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1、(10)申请公布号 CN 102837369 A(43)申请公布日 2012.12.26CN102837369A*CN102837369A*(21)申请号 201210346105.3(22)申请日 2012.09.18B28D 5/00(2006.01)B23K 26/36(2006.01)B23K 26/14(2006.01)B23K 26/42(2006.01)(71)申请人广东工业大学地址 510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号(72)发明人谢小柱 魏昕 胡伟 黄福民(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司 44102代理人林丽明(54) 发明名称一种绿激光。
2、划片蓝宝石的工艺方法(57) 摘要本发明公开了一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法，有如下步骤：在蓝宝石基片预先涂覆一层的水溶性覆层；在开始用绿激光切割前设定绿激光光束入射角度、焦点位置，设定同轴和侧向施加辅助气体喷嘴位置及施加辅助气体的压力；采用绿激光按一预定扫描速度和扫描次数扫描蓝宝石基片的表面形成切槽，在上述过程中同轴和侧向喷嘴同时施加辅助气体；再用裂片的方法将蓝宝石分割成小片；本发明采用激光辐照蓝宝石表面产生的光热耦合作用，以蒸发、熔融等形式为主去除材料，并伴有微小破碎材料去除，加工过程中通过预先涂覆水溶性覆层，并同时在轴向和侧向施加辅助气体来减少材料重凝和裂纹的产生，从而获得精细切槽，加工。
3、效率高，成本低。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页1/1页21.一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其特征在于步骤如下：1）在蓝宝石基片预先涂覆一层的水溶性覆层；2）在开始用绿激光切割前设定绿激光光束入射角度、焦点位置，设定同轴和侧向施加辅助气体喷嘴位置及施加辅助气体的压力；3）采用绿激光按一预定扫描速度和扫描次数扫描蓝宝石基片的表面形成切槽，在上述过程中同轴和侧向喷嘴同时施加辅助气体；4）再用裂片的方法将蓝宝石分割成小片。2.如权利要求1所述的绿激光划片蓝宝石的工艺方法。
4、，其特征在于：上述步骤1）中水溶性覆层的厚度为50500m。3.如权利要求1所述的绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其特征在于：上述步骤2）中绿激光为脉冲式绿激光，绿激光光束入射角为0900，绿激光波长为510540nm，绿激光波脉宽大于等于20ns，绿激光频率为0.1100 kHz，绿激光能量密度为1200 J/cm2。4.如权利要求3所述的绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其特征在于：所述绿激光光束入射角是激光光束与蓝宝石基片表面法线方向的夹角。5.如权利要求1所述的绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其特征在于：上述步骤2）中绿激光的焦点位置在蓝宝石上表面以下0200m。6.如权利要求1所述的绿激光划片蓝宝。
5、石的工艺方法，其特征在于：所述上述步骤2）中喷嘴施加辅助气体的压力为0.10.4 MPa。7.如权利要求1所述的绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其特征在于：上述步骤3）中绿激光扫描速度为0.150 mm/s，绿激光扫描次数为110次。8.如权利要求1所述的绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其特征在于：上述步骤3）中绿激光划片过程中施加辅助气体为空气、氮气、氩气或氦气中的一种。9.如权利要求1所述的绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其特征在于：上述步骤3）中所述绿激光划片过程中同轴喷嘴中心线和侧向喷嘴中心线的夹角为0900。权 利 要 求 书CN 102837369 A1/3页3一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法技。
6、术领域0001 本发明涉及一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法。0002 背景技术 蓝宝石单晶具有硬度高（莫氏硬度为9）、熔点高（2030 oC）、耐磨性好、高温下（1000 oC）仍能够保持化学稳定、对红外线透过率高等良好综合性能，被誉为“新光源革命”的基础材料，是第三代半导体材料GaN最重要的产业化衬底，市场需求正以每年40%的速度迅速增加。目前，蓝光半导体LED已成为国际市场上的热点，应用范围很广，可作为各种光源应用，超高亮度GaN蓝宝石LED可以作为室内外的彩色显示、交通信号指示、LCD 背照明光源以及白色照明光源等。在GaN蓝宝石LED的制造过程中，为了大幅度提高生产效率和降低成本，往往是。
