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本发明涉及对可见光响应的含钼半导体光催化材料,其分子式为M2M1FeMoO6,式中M1Li、Na、K、Rb或Cs;M2Be、Mg、Ca、Sr或Ba。其制备方法包括如下步骤:按含M1的化合物、含M2的化合物、含Fe的化合物、含Mo的化合物中的M1、Fe、M2、Mo的摩尔比1111的比例放入研钵中研磨混合均匀,经过预烧处理后升温到8001200恒温1160小时,即可得到对可见光响应的含钼半导体光催化材。