一种采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构.pdf

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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410653753.2(22)申请日 2014.11.18G06F 17/50(2006.01)(71)申请人北京七芯中创科技有限公司地址 100029 北京市朝阳区北辰西路 69 号峻峰华亭 A 座 202(72)发明人不公告发明人(54) 发明名称一种采用 PNP 晶体管实现的高精度测温芯片版图结构(57) 摘要本发明公开了采用 PNP 晶体管实现的高精度测温芯片版图结构 ( 如图 1)，属于集成电路设计技术领域。所述的测温芯片版图由第1版图区、第2 版图区、第 3 版图区、第 4 版图区、第 5 版图区、第 6 版图区、第。

2、 7 版图区、第 8 版图区和第 9 版图区组成；第 1 版图区与 2、59 版图区都相连，第 2版图区与 1、35 版图区都相连，第 3 版图区与 2、5 版图区都相连，第 4 版图区与 5、6、7 版图区都相连，第 5 版图区与 1、2、3、4、6、8、9 版图区都相连，第6版图区与4、5、7、8版图区都相连，第7版图区与4、6、8版图区都相连，第8版图区与5、6、7、9都相连，第9版图区与1、5、8版图区都相连。本发明具有测温芯片的各个版图区位置固定，优化了采用 PNP 晶体管高精度测温芯片版图的设计。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要。

3、求书1页说明书2页附图2页(10)申请公布号 CN 104484497 A(43)申请公布日 2015.04.01CN 104484497 A1/1 页21.一种采用PNP晶体管高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述的采用PNP晶体管高精度测温芯片版图由第 1 版图区、第 2 版图区、第 3 版图区、第 4 版图区、第 5 版图区、第6 版图区、第 7 版图区、第 8 版图区和第 9 版图区组成；第 1 版图区与 2、5、9 版图区都相连，第 2 版图区与 1、3、5 版图区都相连，第 3 版图区与 2、5 版图区都相连，第 4 版图区与 5、6、7版图区都相连，第 5 版图区与 1、。

4、2、3、4、6、8、9 版图区都相连，第 6 版图区与 4、5、7、8 版图区都相连，第 7 版图区与 4、68 版图区都相连，第 8 版图区与 5、679 都相连，第 9 版图区与1、5、8 版图区都相连。2.如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第 1 版图区高精度转换电路。3.如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第 2 版图区为强 ESD 版图区。4.如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第 3 版图区为接口电路，用于与外围电路通信。5.如权利要求1所述的采用P。

5、NP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第 4 版图区为数字控制电路，协调芯片内的模拟与数字部分的工作。6.如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第 5、6789 版图区分别为新型补偿算法电路、数字处理电路、电源管理电路、存储电路、高精度 PNP 晶体管测温电路，实现温度的检测。权利要求书CN 104484497 A1/2 页3一种采用 PNP 晶体管实现的高精度测温芯片版图结构技术领域0001 本发明涉及集成电路设计技术领域，特别涉及采用 PNP 晶体管实现的高精度测温芯片版图结构背景技术0002 在温度控制系统、工业系统、温。

6、度计、消费品、热感测系统等各种非极限温度的温度测试场合，经常需要耐磨耐碰，体积小，走线简单，使用方便，适用于各种狭小空间的数字测温设备。目前，市场上有多款高精度测温芯片提供了这类功能。高精度测温芯片采用PNP晶体管作为测温元件，降低了工艺的限制，节约了成本，高精度测温芯片通信端口少，最少可以采用两线连接。通过本专利所述版图设计能提高了测温的精度及抗电源的干扰，高精度测温芯片的这些优点，使得其广泛应用于需要测温的场合。发明内容0003 为了解决由于版图设计不合理，导致采用 PNP 晶体管高精度测温芯片设计的问题，本发明提供了一种温补高精度测温芯片版图结构，所述温度补偿高精度测温芯片版图由第1版图。

