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1、(10)申请公布号 CN 102956583 A(43)申请公布日 2013.03.06CN102956583A*CN102956583A*(21)申请号 201110251715.0(22)申请日 2011.08.29H01L 23/427(2006.01)F28D 15/04(2006.01)H01L 21/48(2006.01)(71)申请人奇鋐科技股份有限公司地址中国台湾新北市新庄区五权二路24号7F-3(72)发明人杨修维(74)专利代理机构北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369代理人史霞(54) 发明名称均温板结构及其制造方法(57) 摘要一种均温板结构及其制造方法。
2、,该均温板结构,包含:一本体具有一金属板体及一陶瓷板体,并对应盖合共同界定一腔室,该腔室具有一毛细结构及一支撑结构及工作流体,该金属与陶瓷板体结合以及与毛细结构及支撑结构结合是通过焊接或直接覆铜法之方式完成,被用以改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂问题。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书4页 附图3页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 3 页1/1页21.一种均温板结构,其特征在于,包含:一本体,具有一金属板体及一陶瓷板体,该金属板体对应盖合该陶瓷板体并共同界定一腔室,该腔室内具有。
3、一毛细结构及一支撑结构及工作流体,所述毛细结构设于前述腔室内壁,该支撑结构连接该金属板体及该陶瓷板体。2.如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述毛细结构为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一。3.如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述陶瓷板体材质为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一。4.如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述支撑结构是通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法其中任一方式与该陶瓷板体及该金属板体结合。5.如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所述支撑结构为铜柱。6.如权利要求1所述的均温板结构,其特征在于,所。
4、述金属板体的材质为铜材质及铝材质及不锈钢及散热与导热性质较佳的材质其中任一。7.一种均温板结构的制造方法,其特征在于,包含下列步骤:提供一金属板体及一陶瓷板体;分别于该金属板体及该陶瓷板体相对应的一侧设置毛细结构及支撑结构;将该金属板体及该陶瓷板体对应盖合并进行抽真空与填入工作流体最后密封构形成一均温板。8.如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述毛细结构为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一。9.如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述陶瓷板体材质为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一。10.如权利要求7所述的均温板结构的制造。
5、方法,其特征在于,所述支撑结构是通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法其中任一方式与该陶瓷板体及该金属板体结合。11.如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述支撑结构为铜柱。12.如权利要求7所述的均温板结构的制造方法,其特征在于,所述步骤将该金属板体及该陶瓷板体对应盖合并进行抽真空与填入工作流体最后密封构形成一均温板,该金属板体及该陶瓷板体是通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法其中任一方式结合。权 利 要 求 书CN 102956583 A1/4页3均温板结构及其制造方法技术领域0001 一种均温板结构及其制造方法,尤指一种将金属材质与陶瓷材质结合组成一。
