说明书有机电致发光装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电发光装置制作领域，特别涉及一种有机电致发光装置及 其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode)，以下简称OLED，具有亮度高、 材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广 视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息 时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内 外众多研究者的关注重点。
目前应用的OLED发光装置中，双面发光的OLED具有较大的应用优势， 其可以实现全方位360度的照明或者显示，其特征在于其拥有两个同时透明的 出光面。但是目前双面发光的器件中，通常阳极使用的是ITO导电薄膜，而阴 极使用的是薄层金属，如Ag等，但是阴极的透过率明显低于阳极的透过率，使 双面发光的两个发光面发光亮度明显不一致，且阴极的发光亮度偏低。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种具有较高发光性能且发光均一的机电致发光装置 及其制备方法。
一种有机电致发光装置，其特征在于，包括依次层叠的阳极基底、有机发 光功能层、缓冲层、pn结层及阴极层，所述pn结层包括层叠于所述缓冲层上的 n型层及层叠于所述n型层上的p型层，所述阴极层层叠于所述p型层上，其中， 所述阳极基底为透明导电玻璃，所述缓冲层的材料为氟化锂、氟化铯或氟化钠， 所述n型层的材料为氧化锌、氧化锡或二氧化铈，所述p型层的材料为氧化镍 或氧化铜，所述阴极层的材料为铟锡氧化物导电薄膜、铝锌氧化物导电薄膜或 铟锌氧化物导电薄膜。
在其中一个实施例中，所述n型层的厚度为2纳米～5纳米；所述p型层的 厚度为2纳米～8纳米。
在其中一个实施例中，所述缓冲层的厚度为2纳米～5纳米。
在其中一个实施例中，所述有机发光功能层包括依次层叠于所述阳极基底 上的空穴传输层、发光层及电子传输层，所述n型层层叠于所述电子传输层上。
在其中一个实施例中，所述透明导电玻璃为铟锡氧化物导电玻璃，所述铟 锡氧化物导电玻璃的方块电阻为5Ω/□～100Ω/□；
所述空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-（1-萘基）-4,4'-联苯二胺、4,4',4''- 三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联 苯-4,4'-二胺或(N,N,N',N'-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯；
所述发光层的材料为由发光材料与主体材料混合形成的材料，所述发光材 料与所述主体材料的质量比为5:100～30:100，所述发光材料为荧光材料或磷光材 料，所述荧光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7- 四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二 苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或4,4'-双(9-乙基 -3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯；所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲 酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、双(4,6-二氟-5-氰基 苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱、二(2',4'-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱、二（2- 甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合 铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡 啶）合铱中的一种或几种；所述主体材料为（4,4'-二(9-咔唑)联苯）、8-羟基喹啉 铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联 苯-4,4'-二胺；
所述电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1- 苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。
一种有机电致发光装置的制备方法，包括如下步骤：
提供阳极基底，所述阳极基底为透明导电玻璃；
在所述阳极基底上形成有机发光功能层；
在所述有机发光功能层上采用真空热阻蒸发制备缓冲层，所述缓冲层的材 料为氟化锂、氟化铯或氟化钠；
在所述缓冲层上采用真空电子束蒸发制备n型层，在所述n型层上采用真 空电子束蒸发制备p型层，得到pn结层，其中，所述n型层的材料为氧化锌、 氧化锡或二氧化铈，所述p型层的材料为氧化镍或氧化铜；及
在所述p型层上磁控溅射制备阴极层，所述阴极层的材料为铟锡氧化物导 电薄膜、铝锌氧化物导电薄膜或铟锌氧化物导电薄膜。
在其中一个实施例中，在所述阳极基底上形成所述有机发光功能层的步骤 为：在所述阳极基底上真空蒸镀制备空穴传输层，在所述空穴传输层上采用真 空热阻蒸发制备发光层，在所述发光层上采用真空热阻蒸发制备电子传输层， 得到所述有机发光功能层，所述缓冲层形成于所述电子传输层上，其中，所述 发光层的材料为由发光材料与主体材料混合形成的材料，所述发光材料与所述 主体材料的质量比为5:100～30:100，所述发光材料为荧光材料或磷光材料。
