无源元件结构及其制作方法.pdf

一种无源元件结构及其制作方法，该无源元件结构的制作方法包含下列步骤：提供具有多个焊垫的基板；于基板上形成保护层，且焊垫分别由保护层的多个保护层开口露出；于焊垫与保护层上形成导电层；于导电层上形成图案化的光阻层，且紧邻保护层开口的导电层由光阻层的多个光阻层开口露出；于光阻层开口中的导电层上分别电镀多个铜块；去除光阻层与未被铜块覆盖的导电层；于铜块与保护层上形成阻隔层，其中铜块的至少一个由阻隔层的阻隔层开口露出；以及于露出阻隔层开口的铜块上依序化学镀扩散阻障层与抗氧化层。本发明不仅可节省扩散阻障层与抗氧化层的材料花费，且能降低无源元件结构的线路总电阻值，使无源元件结构的电感品质系数得以提升。

权利要求书1.  一种无源元件结构，其特征在于，包含：一基板，具有多个焊垫；一保护层，位于该基板与所述焊垫上，该保护层具有多个保护层开口，所述保护层开口分别与所述焊垫位置对应；一图案化的导电层，位于所述焊垫与该保护层紧邻所述保护层开口的表面上；多个铜块，位于该导电层上；一扩散阻障层，位于所述铜块的至少一个上；以及一抗氧化层，覆盖于该扩散阻障层。2.  根据权利要求1所述的无源元件结构，其特征在于，还包含：一阻隔层，位于该保护层与所述铜块上，且该阻隔层具有一阻隔层开口，该阻隔层开口与该抗氧化层位置对应。3.  根据权利要求1所述的无源元件结构，其特征在于，还包含：一强化层，位于该扩散阻障层与该抗氧化层之间。4.  根据权利要求3所述的无源元件结构，其特征在于，该强化层的材质包含钯。5.  根据权利要求1所述的无源元件结构，其特征在于，该扩散阻障层的材质包含镍。6.  根据权利要求1所述的无源元件结构，其特征在于，该抗氧化层的材质包含金。7.  根据权利要求1所述的无源元件结构，其特征在于，该抗氧化层的厚度介于0.01μm至0.1μm。8.  根据权利要求1所述的无源元件结构，其特征在于，还包含：一导电结构，电性连接于该抗氧化层。9.  根据权利要求8所述的无源元件结构，其特征在于，该导电结构包 含锡球或导线。10.  一种无源元件结构的制作方法，其特征在于，包含下列步骤：a)提供具有多个焊垫的一基板；b)于该基板上形成一保护层，且所述焊垫分别由所述保护层的多个保护层开口露出；c)于所述焊垫与该保护层上形成一导电层；d)于该导电层上形成一图案化的光阻层，且紧邻所述保护层开口的该导电层由该光阻层的多个光阻层开口露出；e)于所述光阻层开口中的该导电层上分别电镀多个铜块；f)去除该光阻层与未被所述铜块覆盖的该导电层；g)于所述铜块与该保护层上形成一阻隔层，其中所述铜块的至少一个由该阻隔层的一阻隔层开口露出；以及h)于露出该阻隔层开口的该铜块上依序化学镀一扩散阻障层与一抗氧化层。11.  根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法，其特征在于，该步骤h)还包含：于该扩散阻障层上化学镀一强化层。12.  根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法，其特征在于，该步骤f)包含：蚀刻未被所述铜块覆盖的该导电层。13.  根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法，其特征在于，该阻隔层的材质为防焊绿漆。14.  根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法，其特征在于，该阻隔层的材质为光阻，该无源元件结构的制作方法还包含：去除该阻隔层。15.  根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法，其特征在于，该步骤b)包含：图案化该保护层，使该保护层具有所述保护层开口。16.  一种无源元件结构，其特征在于，包含：一基板，具有多个焊垫；一保护层，位于该基板与所述焊垫上，该保护层具有多个保护层开口，所述保护层开口分别与所述焊垫位置对应；一图案化的导电层，位于所述焊垫与该保护层紧邻所述保护层开口的表面上；多个铜块，位于该导电层上；以及一抗氧化层，位于所述铜块的至少一个上。17.  根据权利要求16所述的无源元件结构，其特征在于，该抗氧化层的材质包含金。