7、区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第 8 版图区和第 9 版图区组成，；0004 所述第 1 版图区为高精度转换电路版图区，具体包括电流镜版图、参考电压源版图以及 ADC 版图。0005 所述第 2 版图区为强 ESD 版图区，所述强 ESD 版图区由 ESD 及 ESD 增强电路组成。0006 所述第 3 版图区为接口电路版图区。0007 所述第 4 版图区为数字控制电路版图区。0008 所述第 5 版图区为新型补偿算法电路版图区，设计了具有自主知识产权的新型补偿算法数字电路。0009 所述第 6 版图区为数字处理电路版图区，有独立的保护环。0010。

8、所述第 7 版图区为电源管理电路版图区，所述电源管理电路版图区由控制电路、电容组成，每个部分都有独立的保护环。0011 所述第 8 版图区为存储电路版图区，所述存储电路版图区由数字暂存器版图和非易失存储器版图组成。0012 所述第 9 版图区为高精度测温电路版图区，所述高精度测温电路版图区由 PNP 测温电路版图、放大器版图、稳压源版图以及电阻修调版图组成，测温电路版图共质心。附图说明0013 图 1 芯片版图0014 图 2 用 PNP 晶体管高精度测温芯片版图结构示意图说明书CN 104484497 A2/2 页4具体实施方式0015 一种芯片的成功与否很大程度上取决与其版图设计的好。

9、坏，采用本专利设计的PNP 测温芯片成功的实现了高精度，其特征在于，所述的采用 PNP 晶体管高精度测温芯片版图由高精度转换电路版图区部分 1、强 ESD 版图区部分 2、接口电路版图区部分 3、数字控制电路版图区部分 4、新型补偿算法电路版图区部分 5、数字处理电路版图区部分 6、电源管理电路版图区部分 7、存储电路版图区部分 8 和高精度测温电路版图区部分 9 组成；第 1 版图区与 2、5、9 版图区都相连，第 2 版图区与 1、3、5 版图区都相连，第 3 版图区与 2、5 版图区都相连，第 4 版图区与 5、6、7 版图区都相连，第 5 版图区与 1、2、3、4、6、8、9 版图区都相连，第6 版图区与 4、5、7、8 版图区都相连，第 7 版图区与 4、6、8 版图区都相连，第 8 版图区与 5、6、7、9 都相连，第 9 版图区与 1、5、8 版图区都相连。0016 本发明的技术内容及技术特征揭示如上，但熟悉本领域的技术人员可能基于本发明做不背离本发明精神的改动与修饰。因此本发明将不会限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽范围。说明书CN 104484497 A1/2 页5图1说明书附图CN 104484497 A2/2 页6图2说明书附图CN 104484497 A。

摘要
申请专利号：	CN201410653753.2	申请日：	2014.11.18
公开号：	CN104484497A	公开日：	2015.04.01
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G06F 17/50申请公布日:20150401\|\|\|著录事项变更IPC(主分类):G06F 17/50变更事项:申请人变更前:北京七芯中创科技有限公司变更后:北京七芯中创科技有限公司变更事项:地址变更前:100029 北京市朝阳区北辰西路69号峻峰华亭A座202变更后:100029 北京市门头沟区莲石湖西路98号院5号楼702室\|\|\|文件的公告送达IPC(主分类):G06F 17/50收件人:北京七芯中创科技有限公司文件名称:发明专利申请公布及进入实质审查通知书\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20141118\|\|\|公开
IPC分类号：	G06F17/50	主分类号：	G06F17/50
申请人：	北京七芯中创科技有限公司
发明人：	不公告发明人
地址：	100029北京市朝阳区北辰西路69号峻峰华亭A座202
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内容摘要

本发明公开了采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构(如图1)，属于集成电路设计技术领域。所述的测温芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图区和第9版图区组成；第1版图区与2、5、9版图区都相连，第2版图区与1、3、5版图区都相连，第3版图区与2、5版图区都相连，第4版图区与5、6、7版图区都相连，第5版图区与1、2、3、4、6、8、9版图区都相连，第6版图区与4、5、7、8版图区都相连，第7版图区与4、6、8版图区都相连，第8版图区与5、6、7、9都相连，第9版图区与1、5、8版图区都相连。本发明具有测温芯片的各个版图区位置固定，优化了采用PNP晶体管高精度测温芯片版图的设计。

