。

13、e 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子和 敏化离子，Mn 4+ 为发光薄膜主要的发光中心，x的取值0.010.05，优选0.03，y的取值范 围为0.0050.03，优选0.01，Me选自Mg，Ca，Sr或Ba元素；Mn 4+ 激发630nm附近的红光 辐射，而Ti 4+ 是作为敏化离子，把基质的辐射能量传递到Mn 4+ 上。 0008 本发明还提供上述锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜的制备方法，其利用磁控溅射 设备来制备，工艺步骤如下: 0009 （1）、陶瓷靶材的制备:分别称取MeO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 。

14、2 粉体，均匀混合后， 在9001300下烧结，制得陶瓷靶材，其中，MeO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 的摩尔比为 1-x-y:0.5:0.5:x:y； 0010 优选，对陶瓷靶材进行切割，其规格为502mm；烧结温度优选1250。 0011 （2）、将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对 腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.010 -1.0Pa 1.010 -5 Pa； 0012 优选，ITO玻璃衬底在放入腔体前需清洗处理:先后用丙酮、无水乙醇和去离子水 说 明 书CN 104178146 A 2/5页 5 超声清洗带ITO的。

15、玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，然后再放入真空腔体中； 0013 抽真空处理是采用机械泵和分子泵把腔体进行的；腔体真空度为5.010 -4 Pa。 0014 （3）、设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为5090mm，衬底温度为350750， 过程中通入流量为1530sccm、体积比为8599:115的氩气与氢气混合工作气体，工 作压强为0.24.5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理，得到样品，随后将样品置于 0.01Pa真空炉中500800下退火处理13h；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得锰 钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 。

16、N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ ；其 中，Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子和敏化离子，Mn 4+ 为发光薄膜的发光 中心，Me选自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范围为0.010.05，y的取值范围为0.005 0.03；其中，沉积薄膜的过程通入一定量的氢气，可以使薄膜产生键合氢，与薄膜中的一些 悬挂键结合，这样就是降低了无辐射复合中心的密度，最终达到增大发光强度的作用。 0015 优选，镀膜工艺参数为:基靶间距为70mm，衬底温度为500，过程中通入流量为 20sccm、体积比为95:5的氩气与氢气混合工作气体，工作压。

17、强为1.0Pa，退火温度为600， 退火时间为2h；以及x的取值为0.03，y的取值为0.01。 0016 本发明还提供一种电致发光器件，包括玻璃衬底、ITO阳极、发光薄膜层 以及阴极层，其中，所述发光薄膜为锰钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，其化学通式 为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ ；其中，Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子 和敏化离子，Mn 4+ 为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范围为 0.010.05，y的取值范围为0.0050.03。 0017 电致。

18、发光器件的制备工艺如下: 0018 （1）、陶瓷靶材的制备:分别称取MeO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，均匀混合后， 在9001300下烧结，制得陶瓷靶材，其中，MeO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 的摩尔比为 1-x-y:0.5:0.5:x:y； 0019 （2）、将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对 腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.010 -1.0Pa 1.010 -5 Pa； 0020 （3）、设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为5090mm，衬底温度为350750， 过程中通入流量为。

19、1530sccm、体积比为8599:115的氩气与氢气混合工作气体，工 作压强为0.24.5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理，得到样品，随后将样品置于 0.01Pa真空炉中500800下退火处理13h；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得锰 钛共掺杂氮锗酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 :xMn 4+ ,yTi 4+ ；其 中，Me 1-x-y Ge 2 O 2 N 2 是基质，Mn 4+ 和Ti 4+ 分别是激活光离子和敏化离子，Mn 4+ 为发光薄膜的发光 中心，Me选自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范围为0.010.05。

20、，y的取值范围为0.005 0.03； 0021 （4）、步骤（3）制得含发光薄膜的ITO玻璃衬底以及Ag纳米粒子移入真空蒸镀设 备中，在发光薄膜表面蒸镀一层起阴极作用的Ag层； 0022 待上述步骤完成后，制得电致发光器件。 0023 本发明采用磁控溅射设备，制备锰钛共掺杂氮锗酸盐发光薄膜，得到薄膜的电致 发光谱（EL）中，在646nm位置有很强的发光峰。 说 明 书CN 104178146 A 3/5页 6 附图说明 0024 图1为实施例3制得的发光薄膜样品的EL光谱图； 0025 图2为实施例12制得的电致发光器件结构示意图。 具体实施方式 0026 下面结合附图，对本发明的较佳实施例。

21、作进一步详细说明。 0027 实施例1 0028 选用MgO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.96:0.5:0.5:0.03:0.01， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。 然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等 离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体 的真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量20sccm，压强1.0Pa，氢气含量 5%。衬底温度为500。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h。