在其中一个实施例中，在所述阳极基底上真空蒸镀制备所述空穴传输层的 真空度为1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.1纳米/秒～1纳米/秒；
在所述空穴传输层上采用真空热阻蒸发制备所述发光层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.01纳米/秒～1纳米/秒，所述主体材料的蒸发速度 为0.2纳米/秒～1纳米/秒，所述发光材料的蒸发速度为0.05纳米/秒～0.15纳米/ 秒；
在所述发光层上采用真空热阻蒸发制备所述电子传输层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.1纳米/秒～1纳米/秒；
在所述电子传输层上采用真空热阻蒸发制备所述缓冲层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.01纳米/秒～0.5纳米/秒；
在所述缓冲层上采用真空电子束蒸发制备所述n型层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.01纳米/秒～0.5纳米/秒；
在所述n型层上采用真空电子束蒸发制备所述p型层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.01纳米/秒～0.5纳米/秒；
在所述p型层上磁控溅射形成所述阴极层的真空度为1×10-5～1×10-3Pa，溅 射速度为0.1纳米/秒～1纳米/秒。
在其中一个实施例中，所述透明导电玻璃为铟锡氧化物导电玻璃，所述铟 锡氧化物导电玻璃的方块电阻为5Ω/□～100Ω/□。
在其中一个实施例中，所述n型层的厚度为2纳米～5纳米；所述p型层的 厚度为2纳米～8纳米；所述缓冲层的厚度为2纳米～5纳米；所述阴极层的厚度 为40纳米～100纳米。
上述有机电致发光器件包括依次层叠的阳极基底、有机发光功能层、缓冲 层、pn结层及阴极层，由于阳极基底采用的材料为透明导电玻璃，而阴极层采 用的材料为铟锡氧化物导电薄膜（ITO）、铝锌氧化物导电薄膜(AZO)及铟锌氧化 物导电薄膜，使得有机电致发光装置具有双面发光的效果，且阴极层和阳极基 底的发光亮度保持一致；通过在有机发光功能层和pn结层增加一个缓冲层130， 而缓冲层使用的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）或氟化钠（NaF），可以采 用热阻蒸发的方法制备，有效地避免在制备pn结层时，对有机发光功能层的破 坏；且pn结层包括层叠于缓冲层上的n型层142和层叠于n型层上的p型层144， 且n型层的材料为氧化锌（ZnO）、氧化锡（SnO2）或二氧化铈（CeO2），p型层 的材料为氧化镍（NiO）或氧化铜(CuO)，在外部电场的作用下，pn结层中形成 的空穴和电子分别向p型层和n型层移动，电子可以通过n型层直接注入到有 机发光功能层中，p型层的空穴进入到阴极层中，且由于p型层与阴极层的势垒 很小，降低阴极层与p型层之间的注入势垒，从而避免了使用铟锡氧化物导电 薄膜（ITO）、铝锌氧化物导电薄膜(AZO)及铟锌氧化物导电薄膜(IZO)三种材料 中的一种作为阴极层的材料时导致的阴极层功函数高造成的电子注入效率低的 问题，因此，上述结构的pn结层能够大大提高了电子注入效率，降低启动电压， 且由于上述结构的pn结层，使得电子注入与空穴注入得到平衡，从而提高空穴 和电子在有机发光功能层中的复合几率及发光量子效率，最终获得具有较高发 光性能的有机电致发光装置，因此，上述有机电致发光装置具有较高的发光性 能且发光均一。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光装置的结构示意图；
图2为图1所示的有机电致发光装置的工作原理示意图；
图3为一实施方式的有机电致发光装置的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光装置及其制备方法作进一 步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的有机电致发光装置100，依次层叠的阳极基底 110、有机发光功能层120、缓冲层130、pn结层140及阴极层150。
阳极基底110为透明导电玻璃。透明导电玻璃可以为铟锡氧化物导电玻璃 （ITO）、铝锌氧化物导电玻璃(AZO)或铟锌氧化物导电玻璃(IZO)；优选为铟锡 氧化物玻璃（ITO）；且铟锡氧化物导电玻璃的方块电阻为5Ω/□～100Ω/□。
有机发光功能层120层叠于阳极基底110上。具体的，有机发光功能层120 包括依次层叠于阳极基底110上的空穴传输层122、发光层124及电子传输层 126。
其中，空穴传输层122的材料优选为N,N'-二苯基-N,N'-（1-萘基）-4,4'-联 苯二胺（NPB）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'- 二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或(N,N,N',N'-四甲氧基苯 基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)。
其中，空穴传输层122的厚度为20纳米～80纳米。
