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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410737857.1(22)申请日 2014.11.29C23C 14/56(2006.01)C23C 14/35(2006.01)C23C 14/08(2006.01)(71)申请人洛阳康耀电子有限公司地址 471000 河南省洛阳市孟津县华阳产业集聚区创业中心三楼(72)发明人谭华 秦遵红 王恋贵 董安光(54) 发明名称一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置及应用方法(57) 摘要一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置及应用方法,是由:车体、上绝缘块、一号磁靴、倒U形磁铁护套、永磁体、下绝缘座、传动导向杆。
2、、高度调节槽、夹杆、ITO薄膜安装区构成;车体上方的永磁体与真空室内的永磁体产生相互的吸引力,使车体向上处于悬浮状态,车体携带ITO薄膜沿传动系统传动轮的向前平稳运行,有效地提高了ITO薄膜的电阻率和透过率,保障车体长期使用且不影响正常生产,节省了大量的人力、物力、财力,降低生产成本,保障产品质量,提高产品市场竞争力。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书3页 附图1页(10)申请公布号 CN 104404473 A(43)申请公布日 2015.03.11CN 104404473 A1/1页21.一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜。
3、装载运行装置,是由:车体(1)、上绝缘块(2)、一号磁靴(3)、倒U形磁铁护套(4)、永磁体(5)、下绝缘座(6)、传动导向杆(7)、高度调节槽(8)、夹杆(9)、ITO薄膜安装区(10)构成;其特征在于:车体(1)内设置矩形空腔,车体(1)两侧设置至少两个高度调节槽(8),相同高度的两个高度调节槽(8)之间设置夹杆(9);车体(1)上方设置至少五个上绝缘块(2),下方设置至少五个下绝缘座(6),上绝缘块(2)的上方与倒U形磁铁护套(4)之间设置一号磁靴(3),倒U形磁铁护套(4)内设置永磁体(5),下绝缘座(6)下方设置传动导向杆(7)。2.根据权利要求1所述的一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮IT。
4、O薄膜装载运行装置,其特征在于:相邻的两根夹杆(9)之间构成ITO薄膜安装区(10)。3.根据权利要求1所述的一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置,其特征在于:所述的上绝缘块(2)的剖面为H形,上绝缘块(2)的上下方分别构成上卡槽与下卡槽,下卡槽与车体(1)上方对应设置,上卡槽与一号磁靴(3)对应设置。4.根据权利要求1所述的一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置,其特征在于:所述的下绝缘座(6)的上方设置U形上卡槽,下方设置弧形凹槽,U形上卡槽与车体(1)下方对应设置,弧形凹槽与传动导向杆(7)对应设置。5.根据权利要求1所述的一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运。
5、行装置,其特征在于:所述的永磁体(5)采用3200-4500高斯的钐钴磁铁。6.一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置的应用方法,其特征在于:车体(1)上下方的上绝缘块(2)和下绝缘座(6)使车体(1)与真空室绝缘达到与阴、阳极绝缘,调整夹杆(9)在高度调节槽(8)内的位置,实现对ITO薄膜安装区(10)的高度进行调节,将ITO薄膜安装在相邻的两根夹杆(9)之间并固定,倒U形磁铁护套(4)内的永磁体(5)与真空室内的永磁体产生相互的吸引力,使车体(1)向上处于悬浮状态,传动导向杆(7)与传动系统传动轮摩擦接触,使车体(1)携带ITO薄膜沿传动系统传动轮向前平稳运行,以0.5-1m/m。