22、，退火温度为600。得到 Mg 0.96 Ge 2 O 2 N 2 :0.03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ 发光薄膜。 0029 实施例2 0030 选用MgO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.985:0.5:0.5:0.01:0.005， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然 后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子 处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体。

23、流量25sccm，压强1.0Pa，氢气含量3%。衬 底温度为550。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为650。得到Mg 0.985 G e 2 O 2 N 2 :0.01Mn 4+ ,0.005Ti 4+ 发光薄膜。 0031 实施例3 0032 选用MgO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 ，其摩尔比为0.92:0.5:0.5:0.05:0.03，经过 均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然 后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离 子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的。

24、距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的 真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量23sccm，压强2.0Pa，氢气含量 1%。衬底温度为400。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为500。得到 Mg 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03Ti 4+ 发光薄膜。 0033 图1为实施例3制得的发光薄膜样品的EL光谱图；从图1可知，在646nm位置有 很强的发光峰。 0034 实施例4 0035 选用CaO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.96:0.5:0.5:0.03:0.0。

25、1， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。 然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等 离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体 的真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量20sccm，压强1.0Pa，氢气含量 5%。衬底温度为500。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为600。得到 说 明 书CN 104178146 A 4/5页 7 Ca 0.96 Ge 2 O 2 N 2 :0.03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ 发光薄膜。 0。

26、036 实施例5 0037 选用CaO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.94:0.5:0.5:0.01:0.005， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。 然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等 离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体 的真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量25sccm，压强1.0Pa，氢气含量 3%。衬底温度为550。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为650。。

27、得到 Ca 0.94 Ge 2 O 2 N 2 :0.01Mn 4+ ,0.005Ti 4+ 发光薄膜。 0038 实施例6 0039 选用CaO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 ，其摩尔比为0.92:0.5:0.5:0.05:0.03，经过 均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然 后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离 子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的 真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量23sccm，压强2.。

28、0Pa，氢气含量 1%。衬底温度为400。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为500。得到 Ca 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03Ti 4+ 发光薄膜。 0040 实施例7 0041 选用SrO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.96:0.5:0.5:0.03:0.01， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502m m的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。 然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等 离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机。

29、械泵和分子泵把腔体 的真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量20sccm，压强1.0Pa，氢气含量 5%。衬底温度为500。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为600。得到 Sr 0.96 Ge 2 O 2 N 2 :0.03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ 发光薄膜。 0042 实施例8 0043 选用SrO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.985:0.5:0.5:0.01:0.005， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然 后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水。

30、超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子 处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量25sccm，压强1.0Pa，氢气含量3%。衬 底温度为550。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为650。得到Sr 0.985 G e 2 O 2 N 2 :0.01Mn 4+ ,0.005Ti 4+ 发光薄膜。 0044 实施例9 0045 选用SrO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 ，其摩尔比为0.92:0.5:0.5:0.05:0.03，经过 均匀混合后。

31、，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然 后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离 子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的 真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量23sccm，压强2.0Pa，氢气含量 说 明 书CN 104178146 A 5/5页 8 1%。衬底温度为400。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为500。得到 Sr 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03Ti 4+ 发光薄膜。 0046 实施例10 。

32、0047 选用BaO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.96:0.5:0.5:0.03:0.01， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。 然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等 离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体 的真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量20sccm，压强1.0Pa，氢气含量 5%。衬底温度为500。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为600。得到 Ba 0.96。

33、 Ge 2 O 2 N 2 :0.03Mn 4+ ,0.01Ti 4+ 发光薄膜。 0048 实施例11 0049 选用BaO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 粉体，其摩尔比为0.985:0.5:0.5:0.01:0.005， 经过均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然 后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子 处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量25sccm，压强1.0Pa，氢气。

34、含量3%。衬 底温度为550。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为650。得到Ba 0.985 G e 2 O 2 N 2 :0.01Mn 4+ ,0.005Ti 4+ 发光薄膜。 0050 实施例12 0051 本实施为电致发光器件，如图2所示，其中，1为玻璃衬底；2为ITO透明导电薄膜， 作为阳极；3为发光材料薄膜层；4为Ag层，作为阴极。 0052 选用BaO，GeO 2 ，Ge 3 N 4 ，MnO 2 和TiO 2 ，其摩尔比为0.92:0.5:0.5:0.05:0.03，经过 均匀混合后，在1200下烧结成502mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然 后，先后用。

35、丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离 子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的 真空度抽到6.010 -4 Pa，氢氩气作为工作气体，气体流量23sccm，压强2.0Pa，氢气含量 1%。衬底温度为400。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为500。得到 Ba 0.92 Ge 2 O 2 N 2 :0.05Mn 4+ ,0.03Ti 4+ 发光薄膜。然后在将发光薄膜移入真空蒸镀设备中，在发光 薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。 0053 应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为 是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。 说 明 书CN 104178146 A 1/1页 9 图1 图2 说 明 书 附 图CN 104178146 A 。