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本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上,且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成,且在其内部空间側设置有碳化钽层,该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外,硅化钽层不同于固着的Si,不会熔化落下。 。