检查装置及检查方法.pdf

本发明提供一种检查装置及检查方法。检查装置具备接触位置取得部和检查状态判定部。上述接触位置取得部使用保持对象的检查面上的粒子有无的检查结果和静电吸盘保持机构的凸部分的坐标信息，取得上述凸部分对上述检查面的接触位置。上述检查状态判定部针对在上述检查面的与上述凸部分的接触区域附着的粒子的尺寸，使用第1判断基准值来判定是否在容许范围内，针对在上述检查面的与上述凸部分的非接触区域附着的粒子的尺寸，使用比上述第1判断基准值大的第2判断基准值来判定是否在容许范围内。

权利要求书1.  一种检查装置，其特征在于，具备：接触位置取得部，其使用有无存在于保持对象的检查面的粒子的检查结果、和静电吸盘保持机构的凸部分的坐标信息，取得上述凸部分对上述检查面的接触位置；和检查状态判定部，其针对在上述检查面的与上述凸部分接触的接触区域附着的粒子的尺寸，使用第1判断基准值来判定是否在容许范围内，针对在上述检查面的与上述凸部分接触的区域以外的非接触区域附着的粒子的尺寸，使用比上述第1判断基准值大的第2判断基准值来判定是否在容许范围内，上述检查装置检查在由静电吸盘保持机构的上述凸部分保持的保持对象的与上述凸部分接触一侧的面有无附着粒子。2.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，上述第2判断基准值比上述第1判断基准值大了上述凸部分的高度。3.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，上述接触位置取得部具备：实际接触区域确定部，其使用从拍摄上述检查面而得到的检查图像选择的可推测为上述检查面与上述凸部分接触的多个位置的坐标，算出上述多个位置间的间距，在上述间距为上述凸部分的间距的整数倍的情况下，将上述多个位置作为实际接触区域；接触区域推定部，其使用上述实际接触区域的坐标和算出的上述间距，推定在上述检查面内与上述凸部分接触的接触推定区域；以及接触区域取得部，其从上述实际接触区域和上述接触推定区域取得上述接触区域，将上述检查面内的上述接触区域以外的区域作为上述非接触区域。4.  根据权利要求3所述的检查装置，其特征在于，上述实际接触区域确定部在上述间距的算出中使用最小自乘法或傅里 叶变换来进行运算。5.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，上述接触位置取得部具备：实际接触区域确定部，其从表示上述检查面的粒子的位置的粒子图内使用规则地配置有上述粒子的区域的上述粒子的坐标，算出上述粒子间的间距，在上述间距为上述凸部分的间距的整数倍的情况下，将上述规则的上述粒子的位置作为实际接触区域；接触区域推定部，其使用上述粒子的坐标和算出的上述间距，推定在上述检查面内与上述凸部分接触的接触推定区域；以及接触区域取得部，其从上述实际接触区域和上述接触推定区域取得上述接触区域，将上述检查面内的上述接触区域以外的区域作为上述非接触区域。6.  根据权利要求5所述的检查装置，其特征在于，上述实际接触区域确定部在上述间距的算出中使用最小自乘法或傅里叶变换来进行运算。7.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，上述检查结果包括在上述检查面存在的上述粒子的坐标和尺寸。8.  根据权利要求7所述的检查装置，其特征在于，上述检查结果还包括拍摄在上述检查面存在的上述粒子的位置而得到的检查图像。9.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，上述检查结果还包括在上述检查面存在的上述粒子的组成分析结果，上述检查状态判定部根据上述粒子的组成，具有上述接触区域的判断基准值和上述非接触区域的判断基准值。10.  根据权利要求9所述的检查装置，其特征在于，上述检查状态判定部将上述粒子的组成分类为硬粒子的组成和软粒子的组成，在判断对象为上述硬粒子、且附着于上述接触区域的情况下，上述粒子的尺寸与第3判断基准值进行比较来判定是否在容许范围内，在判 断对象为上述硬粒子、且附着于上述非接触区域的情况下，上述粒子的尺寸与比上述第3判断基准值大的第4判断基准值进行比较来判定是否在容许范围内，在判断对象为上述软粒子、且附着于上述接触区域的情况下，上述粒子的尺寸与比上述第3判断基准值大的第5判断基准值进行比较来判定是否在容许范围内，在判断对象为上述软粒子、且附着于上述非接触区域的情况下，上述粒子的尺寸与比上述第5判断基准值大的第6判断基准值进行比较来判定是否在容许范围内。11.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，上述保持对象是半导体曝光装置的掩模或曝光对象的晶片。12.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，上述保持对象是EUV曝光装置的反射型掩模。13.  根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，还具备检查部，该检查部检查在上述保持对象的检查面有无存在粒子，并生成上述检查结果。