一种有机发光显示装置及其制备方法.pdf

本发明所述的一种有机发光显示装置，通过在缓冲层设置电容的区域图案化形成连续的凹凸表面，设置在缓冲层上的电容第一电极、电容第二电极以及电容介质层随缓冲层中凹凸表面形成凹凸形状，在不影响所述有机发光显示装置像素开口率的情况下增大电容面积，从而增加电容数值；而且，电容第一电极与所述栅极层由同种材料形成于同一层中；薄膜晶体管中所述绝缘层中的一层或多层形成所述电容介质层，结构简单。本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，通过光刻和刻蚀工艺在缓冲层设置电容的区域图案化形成连续的凹凸表面，在不影响所述有机发光显示装置像素开口率的情况下增大电容面积，从而增加电容数值，制备方法简单，工艺成本低。

权利要求书1.  一种有机发光显示装置，包括： 基板（1）； 直接设置在所述基板（1）上方的缓冲层（2）； 设置在所述基板（1）上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有 源层（3）、栅极层（42）、源/漏电极层，以及使所述有源层（3）、所述栅 极层（42）、所述源/漏电极层彼此分开的一层或多层绝缘层； 设置在基板（1）上方的电容，所述电容自下而上进一步包括电容第一电 极（51）、电容介质层（6）、电容第二电极（52）； 其特征在于，所述电容第一电极（51）与所述栅极层（42）由同种材料形 成于同一层中；所述缓冲层（2）上设置所述电容的区域形成有凹凸表面， 所述电容第一电极（51）形成于所述凹凸表面上，所述电容第二电极（52） 设有与所述电容第一电极（51）相配合的凹凸表面，所述电容第一电极（51） 的凹部和凸部分别与所述电容第二电极（52）的凹部和凸部相配合。 2.  根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有源层（3） 直接设置在所述缓冲层（2）上，并覆盖或不覆盖或部分覆盖所述缓冲层（2） 中所述凹凸表面。 3.  根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电容 第一电极（51）是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层的堆叠 结构。 4.  根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电容 第二电极（52）是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层的堆叠 结构。 5.  根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述缓冲 层（2）是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆叠结构，或者是氧 化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜层。 6.  根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电容第一 电极（51）和所述电容第二电极（52）之间的绝缘层构成所述电容介质层（6）。 7.  一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、在基板（1）上直接形成缓冲层（2）； S2、采用光刻和刻蚀工艺将所述缓冲层（2）图案化，在设置电容区域的 所述缓冲层（2）上形成连续的凹凸表面； S3、在步骤S2中制得的所述缓冲层（2）的垂直方向上形成有源层（3）、 栅极层（42）、覆盖所述栅极层（42）并将所述有源层（3）和所述栅极层 （42）彼此分开的一层或多层绝缘层，与所述栅极层（42）同层同种材料 还形成电容第一电极（51），延伸至所述电容第一电极（51）上的一层或 多层所述绝缘层形成电容介质层（6），其中，所述电容第一电极（51）和 所述电容介质层（6）随所述缓冲层（2）中所述凹凸表面形成凹凸结构； S4、在所述绝缘层正对所述电容第一电极（51）的区域上沿所述电容介质 层（6）的所述凹凸结构形成电容第二电极（52）； S5、在所述绝缘层上形成源/漏电极层，并图案化形成分别与所述有源层 （3）接触连接的源极（81）和漏极（82）。 8.  根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步 骤S2中所述刻蚀工艺的刻蚀深度小于或等于所述缓冲层（2）的厚度。 9.  根据权利要求7或8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于， 所述有源层（3）直接设置在所述缓冲层（2）上，并覆盖或不覆盖或部分覆 盖所述缓冲层（2）中所述凹凸表面。 10.  根据权利要求7或8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征 在于，所述步骤S2中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。 11.  