电子装置的制造方法以及玻璃层叠体的制造方法.pdf

本发明涉及电子装置的制造方法，其为包含剥离性玻璃基板和电子装置用构件的电子装置的制造方法，该制造方法具备：树脂层形成工序，在具有第1主面和第2主面且前述第1主面显示易剥离性的剥离性玻璃基板的前述第1主面上涂布固化性树脂组合物，对前述剥离性玻璃基板上的未固化的固化性树脂组合物层实施固化处理，形成树脂层；层叠工序，将具有比前述树脂层的外形尺寸更小的外形尺寸的支撑基板以在前述树脂层留出不与前述支撑基板接触的周缘区域的方式层叠在前述树脂层上，得到切断前层叠体；切断工序，沿前述切断前层叠体中的前述支撑基板的外周缘，切断前述树脂层以及前述剥离性玻璃基板；构件形成工序，在前述剥离性玻璃基板的前述第2主面上形成电子装置用构件，得到带电子装置用构件的层叠体；分离工序，自前述带电子装置用构件的层叠体分离得到具有前述剥离性玻璃基板和前述电子装置用构件的电子装置。

权利要求书1.  一种电子装置的制造方法，其为包含剥离性玻璃基板和电子装置用构件的电子装置的制造方法，该制造方法具备：树脂层形成工序，在具有第1主面和第2主面且所述第1主面显示易剥离性的剥离性玻璃基板的所述第1主面上涂布固化性树脂组合物，对所述剥离性玻璃基板上的未固化的固化性树脂组合物层实施固化处理，形成树脂层；层叠工序，将具有比所述树脂层的外形尺寸更小的外形尺寸的支撑基板以在所述树脂层留出不与所述支撑基板接触的周缘区域的方式层叠在所述树脂层上，得到切断前层叠体；切断工序，沿所述切断前层叠体中的所述支撑基板的外周缘，切断所述树脂层以及所述剥离性玻璃基板；构件形成工序，在所述剥离性玻璃基板的所述第2主面上形成电子装置用构件，得到带电子装置用构件的层叠体；和分离工序，自所述带电子装置用构件的层叠体分离得到具有所述剥离性玻璃基板和所述电子装置用构件的电子装置。2.  根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其中，在所述树脂层形成工序之前具备表面处理工序，该表面处理工序用剥离剂处理具有第1主面和第2主面的玻璃基板的所述第1主面，得到具有显示易剥离性的表面的剥离性玻璃基板。3.  根据权利要求2所述的电子装置的制造方法，其中，在所述表面处理工序之后且在所述树脂层形成工序之前，具备对所述剥离性玻璃基板实施加热处理的加热工序。4.  根据权利要求2或3所述的电子装置的制造方法，其中，所述剥离剂含有硅油、甲硅烷化剂或氟系化合物。5.  根据权利要求1～4中的任一项所述的电子装置的制造方法，其中，所 述树脂层含有有机硅树脂。6.  根据权利要求1～5中的任一项所述的电子装置的制造方法，其中，在所述切断工序中，以载台支撑所述切断前层叠体中的支撑基板的主面，并且使所述支撑基板的外周与设置在所述载台上的定位块抵接。7.  根据权利要求1～6中的任一项所述的电子装置的制造方法，其中，在所述切断工序中，在所述切断前层叠体中的剥离性玻璃基板的表面形成切割线，然后沿着所述切割线，将所述切断前层叠体中的剥离性玻璃基板和树脂层各自的外周部一同割断。8.  一种玻璃层叠体的制造方法，所述玻璃层叠体依次具备支撑基板、树脂层和剥离性玻璃基板，该制造方法具备：树脂层形成工序，在具有第1主面和第2主面且所述第1主面显示易剥离性的剥离性玻璃基板的所述第1主面上涂布固化性树脂组合物，对所述剥离性玻璃基板上的未固化的固化性树脂组合物层实施固化处理，形成树脂层；层叠工序，将具有比所述树脂层的外形尺寸更小的外形尺寸的支撑基板以在所述树脂层留出不与所述支撑基板接触的周缘区域的方式层叠在所述树脂层上，得到切断前层叠体；切断工序，沿所述切断前层叠体中的所述支撑基板的外周缘，切断所述树脂层和所述剥离性玻璃基板。9.  根据权利要求8所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，在所述树脂层形成工序之前具备表面处理工序，该表面处理工序用剥离剂处理具有第1主面和第2主面的玻璃基板的所述第1主面，得到具有显示易剥离性的表面的剥离性玻璃基板。10.  根据权利要求9所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，在所述表面处理工序之后且所述树脂层形成工序之前，具备对所述剥离性玻璃基板实施加 热处理的加热工序。

说明书电子装置的制造方法以及玻璃层叠体的制造方法
技术领域
本发明涉及电子装置的制造方法以及玻璃层叠体的制造方法。
背景技术