发光层124层叠于空穴传输层122上。发光层124的材料为由发光材料与 主体材料混合形成的材料，发光材料为荧光材料或磷光材料。优选的，发光材 料与主体材料的质量比为5:100～30:100。荧光材料优选为4-（二腈甲基）-2-丁 基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二甲基喹吖啶酮 (DMQA)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基 -1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-二(2,2-二 苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯 （DPAVBi）或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCZVBi）。磷光材料优 选为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶 甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2',4'-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN4）、二（2- 甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹 啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱 （Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）及三（2-苯基吡啶）合 铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种。主体材料优选为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟 基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基 -N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。
其中，发光层124的厚度优选为5纳米～30纳米。
电子传输层126层叠于发光层124上。电子传输层126的材料为优选为8- 羟基喹啉铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑 -2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)。
其中，电子传输层126的厚度优选为20纳米～60纳米。
缓冲层130层叠于电子传输层126上。缓冲层130的材料为氟化锂（LiF）、 氟化铯（CsF）或氟化钠（NaF）。
由于在电子传输层126上制备pn结层时，采用的是电子束蒸发的方法，采 用这种方法会破坏有机发光功能层120，而在电子传输层126与pn结层140之 间增加缓冲层130，且缓冲层130使用的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF） 或氟化钠（NaF），这些材料可以采用热阻蒸发制备，由于热阻蒸发的热量低， 通常低于500℃，而电子束蒸发的热量高，通常高于1000℃，高热量意味着运 动的离子能量高，电子束蒸发形成的氧化物离子会轰击有机发光功能层120，使 有机发光功能层120遭到破坏，而采用热阻蒸发氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF） 或氟化钠（NaF）形成一层缓冲层130，且氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）或氟 化钠（NaF）为无机材料，也就是或缓冲层130是无机层，能够抵抗氧化物高能 离子的轰击，相当于给有机发光功能层120提供了一个保护层，从而能够避免 电子束蒸发制备pn结层140对有机发光功能层120造成的破坏；而且这些材料 具有良好的电子传输功能，能够实现良好的电子传输效率。
其中，缓冲层130的厚度优选为2纳米～5纳米。
pn结层140层叠于缓冲层130上。pn结层140包括层叠于缓冲层130上的 n型层142和层叠于n型层142上的p型层144。n型层142的材料为氧化锌 （ZnO）、氧化锡（SnO2）或二氧化铈（CeO2），这三种材料可以采用电子束蒸 发制备，且制备出的薄膜在可见光区域内是透明的，且这些材料能够与有机电 致发光器件100的其它层能级匹配；厚度优选为2纳米～5纳米。p型层144的 材料为氧化镍（NiO）或氧化铜(CuO)，这两种材料可以采用电子束蒸发制备， 且制备出的薄膜在可见光区域内是透明的，且这些材料能够与有机电致发光器 件100的其它层能级匹配；厚度优选为2纳米～8纳米。
请一并参阅图2，在外部电场的作用下，pn结层140中形成的空穴和电子 分别向p型层144和n型层142移动，电子可以通过n型层142直接注入到有 机发光功能层120中，p型层144的空穴进入到阴极层150中，且由于p型层 144与阴极层150的势垒很小，p型层144的费米能级在5.0eV以上，如NiO 5.2eV，而常见的透明氧化物导电薄膜（例如，ITO）电极功函在4.8～5.0之间， 对于空穴注入而言，不存在注入势垒了或者很小；而n型层142的费米能级， 如SnO2在3.5eV左右，与常见的电子传输材料TPBi的LUMO能级2.7eV相比， 电子注入势垒为0.8eV。如果不加PN结层140，TPBi与ITO之间的电子注入势 垒在2.1eV以上，显然，采用上述PN结层140能够降低了载流子在电子传输层 126与透明氧化物导电薄膜（例如，ITO薄膜）之间的注入势垒，因此，大大提 高了电子注入效率，从而降低启动电压。且由于p型层144的材料选用氧化镍 （NiO）或氧化铜(CuO)，n型层142的材料为氧化锌（ZnO）、氧化锡（SnO2） 或二氧化铈（CeO2），上述材料的p型层144与上述材料的n型层142形成的pn 结层140能够使电子注入与空穴注入得到平衡，从而提高空穴和电子在有机发 光功能层120的发光层124中的复合几率及发光量子效率，最终获得具有较高 发光性能的有机电致发光装置100。