根据权利要求7或8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征 在于，所述电容第一电极（51）是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或 多种膜层的堆叠结构。 12.  根据权利要求7或8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征 在于，所述电容第二电极（52）是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或 多种膜层的堆叠结构。 13.  根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于， 所述缓冲层（2）是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆叠结构， 或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜层。 14.  根据权利要求7或8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征 在于，步骤S5之后还包括在所述基板（1）上还形成有机发光二极管的步骤： 在所述基板（1）的垂直方向上依次形成有机发光二极管第一电极、有机发光 二级管有机层和有机发光二极管第二电极，所述有机发光二极管有机层包括 发光层，所述有机发光二极管第一电极与所述源/漏电极层中的源极（81）或 漏极（82）电连接。 15.  一种权利要求7-14任一所述的有机发光显示装置的制备方法所制 备的有机发光显示装置。 16.  一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、在基板（1）垂直方向上依次直接形成缓冲层（2）和有源层（3）； S2、采用光刻和刻蚀工艺将所述缓冲层（2）和所述有源层（3）图案化， 在设置电容区域的所述缓冲层（2）上形成连续凹凸表面，所述有源层（3） 覆盖所述缓冲层（2）中设置薄膜晶体管的区域，并覆盖或不覆盖所述缓 冲层（2）中所述凹凸表面； S3、在所述缓冲层（2）上形成覆盖所述缓冲层（2）和所述有源层（3） 的栅极绝缘层（41）； S4、在所述栅极绝缘层（41）上直接形成金属层，并图案化形成设置在所 述有源层（3）上的栅极层（42）和设置在所述具有连续凹凸表面的缓冲 层（2）上的电容第一电极（51）； S5、在所述基板（1）上形成覆盖所述电容第一电极（51）的电容介质层 （6）；在所述电容介质层（6）正对所述电容第一电极（51）的区域上形 成电容第二电极（52）； S6、在所述电容介质层（6）上形成覆盖所述栅极层（42）和所述电容第 二电极（52）的层间绝缘层（7）； S7、在所述层间绝缘层（7）上形成源/漏电极层，并图案化形成分别与所 述有源层（3）接触连接的源极（81）和漏极（82）。 17.  根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在 于，步骤S2中所述刻蚀工艺的刻蚀深度小于或等于所述缓冲层（2）和所述 有源层（3）的厚度和。 18.  根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在 于，步骤S2中所述刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。 19.  根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在 于，所述电容第一电极（51）是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多 种膜层的堆叠结构。 20.  根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在 于，所述电容介质层（6）为氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆 叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜 层。 21.  根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在 于，所述电容第二电极（52）是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多 种膜层的堆叠结构。 22.  根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在 于，所述缓冲层（2）是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆叠结 构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜层。 23.  根据权利要求16-22任一所述的有机发光显示装置的制备方法，其 特征在于，步骤S7之后还包括在所述基板（1）上还形成有机发光二极管的 步骤：在所述基板（1）的垂直方向上依次形成有机发光二极管第一电极、有 机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极，所述有机发光二极管有机 层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极与所述源/漏电极层中的源极 （81）或漏极（82）电连接。 24.  一种权利要求16-23任一所述的有机发光显示装置的制备方法所制 备的有机发光显示装置。