14.  根据权利要求13所述的检查装置，其特征在于，上述检查部还具有取得检查图像的功能，该检查图像是拍摄在上述检查面存在的上述粒子的位置而得到的。15.  根据权利要求13所述的检查装置，其特征在于，上述检查部还具有分析在上述检查面存在的上述粒子的组成的功能。16.  一种检查方法，其特征在于，检查有无存在于保持对象的检查面的粒子，使用上述检查的检查结果和静电吸盘保持机构的凸部分的坐标信息，取得上述凸部分对上述检查面的接触位置，针对在上述检查面的与上述凸部分接触的接触区域附着的粒子的尺寸，使用第1判断基准值来判定是否在容许范围内，针对在上述检查面的与上述凸部分接触的区域以外的非接触区域附着的粒子的尺寸，使用比上述第1判断基准值大的第2判断基准值来判定是否在容许范围内，检查由静电吸盘保持机构的上述凸部分保持的保持对象的与上述凸部 分接触一侧的面有无附着粒子。17.  根据权利要求16所述的检查方法，其特征在于，上述第2判断基准值比上述第1判断基准值大了上述凸部分的高度。18.  根据权利要求16所述的检查方法，其特征在于，上述接触位置的取得中，使用从拍摄上述检查面而得到的检查图像选择的可推测为上述检查面与上述凸部分接触的多个位置的坐标，算出上述多个位置间的间距，在上述间距为上述凸部分的间距的整数倍的情况下，将上述多个位置作为实际接触区域，使用上述实际接触区域的坐标和算出的上述间距，推定在上述检查面内与上述凸部分接触的接触推定区域，从上述实际接触区域和上述接触推定区域取得上述接触区域，将上述检查面内的上述接触区域以外的区域作为上述非接触区域。19.  根据权利要求16所述的检查方法，其特征在于，上述接触位置的取得中，从表示上述检查面的粒子的位置的粒子图内使用规则地配置有上述粒子的区域的上述粒子的坐标，算出上述粒子间的间距，在上述间距为上述凸部分的间距的整数倍的情况下，将上述规则的上述粒子的位置作为实际接触区域，使用上述粒子的坐标和算出的上述间距，推定在上述检查面内与上述凸部分接触的接触推定区域，从上述实际接触区域和上述接触推定区域取得上述接触区域，将上述检查面内的上述接触区域以外的区域作为上述非接触区域。20.  根据权利要求16所述的检查方法，其特征在于，在上述检查中，还分析在上述检查面存在的上述粒子的组成，在上述判定中，使用根据上述粒子的组成而设定的上述接触区域的判断基准值和上述非接触区域的判断基准值，判定可容许的上述粒子的尺寸。

说明书检查装置及检查方法
技术领域
本发明涉及检查装置及检查方法。
背景技术
伴随半导体装置的微细化，曝光装置使用的光源进一步短波长化，采用波长100nm左右以下的极端紫外光（Extreme Ultra Violet light:以下称为EUV光）的曝光装置（EUV曝光装置）逐步应用到半导体装置。EUV光具有在大气中衰减，难以透过用作以往的曝光装置的掩模的玻璃等材质的性质。因此，在真空腔内通常采用具备Mo或Si等的多层膜的反射型掩模进行EUV曝光。
这样，作为保持掩模的机构，由于EUV曝光在真空腔内进行，因此难以适用以往的曝光装置采用的通过真空吸附吸盘保持掩模外周部的方法。因此，通常采用通过静电吸盘保持掩模背面侧的方法。
静电吸盘保持机构具有在基体表面形成电极层，在该电极层上2维地配置与掩模背面接触的多个凸部的构造。该凸部配置为还与掩模的图形区域所包含的背面接触。因此，静电吸盘保持机构与掩模背面接触的面积比通过以往的真空吸附吸盘保持时增加。由此，在掩模背面或静电吸盘附着粒子（particle，颗粒）的可能性高。另外，若在掩模背面附着粒子的状态下用静电吸盘保持机构保持掩模，则无法实现平坦的掩模夹持（clamp），也存在无法正常形成曝光图案的情况。
因而，进行掩模背面检查，在容许预定尺寸的粒子或预定数量的粒子对掩模背面的附着的情况下，进行曝光处理。
发明内容
本发明的实施例提供一种在检查静电吸盘保持机构保持的保持对象的表面有无粒子时合适的检查装置及检查方法。
根据实施例，提供一种检查装置，检查在由静电吸盘保持机构的凸部分保持的保持对象的与上述凸部分接触一侧的面有无附着粒子。上述检查装置具备接触位置取得部和检查状态判定部。上述接触位置取得部使用有无存在于上述保持对象的检查面的粒子的检查结果、和上述静电吸盘保持机构的凸部分的坐标信息，取得上述凸部分对上述检查面的接触位置。上述检查状态判定部针对在上述检查面的与上述凸部分接触的接触区域附着的粒子的尺寸，使用第1判断基准值来判定是否在容许范围内，针对在上述检查面的与上述凸部分接触的区域以外的非接触区域附着的粒子的尺寸，使用比上述第1判断基准值大的第2判断基准值来判定是否在容许范围内。
附图说明
图1A是表示静电吸盘保持机构的一例的俯视图。
图1B是表示由静电吸盘保持机构保持掩模的状态的一例的侧视图。
图2是表示第1实施例的判定基准值的考虑方法的一例的图。
图3是示意表示第1实施例的静电吸盘保持对象检查装置的功能的框图。
图4是示意表示检查部的构成的一例的图。
图5是示意表示第2实施例的静电吸盘保持对象检查装置的功能的框图。
