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一种单晶硅片研磨砂轮及其使用方法.pdf

  • 上传人:g****
  • 文档编号:4198628
  • 上传时间:2018-09-05
  • 格式:PDF
  • 页数:7
  • 大小:258.99KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201611110836.2

    申请日:

    2016.12.02

    公开号:

    CN106363545A

    公开日:

    2017.02.01

    当前法律状态:

    公开

    有效性:

    审中

    法律详情:

    公开

    IPC分类号:

    B24D5/02; B24B9/06; B24B1/00

    主分类号:

    B24D5/02

    申请人:

    天津众晶半导体材料有限公司

    发明人:

    薛佳伟; 薛佳勇; 王海军

    地址:

    300400 天津市北辰区西堤头镇工业区福康道

    优先权:

    专利代理机构:

    天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

    代理人:

    丁晓玥

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    内容摘要

    本发明提供了一种单晶硅片研磨砂轮,属于研磨设备技术领域,包括一砂轮本体,砂轮本体的中心设有一内孔,砂轮本体的边缘处为斜面,斜面与砂轮本体表面的角度为44°‑46°。本发明单晶硅片研磨砂轮,结构简单,设计合理,使用方便,不受单晶硅片厚度的限制与加工空间的限制,对单晶硅片进行倒角后,能够防止单晶硅片角部磨损。

    权利要求书

    1.一种单晶硅片研磨砂轮,其特征在于:包括一砂轮本体,所述砂轮本体的中心设有一
    内孔,所述砂轮本体的边缘处为斜面,所述斜面与砂轮本体表面的角度为44°-46°。
    2.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨砂轮,其特征在于:所述斜面与砂轮本体表面的
    角度为45°。
    3.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨砂轮,其特征在于:所述内孔的直径为30mm。
    4.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨砂轮,其特征在于:所述砂轮本体的直径为
    150mm。
    5.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨砂轮,其特征在于:所述砂轮本体的厚度为
    10mm。
    6.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨砂轮,其特征在于:所述砂轮本体的内部为铝基
    合金材质,外表面为金刚砂材质。
    7.一种如权利要求1-6任一项所述的单晶硅片研磨砂轮的使用方法,其特征在于:如果
    单晶硅片的厚度足以在现有的空间内进行倒角时,安装时,将砂轮的内孔固定于倒角机上,
    使砂轮本体的面积较大的一面朝上,面积较小的一面朝下,将单晶硅片置于研磨平台上,调
    整至合适的高度后,砂轮的斜面对单晶硅片的上沿进行倒角,倒角完毕之后,将单晶硅片反
    过来放置,砂轮的斜面对单晶硅片的新的上沿进行倒角;
    如果单晶硅片的厚度不足以在现有的空间内进行倒角时,安装时,使砂轮本体的面积
    较小的一面朝上,面积较大的一面朝下,将单晶硅片置于研磨平台上,调整至合适的高度
    后,砂轮的斜面对单晶硅片的下沿进行倒角,倒角完毕之后,将单晶硅片反过来放置,砂轮
    的斜面对单晶硅片的新的下沿进行倒角。

    说明书

    一种单晶硅片研磨砂轮及其使用方法

    技术领域

    本发明涉及研磨设备技术领域,具体是一种单晶硅片研磨砂轮及其使用方法。

    背景技术

    众所周知,通常加工出来的单晶硅片的厚度小于1mm,其平面与柱面呈90°角,由于
    单晶硅片的质地如玻璃一样翠,角部容易破损。为了解决此技术问题,如图1、2所示,传统的
    方法是采用侧面设有若干个平行设置的圆弧形凹槽的砂轮进行打磨,将单晶硅片的平面与
    柱面之间打磨成圆弧形的,这样避免了单晶硅片角度的磨损。但是,还存在另一个问题,上
    述方法只适用于厚度小于1mm的单晶硅片,而对于用作光学产品的单晶硅片,一般厚度较
    大,无法采用上述方法进行倒角。本发明提供了一种单晶硅片研磨砂轮,不受单晶硅片厚度
    的限制与加工空间的限制,对单晶硅片进行倒角后,能够防止单晶硅片角部磨损。

    发明内容

    有鉴于此,本发明旨在提供提供了一种结构简单,设计合理,使用方便,不受单晶
    硅片厚度的限制与加工空间的限制,对单晶硅片进行倒角后,能够防止单晶硅片角部磨损
    的单晶硅片研磨砂轮。

    为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:一种单晶硅片研磨砂轮,包括
    一砂轮本体,所述砂轮本体的中心设有一内孔,所述砂轮本体的边缘处为斜面,所述斜面与
    砂轮本体表面的角度为44°-46°。