说明书一种有机发光显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机发光显示装置及其制备方 法。
背景技术
有机发光二极管（英文全称Organic Light-Emitting Diode，简称OLED） 是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望 成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术 之一。
有源矩阵有机发光显示装置（英文全称Active Matrix Organic Lighting  Emitting Display，简称AMOLED），利用薄膜晶体管（英文全称Thin Film  Transistor，简称TFT），搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管的亮度 和灰阶表现。每个单独的有源矩阵有机发光显示装置具有完整的阴极、有机 功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。有源矩阵有 机发光显示装置具有可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长等特点， 因此在显示技术领域得到了高度重视。
随着显示面板的大尺寸化，显示装置的功耗越来越高，研究发现增大存 储电容可有效增大驱动阶段的电流，从而有效降低功耗；另外，存储电容增 大还可以有效降低会引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压。因此， 在不影响显示装置开口率的条件下，应尽量提高电容值。
多晶硅由于其场效应迁移率高并且适应于高速操作电路和互补金属氧 化物半导体电路等特点而被广泛用作TFT的半导体层。在使用多晶硅作为 TFT半导体层的有源矩阵有机发光显示装置中，如图1所示，通常会在部分 多晶硅层中施以掺杂离子，使之电极化作为电容第一电极51，以达到减少 工艺流程的目的；再以栅极绝缘层41作为电容介质层6，与栅极层42同种 材料同层形成电容第二电极52，同时实现TFT制程和电容制程，工艺流程 简单，易于实施。
但是，上述工艺存在以下几个问题：
1、通常情况下，多晶硅层多通过准分子激光退火（英文全称为Excimer  Laser Anneal，简称ELA）的工艺制备，表面会形成大量的结晶突起，为了 达到有效的栅极绝缘，再加上结晶突起的厚度，栅极绝缘层的厚度通常都无 法有效降低，一般为100nm左右，因此无法通过降低介质层厚度的方式提 高存储电容数值，电容面积通常较大。
2、二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性，同时它与多晶硅表面接触的表面 态密度又很低，所以最常用作为栅极绝缘层，但是二氧化硅的介电常数很低， 作为电容介质层使用时，相应电容的数值较低。
3、需要对电容区域的多晶硅进行掺杂，使之电极化，电极化过程中需 要离子注入和掩膜两道工序，工艺复杂，制备成本高。
针对以上问题，一般只能通过增大电容面积来实现存储电容数值的增 加，而电容面积的增大则会使得显示装置的开口率降低，影响显示装置的使 用效果。
为了解决上述增大存储电容数值会影响显示装置开口率的问题，研发人 员提出一个新的解决方案，如图2所示，具体为：形成具有薄膜晶体管区域 和电容器区域的基板1；在所述基板1上形成缓冲层2；在所述缓冲层2上 形成非晶硅层；将所述非晶硅层晶化，从而形成具有晶界的多晶硅层；再将 所述多晶硅层图案化，形成图案化有源层3，所述图案化有源层3设置在薄 膜晶体管区域中；在电容器区域中的栅极绝缘层4上形成电容第一电极51； 在所述电容第一电极51上形成高介电常数绝缘材料层作为电容介质层6， 如SiN层等；再在所述电容介质层6上形成电容第二电极52；在所述基板1 上形成层间绝缘层7，且至少覆盖所述电容第二电极52和栅极层42。另外， 所述层间绝缘层7上还设置有电连接到所述有源层3的源极81和漏极82。
该方法在不影响显示装置开口率的情况下，通过采用高介电常数的电容 介质层材料，以达到增大电容数值的目的。但是该方法增加了电容介质层的 制备和电容第二电极的制备两道工序，工序复杂，工艺成本高。
发明内容
为此，本发明所要解决的现有有机发光显示装置中增加电容数值的电容 结构制备方法复杂，工艺成本高的问题，提供一种电容数值高、制备工艺简 单的有机发光显示装置及其制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
本发明所述一种有机发光显示装置，包括：
基板；
直接设置在所述基板上方的缓冲层；
设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源 层、栅极层、源/漏电极层，以及使所述有源层、所述栅极层、所述源/漏电 极层彼此分开的一层或多层绝缘层；