图6是表示第2实施例的静电吸盘保持对象检查方法的处理顺序的一例的流程图。
图7和图8是表示凸部接触区域的求出方法的一例的图。
图9是表示第3实施例的静电吸盘保持对象检查方法的处理顺序的一例的流程图。
图10A～图10C是表示凸部接触区域的求出方法的一例的图。
图11是示意表示第4实施例的静电吸盘保持对象检查装置的构成的一例的框图。
图12是表示第4实施例的判定基准值的考虑方法的一例的图。
图13是表示第4实施例的静电吸盘保持对象的检查方法的处理顺序的一例的流程图。
具体实施方式
以下参照附图，详细说明实施例的检查装置及方法。另外，这些实施例不限定本发明。
（第1实施例）
图1A是表示静电吸盘保持机构的一例的俯视图，图1B是表示使静电吸盘保持机构保持掩模的状态的一例的侧视图。静电吸盘保持机构50在平板上的基体51的一方的主面具有设置了导电层52的构造。另外，在导电层52的表面设有多个凸部53。基体51可以采用热膨胀非常小的玻璃或陶瓷等的材料。另外，具有凸部53的导电层52可以采用TiN或CrN等的导电性材料。
凸部53在基体51的一方的主面上以预定间距2维地配置。凸部53的高度h为例如5～50μm，凸部53的直径为1mm左右。另外，以凸部53与掩模100接触的面积成为掩模100的面积的1～5%左右的方式，配置凸部53。另外，图1A中，夸大描绘了凸部53的直径（面积）。
如图1B所示，通过使静电吸盘保持机构50的凸部53与保持对象的掩模100的背面接触并对导电层52施加电压，静电吸盘保持机构50能够固定掩模100。另外，掩模100的背面是未形成掩模图案101一侧的面，涂敷有CrN等导电性物质。
如图1A和图1B所示，凸部53设置在基体51整个面。即，凸部53也与掩模的图案区域所包含的背面接触。
EUV曝光装置中，在真空腔内通过静电吸盘保持机构50保持掩模 100，进行曝光处理。静电吸盘保持机构50中，如上所述，大量的凸部53和掩模100的背面接触，接触面积增加，因此在静电吸盘保持机构50或掩模100的背面附着粒子的可能性变高。若由静电吸盘保持机构50保持附着粒子的掩模100，则无法实现平坦的掩模夹持，存在无法正常形成曝光图案的情况。因而，以往进行掩模100的背面检查，在存在预定尺寸以上的粒子时或存在预定数量以上的粒子时，进行该掩模100的清洗。
但是，该方法中，粒子的位置不管是不是与掩模100的背面的静电吸盘保持机构50的凸部53的接触位置，都一律进行了判断。因此，本来存在于凸部53之间的区域，即使与获得平坦的掩模夹持无关，也会进行掩模100的清洗。
因而，第1实施例中，在掩模100的背面检查中，求出掩模100的背面中与静电吸盘保持机构50的凸部53的接触位置或接触推定位置，作为凸部接触区域。另外，除此以外的区域设为凸部非接触区域。然后，通过将这些区域与表示作为掩模100的背面检查的结果获得的粒子的存在位置的粒子图（map）重叠，改变在凸部接触区域和凸部非接触区域作为可容许的粒子大小的判定基准值，由此来判定掩模100是否清洗。
图2是表示第1实施例的判定基准值的考虑方法的一例的图。该图中，横轴表示掩模100的背面附着的粒子的尺寸，纵轴表示离由曝光处理形成的图案的形成位置的理想位置的偏移量（偏差量）。在凸部接触区域中，随着凸部接触区域上存在的粒子尺寸增大，偏移量增大。但是，在偏移量为不影响随后的半导体器件的形成的容许值以下时，将掩模100的背面附着的粒子的尺寸与该容许值所对应的粒子尺寸进行比较即可。
如图1B所示，静电吸盘保持机构50的凸部53和凸部53之间是凹部。因此，在粒子进入该凸部53和凸部53间的区域的情况下，与凸部53上附着粒子的情况比，可以使容许值对应的粒子尺寸增大凸部53的高度h这么多。图2中，将表示相对于凸部接触区域的粒子尺寸的偏移量的曲线L1在右方向上平行移动了凸部53的高度h这么多，成为表示相对于凸部非接触区域的粒子尺寸的偏移量的曲线L2。凸部接触区域上附着粒子时的容 许值对应的粒子尺寸为a1，而凸部非接触区域上附着粒子时的容许值对应的粒子尺寸成为a1+h=a2。
即，第1实施例中，在凸部接触区域中，若存在粒子，则与曝光图案在容许范围内的粒子的大小即第1判定基准值a1进行比较，判定掩模100是否清洗。另外，在凸部非接触区域中，若存在粒子，则与曝光图案在容许范围内的粒子的大小即第2判定基准值a2进行比较，判定掩模100是否清洗。
作为将粒子图与凸部接触区域和凸部非接触区域重叠的方法，可以采用如下方法等：在粒子图应用表示静电吸盘保持机构50的凸部53的形成位置的凸部位置数据的方法；或者使用从粒子图获得的已经附着的粒子或者与凸部53的接触痕，通过计算求出凸部接触区域和凸部非接触区域，将结果与粒子图重叠的方法。
图3是示意表示第1实施例静电吸盘保持对象检查装置的功能构成的框图。静电吸盘保持对象检查装置10具备：检查部11；检查结果信息取得部12；静电吸盘接触位置取得部13；检查对象状态判定部14；控制这些各处理部的控制部15。
