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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410692898.3(22)申请日 2014.11.26H03K 3/023(2006.01)(71)申请人成都创图科技有限公司地址 610000 四川省成都市高新区桂溪工业园(72)发明人刘芳 谢静(74)专利代理机构深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309代理人廉红果 陆庆红(54) 发明名称一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统(57) 摘要本发明公开了一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，其特征在于：包括前端采样电路，和前端采样电路输出端相连接的触发电路，和触发电路输出端相连的移相处理电路，与移相处理电路相连。
2、接的自举控制电路，以及与自举控制电路相连接的输出电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT2，三极管VT3，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R3，负极经电阻R2后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R4后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5等组成。本发明设置了移相处理电路，其可以保证线束下线机驱动系统在承受高负载时仍然可以输出稳定的功率。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明。
3、书3页 附图1页(10)申请公布号 CN 104467751 A(43)申请公布日 2015.03.25CN 104467751 A1/1页21.一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，其特征在于：包括前端采样电路，和前端采样电路输出端相连接的触发电路，和触发电路输出端相连的移相处理电路，与移相处理电路相连接的自举控制电路，以及与自举控制电路相连接的输出电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT2，三极管VT3，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R3，负极经电阻R2后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连。
4、接的极性电容C3，正极经电阻R4后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与自举控制电路相连接的电位器R5，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D4组成；所述移相芯片U1的IN1管脚和IN2管脚均与触发电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R5的滑动端相连接，三极管VT2的发射极与三极管VT3的基极相连接，三。
5、极管VT3的集电极与自举控制电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，其特征在于：所述的前端采样电路包括二极管D1，二极管D2，极性电容C1，电阻R1；二极管D2的N极经极性电容C1后与二极管D1的P极相连、P极则经电阻R1后与二极管D1的N极相连；所述二极管D2的P极还与触发电路连接。3.根据权利要求2所述的一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，其特征在于：所述的触发电路由三极管VT1，极性电容C2，电感L1组成；三极管VT1的基极与二极管D2的P极相连，其集电极则与移相芯片U1的IN1管脚相连接，发射极经极性电容C2后同时与二极管D2的P极以及电容C。
6、3的负极相连接；电感L1的一端与三极管VT1的集电极相连，另一端则与二极管D2的P极相连。4.根据权利要求3所述的一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，其特征在于：所述自举控制电路由三极管VT4，场效应管Q，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端则与输出电路相连接的电阻R10，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极则与输出电路相连接的极性电容C9，正极与场效应管Q的源极相连接、负极与极性电容C9的负极相连接的极性电容C8，一端与三极管VT4的基极相连接、另一端经电阻R8后接地的电阻R6，正极与电阻R6和电阻R8的连接点相连接、负极经电阻R9后接地的极性电容C7，正极与电位器R5相连接、负。
7、极则与场效应管Q的栅极相连接的极性电容C6，以及一端与极性电容C6的负极相连接、另一端则与极性电容C7的正极相连接的电阻R7组成；所述场效应管Q的漏极与三极管VT4的基极相连接，源极与极性电容C7的负极相连接。5.根据权利要求4所述的一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，其特征在于：所述的输出电路包括二极管D5，二极管D6，极性电容C10，电阻R11，电阻R12，电阻R13；极性电容C10的正极与二极管D5的N极相连接、其负极经电阻R12和电阻R11后与极性电容C8的负极相连接，电阻R13与电阻R12相并联，二极管D5的N极与电阻R10相连接、其P极与二极管D6的P极相连接，二极管D6的N。
8、极与极性电容C8的负极相连接、P极则与三极管VT3的集电极相连接。权 利 要 求 书CN 104467751 A1/3页3一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统技术领域0001 本发明涉及一种线束下线机驱动系统，具体是指一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统。背景技术0002 目前电子产品种类、功能不断增加，线束的使用随之增多。在线束生产过程中工作量非常大，现在人们广泛使用线束下线机进行线束生产从而大大提高了工作效率。0003 然而，目前线束下线机驱动系统的负载能力不够，当其负载过大时很容易烧坏驱动系统。发明内容0004 本发明的目的在于克服目前线束下线机驱动系统负载能力不够的缺陷，提供一。
9、种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统。0005 本发明的目的通过下述技术方案实现：一种基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，包括前端采样电路，和前端采样电路输出端相连接的触发电路，和触发电路输出端相连的移相处理电路，与移相处理电路相连接的自举控制电路，以及与自举控制电路相连接的输出电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT2，三极管VT3，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R3，负极经电阻R2后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R4后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三。