7、在一个大的基片上沉积制备许多芯片，然后再把基片分割成各个单元，最后再进行封装。因此，蓝宝石基片划片技术对于提高元器件的成品率和封装效率有着重要影响。0003 传统的基片划片技术主要有金刚石划片法和化学蚀刻法。蓝宝石硬度仅次于金刚石，采用金刚石切割容易在基片上产生裂纹和碎片，特别是在十字形切槽交叉点上，金刚石划刀的磨损也很严重，且基片越薄切割越困难，切槽宽度较宽，一般为4070m。化学蚀刻法速度慢，且蚀刻速度随着材料的结晶方位而改变，此外，该工艺过程对环境有一定污染。激光划片技术，集光学、精密机械、电子技术和计算机技术于一体，与传统的加工方法相比，它具有以下优点：（1）速度快；（2）切槽窄；（3。
8、）适合薄基片的划片；（4）加工过程为非接触加工，可控性强；（5）热影响区小，工件变形小；（6）断面光滑，切口平行度好，表面粗糙度小；（7）可对复杂图形进行加工，加工灵活；（8）自动化程度高。激光划片过程就是通过激光能量使材料表面汽化并加以热冲击的作用，使划线区形成与应力垂直的裂痕损伤。若施加与应力方向一致的外力，则裂痕定向扩展，材料定向断裂，完成切割分片。目前蓝宝石激光划片技术使用的激光器有紫外波长和准分子激光器，但是激光器成本较高，超短脉冲激光的光子能量损失大，无工业化级稳定输出的激光器。0004 因此，有必要开发出一种切槽宽度和深度指标和表面质量接近于紫外激光划片蓝宝石技术，而制造成本又相。
9、对较低的一种激光划片技术。发明内容0005 本发明的目的在于考虑上述问题而提供一种可提高划片质量、提高成品率和降低成本的绿激光划片蓝宝石的工艺方法。0006 本发明的技术方案是：本发明提供的一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其包括有如下步骤：1）在蓝宝石基片预先涂覆一层的水溶性覆层；2）在开始用绿激光切割前设定绿激光光束入射角度、焦点位置，设定同轴和侧向施加辅助气体喷嘴位置及施加辅助气体的压力；3）采用绿激光按一预定扫描速度和扫描次数扫描蓝宝石基片的表面形成切槽，在上述过程中同轴和侧向喷嘴同时施加辅助气体；说 明 书CN 102837369 A2/3页44）再用裂片的方法将蓝宝石分割成小片。00。
10、07 上述步骤1）中水溶性覆层的厚度为50500m。0008 上述步骤2）中绿激光为脉冲式绿激光，绿激光光束入射角为0900，绿激光波长为510540nm，绿激光波脉宽大于等于20ns，绿激光频率为0.1100 kHz，绿激光能量密度为1200 J/cm2。0009 所述绿激光光束入射角是激光光束与蓝宝石基片表面法线方向的夹角。0010 上述步骤2）中绿激光的焦点位置在蓝宝石上表面以下0200m。0011 所述上述步骤2）中喷嘴施加辅助气体的压力为0.10.4 MPa。0012 上述步骤3）中绿激光扫描速度为0.150 mm/s，上述绿激光扫描次数为110次。0013 上述步骤3）中绿激光划片。
11、过程中施加辅助气体为空气、氮气、氩气或氦气中的一种。0014 上述步骤3）中所述绿激光划片过程中同轴喷嘴中心线和侧向喷嘴中心线的夹角为0900。0015 裂片的方法将蓝宝石分割成小片是使用常规的现有方法实现。0016 本发明的有益效果：本发明由于采用先用绿激光扫描蓝宝石基片表面形成切槽、再用裂片的方法分割成小片，本发明采用脉冲绿激光，借助激光辐射的蓝宝石表面产生的光热耦合作用，以蒸发、熔融等形式为主去除材料，并伴有微小破碎材料去除，获得微细切槽；为了减少加工过程中的重凝层和减少裂纹，预先在蓝宝石基片表面涂覆水溶性覆层，并在加工过程中同轴和侧向同时施加辅助气体；本发明能够实现蓝宝石基片的高效率高。
12、质量划片，是一种设计巧妙，性能优良，方便实用的绿激光划片蓝宝石的工艺方法。附图说明0017 为了进一步说明本发明的内容，以下结合实例对本发明做一详细的描述，其中：图1是本发明激光划片切槽的正面照片。0018 图2是本发明激光划片切槽裂片后的断面照片。0019 具体实施 方式0020 实施例：本发明绿激光划片蓝宝石的工艺方法，其包括有如下步骤：1）在蓝宝石基片预先涂覆一层的水溶性覆层；2）在开始用绿激光切割前设定绿激光光束入射角度、焦点位置，设定同轴和侧向施加辅助气体喷嘴位置及施加辅助气体的压力；3）采用绿激光按一预定扫描速度和扫描次数扫描蓝宝石基片的表面形成切槽，在上述过程中同轴和侧向喷嘴同时。
13、施加辅助气体；4）再用裂片的方法将蓝宝石分割成小片。0021 本实施例中，上述绿激光为脉冲式，激光波长为532 nm，脉宽40 ns，脉冲重复说 明 书CN 102837369 A3/3页5频率10 kHz，焦点位置位于蓝宝石上表面以下50m，激光脉冲能量密度为75 J/cm2，激光光束扫描速度为6 mm/s，扫描次数为3次，激光光束入射角为00，预置的水溶性覆层厚度约为300m，同轴和侧向喷嘴中心线的夹角为700，同轴喷嘴施加氮气、侧向喷嘴施加空气或氮气，施加气体压力均为0.2 MPa。在此工艺条件下，获得了切槽宽度19m，切槽深度142m，深宽比约为7:1的深槽，裂片后断面激光划片区域粗糙度Ra:0.13m，裂片区域粗糙度为Ra:15.4 nm的高质量无损伤表面，如图1和图2所示。0022 虽然本发明已通过参照优选实施例和示例详细公开如上，但是可以理解，该些示例并非用以对本发明构成任何限制，而是起说明性作用。可以预想对于本领域技术人员很容易实现对本发明的改动与组合，因此，此类的改动和组合应包含于本发明的精神和所附权利要求的范围之内。说 明 书CN 102837369 A1/1页6图1图2说 明 书 附 图CN 102837369 A。