检查部11检查静电吸盘保持对象的背面侧的状态。检查部11可以采用例如激光显微镜等。图4是示意表示检查部的构成的一例的图。检查部11具备：照射激光的激光源111；使来自激光源111的激光反射的多角镜（polygon mirror）112；使多角镜112反射的激光形成平行光线的准直透镜113；将激光的焦点聚焦到检查对象100的检查位置的对物透镜114；会聚检查对象100上的粒子散射的激光的曲面镜115；将曲面镜115反射的激光导向散射光检测部117的反射镜116；检测检查对象100上的粒子散射的散射光的散射光检测部117。
另外，检查部11具有：出射用于算出焦距值的激光的自动对焦用激光源118；接受由检查对象反射的来自自动对焦用激光源118的激光的自动对焦用受光部119；在自动对焦用受光部119的自动对焦用激光源侧配置，调节角度使激光入射到自动对焦用受光部119的玻璃平板120。未图示的 控制部取得玻璃平板120的角度的调节值，利用该调节值，算出焦距值。
说明这样构成的检查部11中的静电吸盘保持对象的检查的概要。首先，作为检查对象的例如掩模100以背面作为上面而载置在未图示的载物台。接着，激光源111照射的激光光线由高速旋转的多角镜112反射，进一步，穿过准直透镜113及对物透镜114等，向检查对象照射。此时，若在检查对象的激光的照射位置存在粒子105，则发生散射光。该散射光由曲面镜115等会聚，经由反射镜116而由散射光检测部117接受。这里，根据多角镜112的旋转速度等的信息和检测出散射光的时间，可以计测粒子的外形尺寸。
通过检查部11的检查，生成包含检查对象的背面附着的粒子的位置及其大小等的信息的粒子图等检查结果信息。
检查结果信息取得部12取得由检查部11生成的检查结果信息。
静电吸盘接触位置取得部13取得检查对象（静电吸盘保持对象）的由静电吸盘保持机构50保持侧的面中的静电吸盘保持机构50的接触位置即凸部接触区域信息。作为该凸部接触区域信息，可以采用从例如静电吸盘保持机构50的设计信息等获得的静电吸盘保持机构50的凸部53的坐标信息等。
检查对象状态判定部14采用检查结果信息取得部12取得的检查结果信息和静电吸盘接触位置取得部13取得的静电吸盘接触位置信息，判定是否存在曝光处理时成为障碍的粒子。此时，如上所述，在凸部接触区域采用第1判定基准值a1进行判定，在凸部非接触区域采用第2判定基准值a2进行判定。另外，第2判定基准值a2为比第1判定基准值a1缓和（松）的判定基准值。
由此，能够对凸部接触区域附着的粒子和凸部非接触区域附着的粒子采用不同判定基准值，判定是否是在EUV曝光处理中容许的。因此，例如，即使是在凸部接触区域不容许的大小的粒子，只要它是比第2判定基准值小的尺寸、且存在于凸部非接触区域，则成为被容许的粒子。结果，例如静电吸盘保持对象为掩模时，与以往的方法相比，能够抑制清洗次数 等。
在第1实施例中，作为静电吸盘保持对象附着的粒子尺寸的容许值，在凸部接触区域上和凸部非接触区域上设定为不同的值。由此，也存在如下情况：在尺寸超出凸部接触区域上附着的粒子尺寸的容许值（第1判定基准值）的粒子附着于凸部非接触区域上的情况下，也不需要进行掩模清洗。结果，具有如下效果：能够减少静电吸盘保持对象的背面管理中的掩模清洗次数，能够削减清洗静电吸盘保持对象时产生的曝光处理停止的期间。
（第2实施例）
在第2实施例中，说明从作为静电吸盘保持对象的背面检查的结果获得的信息求出凸部接触区域和凸部非接触区域的方法的具体例。
图5是示意表示第2实施例的静电吸盘保持对象检查装置的功能构成的框图。该静电吸盘保持对象检查装置10A的第1实施例的静电吸盘保持对象检查装置10的静电吸盘接触位置取得部13具备：凸部实际接触区域确定功能131；凸部接触区域推定功能132；凸部接触区域取得功能133。
凸部实际接触区域确定功能131从检查结果信息中的检查对象的背面的检查图像，选择多个可推测为与静电吸盘保持机构50的凸部53接触了的位置。检查图像与粒子图关联，因此，与所选择的检查图像关联的粒子图上的位置成为可推测为与凸部53接触了的位置。另外，作为可推测与静电吸盘保持机构50的凸部53接触了的位置，可以采用凸部的接触痕。
而且，凸部实际接触区域确定功能131采用最小自乘法或傅里叶变换等的方法根据多个选择的位置来算出间距，在算出的间距为静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍时，判断为形成掩模背面的规则间距的坐标为凸部实际接触区域。
凸部接触区域推定功能132在算出的间距为静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍的情况下，在掩模背面不存在与规则间距的凸部53接触的痕迹的区域，也采用上述的静电吸盘保持机构50的凸部53的间距信息来推定凸部接触推定区域。
凸部接触区域取得功能133将由凸部实际接触区域确定功能131确定的凸部实际接触区域和由凸部接触区域推定功能132推定的凸部接触推定区域合并来作为凸部接触区域。
除了粒子图以外，检查结果信息取得部12还取得包含与粒子图的各粒子等的位置对应拍摄的检查图像的检查结果信息。如上所述，检查图像与粒子图上的位置关联地保存。