设置在基板上方的电容，所述电容自下而上进一步包括电容第一电极、 电容介质层、电容第二电极；
所述电容第一电极与所述栅极层由同种材料形成于同一层中；所述缓冲 层上设置所述电容的区域形成有凹凸表面，所述电容第一电极形成于所述凹 凸表面上，所述电容第二电极设有与所述电容第一电极相配合的凹凸表面， 所述电容第一电极的凹部和凸部分别与所述电容第二电极的凹部和凸部相 配合。
所述有源层直接设置在所述缓冲层上，并覆盖或不覆盖或部分覆盖所述 缓冲层中所述凹凸表面。
所述电容第一电极是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层 的堆叠结构。
所述电容第二电极是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层 的堆叠结构。
所述缓冲层是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆叠结构， 或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜层。
所述电容第一电极和所述电容第二电极之间的绝缘层构成所述电容介 质层。
本发明所述一种有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S1、在基板上直接形成缓冲层；
S2、采用光刻和刻蚀工艺将所述缓冲层图案化，在设置电容区域的所述 缓冲层上形成连续的凹凸表面；
S3、在步骤S2中制得的所述缓冲层的垂直方向上形成有源层、栅极层、 覆盖所述栅极层并将所述有源层和所述栅极层彼此分开的一层或多层绝缘 层，与所述栅极层同层同种材料还形成电容第一电极，延伸至所述电容第一 电极上的一层或多层所述绝缘层形成电容介质层，其中，所述电容第一电极 和所述电容介质层随所述缓冲层中所述凹凸表面形成凹凸结构；
S4、在所述绝缘层正对所述电容第一电极的区域上沿所述电容介质层的 所述凹凸结构形成电容第二电极；
S5、在所述绝缘层上形成源/漏电极层，并图案化形成分别与所述有源 层接触连接的源极和漏极。
步骤S2中所述刻蚀工艺的刻蚀深度小于或等于所述缓冲层的厚度。
所述有源层直接设置在所述缓冲层上，并覆盖或不覆盖或部分覆盖所述 缓冲层中所述凹凸表面。
所述步骤S2中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。
所述电容第一电极是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层 的堆叠结构。
所述电容第二电极是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层 的堆叠结构。
所述缓冲层是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆叠结构， 或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜层。
步骤S5之后还包括在所述基板上还形成有机发光二极管的步骤：在所 述基板的垂直方向上依次形成有机发光二极管第一电极、有机发光二级管有 机层和有机发光二极管第二电极，所述有机发光二极管有机层包括发光层， 所述有机发光二极管第一电极与所述源/漏电极层中的源极或漏极电连接。
本发明所述一种有机发光显示装置的制备方法所制备的有机发光显示 装置。
本发明所述一种所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S1、在基板垂直方向上依次直接形成缓冲层和有源层；
S2、采用光刻和刻蚀工艺将所述缓冲层和所述有源层图案化，在设置电 容区域的所述缓冲层上形成连续凹凸表面，所述有源层覆盖所述缓冲层中设 置薄膜晶体管的区域，并覆盖或不覆盖所述缓冲层中所述凹凸表面；
S3、在所述缓冲层上形成覆盖所述缓冲层和所述有源层的栅极绝缘层；
S4、在所述栅极绝缘层上直接形成金属层，并图案化形成设置在所述有 源层上的栅极层和设置在所述具有连续凹凸表面的缓冲层上的电容第一电 极；
S5、在所述基板上形成覆盖所述电容第一电极的电容介质层；在所述电 容介质层正对所述电容第一电极的区域上形成电容第二电极；
S6、在所述电容介质层上形成覆盖所述栅极层和所述电容第二电极的层 间绝缘层；
S7、在所述层间绝缘层上形成源/漏电极层，并图案化形成分别与所述 有源层接触连接的源极和漏极。
步骤S2中所述刻蚀工艺的刻蚀深度小于或等于所述缓冲层和所述有源 层的厚度和。
步骤S2中所述刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。
所述电容第一电极是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层 的堆叠结构。
所述电容介质层为氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆叠结 构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜层。
所述电容第二电极是Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种膜层 的堆叠结构。