18.  根据权利要求16所述的无源元件结构，其特征在于，还包含：一导电结构，电性连接于该抗氧化层。19.  根据权利要求18所述的无源元件结构，其特征在于，该导电结构包含锡球。20.  一种无源元件结构的制作方法，其特征在于，包含下列步骤：提供具有多个焊垫的一基板；于该基板上形成一保护层，且所述焊垫分别由所述保护层的多个保护层开口露出；于所述焊垫与该保护层上形成一导电层；于该导电层上形成一图案化的光阻层，且紧邻所述保护层开口的该导电层由该光阻层的多个光阻层开口露出；于所述光阻层开口中的该导电层上分别电镀多个铜块；去除该光阻层与未被所述铜块覆盖的该导电层；以及于所述铜块的至少一个上化学镀一抗氧化层。

说明书无源元件结构及其制作方法
技术领域
本发明是有关一种无源元件结构(Passive Component Structure)及一种无源元件结构的制作方法。
背景技术
现有的电感结构可包含硅基板与多个铜块。硅基板具有多个焊垫(bond pad)。铜块以电镀的方式分别形成于焊垫上，具有高频传输的功能。在后续制程中，锡球(BGA)或导电凸块可通过铜块与硅基板的焊垫电性连接。由于锡铅材料无法直接粘着于铜块，所以当铜块电镀完成后，需再依序电镀镍层与金层。其中镍层具有阻值高的特性，可防止金层与铜块在高温环境中互相熔合，而金层可防止铜块氧化。
通过镍层与金层的虽可让锡球或导电凸块粘着于铜块，但实际上在电感结构中，仅有少数的铜块在后续制程(例如植锡球制程或打线制程)需与导电凸块或锡球电性连接，大多数的铜块并不需电性连接锡球或导电凸块。然而，一般而言，电感结构在制作时，因为制程能力不足，只能在每一铜块上均电镀镍层与金层。
如此一来，不仅会造成材料(例如金)的浪费，且所有的铜块上均电镀镍层与金层，会造成电感结构的线路总电阻值升高，造成效率下降，使电感结构的电感品质系数难以提升。
发明内容
本发明的一技术态样为一种无源元件结构。
根据本发明一实施方式，一种无源元件结构包含基板、保护层、图案化 的导电层、多个铜块、扩散阻障层与抗氧化层。基板具有多个焊垫。保护层位于基板与焊垫上。保护层具有多个保护层开口。保护层开口分别与焊垫位置对应。导电层位于焊垫与保护层紧邻保护层开口的表面上。铜块位于导电层上。扩散阻障层位于铜块的至少一个上。抗氧化层覆盖于扩散阻障层。
在本发明一实施方式中，上述无源元件结构还包含阻隔层。阻隔层位于保护层与铜块上。阻隔层具有阻隔层开口。阻隔层开口与抗氧化层位置对应。
在本发明一实施方式中，上述无源元件结构还包含强化层。强化层位于扩散阻障层与抗氧化层之间。
在本发明一实施方式中，上述强化层的材质包含钯。
在本发明一实施方式中，上述扩散阻障层的材质包含镍。
在本发明一实施方式中，上述抗氧化层的材质包含金。
在本发明一实施方式中，上述抗氧化层的厚度介于0.01μm至0.1μm。
在本发明一实施方式中，上述无源元件结构还包含导电结构。导电结构电性连接于抗氧化层。
在本发明一实施方式中，上述导电结构包含锡球或导线。
本发明的另一技术态样为一种无源元件结构的制作方法。
根据本发明一实施方式，一种无源元件结构的制作方法包含下列步骤：a)提供具有多个焊垫的基板；b)于基板上形成保护层，且焊垫分别由保护层的多个保护层开口露出；c)于焊垫与保护层上形成导电层；d)于导电层上形成图案化的光阻层，且紧邻保护层开口的导电层由光阻层的多个光阻层开口露出；e)于光阻层开口中的导电层上分别电镀多个铜块；f)去除光阻层与未被铜块覆盖的导电层；g)于铜块与保护层上形成阻隔层，其中铜块的至少一个由阻隔层的阻隔层开口露出；h)于露出阻隔层开口的铜块上依序化学镀扩散阻障层与抗氧化层。
在本发明一实施方式中，上述步骤h)还包含：于扩散阻障层上化学镀强 化层。
在本发明一实施方式中，上述步骤f)包含：蚀刻未被铜块覆盖的导电层。
在本发明一实施方式中，上述阻隔层的材质为防焊绿漆。
在本发明一实施方式中，上述阻隔层的材质为光阻，无源元件结构的制作方法还包含：去除阻隔层。
在本发明一实施方式中，上述步骤b)包含：图案化保护层，使保护层具有保护层开口。
本发明的另一技术态样为一种无源元件结构。根据本发明一实施方式，一种无源元件结构包含基板、保护层、图案化的导电层、多个铜块、抗氧化层。基板具有多个焊垫。保护层位于基板与焊垫上。保护层具有多个保护层开口。保护层开口分别与焊垫位置对应。导电层位于焊垫与保护层紧邻保护层开口的表面上。铜块位于导电层上。抗氧化层位于铜块的至少一个上。