另外，对于与第1实施例中说明过的构成要素相同的构成要素，标记相同的标号，省略其说明。
接着，说明这样构成的静电吸盘保持对象检查装置10A的处理。图6是表示第2实施例的静电吸盘保持对象检查方法的处理顺序的一例的流程图。另外，图7和图8是表示凸部接触区域的求出方法的一例的图。
首先，在静电吸盘保持对象检查装置10A的检查部11的载物台上载置作为检查对象的用于EUV曝光处理的掩模。接着，检查部11实施掩模背面检查（步骤S11）。此时，检查部11中，例如图7所示，生成粒子图200，并且，对各粒子的位置拍摄检查图像211-1～211-6。并且，生成这些粒子图200和检查图像211-1～211-6来作为检查结果信息。检查图像211-1～211-6分别是拍摄粒子图200上的位置210-1～210-6的位置获得的。
然后，检查者确认检查图像（步骤S12），判定与静电吸盘保持机构50的凸部53接触的特异粒子的图像（接触痕）是否有多个（步骤S13）。例如图7的例中，粒子图200上的位置210-1的检查图像211-1是在掩模背面产生了划痕的图像，位置210-5的检查图像211-5呈现粒状。在其他位置210-2、210-3、210-4、210-6的检查图像211-2、211-3、211-4、211-6，呈现静电吸盘保持机构50的凸部53的接触痕。该接触痕是例如粒子在凸部53和掩模背面之间被夹碎而形成的。该处理工序中，从检查图像抽出可确认这样的接触痕的检查图像，进一步判定其是否存在多个。
特异粒子的图像不是多个时（步骤S13为“否”的情况下），不能获得执行后续的处理的数据，因此处理结束。
另一方面，特异粒子的图像为多个时（步骤S13为“是”的情况下）， 凸部实际接触区域确定功能131用最小自乘法或傅里叶变换等的手法算出特异粒子的间距（步骤S14）。作为间距，例如在为矩形状的掩模100的场合，可以求出与构成外周的2个方向的边相同方向的间距。另外，凸部实际接触区域确定功能131判定算出的间距是否为静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍（步骤S15）。在算出的间距不是静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍时（步骤S15为“否”的情况下），判断为算出的间距不是静电吸盘保持机构50的凸部53形成的，处理结束。
另外，在算出的间距是静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍时（步骤S15为“是”的情况下），凸部实际接触区域确定功能131将所选择的区域作为凸部实际接触区域（步骤S16）。另外，凸部接触区域推定功能132在粒子图的不存在粒子的区域也应用所算出的间距信息，作为凸部接触推定区域（步骤S17）。然后，凸部接触区域取得功能133将凸部实际接触区域和凸部接触推定区域合并来作为凸部接触区域，除此以外的区域设为凸部非接触区域（步骤S18）。
例如，图8表示从图7选择的接触痕的位置（包含位置210-2～210-4、210-6）算出间距，在粒子图200上直线描画算出的结果的状态。结果，在粒子图200描绘了直线x1、x2、x3、x4，并描绘与这些直线x1～x4正交的直线y1、y2。这里，直线xi（i=1，2，3，…）和直线yj（j=1，2，…）的交点成为凸部实际接触区域或凸部接触推定区域。
接着，检查对象状态判定部14判定在凸部接触区域是否存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子（步骤S19）。例如，图8的粒子图200中，取得在成为凸部实际接触区域或凸部接触推定区域的部分存在的粒子的尺寸，与第1判定基准值比较来进行判定。
在凸部接触区域存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子时（步骤S19为“是”的情况下），研讨掩模清洗（步骤S20），处理结束。
另外，在凸部接触区域不存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子时（步骤S19为“否”的情况下），检查对象状态判定部14进一步判定在凸部非接触区域是否存在粒子尺寸超过第2判定基准值的粒子（步骤S21）。 在凸部非接触区域存在粒子尺寸超过第2判定基准值的粒子时（步骤S21为“是”的情况下），研讨掩模清洗（步骤S22），处理结束。
另一方面，在凸部非接触区域不存在粒子尺寸超过第2判定基准值的粒子时（步骤S21为“否”的情况下），在掩模背面不存在妨碍EUV曝光装置的曝光处理的粒子，能够进行曝光（步骤S23）。以上，静电吸盘保持对象的检查方法结束。
在第2实施例中，从检查图像选择多个凸部53的接触痕，从这些多个接触痕求出凸部接触区域。由此，除了第1实施例的效果之外，还能够获得对于向EUV曝光装置内的静电吸盘保持机构50的夹持次数少、粒子的附着量少的掩模求出凸部接触区域的效果。
（第3实施例）
在第2实施例中，例示了使用粒子图和检查照片求出凸部接触区域的情况，而在第3实施例中，说明仅使用粒子图求出凸部接触区域的情况。