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等装置(电子设备)正在薄型化、轻量化，用于这些装置的玻璃基板也正在薄板化。若由于薄板化导致玻璃基板的强度不足，则在装置的制造工序中，玻璃基板的处理性降低。
因此，一直以来，广泛采用在比最终厚度厚的玻璃基板上形成装置用构件(例如薄膜晶体管)后，通过化学蚀刻处理将玻璃基板薄板化的方法。然而，在该方法中，例如将1张玻璃基板的厚度从0.7mm薄板化至0.2mm、0.1mm的情况下，原本的玻璃基板的材料的大半会被蚀刻液去除，因此从生产率、原材料的使用效率这样的观点出发不优选。
此外，在上述的基于化学蚀刻的玻璃基板的薄板化方法中，在玻璃基板表面存在微细伤痕的情况下，有时会因蚀刻处理而以伤痕为起点形成微细的凹坑(蚀坑)、成为光学上的缺陷。
最近，为了应对上述问题，提出了下述方法：准备层叠有玻璃基板和加强板的层叠体，在层叠体的玻璃基板上形成显示装置等电子装置用构件，然后自玻璃基板分离加强板(例如参照专利文献1)。加强板具有支撑基板和固定在该支撑基板上的树脂层，树脂层与玻璃基板可剥离地密合。层叠体的树脂层与玻璃基板的界面剥离的、自玻璃基板分离的加强板可以与新的玻璃基板层叠，作为层叠体再利用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第07/018028号
发明内容
发明要解决的问题
一方面，近年来，伴随着电子装置的高性能化的要求，电子装置用构件更进一步微细化，实施的工序更加复杂化。在该状况下，也需要生产率良好地制造性能优异的电子装置。
本发明人等使用专利文献1记载的层叠体制造电子装置时，发现有时所得的电子装置的性能差。例如，制作OLED面板时，有时在该面板的驱动区域内产生显示不均。
本发明人等对上述原因进行了研究，结果发现，专利文献1记载的层叠体中的树脂层存在厚度不均(尤其在周缘部具有凸部)，这会损害玻璃基板的平坦性，结果，会降低电子装置的制造成品率。
在图9的(A)中，示出了在制作专利文献1记载的层叠体时使用的、具有支撑基板14和树脂层12的带树脂层的支撑基板24的截面图。在带树脂层的支撑基板24中的树脂层12的露出表面上层叠玻璃基板，形成层叠体。如图9的(A)所示，用专利文献1所述的方法形成的树脂层12存在厚度不均。该厚度不均在树脂层12的外周缘附近尤其显著，形成凸部80。在这样的存在厚度不均的树脂层12上层叠玻璃基板82时，玻璃基板82的中央部以凹陷方式弯曲，损害玻璃基板82的平坦性(参照图9的(B))。由于玻璃基板82的平坦性受损，因而配置在玻璃基板82上的电子装置用构件产生位置偏移等，结果，有引起电子装置的性能降低的担心。
此外，如图9的(B)所示，在这样的带树脂层的支撑基板24上层叠玻璃基板82时，玻璃基板82与树脂层12之间形成空隙84。层叠体被供于电子装置 用构件的制造工序，在玻璃基板82的露出表面上形成导电层等功能层。此时，使用抗蚀液等各种溶液。
在层叠体中存在空隙84时，各种溶液由于毛细管现象而进入空隙。进入到空隙84中的材料即使通过清洗也难以去除，在干燥后容易以杂质的形式残留。该杂质因加热处理等会成为污染电子装置用构件的污染源，因此会引起电子装置的性能降低，结果，使成品率降低。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种使用平坦性优异的带树脂层的支撑基板的、生产率优异的电子装置的制造方法。
此外，本发明的目的还在于提供该电子装置的制造方法中使用的玻璃层叠体的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，从而完成了本发明。
即，本发明的第一实施方式为电子装置的制造方法，其为包含剥离性玻璃基板和电子装置用构件的电子装置的制造方法，该制造方法具备：树脂层形成工序，在具有第1主面和第2主面且第1主面显示易剥离性的剥离性玻璃基板的第1主面上涂布固化性树脂组合物，对剥离性玻璃基板上的未固化的固化性树脂组合物层实施固化处理，形成树脂层；层叠工序，将具有比树脂层的外形尺寸更小的外形尺寸的支撑基板以在树脂层留出不与支撑基板接触的周缘区域的方式层叠在树脂层上，得到切断前层叠体；切断工序，沿切断前层叠体中的支撑基板的外周缘，切断树脂层以及剥离性玻璃基板；构件形成工序，在剥离性玻璃基板的第2主面上形成电子装置用构件，得到带电子装置用构件的层叠体；分离工序，自带电子装置用构件的层叠体分离得到具有剥离性玻璃基板和电子装置用构件的电子装置。
