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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410788576.9(22)申请日 2014.12.17G02F 1/01(2006.01)(71)申请人 中国电子科技集团公司第三十八研究所地址 230001 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道 199 号(72)发明人 王昌雷 李丹丹 武帅(54) 发明名称一种光控可调太赫兹波衰减装置(57) 摘要本发明提供一种光控可调太赫兹波衰减装置，所述衰减装置包括硅基 - 二氧化钒薄膜、激光发射器、准直器以及电源接口。所述硅基 - 二氧化钒薄膜垂直于太赫兹波束方向，所述激光发射器设置在硅基 - 二氧化钒薄膜一侧，所述激光发射器与准直器相。
2、连，所述电源接口与激光发射器相连。本发明通过调节电源端口的注入电流的大小，使激光发射器输出的光功率发生连续调节，由于硅基 - 二氧化钒薄膜在激光发射器作用下会发生半导体-金属相变，改变硅基-二氧化钒薄膜的电导率，从而使太赫兹波的吸收率发生变化，达到实现调节透射太赫兹波衰减量的目的。本发明的优点在于：结构简单、体积小、易于集成，主要运用于太赫兹波应用技术领域。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书2页 附图1页(10)申请公布号 CN 104460050 A(43)申请公布日 2015.03.25CN 104460050 A1/1 页。
3、21.一种光控可调太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：包括硅基 - 氧化钒薄膜 (1)、激光发射器 (2)、球面准直透镜 (3) 以及电源接口 (6) ；所述硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 垂直于太赫兹波束方向，激光发射器 (2) 设置在硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 一侧，激光发射器 (2) 与准直器 (3) 相连，激光发射器 (2) 发出的激光从准直器 (3) 射出，照射在硅基 - 氧化钒薄膜 (1)的膜面上，并且照射在硅基 - 氧化钒薄膜 (1) 的膜面上的激光光斑完全覆盖透射的太赫兹波斑，电源接口 (6) 与激光发射器 (2) 相连。2.根据权利要求1所述的一种光控可调太赫兹波衰减装置，其。
4、特征在于：所述硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 的厚度为 50 800nm。3.根据权利要求 1 所述的一种光控可调太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：所述激光发射器 (2) 为连续激光器或脉冲激光器或激光器二极管。4.根据权利要求 1 所述的一种光控可调太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：所述激光发射器 (2) 的工作波长在 400nm 1550nm 范围内，输出光功率在 0 2W 之间连续可调。5.根据权利要求 1 所述的一种光控可调太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：所述激光发射器 (2) 与硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 膜面法线方向形成的夹角为 30 60。6.根据权利要求 1 所述的一种光控可调。
5、太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：所述准直器(3) 为球面透镜或者自聚焦透镜。7.根据权利要求 1 所述的一种光控可调太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：所述电源接口 (6) 与激光发射器 (2) 相连，电源接口 (6) 为有正极和负极接线的端子。8.根据权利要求 1 所述的一种光控可调太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：所述一种光控可调太赫兹波衰减装置还包括支撑壳体 (4) 以及太赫兹透射窗 (5), 所述太赫兹透射窗(5) 与硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 呈平行放置，太赫兹透射窗 (5) 的两端与硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 两端分别由两块支撑壳体 (4) 连接固定 , 激光发射器 (2) 由硅。
6、基 - 二氧化钒薄膜(1) 上端的支撑壳体 (4) 支撑。9.根据权利要求 8 所述的一种光控可调太赫兹波衰减装置，其特征在于 ：所述支撑壳体 (4) 为黑色的金属板或激光衰减片。权 利 要 求 书CN 104460050 A1/2 页3一种光控可调太赫兹波衰减装置技术领域0001 本发明涉及太赫兹波应用技术领域，尤其涉及一种光控可调太赫兹波衰减装置。背景技术0002 随着太赫兹技术在雷达、通信、成像等领域的逐步发展，对太赫兹调制器、开关、衰减器等器件的需求日益增强。目前，可调的太赫兹波衰减装置如专利 200710156177.0 所述的装置复杂，安装麻烦，不便与其他太赫兹发生设备兼容。发明内。