所述缓冲层是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜层堆叠结构， 或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复合膜层。
步骤S7之后还包括在所述基板上还形成有机发光二极管的步骤：在所 述基板的垂直方向上依次形成有机发光二极管第一电极、有机发光二级管有 机层和有机发光二极管第二电极，所述有机发光二极管有机层包括发光层， 所述有机发光二极管第一电极与所述源/漏电极层中的源极或漏极电连接。
本发明所述一种有机发光显示装置的制备方法所制备的有机发光显示 装置。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1、本发明所述的一种有机发光显示装置，通过在缓冲层设置电容的区 域图案化形成连续的凹凸表面，设置在缓冲层上的电容第一电极、电容第二 电极以及电容介质层随缓冲层中凹凸表面形成凹凸形状，在不影响所述有机 发光显示装置像素开口率的情况下增大电容面积，从而增加电容数值；而且， 电容第一电极与所述栅极层由同种材料形成于同一层中；薄膜晶体管中所述 绝缘层中的一层或多层形成所述电容介质层，结构简单；还可以选择高介电 常数的绝缘材料作为电容介质层，进一步增加电容数值，从而提升了显示品 质。
2、本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，通过光刻和刻蚀 工艺在缓冲层设置电容的区域图案化形成连续的凹凸表面，设置在缓冲层上 的电容第一电极、电容第二电极以及电容介质层随缓冲层中凹凸表面形成凹 凸形状，在不影响所述有机发光显示装置像素开口率的情况下增大电容面 积，从而增加电容数值；而且，电容第一电极与所述栅极层由同种材料形成 于同一层中；薄膜晶体管中所述绝缘层中的一层或多层形成所述电容介质 层，制备方法简单，工艺成本低。
3、本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，所述缓冲层中的 所述凹凸表面的形状和凹凸幅度可以根据具体的装置结构以及工艺需要进 行调整，工艺成本低。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施 例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是现有技术中有机发光显示装置的剖视图；
图2是现有技术中有机发光显示装置的剖视图；
图3a-图8是实施例2中所述有机发光显示装置的制备工艺图。
图中附图标记表示为：1-基板、2-缓冲层、3-有源层、41-栅极绝缘层、 42-栅极层、51-电容第一电极、52-电容第二电极、6-电容介质层、7-层间 绝缘层、81-源极、82-漏极、91-光刻胶层、92-光罩。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本 发明的实施方式作进一步地详细描述。
本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的 实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把 本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。 在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的 是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上” 或“上方”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中 间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上 时，不存在中间元件。
实施例1
本实施例提供一种有机发光显示装置，包括：
基板；直接设置在所述基板上的缓冲层；设置在所述基板上的薄膜晶体 管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使所 述有源层、所述栅极层、所述源/漏电极层彼此分开的一层或多层绝缘层；设 置在基板上的电容，所述电容自下而上进一步包括电容第一电极、电容介质 层、电容第二电极；所述电容第一电极与所述栅极层由同种材料形成于同一 层中；所述缓冲层上设置所述电容的区域形成有凹凸表面，所述电容第一电 极形成于所述凹凸表面上，所述电容第二电极设有与所述电容第一电极相配 合的凹凸表面，所述电容第一电极的凹部和凸部分别与所述电容第二电极的 凹部和凸部相配合；在不影响所述有机发光显示装置像素开口率的情况下增 大电容面积，从而增加电容数值；而且，电容第一电极与所述栅极层由同种 材料形成于同一层中；薄膜晶体管中所述绝缘层中的一层或多层形成所述电 容介质层，结构简单；还可以选择高介电常数的绝缘材料作为电容介质层， 进一步增加电容数值，从而提升了显示品质。
作为本发明的其他实施例，所述电容介质层可以由延伸至所述电容第一 电极和所述电容第二电极之间的绝缘层构成。
所述有源层直接设置在所述缓冲层上，并覆盖或不覆盖或部分覆盖所述 缓冲层中所述的凹凸表面。
所述电容第一电极选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种 或多种膜层的堆叠结构。