权利要求书

权利要求书
1.  一种采用PNP晶体管高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述的采用PNP晶体管高精度测温芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图区和第9版图区组成；第1版图区与2、5、9版图区都相连，第2版图区与1、3、5版图区都相连，第3版图区与2、5版图区都相连，第4版图区与5、6、7版图区都相连，第5版图区与1、2、3、4、6、8、9版图区都相连，第6版图区与4、5、7、8版图区都相连，第7版图区与4、6、8版图区都相连，第8版图区与5、6、7、9都相连，第9版图区与1、5、8版图区都相连。

2.  如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第1版图区高精度转换电路。

3.  如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第2版图区为强ESD版图区。

4.  如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第3版图区为接口电路，用于与外围电路通信。

5.  如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第4版图区为数字控制电路，协调芯片内的模拟与数字部分的工作。

6.  如权利要求1所述的采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构，其特征在于，所述第5、6、7、8、9版图区分别为新型补偿算法电路、数字处理电路、电源管理电路、存储电路、高精度PNP晶体管测温电路，实现温度的检测。

说明书

说明书一种采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构
技术领域
本发明涉及集成电路设计技术领域，特别涉及采用PNP晶体管实现的高精度测温芯片版图结构
背景技术
在温度控制系统、工业系统、温度计、消费品、热感测系统等各种非极限温度的温度测试场合，经常需要耐磨耐碰，体积小，走线简单，使用方便，适用于各种狭小空间的数字测温设备。目前，市场上有多款高精度测温芯片提供了这类功能。高精度测温芯片采用PNP晶体管作为测温元件，降低了工艺的限制，节约了成本，高精度测温芯片通信端口少，最少可以采用两线连接。通过本专利所述版图设计能提高了测温的精度及抗电源的干扰，高精度测温芯片的这些优点，使得其广泛应用于需要测温的场合。
发明内容
为了解决由于版图设计不合理，导致采用PNP晶体管高精度测温芯片设计的问题，本发明提供了一种温补高精度测温芯片版图结构，所述温度补偿高精度测温芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图区和第9版图区组成，；
所述第1版图区为高精度转换电路版图区，具体包括电流镜版图、参考电压源版图以及ADC版图。
所述第2版图区为强ESD版图区，所述强ESD版图区由ESD及ESD增强电路组成。
所述第3版图区为接口电路版图区。
所述第4版图区为数字控制电路版图区。
所述第5版图区为新型补偿算法电路版图区，设计了具有自主知识产权的新型补偿算法数字电路。
所述第6版图区为数字处理电路版图区，有独立的保护环。
所述第7版图区为电源管理电路版图区，所述电源管理电路版图区由控制电路、电容组成，每个部分都有独立的保护环。
所述第8版图区为存储电路版图区，所述存储电路版图区由数字暂存器版图和非易失存储器版图组成。
所述第9版图区为高精度测温电路版图区，所述高精度测温电路版图区由PNP测温电路版图、放大器版图、稳压源版图以及电阻修调版图组成，测温电路版图共质心。
附图说明
图1芯片版图
图2用PNP晶体管高精度测温芯片版图结构示意图
具体实施方式
一种芯片的成功与否很大程度上取决与其版图设计的好坏，采用本专利设计的PNP测温芯片成功的实现了高精度，其特征在于，所述的采用PNP晶体管高精度测温芯片版图由高精度转换电路版图区部分1、强ESD版图区部分2、接口电路版图区部分3、数字控制电路版图区部分4、新型补偿算法电路版图区部分5、数字处理电路版图区部分6、电源管理电路版图区部分7、存储电路版图区部分8和高精度测温电路版图区部分9组成；第1版图区与2、5、9版图区都相连，第2版图区与1、3、5版图区都相连，第3版图区与2、5版图区都相连，第4版图区与5、6、7版图区都相连，第5版图区与1、2、3、4、6、8、9版图区都相连，第6版图区与4、5、7、8版图区都相连，第7版图区与4、6、8版图区都相连，第8版图区与5、6、7、9都相连，第9版图区与1、5、8版图区都相连。
本发明的技术内容及技术特征揭示如上，但熟悉本领域的技术人员可能基于本发明做不背离本发明精神的改动与修饰。因此本发明将不会限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽范围。