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一种电容触摸屏的制作工艺.pdf

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  • 文档编号:177734
  • 上传时间:2018-01-31
  • 格式:PDF
  • 页数:4
  • 大小:275.97KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201410196517.2

    申请日:

    2014.05.09

    公开号:

    CN104090694A

    公开日:

    2014.10.08

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情:

    实质审查的生效IPC(主分类):G06F 3/044申请日:20140509|||公开

    IPC分类号:

    G06F3/044

    主分类号:

    G06F3/044

    申请人:

    浙江金指科技有限公司

    发明人:

    汪峻铭

    地址:

    313100 浙江省湖州市长兴经济开发区经三路588号

    优先权:

    专利代理机构:

    杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217

    代理人:

    胡根良

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    内容摘要

    本发明公开了一种电容触摸屏的制作工艺,属触摸屏领域,解决了on-cell触摸屏灵敏度不高、ITO导电膜厚度不均匀的问题。一种电容触摸屏的制作工艺,包括下述步骤,取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层,在彩色滤光片上沉积金属导电膜,并蚀刻过桥、引线、引点;在金属导电膜上覆盖OC绝缘层;在OC绝缘层上沉积ITO导电膜,ITO导电膜的厚度为130纳米-140纳米,蚀刻ITO图形,并与金属导电膜的过桥电连接;在ITO导电膜上固定柔性引线;使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上,制成电容触摸屏。在on-cell电容式触摸屏中使用SITO工艺,提高了触摸屏的灵敏度,同时可保持ITO导电膜的厚度较为均匀,便于黄光制程工艺实施,提高了良品率。

    权利要求书

    1.  一种电容触摸屏的制作工艺,其特征在于:包括下述步骤,
    (A)取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层,在彩色滤光片上沉积金属导电膜,并蚀刻过桥、引线、引点;
    (B)在金属导电膜上覆盖OC绝缘层;
    (C)在OC绝缘层上沉积ITO导电膜,ITO导电膜的厚度为130纳米-140纳米,蚀刻ITO图形,并与金属导电膜的过桥电连接;
    (D)在ITO导电膜上固定柔性引线;
    (E)使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上,制成电容触摸屏。

    2.
      根据权利要求1所述的一种电容触摸屏的制作工艺,其特征在于:所述金属导电膜的厚度为150纳米-200纳米。

    3.
      根据权利要求1所述的一种电容触摸屏的制作工艺,其特征在于:所述OC绝缘层的厚度为15纳米-20纳米。

    4.
      根据权利要求1-3任一所述的一种电容触摸屏的制作工艺,其特征在于:沉积所述ITO导电膜的温度为215℃-225℃。

    说明书

    一种电容触摸屏的制作工艺
    技术领域
    本发明涉及触摸屏领域,特别是一种电容触摸屏的制作工艺。
    背景技术
    目前on-cell电容式触摸屏普遍采用各种单层多点电容式触摸传感器结构,都能支持多点触摸的使用要求,但单触屏的反应速度、灵敏度有所欠缺。此外现有工艺中金属导电膜、ITO导电膜的厚度波动范围较大,黄光制程工艺实施不便,良品率不高。
    发明内容
    本发明所要达到的目的是提供一种电容触摸屏的制作工艺,用于制作高灵敏度的on-cell电容式触摸屏,且ITO导电膜的厚度波动范围小。
    为了达到上述目的,本发明采用如下技术方案:一种电容触摸屏的制作工艺,包括下述步骤,取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层,在彩色滤光片上沉积金属导电膜,并蚀刻过桥、引线、引点;在金属导电膜上覆盖OC绝缘层;在OC绝缘层上沉积ITO导电膜,ITO导电膜的厚度为130纳米-140纳米,蚀刻ITO图形,并与金属导电膜的过桥电连接;在ITO导电膜上固定柔性引线;使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上,制成电容触摸屏。
    进一步的,所述金属导电膜的厚度为150纳米-200纳米。
    进一步的,所述OC绝缘层的厚度为15纳米-20纳米。
    进一步的,沉积所述ITO导电膜的温度为215℃-225℃。
    采用上述技术方案后,本发明具有如下优点:
    在on-cell电容式触摸屏中使用SITO工艺,提高了触摸屏的灵敏度,同时可保持ITO导电膜的厚度较为均匀,便于黄光制程工艺实施,提高了良品率。
    具体实施方式
    一种电容触摸屏的制作工艺,包括下述步骤,取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层,在彩色滤光片上沉积金属导电膜,保持金属导电膜的厚度在150纳米-200纳米之间,以尽量靠近175纳米为优选,并蚀刻过桥、引线、引点;在金属导电膜上覆盖OC绝缘层,保持OC绝缘层的厚度在15纳米-20纳米,以尽量靠近17.5纳米为优选;在OC绝缘层上使用220℃的温度(也可以使用215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉积ITO导电膜,保持ITO导电膜的厚度在130纳米-140纳米之间,以尽量靠近135纳米为优选,蚀刻ITO图形,并与金属导电膜的过桥电连接;在ITO导电膜上固定柔性引线;使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上,制成电容触摸屏。
    在on-cell电容式触摸屏中使用SITO工艺,提高了触摸屏的灵敏度,同时可保持ITO导电膜的厚度较为均匀,便于黄光制程工艺实施,提高了良品率。
    除上述优选实施例外,本发明还有其他的实施方式,本领域技术人员可以根据本发明作出各种改变和变形,只要不脱离本发明的精神,均应属于本发明所附权利要求所定义的范围。

    关 键  词:
    一种 电容 触摸屏 制作 工艺
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