6、in的速度匀速前进,保障ITO薄膜的品质。权 利 要 求 书CN 104404473 A1/3页3一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮 ITO 薄膜装载运行装置及应用方法技术领域0001 本发明涉及ITO膜加热装置,尤其是一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置及应用方法。背景技术0002 ITO透明导电膜即掺杂铟锡氧化物薄膜,简称ITO薄膜,是Indium Tin Oxide的缩写。ITO薄膜是一种n型半导体材料,其具有许多优异的物理、化学性能,例如较高的可见光透过率和导电率,与大部分衬底具有良好的附着性,较强的硬度及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力,因此,被广泛应用于光电器件中。比如:液晶显示器。
7、(LCD),等离子显示器(PDP),电极放光显示器(EL/OLED),触摸屏,太阳能电池及其他电子仪表中。0003 目前,ITO薄膜的制备方法很多,常见的有:喷涂法、真空蒸发法、化学气相沉积、反应离子注入以及磁控溅射等。在这些制备方法中,目前磁控溅射法是用的最普遍的。由于磁控溅射具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜,因此被广泛应用于显示器件中ITO薄膜的制备。磁控溅射制备ITO薄膜,主要是利用直流(DC)电源在Ar溅射气体和充分氧化Ar/O2混合气体中产生等离子体,对In-Sn合金靶或In2O3,SnO2氧化物靶或陶瓷靶进行轰击,以便在各种衬底上获得ITO薄膜。在制备工艺条件如靶中锡含量。
8、、沉积速率、衬底温度、溅射功率、及后续退火处理,都对ITO薄膜的光电特性有极大的影响;但是,现有的技术在玻璃衬底上低温制备ITO薄膜光学性能差,薄膜氧化不完全,结构不完整;尤其在对不同种温度条件下的ITO薄膜晶体结构和电阻,不能准确有效的调节控制温度来控制电阻的均匀性,降低了ITO薄膜的产品质量,以及生产的工作效率,增加了生产成本,影响显示器、及仪器的使用寿命;是本领域生产发展中的瓶颈,不能满足用户和市场的需求。0004 鉴于上述原因,现有的ITO薄膜加热装置及其方法需要创新。发明内容0005 本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置及应用方。
9、法,车体上方的永磁体与真空室内的永磁体产生相互的吸引力,使车体向上处于悬浮状态,车体携带ITO薄膜沿传动系统传动轮的向前平稳运行,有效地提高了ITO薄膜的电阻率和透过率,保障车体长期使用且不影响正常生产,节省了大量的人力、物力、财力,降低生产成本,保障产品质量,提高产品市场竞争力。0006 本发明为了实现上述目的,采用如下技术方案:一种真空磁控溅射镀膜磁悬浮ITO薄膜装载运行装置及应用方法,是由:车体、上绝缘块、一号磁靴、倒U形磁铁护套、永磁体、下绝缘座、传动导向杆、高度调节槽、夹杆、ITO薄膜安装区构成;车体内设置矩形空腔,车体两侧设置至少两个高度调节槽,相同高度的两个高度调节槽之间设置夹杆。
10、;车体上方设置至少五个上绝缘块,下方设置至少五个下绝缘座,上绝缘块的上方与倒U形磁铁护套之间设置一号磁靴,倒U形磁铁护套内设置永磁体,下绝缘座下方设置传动导向杆。说 明 书CN 104404473 A2/3页40007 相邻的两根夹杆之间构成ITO薄膜安装区。0008 所述的上绝缘块的剖面为H形,上绝缘块的上下方分别构成上卡槽与下卡槽,下卡槽与车体上方对应设置,上卡槽与一号磁靴对应设置。0009 所述的下绝缘座的上方设置U形上卡槽,下方设置弧形凹槽,U形上卡槽与车体下方对应设置,弧形凹槽与传动导向杆对应设置。0010 所述的永磁体采用3200-4500高斯的钐钴磁铁。0011 车体上下方的上绝。