6、均温板,改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂问题的均温板结构及其制造方法。背景技术0002 按,随着半导体技术的进步,积体电路的体积亦逐渐缩小,而为了使积体电路能处理更多的资料,相同体积下的积体电路,已经可以容纳比以往多上数倍以上的计算元件,当积体电路内的计算元件数量越来越多时,计算元件工作时所产生的热能亦越来越大,以常见的中央处理器为例,在高满载的工作量时,中央处理器散发出的热度,足以使中央处理器整个烧毁,因此,积体电路的散热装置变成为重要的课题。0003 电子设备中之中央处理单元及晶片系为电子设备中的发热源,当电子设备运作时,则发热源将会产生热量,该。
7、中央处理单元及晶片外部封装主要系以陶瓷材料作为封装材料,该陶瓷材料具有热膨胀系数低且不导电等性质,并且该热膨胀系数系与晶片相近,故被大量使用于封装材料及半导体材料。0004 散热装置一般采用铝、铜材质做散热结构之材料,并搭配风扇及热导管等散热元件来增强散热效果,不过在考虑散热装置整体可靠度时,采用冷却风扇与热导管的设计都会损及整体产品的可靠度值。0005 一般而言设计愈简单散热装置整体之可靠度愈好,因此,若能用比铜散热能力更好的材料做散热结构材料,可直接改善热能的传递。0006 另外,“热应力”是散热装置与发热源间另一个可靠度潜在问题。发热源(如CPU内之晶片)的热膨胀系数低,业界为追求产品可。
8、靠度,多采用AlN(氮化铝)或SiC(碳化硅)等热膨胀系数低的陶瓷材料来封装晶片。0007 再者,举例来说,于LED散热之应用领域中,铝、铜材质的热膨胀系数比蓝宝石(sapphire)高许多,容易导致高亮度LED在长期使用下接合面因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂(crack),衍生接合界面热阻上升。对于高亮度LED产品,当散热界面热阻的上升会造成热累积并进而损伤LED晶片,造成发光体永久损坏。0008 故针对发热源外部陶瓷材质与金属材质之散热装置间因不同之热膨胀系数所衍生之接合面因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂(crack)此一问题则为现行最需改。
9、善之目标。发明内容0009 为此,为解决上述公知技术之缺点,本发明之主要目的,系提供一种改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂问题的均温板结构。0010 本发明次要目的,系提供一种改善均温板与发热源间因热疲劳(thermal fatigue)产生接合界破裂问题的均温板结构的制造方法。说 明 书CN 102956583 A2/4页40011 为达上述之目的,本发明系提供一种均温板结构,系包含:一本体;0012 所述本体具有一金属板体及一陶瓷板体,该金属板体对应盖合该陶瓷板体并共同界定一腔室,该腔室内具有一毛细结构及一支撑结构及工作流体,所述毛细结构设于前述腔。
10、室内壁,该支撑结构连接该金属板体及该陶瓷板体。0013 所述毛细结构系为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一;所述陶瓷板体材质系为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一;所述支撑结构系为铜柱。0014 所述支撑结构系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式与该陶瓷板体结合。0015 为达上述之目的,本发明系提供一种均温板结构之制造方法,系包含下列步骤:0016 提供一金属板体及一陶瓷板体;0017 分别于该金属板体及该陶瓷板体相对应之一侧设置毛细结构及支撑结构;0018 将该金属板体及该陶。
11、瓷板体对应盖合,并进行抽真空与填入工作流体,最后密封构形成一均温板。0019 该金属板体及该陶瓷板体系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式结合。0020 本发明直接将陶瓷本体与均温板结合,再由陶瓷板体与发热源外部之陶瓷外表面结合,即可改善均温板与发热源间因不同热膨胀系数所产生的热疲劳(thermal fatigue)所衍生的接合界破裂问题。附图说明0021 图1a为本发明之均温板结构第一实施例之立体分解图;0022 图1b为本发明之均温板结构第一实施例之立体组合图;0023 图2为本发明之均温板结构第一实施例之剖视图。