7、容0003 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种光控的可调太赫兹波衰减装置，所述衰减装置结构简单，体积小，易于集成。0004 本发明的技术方案 ：一种光控的可调太赫兹波衰减装置，包括硅基 - 氧化钒薄膜(1)、激光发射器 (2)、准直器 (3) 以及电源接头 (6)，所述硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 垂直于太赫兹波束方向，激光发射器 (2) 设置在硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 一侧，激光发射器 (2) 与准直器 (3) 相连，激光发射器 (2) 发出的激光从准直器 (3) 射出，照射在硅基 - 氧化钒薄膜(1)的膜面上，并且照射在硅基-氧化钒薄膜(1)的膜面上的激光光斑完全覆盖透射的太赫兹波。
8、斑，电源接口 (6) 与激光发射器 (2) 相连。0005 优选地，所述硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 的厚度为 50 800nm。0006 优选地，所述激光发射器 (2) 为连续激光器或脉冲激光器或激光器二极管。0007 优选地，所述激光发射器 (2) 的工作波长在 400nm 1550nm 范围内，输出光功率在 0 2W 之间连续可调。0008 优选地，所述激光发射器 (2) 与硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 的膜面法线方向形成的夹角为 30 60。0009 优选地，所述准直器 (3) 为球面透镜或者自聚焦透镜。0010 优选地，所述电源接口 (6) 为有正极和负极接线的端子。0011 优。
9、选地，所述一种光控可调太赫兹波衰减装置还包括支撑壳体 (4) 以及太赫兹透射窗 (5), 所述太赫兹透射窗 (5) 与硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 呈平行放置，太赫兹透射窗(5) 的两端与硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 两端分别由两块支撑壳体 (4) 连接固定。0012 优选地，所述支撑壳体 (4) 为黑色的金属板或激光衰减片，激光发射器 (2) 由硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 上端的支撑壳体 (4) 支撑。0013 本发明通过调节电源端口 (6) 的注入电流的大小，使激光发射器 (2) 输出的光功率发生连续调节，由于硅基-二氧化钒薄膜(1)在激光发射器(2)作用下会发生半导体-金属相变，。
10、改变硅基 - 二氧化钒薄膜 (1) 的电导率，从而使太赫兹波的吸收率发生变化，达到实现调节透射太赫兹波衰减量的目的。支撑壳体 (4) 为铝质、铜质、钢质的黑色金属板或者激光衰减片，用以吸收剩余的射光。太赫兹透射窗 (5) 由特氟龙、高阻硅、高密度聚乙烯等强高模材料制成，具有透射太赫兹波以及保护壳体内部元件的机械强度的作用。说 明 书CN 104460050 A2/2 页40014 本发明的优点在于 ：相比现有的衰减器，本发明的光控的可调太赫兹波衰减装置结构简单，体积小，易于集成，可以运用于太赫兹波应用技术领域。附图说明0015 图 1 为本发明实例提供的一种可调太赫兹波衰减装置的结构示意图。0。
11、016 图 2 为太赫兹波衰减量与控制光功率之间的关系。具体实施方式0017 下面结合本发明实施例中的技术方案进行说明。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例都属于本发明保护的范围。0018 下面结合附图对本发明进行详细的描述。0019 如图1所示，本发明实施例提供一种可调太赫兹衰减装置，包括硅基-二氧化钒薄膜 1、激光发射器 2、准直器 3 以及电源接口 6。0020 所述硅基-二氧化钒薄膜1垂直于太赫兹波束方向，激光发射器2设置在硅基-二氧化钒薄膜一侧，激光发射器2与准直器3相。
12、连，激光发射器2发出的激光从准直器3射出，照射在硅基 - 氧化钒薄膜 1 的膜面上，并且照射在硅基 - 氧化钒薄膜 1 的膜面上的激光光斑完全覆盖透射的太赫兹波斑，电源接口 6 与激光发射器 2 相连。所述光控的可调太赫兹波衰减装置还包括支撑壳体 4 以及太赫兹透射窗 5。太赫兹透射窗 5 与硅基 - 二氧化钒薄膜 1 呈平行放置，太赫兹透射窗 5 的两端与硅基 - 二氧化钒薄膜 1 两端分别由两块支撑壳体 4 连接固定，其中，激光发射器 2 由硅基 - 二氧化钒薄膜 1 上端的支撑壳体 4 支撑。0021 本发明通过将激光发射器 2 输出的激光照射在硅基 - 二氧化钒薄膜 1 上，导致硅基 - 二氧化钒薄膜 1 发生半导体 - 金属相变过程，硅基 - 二氧化钒薄膜 1 内产生自由电子，对太赫兹透射窗 5 进来的太赫兹波产生吸收，引起太赫兹波的衰减。剩余的反射光被硅基 - 二氧化钒薄膜 1 反射到支撑壳体 4 的内壁，并被涂黑的内壁吸收。通过控制电源端口6 的注入电流，控制激光发射器 2 输出的光功率，改变二氧化钒薄膜 1 内产生的自由电子浓度，达到调节透射太赫兹波的衰减量的目的。0022 图 2 是上述实施例的衰减调节曲线。说 明 书CN 104460050 A1/1 页5图1图2说 明 书 附 图CN 104460050 A。