本发明的另一技术态样为一种无源元件结构的制作方法。根据本发明一实施方式，一种无源元件结构的制作方法包含下列步骤：提供具有多个焊垫的基板；于基板上形成保护层，且焊垫分别由保护层的多个保护层开口露出；于焊垫与保护层上形成导电层；于导电层上形成图案化的光阻层，且紧邻保护层开口的导电层由光阻层的多个光阻层开口露出；于光阻层开口中的导电层上分别电镀多个铜块；去除光阻层与未被铜块覆盖的导电层；于铜块的至少一个化学镀抗氧化层。
在本发明上述实施方式中，无源元件结构及其制作方法可选择性地在铜块上形成扩散阻障层与抗氧化层，让在后续制程(例如植锡球制程或打线制程)需电性连接锡球或导线的铜块才形成扩散阻障层及抗氧化层，其它铜块则不形成扩散阻障层及抗氧化层。此外，抗氧化层以化学镀制程形成于铜块上，因此抗氧化层的厚度可较现有以电镀形成的抗氧化层的厚度薄。如此一来，本发明的无源元件结构及其制作方法不仅可节省扩散阻障层与抗氧化层 的材料花费，且能降低无源元件结构的线路总电阻值，造成效率提升，使无源元件结构的电感品质系数得以提升。
附图说明
图1绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构的俯视图。
图2绘示图1的无源元件结构沿线段2-2的剖面图。
图3绘示根据本发明另一实施方式的无源元件结构的剖面图，其剖面位置与图2相同。
图4绘示根据本发明又一实施方式的无源元件结构的剖面图，其剖面位置与图2相同。
图5绘示根据本发明再一实施方式的无源元件结构的剖面图，其剖面位置与图3相同。
图6绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构的制作方法的流程图。
图7绘示图6的焊垫分别由保护层开口露出后的剖面图。
图8绘示图7的焊垫与保护层形成导电层后的剖面图。
图9绘示图8的导电层形成图案化的光阻层后的剖面图。
图10绘示图9的光阻层开口中的导电层形成铜块后的剖面图。
图11绘示图10的光阻层与未被铜块覆盖的导电层去除后的剖面图。
图12A绘示图11的铜块与保护层形成阻隔层后的剖面图。
图12B绘示图12A的另一实施方式。
图13A绘示图11的铜块与保护层形成阻隔层后的剖面图。
图13B绘示图13A的铜块形成扩散阻障层、强化层与抗氧化层后的剖面图。
图14A绘示图13A的另一实施方式。
图14B绘示图14A的铜块形成扩散阻障层、强化层与抗氧化层后的剖面 图。
图15绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构的剖面图，其剖面位置与图5相同。
图16绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构与现有无源元件结构的品质系数-频率关系图。
其中，附图中符号的简单说明如下：
100：无源元件结构     100a：无源元件结构
100b：无源元件结构    100c：无源元件结构
100d：无源元件结构    110：基板
112：焊垫             120：保护层
122：保护层开口       130：导电层
140：铜块             142：顶面
144：侧面             150：扩散阻障层
160：抗氧化层         170：强化层
180：阻隔层           180a：阻隔层
182：阻隔层开口       190：导电结构
190a：导电结构        210：线路层
220：光阻层           222：光阻层开口
2-2：线段             L1：折线
L2：折线              S1：步骤
S2：步骤              S3：步骤
S4：步骤              S5：步骤
S6：步骤              S7：步骤
S8：步骤。
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