12、;0024 图3为本发明之均温板结构第二实施例之剖视图;0025 图4为本发明之均温板结构第三实施例之剖视图;0026 图5为本发明之均温板结构之制造方法步骤流程图。0027 【主要元件符号说明】0028 本体10029 金属板体110030 陶瓷板体120031 腔室130032 毛细结构140033 支撑结构150034 工作流体16具体实施方式0035 本发明之上述目的及其结构与功能上的特性,将依据所附图式之较佳实施例予以说明。0036 请参阅图1a、图1b、图2,为本发明之均温板结构第一实施例之立体分解及组合图说 明 书CN 102956583 A3/4页5与剖视图,如图所示,所述均温。
13、板结构,系包含:一本体1;0037 所述本体1具有一金属板体11及一陶瓷板体12,该金属板体11对应盖合该陶瓷板体12,并共同界定一腔室13,该腔室13内具有一毛细结构14及一支撑结构15,所述毛细结构14设于前述腔室13内壁,该支撑结构15连接该金属板体11及该陶瓷板体12,所述腔室内具有工作流体16。0038 所述毛细结构14系以烧结粉末体作为说明但并不引以为限。0039 所述陶瓷板体12材质系为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一。0040 所述支撑结构15系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,D。
14、BC)其中任一方式与该陶瓷板体12结合。0041 所述支撑结构15系为铜柱;所述金属板体11之材质系为铜材质及铝材质及不锈钢及散热与导热性质较佳之材质其中任一。0042 请参阅图3,为本发明之均温板结构第二实施例之剖视图,如图所示,本实施例系与前述第一实施例部分结构及连结关系相同,故在此将不再赘述,惟本实施例与前述第一实施例不同处系为所述毛细结构14系以网格体作为说明但并不引以为限。0043 请参阅图4,为本发明之均温板结构第三实施例之剖视图,如图所示,本实施例系与前述第一实施例部分结构及连结关系相同,故在此将不再赘述,惟本实施例与前述第一实施例不同处系为所述毛细结构14系以多个沟槽作为说明但。
15、并不引以为限。0044 请参阅图5,为本发明之均温板结构之制造方法步骤流程图,并一并参阅图1图4,如图所示,本发明均温板结构之制造方法,系包含下列步骤:0045 S1:提供一金属板体及一陶瓷板体;0046 系提供一金属板体11及一陶瓷板体12,所述金属板体11之金属材质系为铜材质及铝材质及不锈钢及散热与导热性质较佳之材质其中任一,本说明实施例系以铜材质作为说明但不引以为限,所述陶瓷板体12之陶瓷材质系为氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)其中任一,本说明实施例系以氧化铝(Al2O3)作为说明但并不仅限于此种物质。0047 S2:分别于该金属板体及该陶瓷板体相对应之一侧。
16、设置毛细结构及支撑结构;0048 于前述金属板体11与陶瓷板体12相对应之一侧设置毛细结构14及支撑结构15,所述毛细结构14系为烧结粉末体及网格体及多个沟槽其中任一,其中当所述毛细结构14选择为烧结粉末体时系可通过烧结之方式将烧结粉术成型于金属板体11与陶瓷板体12上。0049 当所述毛细结构14选择为该网格体时系通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式将该网格体与该陶瓷板体12及该金属板体结合11。0050 当所述毛细结构14选择为多个沟槽时,系先于该金属板体11与该陶瓷板体12施以机械加工对该金属板体11及该陶瓷板。
17、体12进行开设沟槽,所述机械加工为铣销及刨销及雷射切割及蚀刻其中任一。0051 所述支撑结构15系为铜柱,且亦可同样通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式先与该陶瓷板体12或先与金属板体11结合。说 明 书CN 102956583 A4/4页60052 S3:将该金属板体及该陶瓷板体对应盖合并进行抽真空与填入工作流体最后密封构形成一均温板。0053 将金属板体11及该陶瓷板体12对应盖合并通过软焊及硬焊及扩散接合及超音波焊接及直接覆铜法(Direct Bonding Cooper,DBC)其中任一方式将两者固定接合,并。
18、施以抽真空以及填入工作流体16,最后密封构形成一均温板。0054 本发明主要系透将均温板与发热源接触传导热量之一侧直接以陶瓷板体12取代传统均温板一侧之金属板体,通过陶瓷板体12之热膨胀系数与发热源外部封装之陶瓷外壳相近,故可避免均温板与发热源间因不同热膨胀系数所产生的热疲劳(thermal fatigue)所衍生的接合界破裂问题,并且可增加散热元件所适用之领域。说 明 书CN 102956583 A1/3页7图1a图1b说 明 书 附 图CN 102956583 A2/3页8图2图3图4说 明 书 附 图CN 102956583 A3/3页9图5说 明 书 附 图CN 102956583 A。