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1、(10)申请公布号 CN 102848655 A(43)申请公布日 2013.01.02CN102848655A*CN102848655A*(21)申请号 201210366031.X(22)申请日 2012.09.27B32B 17/06(2006.01)C03C 17/34(2006.01)(71)申请人江西沃格光电科技有限公司地址 338004 江西省新余市高新开发区西城大道沃格工业园(72)发明人郑芳平 张迅(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司 44224代理人吴平(54) 发明名称防静电膜及其制备方法(57) 摘要本发明涉及一种防静电膜及其制备方法和应用。该防静电膜包。
2、括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一Nb2O5层、置于所述第一Nb2O5层上的第一SiO2层、置于所述第一SiO2层上的第二Nb2O5层、置于所述第二Nb2O5层上的第二SiO2层及置于所述第二SiO2层上的ITO层。该防静电膜的制备方法利用先进的光学薄膜技术，经过精心仔细的光学膜系设计，利用光的波动性和干涉原理，结合材料的折射率关系，采用AR配合ITO技术，将TFT镀膜玻璃在550nm处的折射率提高到93.5，玻璃的镀膜前后透过率的比值由97%提高到102.5%，极大地提高了TFT镀膜玻璃的光学性能。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权。
3、局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页1/1页21.一种防静电膜，其特征在于，包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一Nb2O5层、置于所述第一Nb2O5层上的第一SiO2层、置于所述第一SiO2层上的第二Nb2O5层、置于所述第二Nb2O5层上的第二SiO2层及置于所述第二SiO2层上的ITO层。2.如权利要求1所述的防静电膜，其特征在于，所述第一Nb2O5层的厚度为1416nm，所述第二Nb2O5层的厚度为123127nm。3.如权利要求1所述的防静电膜，其特征在于，所述第一SiO2层的厚度为3235nm，所述第二SiO2层的厚度为5962nm。4.如权利要求。
4、1所述的防静电膜，其特征在于，所述ITO层的厚度为1216nm。5.一种防静电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一Nb2O5层上镀制第一SiO2层；使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一SiO2层上镀制第二Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二Nb2O5层上镀制第二SiO2层；使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在所述第二SiO2层上镀制ITO层，得到所述防静电膜。6.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一Nb2O5层。
5、的过程中，磁控溅射频率为40KHz。7.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一Nb2O5层上镀制第一SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。8.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一SiO2层上镀制第二Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。9.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二Nb2O5层上镀制第二SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。10.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用ITO靶材进。
6、行磁控溅射镀膜过程中，磁控溅射频率为40KHz。权 利 要 求 书CN 102848655 A1/3页3防静电膜及其制备方法 技术领域0001 本发明涉及薄膜场效应晶体管领域，尤其涉及一种防静电膜及其制备方法。 背景技术0002 传统的大部分TFT（薄膜场效应晶体管）镀膜产品所镀的防静电膜为SiO2+ITO膜层。该镀膜产品，在550nm处透过率约为90%，镀膜前后透过率的比值为97%左右，视觉效果较差，大部分TFT镀膜厂家都可以做到这种质量的触摸屏产品。由于技术指标较低，薄膜透射率较低，在日益激烈的触摸屏行业竞争处于越来越不利的地位，随着人们对视觉品质的不断追求，有必要生产出具有更高透射率的触。
7、摸屏产品。 发明内容0003 基于此，有必要提供一种透射率较高的防静电膜及其制备方法。 0004 一种防静电膜，包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一Nb2O5层、置于所述第一Nb2O5层上的第一SiO2层、置于所述第一SiO2层上的第二Nb2O5层、置于所述第二Nb2O5层上的第二SiO2层及置于所述第二SiO2层上的ITO层。 0005 在其中一个实施例中，所述第一Nb2O5层的厚度为1416nm，所述第二Nb2O5层的厚度为123127nm。 0006 在其中一个实施例中，所述第一SiO2层的厚度为3235nm，所述第二SiO2层的厚度为5962nm。 0007 在其中一个实施例中，所述。
8、ITO层的厚度为1216nm。 0008 一种防静电膜的制备方法，包括如下步骤： 0009 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一Nb2O5层； 0010 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一Nb2O5层上镀制第一SiO2层； 0011 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一SiO2层上镀制第二Nb2O5层； 0012 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二Nb2O5层上镀制第二SiO2层； 0013 使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在所述第二SiO2层上镀制ITO层，得到所述防静电膜。 0014 在其中一个实施例中，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一Nb2O5层。
9、的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0015 在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一Nb2O5层上镀制第一SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0016 在其中一个实施例中，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一SiO2层上镀制第二Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0017 在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二Nb2O5层上镀制第二SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0018 在其中一个实施例中，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜过程中，磁控溅射频说 明 书CN 102848655 A2/3页4率为40K。
10、Hz。 0019 上述防静电膜的制备方法利用先进的光学薄膜技术，经过精心仔细的光学膜系设计，利用光的衍射原理，结合材料的折射率关系，采用AR（anti-reglection，减反射）配合ITO技术，将TFT镀膜玻璃在550nm处的折射率提高到93.5，玻璃的镀膜前后透过率的比值由97%提高到102.5%，极大地提高了TFT镀膜玻璃的光学性能。 附图说明0020 图1为一实施方式的防静电膜的结构示意图； 0021 图2为图1中防静电膜与传统TFT玻璃透射率的对比图。 具体实施方式0022 下面主要结合附图及具体实施方式对防静电膜及其制备方法和应用作进一步详细的说明。 0023 如图1所示，一实施。
11、方式的防静电膜100包括玻璃基底110、第一Nb2O5层120、第一SiO2层130、第二Nb2O5层140、第二SiO2层150及ITO层160。 0024 其中，第一Nb2O5层120位于玻璃基底110上；第一SiO2层130位于第一Nb2O5层120上；第二Nb2O5层140位于第一SiO2层130上；第二SiO2层150位于第二Nb2O5层140上；ITO层160位于SiO2层150上。在本实施方式中，第一Nb2O5层120的厚度可以为1416nm，第二Nb2O5层140的厚度可以为123127nm。第一SiO2层130的厚度可以为3235nm，第二SiO2层150的厚度可以为5962。
12、nm。ITO层160的厚度可以为1216nm。 0025 此外，本实施方式还提供了一种防静电膜的制备方法，包括如下步骤： 0026 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一Nb2O5层； 0027 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第一Nb2O5层上镀制第一SiO2层； 0028 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一SiO2层上镀制第二Nb2O5层； 0029 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第二Nb2O5层上镀制第二SiO2层； 0030 使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在第二SiO2层上镀制ITO层，得到防静电膜。 0031 在本实施方式中，使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一。
13、Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0032 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第一Nb2O5层上镀制第一SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0033 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一SiO2层上镀制第二Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0034 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第二Nb2O5层上镀制第二SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0035 使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜过程中，磁控溅射频率为40KHz。 0036 上述防静电膜的制备方法利用先进的光学薄膜技术，经过精心仔细的光学膜系设计，利用光的衍射原理，结合材料的折射率关系，采用AR。
14、（anti-reflection，减反射）配合ITO技术，将TFT镀膜玻璃在550nm处的折射率提高到93.5，如图2所示，玻璃的镀膜前后透过率的比值由97%提高到102.5%，极大地提高了TFT镀膜玻璃的光学性能。 说 明 书CN 102848655 A3/3页50037 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。 说 明 书CN 102848655 A1/1页6图1图2说 明 书 附 图CN 102848655 A。