图1绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构100的俯视图。图2绘示图1的无源元件结构100沿线段2-2的剖面图。为求简洁，本文中所有剖面图均未绘示图1的线路层210。同时参阅图1与图2，无源元件结构100包含基板110、保护层120、图案化的导电层130、多个铜块140、扩散阻障层150与抗氧化层160。无源元件结构100可应用于电感元件、电容元件等无源元件。其中，基板110的表面具有多个焊垫112。保护层120位于基板110与焊垫112上。保护层120具有多个保护层开口122。保护层开口122分别与焊垫112位置对应。导电层130位于焊垫112与保护层120紧邻保护层开口122的表面上。铜块140位于导电层130上。扩散阻障层150位于铜块140的至少一个上，在本实施方式中，扩散阻障层150位于铜块140的顶面142上。抗氧化层160覆盖于扩散阻障层150。
此外，无源元件结构100还可包含强化层170、阻隔层180与导电结构190。其中，强化层170位于扩散阻障层150与抗氧化层160之间。阻隔层180位于保护层120与铜块140上，且阻隔层180具有阻隔层开口182。阻隔层开口182与抗氧化层160位置对应，在本实施方式中，阻隔层开口182的宽度小于铜块140的宽度。导电结构190电性连接于抗氧化层160。扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160通过化学镀(又称无电镀或自身催化电镀)的制程依序形成于铜块140上。以化学镀制程形成的抗氧化层160厚度薄，可介于0.01至0.1μm，强化层170可提供抗氧化层160支撑强度，避免抗氧化层160于植锡球(BGA) 制程或打线(wire bond)制程中破损。
在本实施方式中，基板110的材质可以包含硅，焊垫112的材质可以包含铝。保护层120的材质可以包含聚合物材料、氧化物(例如二氧化硅)或氮化物。导电层130的材质可以包含钛与铜。扩散阻障层150的材质可以包含镍，具有阻值高的特性，能防止抗氧化层160与铜块140在高温环境中互相熔合。抗氧化层160的材质可以包含金，可防止铜块140氧化。强化层170的材质可以包含钯，可提供抗氧化层160支撑强度。阻隔层180的材质可以为防焊绿漆，可阻隔水气与灰尘进入无源元件结构100中，避免铜块140氧化。导电结构190可以为锡球。然而，上述材料并不以限制本发明。
无源元件结构100在植锡球制程或打线制程中，导电结构190可电性连接于抗氧化层160上，使导电结构190可通过设有扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160的铜块140(如图2左侧铜块)电性连接导电层130与焊垫112。未设有扩散阻障层150与抗氧化层160的铜块140(如图2右侧铜块)则由阻隔层180覆盖，不用来电性连接导电结构190。如此一来，无源元件结构100可节省扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160的材料花费，且能降低无源元件结构100的线路总电阻值，造成效率提升，使无源元件结构100的电感品质系数得以提升。
在以下叙述中，已叙述过的元件连接关系与材料将不再重复赘述，合先叙明。
图3绘示根据本发明另一实施方式的无源元件结构100a的剖面图，其剖面位置与图2相同。无源元件结构100a包含基板110、保护层120、图案化的导电层130、多个铜块140、扩散阻障层150与抗氧化层160。与图2实施方式不同的地方在于：阻隔层开口182的宽度大于铜块140的宽度。扩散阻障层150位于铜块140的顶面142及侧面144上。导电结构190a为导线。无源元件结构100a可节省材料花费，且能降低线路总电阻值，造成效率提升，使电感品质 系数得以提升。
图4绘示根据本发明又一实施方式的无源元件结构100b的剖面图，其剖面位置与图2相同。无源元件结构100b包含基板110、保护层120、图案化的导电层130、多个铜块140、扩散阻障层150与抗氧化层160。与图2实施方式不同的地方在于：无源元件结构100b不具有阻隔层180。无源元件结构100b可节省材料花费，且能降低线路总电阻值，造成效率提升，使电感品质系数得以提升。