第3实施例的静电吸盘保持对象检查装置与第2实施例说明的装置是同样的。但是，检查结果信息取得部12从检查部11仅取得粒子图来作为检查结果信息。
另外，凸部实际接触区域确定功能131在由检查结果信息取得部12取得的粒子图内，例如从由检查者选择的粒子存在位置规则的区域，使用最小自乘法或傅里叶变换算出规则的粒子的间距，在算出的间距为静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍时，将形成规则的间距的坐标确定为凸部实际接触区域。
另外，其他构成要素与第1及第2实施例是同样的，因此说明省略。
接着，说明这样构成的静电吸盘保持对象检查装置的处理。图9是表示第3实施例的静电吸盘保持对象检查方法的处理顺序的一例的流程图。另外，图10A～图10C是表示凸部接触区域的求出方法的一例的图。
首先，在检查部11的载物台上载置检查对象。作为检查对象，可以例示例如在EUV曝光装置使用的掩模。接着，检查部11实施掩模背面检查（步骤S31）。此时，在检查部11中，生成粒子图来作为检查结果信息。 图10A是粒子图200的一例，在粒子图200中，粒子105用点来表示。
然后，检查者确认200（步骤S32），判定是否有粒子105规则地存在的区域（步骤S33）。在没有粒子规则地存在的区域时（步骤S33为“否”的情况下），无法获得执行后续的处理的数据，因此处理结束。
另一方面，有粒子规则地存在的区域时（步骤S33为“是”的情况下），凸部实际接触区域确定功能131采用最小自乘法或傅里叶变换等的方法算出规则粒子的间距（步骤S34）。
例如，在图10A的情况下，检查者从粒子图200选择粒子105规则地存在的区域R1。另外，选择的区域R1是任意的，但是为了减小误差，优选为粒子105的数目多的区域、或面积大的区域。但是，在粒子105的数目多的情况下或区域R1的面积大的情况下，粒子105的间距的算出需要花费时间。因此，区域R1根据可容许的误差和静电吸盘保持对象检查装置10A的处理能力来确定。
图10B是所选择的区域R1的放大图。采用最小自乘法或傅里叶变换等的方法，从该图10B的区域R1内的各粒子105算出间距。作为间距，在为例如矩形状的掩模100的情况下，可以求出与构成外周的2个方向的边相同方向的间距。
另外，凸部实际接触区域确定功能131判定算出的间距是否为静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍（步骤S35）。在算出的间距不是静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍时（步骤S35为“否”的情况下），判断为算出的间距不是静电吸盘保持机构50的凸部53形成的，处理结束。
另外，在算出的间距是静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍时（步骤S35为“是”的情况下），凸部实际接触区域确定功能131将在间距的算出中使用的区域设为凸部实际接触区域（步骤S36）。另外，凸部接触区域推定功能132也在粒子图的不存在粒子的区域应用算出的间距信息，设为凸部接触推定区域（步骤S37）。然后，凸部接触区域取得功能133将凸部实际接触区域和凸部接触推定区域合并来作为凸部接触区域， 除此以外的区域设为凸部非接触区域（步骤S38）。
例如，在图10B算出的粒子105的间距为静电吸盘保持机构50的凸部53的间距的整数倍时，在200的区域R1描绘将与算出的间距的方向垂直的方向的粒子105之间连结的直线。然后，将其也应用到区域R1以外的区域。该状态如图10C所示。图10C中，直线x1，x2，x3，…以规定的间隔配置，与直线xi（i=1，2，3，…）垂直的直线y1，y2，y3，…在直线xi的延伸方向以规定的间隔配置。在区域R1内的直线xi和直线yj（j=1，2，3，…）的交点存在粒子的区域成为凸部实际接触区域。在区域R1中，在直线xi和yj的交点配置有粒子105a。因此，用于间距的算出的区域R1内的粒子105a为位于凸部实际接触区域的粒子。
另外，在比区域R1大的区域R2的无粒子105的区域也应用直线xi和yj，直线xi和yj的交点成为凸部接触推定区域P11。另外，这里，对区域R2应用直线xi和yj，但是实际上可对粒子图20整体全体应用直线xi和yj。
然后，将凸部实际接触区域和凸部接触推定区域P11合并来作为凸部接触区域。另外，将凸部接触区域以外的区域作为凸部非接触区域。在图10C的区域R1中，在非直线xi和直线yj的交点的区域存在粒子105b。
接着，检查对象状态判定部14判定在凸部接触区域是否存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子（步骤S39）。在凸部接触区域存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子时（步骤S39为“是”的情况下），研讨掩模清洗（步骤S40），处理结束。