阴极层150层叠于p型层144上。阴极层150的材料为铟锡氧化物导电薄 膜（ITO）、铝锌氧化物导电薄膜(AZO)或铟锌氧化物导电薄膜(IZO)。阴极层150 的厚度优选为40纳米～100纳米。
采用铟锡氧化物导电薄膜（ITO）、铝锌氧化物导电薄膜(AZO)及铟锌氧化物 导电薄膜(IZO)，这些透明导电薄膜作为阴极层150的材料使得阴极层150也具 有发光的效果，且阳极基底110的材料采用透明导电玻璃，有机电致发光装置 100具有双面发光的效果，且阴极层150和阳极基底110的发光亮度保持一致。
上述有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极基底110、有机发光功能层 120、缓冲层130、pn结层140及阴极层150，由于阳极基底110采用的材料为 透明导电玻璃，而阴极层150采用的材料为铟锡氧化物导电薄膜（ITO）、铝锌 氧化物导电薄膜(AZO)及铟锌氧化物导电薄膜(IZO)，使得有机电致发光装置100 具有双面发光的效果，且阴极层150和阳极基底110的发光亮度保持一致；通 过在有机发光功能层120和pn结层140增加一个缓冲层130，而缓冲层130使 用的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）或氟化钠（NaF），可以采用热阻蒸发 的方法制备，有效地避免在制备pn结层140时，对有机发光功能层120的破坏； 且pn结层140包括层叠于缓冲层130上的n型层142和层叠于n型层142上的 p型层144，且n型层142的材料为氧化锌（ZnO）、氧化锡（SnO2）或二氧化 铈（CeO2），p型层144的材料为氧化镍（NiO）或氧化铜(CuO)，在外部电场的 作用下，pn结层140中形成的空穴和电子分别向p型层144和n型层142移动， 电子可以通过n型层142直接注入到有机发光功能层120中，p型层144的空穴 进入到阴极层150中，且由于p型层144与阴极层150的势垒很小，降低阴极 层150与p型层144之间的注入势垒，从而避免了使用铟锡氧化物导电薄膜 （ITO）、铝锌氧化物导电薄膜(AZO)及铟锌氧化物导电薄膜(IZO)三种材料中的 一种作为阴极层150的材料时导致的阴极层150功函数高造成的电子注入效率 低的问题，因此，上述结构的pn结层140能够大大提高了电子注入效率，降低 启动电压，且由于上述结构的pn结层140，使得电子注入与空穴注入得到平衡， 从而提高空穴和电子在有机发光功能层120中的复合几率及发光量子效率，最 终获得具有较高发光性能的有机电致发光装置100，因此，上述有机电致发光装 置100具有较高的发光性能且发光均一。
如图3所示，一实施方式的有机电致发光装置的制备方法，包括如下步骤：
步骤S310：提供阳极基底。其中，阳极基底为透明导电玻璃。透明导电玻 璃可以为铟锡氧化物导电玻璃（ITO）、铝锌氧化物导电玻璃(AZO)或铟锌氧化物 导电玻璃(IZO)；优选为铟锡氧化物玻璃（ITO）；且铟锡氧化物导电玻璃的方块 电阻为5Ω/□～100Ω/□。
步骤S320：在阳极基底上形成有机发光功能层。
其中，在阳极基底上形成有机发光功能层的步骤为：在阳极基底上真空蒸 镀制备空穴传输层，在空穴传输层上采用真空热阻蒸发制备发光层，在发光层 上采用真空热阻蒸发制备电子传输层，得到有机发光功能层，缓冲层形成于电 子传输层上。其中，发光层的材料为由发光材料与主体材料混合形成的材料， 发光材料为荧光材料或磷光材料。优选的，发光材料与主体材料的质量比为 5:100～30:100。荧光材料优选为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛 呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,6,11,12-四苯 基萘并萘(Rubrene)、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)- 喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、 4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi）或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙 烯基)-1,1'-联苯（BCZVBi）。磷光材料优选为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶 甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、 双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2',4'-二氟苯基) 吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN4）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合 铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、 乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3） 及三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种。主体材料优选为4,4'-二(9- 咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基) 苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。
其中，在阳极基底上真空蒸镀制备空穴传输层的真空度为1×10-5～1×10-3Pa， 蒸发速度为0.1纳米/秒～1纳米/秒。