10、极管VT2的集电极相连接的极性电容C5，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与自举控制电路相连接的电位器R5，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D4组成；所述移相芯片U1的IN1管脚和IN2管脚均与触发电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R5的滑动端相连接，三极管VT2的发射极与三极管VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极与自举控制电路相连接。0006 所述的前端采样电路包括二。
11、极管D1，二极管D2，极性电容C1，电阻R1；二极管D2的N极经极性电容C1后与二极管D1的P极相连、P极则经电阻R1后与二极管D1的N极相连；所述二极管D2的P极还与触发电路连接。0007 所述的触发电路由三极管VT1，极性电容C2，电感L1组成；三极管VT1的基极与二极管D2的P极相连，其集电极则与移相芯片U1的IN1管脚相连接，发射极经极性电容C2后同时与二极管D2的P极以及电容C3的负极相连接；电感L1的一端与三极管VT1的集电极相连，另一端则与二极管D2的P极相连。0008 所述自举控制电路由三极管VT4，场效应管Q，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端则与输出电路相连接的电阻R。
12、10，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极则与输出说 明 书CN 104467751 A2/3页4电路相连接的极性电容C9，正极与场效应管Q的源极相连接、负极与极性电容C9的负极相连接的极性电容C8，一端与三极管VT4的基极相连接、另一端经电阻R8后接地的电阻R6，正极与电阻R6和电阻R8的连接点相连接、负极经电阻R9后接地的极性电容C7，正极与电位器R5相连接、负极则与场效应管Q的栅极相连接的极性电容C6，以及一端与极性电容C6的负极相连接、另一端则与极性电容C7的正极相连接的电阻R7组成；所述场效应管Q的漏极与三极管VT4的基极相连接，源极与极性电容C7的负极相连接。0009 所述的输出。
13、电路包括二极管D5，二极管D6，极性电容C10，电阻R11，电阻R12，电阻R13；极性电容C10的正极与二极管D5的N极相连接、其负极经电阻R12和电阻R11后与极性电容C8的负极相连接，电阻R13与电阻R12相并联，二极管D5的N极与电阻R10相连接、其P极与二极管D6的P极相连接，二极管D6的N极与极性电容C8的负极相连接、P极则与三极管VT3的集电极相连接。0010 本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：（1）本发明设置了移相处理电路，其可以保证线束下线机驱动系统在承受高负载时仍然可以输出稳定的功率。0011 （2）本发明设置了自举控制电路，其能够有效的提升线束下线机驱动系统的。
14、负载能力，避免驱动系统因负载过大而烧坏。0012 （3）本发明结构简单，制作成本低，适合广泛推广。附图说明0013 图1为本发明的整体电路图。具体实施方式0014 下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。实施例0015 如图1所示，本发明的基于移相式高负载的线束下线机驱动系统，包括前端采样电路，和前端采样电路输出端相连接的触发电路，和触发电路输出端相连的移相处理电路，与移相处理电路相连接的自举控制电路，以及与自举控制电路相连接的输出电路。0016 所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT2，三极管VT3，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片。
15、U1的IN1管脚相连接的电阻R3，负极经电阻R2后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R4后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与自举控制电路相连接的电位器R5，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D4组成；所述移相芯片U1的IN1管脚和IN2管脚均与触发。
16、电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R5的滑动端相连接，三极管VT2的发射极与三极管VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极与自举控制电路相连接。移相处理电路，可以保证线束下线机驱动系统在承受高负载时仍然可以输出说 明 书CN 104467751 A3/3页5稳定的功率。为了更好的实施本发明，所述的移相芯片U1优选为LM741集成芯片。0017 所述的前端采样电路包括二极管D1，二极管D2，极性电容C1，电阻R1；二极管D2的N极经极性电容C1后与二极管D1的P极相连、P极则经电阻R1后与二极管D1的N极相连；所述二极管D2的P极还与触发电路连接。0018 所述的触发电路由三极管V。
17、T1，极性电容C2，电感L1组成；三极管VT1的基极与二极管D2的P极相连，其集电极则与移相芯片U1的IN1管脚相连接，发射极经极性电容C2后同时与二极管D2的P极以及电容C3的负极相连接；电感L1的一端与三极管VT1的集电极相连，另一端则与二极管D2的P极相连。0019 所述自举控制电路由三极管VT4，场效应管Q，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端则与输出电路相连接的电阻R10，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极则与输出电路相连接的极性电容C9，正极与场效应管Q的源极相连接、负极与极性电容C9的负极相连接的极性电容C8，一端与三极管VT4的基极相连接、另一端经电阻R8后接地的电阻R。
18、6，正极与电阻R6和电阻R8的连接点相连接、负极经电阻R9后接地的极性电容C7，正极与电位器R5相连接、负极则与场效应管Q的栅极相连接的极性电容C6，以及一端与极性电容C6的负极相连接、另一端则与极性电容C7的正极相连接的电阻R7组成；所述场效应管Q的漏极与三极管VT4的基极相连接，源极与极性电容C7的负极相连接。0020 所述的输出电路包括二极管D5，二极管D6，极性电容C10，电阻R11，电阻R12，电阻R13；极性电容C10的正极与二极管D5的N极相连接、其负极经电阻R12和电阻R11后与极性电容C8的负极相连接，电阻R13与电阻R12相并联，二极管D5的N极与电阻R10相连接、其P极与二极管D6的P极相连接，二极管D6的N极与极性电容C8的负极相连接、P极则与三极管VT3的集电极相连接。0021 如上所述，便可以很好的实现本发明。说 明 书CN 104467751 A1/1页6图1说 明 书 附 图CN 104467751 A。