所述电容第二电极选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种 或多种膜层的堆叠结构。
所述缓冲层选自但不限于是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜 层堆叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复 合膜层。
所述基板上还设置有有机发光二极管，所述有机发光二极管进一步包括 有机发光二极管第一电极、有机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电 极，所述有机发光二极管有机层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极 与所述源/漏电极层中的源极或漏极电连接。
所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S1、在基板上直接形成缓冲层。
S2、采用光刻和刻蚀工艺将所述缓冲层图案化，在设置电容区域的所述 缓冲层上形成连续的凹凸表面。
S3、在步骤S2中制得的所述缓冲层的垂直方向上形成有源层、栅极层 以及覆盖所述栅极层，并将所述有源层和所述栅极层彼此分开的一层或多层 绝缘层，与所述栅极层同层同种材料还形成电容第一电极，延伸至所述电容 第一电极上的一层或多层所述绝缘层形成电容介质层，其中，所述电容第一 电极和所述电容介质层随所述缓冲层中所述凹凸表面形成凹凸结构。
S4、在所述绝缘层正对所述电容第一电极的区域上沿所述电容介质层的 所述凹凸结构形成电容第二电极。
通过光刻和刻蚀工艺在缓冲层设置电容的区域图案化形成连续的凹凸 表面，设置在缓冲层上的电容第一电极、电容第二电极以及电容介质层随缓 冲层中凹凸表面形成凹凸形状，在不影响所述有机发光显示装置像素开口率 的情况下增大电容面积，从而增加电容数值；而且，电容第一电极与所述栅 极层由同种材料形成于同一层中；薄膜晶体管中所述绝缘层中的一层或多层 形成所述电容介质层，制备方法简单，工艺成本低。
S5、在所述绝缘层上形成源/漏电极层，并图案化形成分别与所述有源 层接触连接的源极和漏极。
步骤S2中所述刻蚀工艺的刻蚀深度小于或等于所述缓冲层的厚度。
所述有源层直接设置在所述缓冲层上，并覆盖或不覆盖所述缓冲层中所 述凹凸表面。
所述步骤S2中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。
所述电容第一电极选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种 或多种膜层的堆叠结构。
所述电容第二电极选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种 或多种膜层的堆叠结构。
所述缓冲层选自但不限于是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜 层堆叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复 合膜层。
步骤S5之后还包括在所述基板上还形成有机发光二极管的步骤：在所 述基板的垂直方向上依次形成有机发光二极管第一电极、有机发光二级管有 机层和有机发光二极管第二电极，所述有机发光二极管有机层包括发光层， 所述有机发光二极管第一电极与所述源/漏电极层中的源极或漏极电连接。
实施例2
本实施例提供一种有机发光显示装置及其制备方法，如图8所示，所述 有机发光显示装置包括：基板1，沿所述基板1垂直方向依次设置在所述基 板1上的缓冲层2；
直接设置在所述缓冲层2上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括 沿所述缓冲层2垂直方向依次设置的有源层3、直接设置在所述缓冲层2上 并覆盖所述有源层3的栅极绝缘层41、设置在所述栅极绝缘层上并正对着 所述有源层3的栅极层42、设置在所述缓冲层2上并覆盖所述栅极层42的 层间绝缘层7、直接设置在所述层间绝缘层7上的源/漏电极层，所述源/漏 电极层中的源极81和漏极82分别通过所述层间绝缘层7中的通孔与所述有 源层3接触连接；
设置在所述缓冲层2上的电容，所述电容自下而上进一步包括电容第一 电极51、电容第二电极52，以及直接设置在所述电容第一电极51和所述电 容第二电极52之间的电容介质层6；
其中，所述电容第一电极51与所述栅极层42由同种材料形成于同一层 中；所述缓冲层2中所述电容区域形成连续的凹凸表面，设置在所述缓冲层 2上的所述电容第一电极51、所述电容第二电极52以及所述电容介质层6 随所述缓冲层2中所述凹凸表面形成凹凸形状；在不影响所述有机发光显示 装置像素开口率的情况下增大电容面积，从而增加电容数值，并可以通过调 整上述凹凸表面的凹凸幅度来实现电容数值的调控。同时，电容第一电极与 所述栅极层由同种材料形成于同一层中；薄膜晶体管中所述绝缘层中的一层 或多层形成所述电容介质层，结构简单；还可以选择高介电常数的绝缘材料 作为电容介质层，进一步增加电容数值，从而提升了显示品质。
所述凹凸表面的形状可根据具体显示装置的结构以及工艺的可行性进 行调整，工艺成本低。