其中，在空穴传输层上采用真空热阻蒸发制备发光层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，所述主体材料的蒸发速度为0.2纳米/秒～1纳米/秒，所述发光 材料的蒸发速度为0.05纳米/秒～0.15纳米/秒。
其中，在发光层上采用真空热阻蒸发制备电子传输层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.1纳米/秒～1纳米/秒。
步骤S330：在有机发光功能层上采用真空热阻蒸发制备缓冲层。缓冲层的 材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）或氟化钠（NaF）。
具体的，缓冲层形成于电子传输层上。缓冲层的厚度优选为2纳米～5纳米。
其中，在电子传输层上采用真空热阻蒸发制备缓冲层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.01纳米/秒～0.5纳米/秒。
步骤S340：在缓冲层上采用真空电子束蒸发制备n型层，在n型层上采用 真空电子束蒸发制备p型层，得到pn结层。其中，n型层的材料为氧化锌（ZnO）、 氧化锡（SnO2）或二氧化铈（CeO2）。p型层的材料为氧化镍（NiO）或氧化铜 (CuO)。
其中，n型层的厚度优选为2纳米～5纳米；p型层的厚度优选为2纳米～8 纳米
其中，在缓冲层上采用真空电子束蒸发制备n型层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.01纳米/秒～0.5纳米/秒。
其中，在n型层上采用真空电子束蒸发制备p型层的真空度为 1×10-5～1×10-3Pa，蒸发速度为0.01纳米/秒～0.5纳米/秒。
步骤S350：在p型层上磁控溅射制备阴极层。其中，阴极层的材料为铟锡 氧化物导电薄膜（ITO）、铝锌氧化物导电薄膜(AZO)及铟锌氧化物导电薄膜 (IZO)。
其中，阴极层的厚度优选为40纳米～100纳米。
其中，在p型层上磁控溅射形成阴极层的真空度为1×10-5～1×10-3Pa，溅射 速度为0.1纳米/秒～1纳米/秒。
上述有机电致发光器件的制备方法工序简单，容易操作，成品的合格率高， 有效地提高了生产效率，降低了生产成本，适合产业化生产。
以下为具体实施例部分，其中，测试与制备设备为高真空镀膜系统（沈阳 科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱 仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯 尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度：
实施例1
本实施例的有机电致发光装置的结构为： ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/LiF/ZnO/CuO/ITO。
该实施例的有机电致发光装置的制备如下：
（1）提供ITO阳极基底，并进行清洗，其中，ITO阳极基底的方块电阻为 5Ω/□，ITO阳极基底表示为：ITO。
（2）在阳极基底上形成有机发光功能层：在真空度为1×10-5Pa的真空镀 膜系统中，在阳极基底上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为20nm， 材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，蒸发速度为 0.1nm/s，空穴传输层表示为：NPB；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层 上制备发光层，其中，发光层的材料为由二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二 胺(NPB)混合形成的材料，且二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱 （Ir(MDQ)2(acac)）与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的质 量比为10:100，发光层的厚度为30nm，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）的蒸发速度为0.1nm/s，N,N'-二苯基-N,N'-二(1- 萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的蒸发速度为1nm/s，发光层表示为 NPB:Ir(MDQ)2(acac)；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层上制 备电子传输层的厚度为20nm，材料为4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)，蒸发速度 为0.1nm/s，电子传输层表示为：Bphen。
则得到的有机发光功能层表示为：NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen。
（3）在电子传输层上制备缓冲层：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统 中，采用热阻蒸发技术在电子传输层上制备缓冲层，缓冲层的厚度为2nm，材 料为氟化锂（LiF），蒸发速度为0.01nm/s，缓冲层表示为：LiF。
（4）在缓冲层上形成pn结层：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中， 采用电子束蒸发技术在缓冲层上制备n型层，其中，n型层的厚度为2nm，材料 为氧化锌（ZnO），蒸发速度为0.01nm/s，n型层表示为：ZnO；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用电子束蒸发技术在n型层上 制备p型层，其中，p型层的厚度为2nm，材料为氧化铜(CuO)，蒸发速度为 0.01nm/s，p型层表示为：CuO。