图5绘示根据本发明再一实施方式的无源元件结构100c的剖面图，其剖面位置与图3相同。无源元件结构100c包含基板110、保护层120、图案化的导电层130、多个铜块140、扩散阻障层150与抗氧化层160。与图3实施方式不同的地方在于：无源元件结构100c不具有阻隔层180。无源元件结构100c可节省材料花费，且能降低线路总电阻值，造成效率提升，使电感品质系数得以提升。
在以下叙述中，将叙述上述无源元件结构100、100a、100b、100c的制造方法。
图6绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构的制作方法的流程图。首先在步骤S1中，提供具有多个焊垫的基板。接着在步骤S2中，于基板上形成保护层，且焊垫分别由保护层的多个保护层开口露出。之后在步骤S3中，于焊垫与保护层上形成导电层。接着在步骤S4中，于导电层上形成图案化的光阻层，且紧邻保护层开口的导电层由光阻层的多个光阻层开口露出。接着在步骤S5中，于光阻层开口中的导电层上分别电镀多个铜块。之后在步骤S6中，去除光阻层与未被铜块覆盖的导电层。接着在步骤S7中，于铜块与保护层上形成阻隔层，其中铜块的至少一个由阻隔层的阻隔层开口露出。最后在步骤S8中，于露出阻隔层开口的铜块上依序化学镀扩散阻障层与抗氧化层。
图7绘示图6的焊垫112分别由保护层开口122露出后的剖面图。首先，提 供具有多个焊垫112的基板110，并于基板110与焊垫112上形成具有多个保护层开口122的保护层120，使焊垫112分别由保护层开口122露出。保护层120可通过图案化制程，使保护层120具有与焊垫112位置对应的保护层开口122。图案化制程可包含曝光、显影与蚀刻制程。
图8绘示图7的焊垫112与保护层120形成导电层130后的剖面图。同时参阅图7与图8，待焊垫112分别由保护层开口122露出后，导电层130可通过溅镀(sputter)的方式形成于焊垫112与保护层120上。
图9绘示图8的导电层130形成图案化的光阻层220后的剖面图。同时参阅图7与图8，待导电层130形成于焊垫112与保护层120上后，可于导电层130上形成图案化的光阻层220，使紧邻保护层开口122的导电层130由光阻层220的多个光阻层开口222露出。
图10绘示图9的光阻层开口222中的导电层130形成铜块140后的剖面图。同时参阅图9与图10，待导电层130上形成图案化的光阻层220后，可于光阻层开口222中的导电层130分别形成铜块140。其中，铜块140利用电镀的方式形成于光阻层开口222中的导电层130上。
图11绘示图10的光阻层220与未被铜块140覆盖的导电层130去除后的剖面图。同时参阅图10与图11，待铜块140电镀于导电层130上后，便可去除光阻层220与未被铜块140覆盖的导电层130。其中，未被铜块140覆盖的导电层130可利用蚀刻制程去除。
图12A绘示图11的铜块140与保护层120形成阻隔层180后的剖面图。阻隔层180具有阻隔层开口182，使铜块140的至少一个由阻隔层开口182露出。在本实施方式中，阻隔层180的材质为防焊绿漆。
同时参阅图12A与图2，待阻隔层180形成于铜块140与保护层120后，可依序化学镀扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160于露出阻隔层开口182的铜块140上。在本实施方式中，由于阻隔层开口182的宽度小于铜块140的 宽度，因此扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160会形成于铜块140的顶面142。待抗氧化层160形成后，便可电性连接导电结构190，而得到图2的无源元件结构100。
图12B绘示图12A的另一实施方式。同时参阅图12B与图3，待阻隔层180形成于铜块140与保护层120后，可依序化学镀扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160于露出阻隔层开口182的铜块140上。在本实施方式中，由于阻隔层开口182的宽度大于铜块140的宽度，因此扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160会形成于铜块140的顶面142及侧面144。待抗氧化层160形成后，便可将导电结构190a电性连接于抗氧化层160上，而得到图3的无源元件结构100a。