    进一步地,所述斜面与砂轮本体表面的角度为45°。

    进一步地,所述内孔的直径为30mm。

    进一步地,所述砂轮本体的直径为150mm。

    进一步地,所述砂轮本体的厚度为10mm。

    进一步地,所述砂轮本体的内部为铝基合金材质,外表面为金刚砂材质。

    本发明还提供了上述单晶硅片研磨砂轮的使用方法:如果单晶硅片的厚度足以在
    现有的空间内进行倒角时,安装时,将砂轮的内孔固定于倒角机上,使砂轮本体的面积较大
    的一面朝上,面积较小的一面朝下,将单晶硅片置于研磨平台上,调整至合适的高度后,砂
    轮的斜面对单晶硅片的上沿进行倒角,倒角完毕之后,将单晶硅片反过来放置,砂轮的斜面
    对单晶硅片的新的上沿进行倒角;

    如果单晶硅片的厚度不足以在现有的空间内进行倒角时,安装时,使砂轮本体的
    面积较小的一面朝上,面积较大的一面朝下,将单晶硅片置于研磨平台上,调整至合适的高
    度后,砂轮的斜面对单晶硅片的下沿进行倒角,倒角完毕之后,将单晶硅片反过来放置,砂
    轮的斜面对单晶硅片的新的下沿进行倒角。

    相对于现有技术,本发明具有以下优势:

    本发明单晶硅片研磨砂轮,结构简单,设计合理,使用方便,不受单晶硅片厚度的
    限制与加工空间的限制,对单晶硅片进行倒角后,能够防止单晶硅片角部磨损。

    附图说明

    构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实
    施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

    图1为现有技术中单晶硅片研磨砂轮的结构示意图。

    图2为采用现有技术中单晶硅片研磨砂轮研磨出的单晶硅片的结构示意图。

    图3为本发明单晶硅片研磨砂轮的正视图。

    图4为本发明单晶硅片研磨砂轮的仰视图。

    图5为单晶硅片的厚度足以在现有的空间内进行倒角时,砂轮的斜面对单晶硅片
    的上沿进行倒角的结构示意图。

    图6为单晶硅片的厚度足以在现有的空间内进行倒角时,砂轮的斜面对单晶硅片
    的新的上沿进行倒角的结构示意图。

    图7为单晶硅片的厚度不足以在现有的空间内进行倒角时,砂轮的斜面对单晶硅
    片的下沿进行倒角的结构示意图。

    图8为单晶硅片的厚度不足以在现有的空间内进行倒角时,砂轮的斜面对单晶硅
    片的新的下沿进行倒角的结构示意图。

    图中:

    1、砂轮本体;2、内孔;3、斜面;4、单晶硅片。

    具体实施方式

    需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相
    互组合。

    在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、
    “前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为
    基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗
    示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对
    本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相
    对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可
    以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”
    的含义是两个或两个以上。

    在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相
    连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可
    以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是
    两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以通过具体情况理解上述术语
    在本发明中的具体含义。

    下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

    如图3、4所示,一种单晶硅片研磨砂轮,包括一砂轮本体1,砂轮本体1的内部为铝
    基合金材质,外表面为金刚砂材质,砂轮本体1的直径为150mm,砂轮本体1的厚度为10mm,砂
    轮本体1的中心设有一内孔2,内孔2的直径为30mm,砂轮本体1的边缘处为斜面3,斜面3与砂
    轮本体1表面的角度为45°。

    本实施例的实施过程:如图5、6所示,如果单晶硅片4的厚度足以在现有的空间内
    进行倒角时,安装时,将砂轮的内孔2固定于倒角机上,使砂轮本体1的面积较大的一面朝
    上,面积较小的一面朝下,将单晶硅片4置于研磨平台上,调整至合适的高度后,砂轮的斜面
    3对单晶硅片4的上沿进行倒角,倒角完毕之后,将单晶硅片4反过来放置,砂轮的斜面3对单
    晶硅片4的新的上沿进行倒角;

    如图7、8所示,如果单晶硅片4的厚度不足以在现有的空间内进行倒角时,安装时,
    使砂轮本体1的面积较小的一面朝上,面积较大的一面朝下,将单晶硅片4置于研磨平台上,
    调整至合适的高度后,砂轮的斜面3对单晶硅片4的下沿进行倒角,倒角完毕之后,将单晶硅
    片4反过来放置,砂轮的斜面3对单晶硅片4的新的下沿进行倒角。

    以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精
    神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

    关 键  词:
    一种 单晶硅 研磨 砂轮 及其 使用方法
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