则得到的pn结层表示为：ZnO/CuO。
（5）在p型层上形成阴极层：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中， 在p型层上磁控溅射制备阴极层，其中，阴极层的厚度为40nm，材料为铟锡氧 化物导电薄膜（ITO），蒸发速度为0.05nm/s，阴极层表示为：ITO。
得到本实施例的结构为： ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/LiF/ZnO/CuO/ITO的有机电致发光装置；其 中，斜杆“/”表示层状结构，NPB:Ir(MDQ)2(acac)中的冒号“：”表示掺杂混合， 下同。
在6V的驱动电压下，测试得到本实施例制备的结构为 ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/LiF/ZnO/CuO/ITO的有机电致发光装置的 启动电压、阳极基底的发光亮度、阴极层发光亮度、发光效率及透过率见表1。
以下实施例均有与本实施例相类似的性能及效果。
实施例2
本实施例的有机电致发光装置的结构为： ITO/MeO-TPD/Alq3:DCJTB/TPBi/CsF/SnO2/NiO/AZO。
该实施例的有机电致发光装置的制备如下：
（1）提供ITO阳极基底，并进行清洗，其中，ITO阳极基底的方块电阻为 100Ω/□，ITO阳极基底表示为：ITO。
（2）在阳极基底上形成有机发光功能层：在真空度为1×10-3Pa的真空镀 膜系统中，在阳极基底上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为60nm， 材料为(N,N,N',N'-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，蒸发速度为1nm/s， 空穴传输层表示为：MeO-TPD；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层 上制备发光层，其中，发光层的材料为由4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四 甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）与8-羟基喹啉铝（Alq3）混合形 成的材料，且（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H- 吡喃（DCJTB）与8-羟基喹啉铝（Alq3）的质量比为5:100，发光层的厚度为5nm， （二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB） 的蒸发速度为0.05nm/s，8-羟基喹啉铝（Alq3）的蒸发速度为0.2nm/s，发光层 表示为Alq3:DCJTB；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层上制 备电子传输层的厚度为60nm，材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯 (TPBi)，蒸发速度为1nm/s，电子传输层表示为：TPBi；
则得到的有机发光功能层表示为：MeO-TPD/Alq3:DCJTB/TPBi。
（3）在电子传输层上制备缓冲层：在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统 中，采用热阻蒸发技术在电子传输层上制备缓冲层，缓冲层的厚度为5nm，材 料为氟化铯（CsF），蒸发速度为0.5nm/s，缓冲层表示为：CsF。
（4）在缓冲层上形成pn结层：在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中， 采用电子束蒸发技术在缓冲层上制备n型层，其中，n型层的厚度为5nm，材料 为氧化锡（SnO2），蒸发速度为0.5nm/s，n型层表示为：SnO2；
在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，采用电子束蒸发技术在n型层上 制备p型层，其中，p型层的厚度为8nm，材料为氧化镍(NiO)，蒸发速度为 0.5nm/s，p型层表示为：NiO。
则得到的pn结层表示为：SnO2/NiO。
（5）在p型层上形成阴极层：在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中， 在p型层上磁控溅射制备阴极层，其中，阴极层的厚度为100nm，材料为铝锌 氧化物导电薄膜(AZO)，蒸发速度为0.5nm/s，阴极层表示为：AZO。
得到本实施例的结构为： ITO/MeO-TPD/Alq3:DCJTB/TPBi/CsF/SnO2/NiO/AZO的有机电致发光装置。
在6V的驱动电压下，测试得到本实施例制备的结构为 ITO/MeO-TPD/Alq3:DCJTB/TPBi/CsF/SnO2/NiO/AZO的有机电致发光装置的启 动电压、阳极基底的发光亮度、阴极层发光亮度、发光效率及透过率见表1。
实施例3
本实施例的有机电致发光装置的结构为： ITO/TPD/CBP:FIrpic/BCP/NaF/CeO2/NiO/IZO。
该实施例的有机电致发光装置的制备如下：
（1）提供ITO阳极基底，并进行清洗，其中，ITO阳极基底的方块电阻为 50Ω/□，ITO阳极基底表示为：ITO。