在第一实施方式中，优选的是，在树脂层形成工序之前具备表面处理工序，该表面处理工序用剥离剂处理具有第1主面和第2主面的玻璃基板的第1 主面，得到具有显示易剥离性的表面的剥离性玻璃基板。
此外，优选的是，在表面处理工序之后且在树脂层形成工序之前，具备对剥离性玻璃基板实施加热处理的加热工序。
进而，优选的是，剥离剂含有硅油、甲硅烷化剂或氟系化合物。
在第一实施方式中，优选的是，树脂层含有有机硅树脂。
在第一实施方式中，优选的是，在切断工序中，以载台支撑切断前层叠体中的支撑基板的主面，并且使支撑基板的外周与设置在前述载台上的定位块抵接。
在第一实施方式中，优选的是，在切断工序中，在切断前层叠体中的剥离性玻璃基板的表面形成切割线，然后沿着切割线，将切断前层叠体中的剥离性玻璃基板和树脂层各自的外周部一同割断。
本发明的第二实施方式为玻璃层叠体的制造方法，该玻璃层叠体依次具备支撑基板、树脂层和剥离性玻璃基板，该制造方法具备：树脂层形成工序，在具有第1主面和第2主面且前述第1主面显示易剥离性的剥离性玻璃基板的第1主面上涂布固化性树脂组合物，对剥离性玻璃基板上的未固化的固化性树脂组合物层实施固化处理，形成树脂层；层叠工序，将具有比树脂层的外形尺寸更小的外形尺寸的支撑基板以在树脂层留出不与前述支撑基板接触的周缘区域的方式层叠在树脂层上，得到切断前层叠体；切断工序，沿切断前层叠体中的前述支撑基板的外周缘，切断树脂层和剥离性玻璃基板。
在第二实施方式中，优选的是，在树脂层形成工序之前具备表面处理工序，该表面处理工序用剥离剂处理具有第1主面和第2主面的玻璃基板的第1主面，得到具有显示易剥离性的表面的剥离性玻璃基板。
此外，优选的是，在表面处理工序之后且树脂层形成工序之前，具备对剥离性玻璃基板实施加热处理的加热工序。
发明的效果
根据本发明，能够提供使用平坦性优异的带树脂层的支撑基板的、生产率优异的电子装置的制造方法。
此外，根据本发明，能够提供该电子装置的制造方法中使用的玻璃层叠体的制造方法。
附图说明
图1为表示本发明的电子装置的制造方法的一个实施方式的制造工序的流程图。
图2的(A)～图2的(F)为按工序顺序表示本发明的电子装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图。
图3的(A)为在层叠工序中得到的切断前层叠体的俯视图。图3的(B)为表示层叠支撑基板前的树脂层状态的部分截面图。图3的(C)为表示层叠支撑基板后的状态的比较例的部分截面图。图3的(D)为表示层叠支撑基板后的状态的本发明的部分截面图。
图4为对载置在载台上的切断前层叠体进行一部分透视来表示的平面图。
图5为对载置在载台上的切断前层叠体以及加工头进行一部分破坏来表示的截面图。
图6为表示载置在其他的载台上的切断前层叠体和挟持夹具的截面图。
图7为表示本发明的电子装置的制造方法的其他实施方式的制造工序的流程图。
图8为表示本发明的电子装置的制造方法的其他实施方式的制造工序的流程图。
图9的(A)为基于现有技术的带树脂层的支撑基板的截面图。图9的(B)为基于现有技术的层叠体的端部的部分截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的实施方式进行说明，本发明不受以下的实施方式的限制，可以在不脱离本发明的范围对以下的实施方式施以各种变形和置换。
本发明人等对专利文献1的发明的问题点进行了研究，结果发现，受到由涂布固化性树脂组合物带来的影响、空气界面的表面张力的影响，在树脂层的周缘部附近会出现凹凸。
因此，在本发明中，首先，通过在剥离性玻璃基板上使固化性树脂组合物固化而形成树脂层，使剥离性玻璃基板的表面的平坦性转印到树脂层表面，抑制了在剥离性玻璃基板与树脂层之间产生空隙。其次，通过以避开剥离性玻璃基板上的树脂层的周缘部所形成的凹凸的方式将具有比树脂层的外形尺寸小的外形尺寸的支撑基板层叠于树脂层上，从而减少树脂层的凹凸与支撑基板的接触，由此抑制了在树脂层与支撑基板之间产生空隙。其后，通过将大于支撑基板的多余的剥离性玻璃基板和树脂层的部分切断，可以得到表面的平坦性优异的具有剥离性玻璃基板的玻璃层叠体(与说明书中的切断后层叠体同义)。发现通过使用该玻璃层叠体，结果可以抑制电子装置的性能降低，并且可以提高电子装置的制造成品率。
需要说明的是，在本发明中，后述的切断前层叠体或切断后层叠体中的树脂层与支撑基板的层的界面的剥离强度比玻璃基板的层与树脂层的界面的剥离强度高，在以下也称为树脂层固定于支撑基板、树脂层与玻璃基板可剥离地密合。
