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均温板结构及其制造方法.pdf

  • 上传人:大师****2
  • 文档编号:1763312
  • 上传时间:2018-07-10
  • 格式:PDF
  • 页数:9
  • 大小:437.52KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201110251715.0

    申请日:

    2011.08.29

    公开号:

    CN102956583A

    公开日:

    2013.03.06

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情:

    授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/427申请日:20110829|||公开

    IPC分类号:

    H01L23/427; F28D15/04; H01L21/48

    主分类号:

    H01L23/427

    申请人:

    奇鋐科技股份有限公司

    发明人:

    杨修维

    地址:

    中国台湾新北市新庄区五权二路24号7F-3

    优先权:

    专利代理机构:

    北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369

    代理人:

    史霞

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    内容摘要

    一种均温板结构及其制造方法,该均温板结构,包含:一本体具有一金属板体及一陶瓷板体,并对应盖合共同界定一腔室,该腔室具有一毛细结构及一支撑结构及工作流体,该金属与陶瓷板体结合以及与毛细结构及支撑结构结合是通过焊接或直接覆铜法之方式完成,被用以改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal?fatigue)产生接合界破裂问题。

    权利要求书

    权利要求书一种均温板结构,其特征在于,包含:
    一本体,具有一金属板体及一陶瓷板体,该金属板体对应盖合该陶瓷板体并共同界定一腔室,该腔室内具有一毛细结构及一支撑结构及工作流体,所述毛细结构设于前述腔室内壁,该支撑结构连接该金属板体及该陶瓷板体。
    如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述毛细结构为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一。
    如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述陶瓷板体材质为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一。
    如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述支撑结构是通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法其中任一方式与该陶瓷板体及该金属板体结合。
    如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述支撑结构为铜柱。
    如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述金属板体的材质为铜材质及铝材质及不锈钢及散热与导热性质较佳的材质其中任一。
    一种均温板结构的制造方法,其特征在于,包含下列步骤:
    提供一金属板体及一陶瓷板体;
    分别于该金属板体及该陶瓷板体相对应的一侧设置毛细结构及支撑结构;
    将该金属板体及该陶瓷板体对应盖合并进行抽真空与填入工作流体最后密封构形成一均温板。
    如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述毛细结构为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一。
    如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述陶瓷板体材质为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一。
    如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述支撑结构是通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法其中任一方式与该陶瓷板体及该金属板体结合。
    如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述支撑结构为铜柱。
    如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述步骤将该金属板体及该陶瓷板体对应盖合并进行抽真空与填入工作流体最后密封构形成一均温板,该金属板体及该陶瓷板体是通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法其中任一方式结合。