（2）在阳极基底上形成有机发光功能层：在真空度为1×10-4Pa的真空镀 膜系统中，在阳极基底上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为50nm， 材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)，蒸发速度为 1nm/s，空穴传输层表示为：TPD；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层 上制备发光层，其中，发光层的材料为由双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲 酰合铱（FIrpic）与4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）混合形成的材料，且双（4,6-二 氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）与4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）的质 量比为15:100，发光层的厚度为15nm，双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰 合铱（FIrpic）的蒸发速度为0.15nm/s，4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）的蒸发速度 为1nm/s，发光层表示为CBP:FIrpic；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层上制 备电子传输层的厚度为40nm，材料为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲 (BCP)，蒸发速度为0.5nm/s，电子传输层表示为：BCP；
则得到的有机发光功能层表示为：TPD/CBP:FIrpic/BCP。
（3）在电子传输层上制备缓冲层：在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统 中，采用热阻蒸发技术在电子传输层上制备缓冲层，缓冲层的厚度为3nm，材 料为氟化锂（NaF），蒸发速度为0.2nm/s，缓冲层表示为：NaF。
（4）在缓冲层上形成pn结层：在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中， 采用电子束蒸发技术在缓冲层上制备n型层，其中，n型层的厚度为2nm，材料 为二氧化铈（CeO2），蒸发速度为0.02nm/s，n型层表示为：CeO2；
在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，采用电子束蒸发技术在n型层上 制备p型层，其中，p型层的厚度为5nm，材料为氧化镍（NiO），蒸发速度为 0.2nm/s，p型层表示为：NiO。
则得到的pn结层表示为：CeO2/NiO。
（5）在p型层上形成阴极层：在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中， 在p型层上磁控溅射制备阴极层，其中，阴极层的厚度为70nm，材料为铟锌氧 化物导电薄膜(IZO)，蒸发速度为0.2nm/s，阴极层表示为：IZO。
得到本实施例的结构为：ITO/TPD/CBP:FIrpic/BCP/NaF/CeO2/NiO/IZO的有 机电致发光装置。
在6V的驱动电压下，测试得到本实施例制备的结构为 ITO/TPD/CBP:FIrpic/BCP/NaF/CeO2/NiO/IZO的有机电致发光装置的启动电压、 阳极基底的发光亮度、阴极层发光亮度、发光效率及透过率见表1。
对比例1
对比例1的有机电致发光装置的结构为： ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/ITO。
对比例1的有机电致发光装置的制备如下：
（1）提供ITO阳极基底，并进行清洗，其中，ITO阳极基底的方块电阻为 5Ω/□，ITO阳极基底表示为：ITO。
（2）在阳极基底上形成有机发光功能层：在真空度为1×10-5Pa的真空镀 膜系统中，在阳极基底上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为20nm， 材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，蒸发速度为 0.1nm/s，空穴传输层表示为：NPB；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层 上制备发光层，其中，发光层的材料为由二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二 胺(NPB)混合形成的材料，且二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱 （Ir(MDQ)2(acac)）与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的质 量比为10:100，发光层的厚度为30nm，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）的蒸发速度为0.1nm/s，N,N'-二苯基-N,N'-二(1- 萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的蒸发速度为1nm/s，发光层表示为 NPB:Ir(MDQ)2(acac)；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层上制 备电子传输层的厚度为20nm，材料为4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)，蒸发速度 为0.1nm/s，电子传输层表示为：Bphen。
则得到的有机发光功能层表示为：NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen。