本实施例中所述薄膜晶体管采用顶栅结构，作为本发明的其他实施例， 所述薄膜晶体管还可以为底栅结构或双栅结构，均可以实现本发明的目的， 属于本发明的保护范围。
本实施例中所述电容介质层6延伸并直接覆盖在所述栅极层42上，作 为本发明的其他实施例，所述电容介质层6可以仅设置于所述电容第一电极 51上，不延伸覆盖在所述栅极层42上也可以实现本发明的目的，属于本发 明的保护范围。
本实施例中，所述有源层3还设置于所述缓冲层2中设置电容的区域中 所述凹凸表面上，作为本发明的其他实施例，所述缓冲层2中设置电容区域 可以不含所述有源层3，也可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
所述电容第一电极51选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的 一种或多种膜层的堆叠结构，本实施例优选Mo层。
所述电容第二电极52选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的 一种或多种膜层的堆叠结构，本实施例优选Mo层。
所述缓冲层2选自但不限于氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜 层堆叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复 合膜层，本实施例优选氧化硅膜层。
本实施例中所述有机发光显示装置还包括设置在所述基板1上的有机 发光二极管，所述有机发光二极管进一步包括有机发光二极管第一电极、有 机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极，所述有机发光二极管有机 层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极与所述源/漏电极层中的源极 81或漏极82电连接。
所述的有机发光显示装置的制备方法，如图3a-图8所示，包括如下步 骤：
S1、通过气相沉积工艺，在基板1垂直方向上依次直接形成缓冲层2和 有源层3；
所述缓冲层2选自但不限于氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种膜 层堆叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成的复 合膜层，本实施例优选氧化硅膜层。所述缓冲层2还可以通过溶胶凝胶工艺 制备，同样可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
所述有源层3选自但不限于多晶硅层或者金属氧化物半导体层形成，本 实施例优选多晶硅层，通过等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺在所 述缓冲层2上形成非晶硅层，再通过准分子激光退火晶化（ELA）工艺将非 晶硅层转化为多晶硅层，最后通过光刻和刻蚀工艺进行图案化，形成有源层 3。作为本发明的其他实施例，还可以通过快速退火固相晶化法（RTA）、金 属诱导横向结晶（MILC）、热丝催化化学气相沉积（Cat-CVD）等方法使得 非晶硅转化为多晶硅，同样能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
本实施例中所述有源层3同时覆盖所述缓冲层2中的薄膜晶体管制备区 域和电容制备区域，作为本发明的其他实施例，所述有源层3可仅覆盖所述 缓冲层2中的薄膜晶体管制备区域，同样可以实现本发明的目的，属于本发 明的保护范围。
S2、如图3a、3b1所示，在所述有源层3上直接涂布一层光刻胶层91， 采用光刻工艺通过光罩92对光刻胶层91进行刻蚀，形成图案，所述光刻胶 为市售；如图3c1所示，通过干法刻蚀工艺将所述缓冲层2和所述有源层3 图案化，在设置电容区域的所述缓冲层2上形成连续的凹凸表面，所述有源 层3覆盖所述缓冲层2中设置薄膜晶体管的区域，并覆盖所述缓冲层2中所 述凹凸表面；
所述刻蚀工艺的刻蚀深度小于或等于所述缓冲层2和所述有源层3的厚 度和。
本实施例中所述有源层3还覆盖所述缓冲层2中所述凹凸表面，作为本 发明的其他实施例，可以对覆盖所述缓冲层2中所述凹凸表面上的所述有源 层3进行刻蚀，即所述缓冲层2中所述凹凸表面上不设置所述有源层3，同 样可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
作为本发明的其他实施例，所述刻蚀工艺还可以为湿法刻蚀或者干法与 湿法混用刻蚀，同样可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
作为本发明的其他实施例，如图3b2所示，可采用多灰阶光罩（如half  tone或者gray tone）形成光刻胶图层91，如图3c2所示，在所述缓冲层 2设置所述薄膜晶体管区域分别进行缓冲层2的图案化和有源层3的图案化。 采用此种方式形成的光刻胶图案在晶体管区域具有两种不同的光刻胶厚度， 在后续的刻蚀中，既能满足电容制备过程中刻蚀需要的深孔，又能使晶体管 制备过程中的刻蚀具有选择性，缓冲层2几乎没有受到刻蚀，此种方法能更 好的保证晶体管的特性和整体的均匀性。
S3、通过气相沉积工艺在所述缓冲层2上形成覆盖所述缓冲层2和所述 有源层3的栅极绝缘层41；