11、缘块和下绝缘座使车体与真空室绝缘达到与阴、阳极绝缘,调整夹杆在高度调节槽内的位置,实现对ITO薄膜安装区的高度进行调节,将ITO薄膜安装在相邻的两根夹杆之间并固定,倒U形磁铁护套内的永磁体与真空室内的永磁体产生相互的吸引力,使车体向上处于悬浮状态,传动导向杆与传动系统传动轮摩擦接触,使车体携带ITO薄膜沿传动系统传动轮向前平稳运行,以0.5-1m/min的速度匀速前进,保障ITO薄膜的品质。0012 本发明的有益效果是:加热的结构及其方法简单,设计科学合理,使用方便、操作容易快捷;确保在大型连续性生产氧化铟锡膜中,通过控制对磁控溅射磁悬浮车靶的各部位的加热温度,使ITO薄膜得到整版均匀性良好的。
12、电阻,电阻率达到210-4/cm、透过率达到90以上;明显提高ITO薄膜的产品质量,大大提高工作效率,节约生产成本,延长使用寿命2倍以上,确实节能环保。0013 本发明经过长期大量实验,优化如靶中锡含量、沉积速率、衬底温度、溅射功率、及后续退火处理等这些工艺参数后,可以获得具有较高的导电率和可见光透过率的优质ITO薄膜。0014 车体上下方的上绝缘块和下绝缘座使车体与真空室绝缘达到与阴、阳极绝缘,传动导向杆与传动系统传动轮摩擦接触,调整夹杆在高度调节槽内的位置,实现对ITO薄膜安装区的高度进行调节,将ITO薄膜安装在两根夹杆之间并固定,倒U形磁铁护套内的永磁体与真空室内的永磁体产生相互的吸引力。
13、,使车体向上处于悬浮状态,车体携带ITO薄膜沿传动系统传动轮的向前平稳运行,有效地提高了ITO薄膜的电阻率和透过率,保障车体长期使用且不影响正常生产,节省了大量的人力、物力、财力,降低生产成本,保障产品质量,提高产品市场竞争力。0015 本发明在玻璃衬底上制备的ITO薄膜的电阻率达到210-4/cm和透过率达到90以上。所以用磁控溅射技术在玻璃衬底上,可以制备出良好ITO透明导电薄膜,在其制备的同时我们对不同基底温度(150-350)条件下制备薄膜的电阻情况进行了深入研究,现有技术中在玻璃衬底上低温制备ITO薄膜光学性能差的时候,往往笼统的被解释为薄膜氧化不完全,结构不完整,本发明经长期大量的。
14、实验,因此在对不同种温度条件下的ITO薄膜晶体结构和电阻得出新的研发成果。附图说明0016 下面结合附图对本发明作进一步说明:0017 图1是,总装结构示意图;0018 图2是,侧视结构示意图;0019 图1、2中:车体1、上绝缘块2、一号磁靴3、倒U形磁铁护套4、永磁体5、下绝缘座说 明 书CN 104404473 A3/3页56、传动导向杆7、高度调节槽8、夹杆9、ITO薄膜安装区10。具体实施方式0020 下面结合实施例与具体实施方式对本发明作进一步详细说明:0021 实施例10022 车体1内设置矩形空腔,车体1两侧设置至少两个高度调节槽8,相同高度的两个高度调节槽8之间设置夹杆9;车。
15、体1上方设置至少五个上绝缘块2,下方设置至少五个下绝缘座6,上绝缘块2的上方与倒U形磁铁护套4之间设置一号磁靴3,倒U形磁铁护套4内设置永磁体5,下绝缘座6下方设置传动导向杆7。0023 实施例20024 相邻的两根夹杆9之间构成ITO薄膜安装区10。0025 实施例30026 所述的上绝缘块2的剖面为H形,上绝缘块2的上下方分别构成上卡槽与下卡槽,下卡槽与车体1上方对应设置,上卡槽与一号磁靴3对应设置。0027 实施例40028 所述的下绝缘座6的上方设置U形上卡槽,下方设置弧形凹槽,U形上卡槽与车体1下方对应设置,弧形凹槽与传动导向杆7对应设置。0029 实施例50030 所述的永磁体5采。
16、用3200-4500高斯的钐钴磁铁。0031 实施例60032 车体1上下方的上绝缘块2和下绝缘座6使车体1与真空室绝缘达到与阴、阳极绝缘,调整夹杆9在高度调节槽8内的位置,实现对ITO薄膜安装区10的高度进行调节,将ITO薄膜安装在相邻的两根夹杆9之间并固定,倒U形磁铁护套4内的永磁体5与真空室内的永磁体产生相互的吸引力,使车体1向上处于悬浮状态,传动导向杆7与传动系统传动轮摩擦接触,使车体1携带ITO薄膜沿传动系统传动轮向前平稳运行,以0.5-1m/min的速度匀速前进,保障ITO薄膜的品质。说 明 书CN 104404473 A1/1页6图1图2说 明 书 附 图CN 104404473 A。