例如，在图10C的情况下，对凸部接触区域存在的粒子105a，判定其尺寸是否超过第1判定基准值。
另外，在凸部接触区域不存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子时（步骤S39为“否”的情况下），检查对象状态判定部14进一步在凸部非接触区域判定是否存在粒子尺寸超过第2判定基准值的粒子（步骤S41）。在凸部非接触区域存在粒子尺寸超过第2判定基准值的粒子时（步骤S41为“是”的情况下），研讨掩模清洗（步骤S42），处理结束。
例如，在图10C的情况下，对凸部非接触区域存在的粒子105b，判定是否存在其尺寸超过第2判定基准值的粒子。判定的结果若是尺寸在第2判定基准值以下，则判断为能够进行EUV曝光装置的曝光处理，尺寸若超过第2判定基准值，则研讨掩模清洗。
另一方面，在凸部非接触区域不存在粒子尺寸超过第2判定基准值的粒子时（步骤S41为“否”的情况下），在掩模背面不存在妨碍EUV曝光装置的曝光处理的粒子，能够进行曝光（步骤S43）。以上，静电吸盘保持对象的检查方法结束。
在第3实施例中，从粒子图选择粒子规则地排列的区域，从该区域内的规则地排列的粒子求出凸部接触区域。由此，除了第1实施例的效果之外，还具有如下效果：能够使用被EUV曝光装置内的静电吸盘保持机构50夹持的次数多且粒子的附着量多的掩模来求出凸部接触区域。
（第4实施例）
在第1～第3实施例中，用凸部接触区域和凸部非接触区域附着的粒子的大小判断掩模可否使用。但是，粒子包括例如由无机材料形成的硬粒子或由有机材料形成的软粒子。硬粒子难以变形，而软粒子容易变形。因此，与向半导体晶片形成图案时的形成位置偏移量的容许值对应的软粒子的尺寸比硬粒子大。因而，在第4实施例中，说明如下情况：对特性不同的多种粒子设定分别的判定基准值，判定静电吸盘保持对象可否清洗。
图11是示意表示第4实施例的静电吸盘保持对象检查装置的构成的一例的框图。静电吸盘保持对象检查装置10B的检查部11B和检查对象状态判定部14B的功能不同于第2实施例的静电吸盘保持对象检查装置10A，在第2实施例的静电吸盘保持对象检查装置10A还具备粒子特性判定部16和检查对象状态判定基准存储部17。
检查部11B除了生成粒子图的功能外，还具有进行粒子的组成分析的功能。作为进行粒子的组成分析的功能，可以采用能量分散型X射线分光法（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy：以下，称为EDX）或波长分散型X射线分光法（Wavelength Dispersive X-ray Spectroscopy：WDX） 等。对于粒子的组成分析，例如在凸部接触区域有尺寸超过第1判定基准值的粒子的情况下或在凸部非接触区域有尺寸超过第2判定基准值的粒子的情况下，对该粒子进行粒子的组成分析。
粒子特性判定部16根据检查部11B的粒子的组成分析的结果，判定分析对象的粒子是硬物质还是软物质。判定中，通过保存例如硬物质的组成信息和软物质的组成信息，将粒子的组成结果与这些组成信息进行比较，由此来进行粒子的鉴定处理。例如，组成分析的结果为碳比例多的物质时，判定为该粒子是有机物的软物质，在为不含碳的物质时，判定为该粒子为无机物的硬物质。
检查对象状态判定部14B在凸部接触区域有尺寸超过第1判定基准值的粒子且根据组成分析的结果知道该粒子为软质物质时，进行如下处理：进一步判定考虑了掩模夹持时的粒子变形量的粒子的尺寸是否超过第1判定基准值。另外，在凸部非接触区域有尺寸超过第2判定基准值的粒子且根据组成分析的结果知道该粒子为软质物质时，进一步进行如下处理：判定考虑了掩模夹持时的粒子变形量的粒子的尺寸是否超过第2判定基准值。
作为一例，保存硬粒子的判定基准值和软粒子的判定基准值，根据组成分析的结果，按粒子的种类改变判定基准值来进行判定。
图12是表示第4实施例的判定基准值的考虑方法的一例的图。该图中，横轴表示掩模100的背面附着的粒子的尺寸，纵轴表示离曝光处理形成的图形的形成位置的理想位置的偏移量。另外，表示了相对于硬粒子的粒子尺寸的位置偏移量和相对于软粒子的粒子尺寸的位置偏移量（偏差量）。另外，对于相对于硬粒子的粒子尺寸的位置偏移量，示出了表示相对于凸部接触区域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲线L11、和表示相对于凸部非接触区域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲线L12。对于相对于软粒子的粒子尺寸的位置偏移量，同样，示出了表示相对于凸部接触区域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲线L13、和表示相对于凸部非接触区域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲线L14。可容许EUV曝光处理的位置偏移量的界限值下 的粒子尺寸在硬粒子的凸部接触区域是第1判定基准值b1，在硬粒子的凸部非接触区域是第2判定基准值b2，在软粒子的凸部接触区域是第3判定基准值c1，在软粒子的凸部非接触区域是第4判定基准值c2。