图13A绘示图11的铜块140与保护层120形成阻隔层180a后的剖面图。图13B绘示图13A的铜块140形成扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160后的剖面图。同时参阅图13A与图13B，在本实施方式中，阻隔层180a的材质为光阻，待阻隔层180a形成于铜块140与保护层120后，可依序化学镀扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160于露出阻隔层开口182的铜块140上。在本实施方式中，由于阻隔层开口182的宽度大致等于铜块140的宽度，因此扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160会形成于铜块140的顶面142。
同时参阅图13B与图4，待抗氧化层160形成后，便可去除阻隔层180a，并将导电结构190电性连接于抗氧化层160上，而得到图4的无源元件结构100b。
图14A绘示图13A的另一实施方式。图14B绘示图14A的铜块140形成扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160后的剖面图。同时参阅图14A与图14B，在本实施方式中，阻隔层180a的材质为光阻，待阻隔层180a形成于铜块140与保护层120后，可于露出阻隔层开口182的铜块140上依序化学镀扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160。在本实施方式中，由于阻隔层开口 182的宽度大于铜块140的宽度，因此扩散阻障层150、强化层170与抗氧化层160会形成于铜块140的顶面142与侧面144。
同时参阅图14B与图5，待抗氧化层160形成后，便可去除阻隔层180a，并将导电结构190a电性连接于抗氧化层160上，而得到图5的无源元件结构100c。
图15绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构100d的剖面图，其剖面位置与图5相同。无源元件结构100d包含基板110、保护层120、图案化的导电层130、多个铜块140与抗氧化层160。与图5实施方式不同的地方在于：无源元件结构100d不具图5的扩散阻障层150与强化层170，抗氧化层160是直接位于铜块140的至少一个上。抗氧化层160的材质可以包含金，可保护铜块140避免氧化。此外，无源元件结构100d还包含例如锡球的导电结构190。导电结构190电性连接于抗氧化层160。
无源元件结构100d的制作方法与图6实施方式不同的地方在于：待去除光阻层220(见图10)与未被铜块140覆盖的导电层130后，可从图11的结构选择性化学镀抗氧化层160于铜块140的至少一个上。
图16绘示根据本发明一实施方式的无源元件结构与现有无源元件结构的品质系数-频率关系图。折线L1为本发明无源元件结构(例如前述无源元件结构100～100d)的电感品质系数与频率关系，也就是仅部分铜块的表面具有金属层。折线L2为现有无源元件结构的电感品质系数与频率关系，也就是所有铜块的表面均具有金属层。由图16可知，本发明无源元件结构的电感品质系数高于现有无源元件结构的电感品质系数。
与现有技术相较，无源元件结构及其制作方法可选择性地在铜块上形成扩散阻障层与抗氧化层，让在后续制程(例如植锡球制程或打线制程)需电性连接锡球或导线的铜块才形成扩散阻障层及抗氧化层，其它铜块则不形成扩散阻障层及抗氧化层。此外，抗氧化层以化学镀制程形成于铜块上，因此抗 氧化层的厚度可较现有以电镀形成的抗氧化层的厚度薄。如此一来，无源元件结构及其制作方法不仅可节省扩散阻障层与抗氧化层的材料花费，且能降低无源元件结构的线路总电阻值，造成效率提升，使无源元件结构的电感品质系数得以提升。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。