（3）在电子传输层上形成阴极层：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统 中，在p型层上磁控溅射制备阴极层，其中，阴极层的厚度为40nm，材料为铟 锡氧化物导电薄膜（ITO），蒸发速度为0.05nm/s，阴极层表示为：ITO。
得到对比例1的结构为ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/ITO的有机电 致发光装置。
在6V的驱动电压下，测试得到对比例1的结构为 ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/ITO的有机电致发光装置的启动电压、阳极 基底的发光亮度、阴极层发光亮度、发光效率及透过率见表1。
对比例2
对比例2的有机电致发光装置的结构为： ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/Ag。
对比例2的有机电致发光装置的制备如下：
（1）提供ITO阳极基底，并进行清洗，其中，ITO阳极基底的方块电阻为 5Ω/□，ITO阳极基底表示为：ITO。
（2）在阳极基底上形成有机发光功能层：在真空度为1×10-5Pa的真空镀 膜系统中，在阳极基底上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为20nm， 材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，蒸发速度为 0.1nm/s，空穴传输层表示为：NPB；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层 上制备发光层，其中，发光层的材料为由二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二 胺(NPB)混合形成的材料，且二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱 （Ir(MDQ)2(acac)）与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的质 量比为10:100，发光层的厚度为30nm，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）的蒸发速度为0.1nm/s，N,N'-二苯基-N,N'-二(1- 萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的蒸发速度为1nm/s，发光层表示为 NPB:Ir(MDQ)2(acac)；
在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层上制 备电子传输层的厚度为20nm，材料为4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)，蒸发速度 为0.1nm/s，电子传输层表示为：Bphen。
则得到的有机发光功能层表示为：NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen。
（3）在电子传输层上形成阴极层：阴极层的厚度为30nm，材料为银（Ag）， 阴极层表示为：Ag。
得到对比例2的结构为ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/Ag的有机电致 发光装置。
在6V的驱动电压下，测试得到对比例2的结构为 ITO/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/Ag的有机电致发光装置的启动电压、阳极 基底的发光亮度、阴极层发光亮度、发光效率及透过率见表1。
表1表示的是在6V的驱动电压下，实施例1～实施例3制备得到的有机电 致发光装置与对比例1～2的有机电致发光装置的启动电压、阳极基底的发光亮 度、阴极层发光亮度、发光效率及透过率。
表1
从表1中可以看出，实施例1～实施例3制备的采用透明导电薄膜作为阴极 层的有机电致发光装置的启动电压明显比对比例1制备的采用的透明导电薄膜 作为阴极层的有机电致发光器件的启动电压要低，且实施例1与实施例2的有 机电致发光装置的启动电压比对比例1的有机电致发光器件降低了1.1V。实施 例1～3的有机电致发光装置的发光效率明显高于对比例1的发光效率，且实施 例1的有机电致发光装置的发光效率相对于对比例1提高了50%。，这是因为实 施例1～实施例3制备的上述结构的有机电致发光装置解决了电子的注入问题。
与对比例2相比，实施例1～实施例3制备的有机电致发光装置的阴极层和 阳极基底的发光亮度差别在50cd/m2以内，几乎保持一致，而对比例2的有机电 致发光装置的阴极层和阳极基底的发光亮度差别超过了1500cd/m2，阴极层和阳 极基底的发光亮度明显不一致，这是因为实施例1～实施例3制备的有机电致发 光装置的阴极层具有较高的透过率。由于实施例1～实施例3的阳极层采用的是 透明导电玻璃作为材料，阴极层采用的是透明导电薄膜作为材料，因此，实施 例1～实施例3的有机电致发光装置具有较高的透过率，均达到85%以上，而对 比例2的采用半透明金属银作为阴极层的材料，其有机电致发光装置的透过率 只有60%，当需要全透明的有机电致发光装置显示时，对比例2的应用就收到 限制，而实施例1～实施例3的有机电致发光装置能很好的应用于全透明显示的 领域。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域 的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和 改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附 权利要求为准。