如该图所示，软粒子在掩模夹持时粒子变形，因此位置偏移量的容许值中的粒子尺寸比硬粒子的情况下的粒子尺寸大。
检查对象状态判定部14B在为硬粒子的情况下，用第1判定基准值b1和第2判定基准值b2进行判定，在为软粒子的情况下，用第3判定基准值c1和第4判定基准值c2进行判定。
另外，检查对象状态判定部14B中的判定处理与第2实施例中说明过的处理基本上是同样的，因此详细说明省略。
检查对象状态判定基准存储部17存储检查对象状态判定部14B进行判定处理时使用的判定基准值。在上述的例子中，将硬粒子的情况下的凸部接触区域中的第1判定基准值b1和凸部非接触区域中的第2判定基准值b2和软粒子的情况下的凸部接触区域中的第3判定基准值c1和凸部非接触区域中的第4判定基准值c2作为检查对象判定基准来加以存储。
另外，其他构成要素与第1～第3实施例中说明过的是同样的，因此省略其详细说明。
接着，说明这样构成的静电吸盘保持对象检查装置10B的处理。图13是表示第4实施例的静电吸盘保持对象的检查方法的处理顺序的一例的流程图。与第3实施例的图9的步骤S31～S38同样，检查部11B进行掩模背面检查，在粒子规则地存在的区域算出间距，在整个粒子图求出凸部接触区域和凸部非接触区域（步骤S51～S58）。
接着，检查对象状态判定部14B判定在凸部接触区域是否存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子（步骤S59）。在凸部接触区域存在粒子尺寸超过第1判定基准值的粒子时（步骤S59为“是”的情况下），检查部11B进行相应的粒子的组成分析（元素分析）（步骤S60）。然后，粒子特性判定部16根据组成分析的结果判定相应的粒子是否为软质物质（步骤S61）。在粒子不是软质物质时（步骤S61为“否”的情况下），即为硬粒子时， 研讨掩模清洗（步骤S62），处理结束。
另外，粒子为软质物质时（步骤S61为“是”的情况下），检查对象状态判定部14B还考虑掩模夹持时的粒子变形量，判定粒子尺寸是否超过第1判定基准值（步骤S63）。另外，这里，比较考虑了粒子变形量的粒子尺寸和第1判定基准值，但是，也可以比较在凸部接触区域有软粒子时的粒子尺寸和第3判定基准值。
在即使考虑掩模夹持时的粒子变形量、粒子尺寸也不超过第1判定基准值的情况下（步骤S63为“否”的情况下），或者在步骤S59中在凸部接触区域没有粒子尺寸超过第1判定基准值的情况下（步骤S59为“否”的情况下），相应的粒子设为可容许的尺寸，然后，判定在凸部非接触区域是否有粒子尺寸超过第2判定基准值的情况（步骤S64）。
在凸部非接触区域存在粒子尺寸超过第2判定基准值的粒子时（步骤S64为“是”的情况下），检查部11B进行相应粒子的组成分析（元素分析）（步骤S65）。然后，粒子特性判定部16根据组成分析的结果，判定相应粒子是否为软质物质（步骤S66）。在粒子不是软质物质时（步骤S66为“否”的情况下），即为硬粒子时，研讨掩模清洗（步骤S69），处理结束。
另外，粒子为软质物质时（步骤S66为“是”的情况下），检查对象状态判定部14B对是否即使考虑掩模夹持时的粒子变形量、粒子尺寸也超过第2判定基准值进行判定（步骤S67）。另外，这里，比较考虑了粒子变形量的粒子尺寸和第2判定基准值，但是也可以比较在凸部非接触区域有软粒子时的粒子尺寸和第4判定基准值。
在即使考虑掩模夹持时的粒子变形量、粒子尺寸也不超过第2判定基准值的情况下（步骤S67为“否”的情况下），或者在步骤S64中在凸部非接触区域没有粒子尺寸超过第2判定基准值的情况下（步骤S64为“否”的情况下），在掩模背面不存在妨碍EUV曝光装置的曝光处理的粒子，能够进行曝光（步骤S68）。以上，静电吸盘保持对象的检查方法结束。
另外，在考虑掩模夹持时的粒子变形量后、粒子尺寸超过第2判定基准值时（步骤S67为“是”的情况下），研讨掩模清洗（步骤S69），处理 结束。
在第4实施例中，对凸部接触区域和凸部非接触区域附着的粒子的尺寸超过判定基准值的粒子进行组成分析，鉴定是硬粒子还是软粒子，在为软粒子时，与硬粒子时相比，以更宽松（缓和）的条件判定粒子的尺寸是否影响EUV曝光处理。从而，与第1～第3实施例的情况相比，能够进一步区分清洗掩模的条件，因此能够降低掩模清洗次数，具有能够削减掩模清洗中的曝光处理停止的期间的效果。
另外，在上述说明中，静电吸盘保持对象以掩模为例，但是不限于掩模，也可以适用于曝光对象的晶片等。通过检查晶片的背面附着的粒子，能够知道保持晶片的静电吸盘保持机构50的污染程度，当污染程度严重时，可以进行清洗静电吸盘保持机构50的处理。从而，具有能够防止粒子附着到后续载置的晶片的效果。
虽然说明了本发明的几个实施例，但是这些实施例只是例示，而不是限定发明的范围。这些新实施例可以用各种形态来实施，在不脱离发明的要旨的范围，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施例及其变形包含于发明的范围和要旨，并且包含在权利要求记载的发明及其等同的范围内。