    说明书

    说明书均温板结构及其制造方法
    技术领域
    一种均温板结构及其制造方法,尤指一种将金属材质与陶瓷材质结合组成一均温板,改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂问题的均温板结构及其制造方法。
    背景技术
    按,随着半导体技术的进步,积体电路的体积亦逐渐缩小,而为了使积体电路能处理更多的资料,相同体积下的积体电路,已经可以容纳比以往多上数倍以上的计算元件,当积体电路内的计算元件数量越来越多时,计算元件工作时所产生的热能亦越来越大,以常见的中央处理器为例,在高满载的工作量时,中央处理器散发出的热度,足以使中央处理器整个烧毁,因此,积体电路的散热装置变成为重要的课题。
    电子设备中之中央处理单元及晶片系为电子设备中的发热源,当电子设备运作时,则发热源将会产生热量,该中央处理单元及晶片外部封装主要系以陶瓷材料作为封装材料,该陶瓷材料具有热膨胀系数低且不导电等性质,并且该热膨胀系数系与晶片相近,故被大量使用于封装材料及半导体材料。
    散热装置一般采用铝、铜材质做散热结构之材料,并搭配风扇及热导管等散热元件来增强散热效果,不过在考虑散热装置整体可靠度时,采用冷却风扇与热导管的设计都会损及整体产品的可靠度值。
    一般而言设计愈简单散热装置整体之可靠度愈好,因此,若能用比铜散热能力更好的材料做散热结构材料,可直接改善热能的传递。
    另外,“热应力”是散热装置与发热源间另一个可靠度潜在问题。发热源(如CPU内之晶片)的热膨胀系数低,业界为追求产品可靠度,多采用AlN(氮化铝)或SiC(碳化硅)等热膨胀系数低的陶瓷材料来封装晶片。
    再者,举例来说,于LED散热之应用领域中,铝、铜材质的热膨胀系数比蓝宝石(sapphire)高许多,容易导致高亮度LED在长期使用下接合面因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂(crack),衍生接合界面热阻上升。对于高亮度LED产品,当散热界面热阻的上升会造成热累积并进而损伤LED晶片,造成发光体永久损坏。
    故针对发热源外部陶瓷材质与金属材质之散热装置间因不同之热膨胀系数所衍生之接合面因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂(crack)此一问题则为现行最需改善之目标。
    发明内容
    为此,为解决上述公知技术之缺点,本发明之主要目的,系提供一种改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂问题的均温板结构。
    本发明次要目的,系提供一种改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂问题的均温板结构的制造方法。
    为达上述之目的,本发明系提供一种均温板结构,系包含:一本体;
    所述本体具有一金属板体及一陶瓷板体,该金属板体对应盖合该陶瓷板体并共同界定一腔室,该腔室内具有一毛细结构及一支撑结构及工作流体,所述毛细结构设于前述腔室内壁,该支撑结构连接该金属板体及该陶瓷板体。
    所述毛细结构系为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一;所述陶瓷板体材质系为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一;所述支撑结构系为铜柱。
    所述支撑结构系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式与该陶瓷板体结合。
    为达上述之目的,本发明系提供一种均温板结构之制造方法,系包含下列步骤:
    提供一金属板体及一陶瓷板体;
    分别于该金属板体及该陶瓷板体相对应之一侧设置毛细结构及支撑结构;
    将该金属板体及该陶瓷板体对应盖合,并进行抽真空与填入工作流体,最后密封构形成一均温板。
    该金属板体及该陶瓷板体系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式结合。
    本发明直接将陶瓷本体与均温板结合,再由陶瓷板体与发热源外部之陶瓷外表面结合,即可改善均温板与发热源间因不同热膨胀系数所产生的热疲劳(thermal fatigue)所衍生的接合界破裂问题。
    附图说明
    图1a为本发明之均温板结构第一实施例之立体分解图;
    图1b为本发明之均温板结构第一实施例之立体组合图;
    图2为本发明之均温板结构第一实施例之剖视图;
    图3为本发明之均温板结构第二实施例之剖视图;
    图4为本发明之均温板结构第三实施例之剖视图;
    图5为本发明之均温板结构之制造方法步骤流程图。
    【主要元件符号说明】
    本体1
    金属板体11
    陶瓷板体12
    腔室13
    毛细结构14
    支撑结构15
    工作流体16
    具体实施方式
    本发明之上述目的及其结构与功能上的特性,将依据所附图式之较佳实施例予以说明。
    请参阅图1a、图1b、图2,为本发明之均温板结构第一实施例之立体分解及组合图与剖视图,如图所示,所述均温板结构,系包含:一本体1;
    所述本体1具有一金属板体11及一陶瓷板体12,该金属板体11对应盖合该陶瓷板体12,并共同界定一腔室13,该腔室13内具有一毛细结构14及一支撑结构15,所述毛细结构14设于前述腔室13内壁,该支撑结构15连接该金属板体11及该陶瓷板体12,所述腔室内具有工作流体16。
    所述毛细结构14系以烧结粉末体作为说明但并不引以为限。
    所述陶瓷板体12材质系为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一。
    所述支撑结构15系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式与该陶瓷板体12结合。
    所述支撑结构15系为铜柱;所述金属板体11之材质系为铜材质及铝材质及不锈钢及散热与导热性质较佳之材质其中任一。
    请参阅图3,为本发明之均温板结构第二实施例之剖视图,如图所示,本实施例系与前述第一实施例部分结构及连结关系相同,故在此将不再赘述,惟本实施例与前述第一实施例不同处系为所述毛细结构14系以网格体作为说明但并不引以为限。
    请参阅图4,为本发明之均温板结构第三实施例之剖视图,如图所示,本实施例系与前述第一实施例部分结构及连结关系相同,故在此将不再赘述,惟本实施例与前述第一实施例不同处系为所述毛细结构14系以多个沟槽作为说明但并不引以为限。
    请参阅图5,为本发明之均温板结构之制造方法步骤流程图,并一并参阅图1~图4,如图所示,本发明均温板结构之制造方法,系包含下列步骤:
    S1:提供一金属板体及一陶瓷板体;
    系提供一金属板体11及一陶瓷板体12,所述金属板体11之金属材质系为铜材质及铝材质及不锈钢及散热与导热性质较佳之材质其中任一,本说明实施例系以铜材质作为说明但不引以为限,所述陶瓷板体12之陶瓷材质系为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一,本说明实施例系以氧化铝(Al2O3)作为说明但并不仅限于此种物质。
    S2:分别于该金属板体及该陶瓷板体相对应之一侧设置毛细结构及支撑结构;
    于前述金属板体11与陶瓷板体12相对应之一侧设置毛细结构14及支撑结构15,所述毛细结构14系为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一,其中当所述毛细结构14选择为烧结粉末体时系可通过烧结之方式将烧结粉术成型于金属板体11与陶瓷板体12上。
    当所述毛细结构14选择为该网格体时系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式将该网格体与该陶瓷板体12及该金属板体结合11。
    当所述毛细结构14选择为多个沟槽时,系先于该金属板体11与该陶瓷板体12施以机械加工对该金属板体11及该陶瓷板体12进行开设沟槽,所述机械加工为铣销及刨销及雷射切割及蚀刻其中任一。
    所述支撑结构15系为铜柱,且亦可同样通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式先与该陶瓷板体12或先与金属板体11结合。
    S3:将该金属板体及该陶瓷板体对应盖合并进行抽真空与填入工作流体最后密封构形成一均温板。
    将金属板体11及该陶瓷板体12对应盖合并通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式将两者固定接合,并施以抽真空以及填入工作流体16,最后密封构形成一均温板。
    本发明主要系透将均温板与发热源接触传导热量之一侧直接以陶瓷板体12取代传统均温板一侧之金属板体,通过陶瓷板体12之热膨胀系数与发热源外部封装之陶瓷外壳相近,故可避免均温板与发热源间因不同热膨胀系数所产生的热疲劳(thermal fatigue)所衍生的接合界破裂问题,并且可增加散热元件所适用之领域。

    关 键  词:
    板结 及其 制造 方法
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