所述栅极绝缘层41选自但不限于氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或 多种膜层堆叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形 成的复合膜层，本实施例优选氧化硅和氮化硅的堆叠膜层。所述栅极绝缘层 41还可以通过溶胶凝胶法工艺制备，同样可以实现本发明的目的，属于本 发明的保护范围。
S4、如图4所示，通过气相沉积工艺在所述栅极绝缘层41上直接形成 金属层，并图案化形成设置在所述有源层3上的栅极层42和设置在所述具 有连续的凹凸表面的缓冲层2上的电容第一电极51；
所述金属层选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种或多种 膜层的堆叠结构，本实施例优选Mo层。所述金属层还可以通过溅射工艺制 备，同样可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S5、如图5所示，通过气相沉积工艺在所述基板1上形成覆盖所述电容 第一电极51的电容介质层6；如图6所示，通过气相沉积工艺在所述电容 介质层6正对所述电容第一电极51的区域上形成电容第二电极52；
所述电容介质层6选自但不限于氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多 种膜层堆叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成 的复合膜层，本实施例优选氧化硅膜层，本实施例优选氮化硅层。所述电容 介质层6还可以通过溶胶凝胶法工艺制备，同样可以实现本发明的目的，属 于本发明的保护范围。
所述电容第二电极52选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的 一种或多种膜层的堆叠结构，本实施例优选Mo层。所述电容第二电极52还 可以通过溅射工艺制备，同样可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范 围。
本实施例中所述电容介质层6还延伸覆盖所述栅极层42，作为本发明 的其他实施例，电容介质层6可仅覆盖所述电容第一电极51，同样能实现 本发明的目的，属于本发明的保护范围。
通过光刻和刻蚀工艺在缓冲层2中设置电容的区域上形成连续的凹凸 表面，设置在缓冲层2上的电容第一电极51、电容第二电极52以及电容介 质层6随缓冲层2中凹凸表面形成凹凸形状，在不影响所述有机发光显示装 置像素开口率的情况下增大电容面积，从而增加电容数值；而且，电容第一 电极51与所述栅极层42由同种材料形成于同一层中；薄膜晶体管中所述绝 缘层中的一层或多层形成所述电容介质层6，制备方法简单，工艺成本低。
S6、如图7所示，通过气相沉积工艺在所述电容介质层6上形成覆盖所 述栅极层42和所述电容第二电极52的层间绝缘层7，并通过干法或湿法刻 蚀工艺，在所述层间绝缘层7、电容介质层6以及栅极绝缘层4中形成暴露 所述有源层3部分的通孔；
所述层间绝缘层7选自但不限于氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多 种膜层堆叠结构，或者是氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种混合形成 的复合膜层，本实施例优选氧化硅膜层，本实施例优选氮化硅和氧化硅的堆 叠膜层。所述层间绝缘层7还可以通过溶胶凝胶法工艺制备，同样可以实现 本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S7、如图8所示，通过气相沉积工艺在所述层间绝缘层7上形成源/漏 电极层，并图案化形成通过设置在所述层间绝缘层7、电容介质层6以及栅 极绝缘层4中的通孔分别与所述有源层3接触连接的源极81和漏极82。
所述源/漏电极层选自但不限于Ti、W、Mo、Al、Cu及其合金中的一种 或多种膜层的堆叠结构，本实施例优选Ti/Al/Ti堆叠层。所述源/漏电极层 还可以通过溅射工艺制备，同样可以实现本发明的目的，属于本发明的保护 范围。
步骤S7之后还包括在所述基板1上还形成有机发光二极管的步骤：在 所述层间绝缘层7上依次形成有机发光二极管第一电极、有机发光二级管有 机层和有机发光二极管第二电极，所述有机发光二极管有机层包括发光层， 所述有机发光二极管第一电极与所述源/漏电极层中的源极81或漏极82电 连接；具体制备方法同现有技术。
为了方便解释本发明所述有机发光显示装置的，本实施例附图仅示出了 一个薄膜晶体管、一个电容管，本发明在不增加工序的情况下，本发明所述 的有机发光显示装置可以包括若干薄膜晶体管、若干电容。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式 的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做 出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷 举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之 中。