<第一实施方式>
图1为表示本发明的电子装置的制造方法的一个实施方式中的制造工序的流程图。如图1所示，电子装置的制造方法具备树脂层形成工序S102、层叠工序S104、切断工序S106、构件形成工序S108、以及分离工序S110。
此外，图2为按顺序表示本发明的电子装置的制造方法中的各制造工序的示意截面图。
以下，参照图2对各工序中使用的材料以及其步骤进行详细说明。首先，对树脂层形成工序S102进行详细说明。
[树脂层形成工序]
树脂层形成工序S102为如下的工序：在具有第1主面和第2主面且第1主面显示易剥离性的剥离性玻璃基板的第1主面上涂布固化性树脂组合物，对剥离性玻璃基板上的未固化的固化性树脂组合物层实施固化处理，形成树脂层。未固化的固化性树脂组合物层与剥离性玻璃基板的显示剥离性的表面不留空隙地接触。因此，若使该固化性树脂组合物层固化，则可以得到转印了剥离性玻璃基板的平坦的表面的树脂层，并且可以抑制树脂层与剥离性玻璃基板之间产生空隙，在切断前层叠体中可抑制剥离性玻璃基板的形变等。
以下，首先，对在本工序S102中使用的构件、材料(剥离性玻璃基板、固化性树脂组合物等)进行详细说明，其后对本工序S102的步骤进行详细说明。
(剥离性玻璃基板)
剥离性玻璃基板为具有第1主面和第2主面的板状基板，且其第1主面显示易剥离性。显示易剥离性的第1主面与后述的树脂层可剥离地密合，在与树脂层密合侧相反的一侧的第2主面设置有电子装置用构件。
如图2的(A)所示，剥离性玻璃基板10是指具有对后述的树脂层显示易剥离性的表面10a的玻璃基板。需要说明的是，剥离性玻璃基板的表面所具有的易剥离性是指如下的性质：施加用于自后述的切断后层叠体将剥离性玻璃基板剥离的外力时，在支撑基板与树脂层的界面以及树脂层内部不会发生剥离，在剥离性玻璃基板与树脂层的界面发生剥离的性质。
更具体而言，剥离性玻璃基板的显示易剥离性的表面是指水接触角显示 70°以上的表面。若水接触角为70°以上，则能够容易进行与所形成的树脂层的剥离。其中，从剥离性玻璃基板与树脂层的界面的剥离更容易进行的方面出发，水接触角更优选为90°以上、水接触角若为100°以上则进一步优选。对水接触角的上限没有特别的限制，从在剥离性玻璃基板上容易形成具有规定厚度的固化性树脂组合物的层的方面出发，水接触角优选为150°以下。
若使用的玻璃基板的表面在上述范围内，则能够作为剥离性玻璃基板适宜地使用。需要说明的是，即使在玻璃基板的接触角为上述范围外的情况下，也可以通过实施后述的表面处理工序，来调整其表面的水接触角。
需要说明的是，水接触角的测定可以使用接触角计(Kyowa Interface Science Co.,Ltd.制造、便携式接触角计PCA-1等)进行。
从树脂层的平坦性更优异的方面出发，剥离性玻璃基板的显示易剥离性的表面的表面粗糙度Ra优选为2.0nm以下、更优选为1.0nm以下、进一步优选为0.5nm以下。对下限没有特别的限制，特别优选为0nm。
需要说明的是，表面粗糙度Ra的测定可以使用原子力显微镜(Pacific Nanotechnology Corporation制造，Nano Scope IIIa；Scan Rate 1.0Hz，Sample Lines256，Off-line Modify Flatten order-2、Planefit order-2等)，依据JIS B 0601(2001)进行。
对剥离性玻璃基板的尺寸没有特别的限制，根据使用的电子装置的用途而适当选择最佳的尺寸，但从处理的容易性的方面出发，优选长350～3500mm×宽300～3000mm左右。
剥离性玻璃基板的线膨胀系数较大时，构件形成工序S108大多伴随加热处理，因此容易产生各种不良。例如，在剥离性玻璃基板上形成TFT时，若对在加热下形成了TFT的剥离性玻璃基板进行冷却，则有因剥离性玻璃基板的热收缩而使TFT的位置偏移变得过大的担心。
对剥离性玻璃基板的玻璃没有特别的限制，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅 酸玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃、其他以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40～90质量％的玻璃。
作为剥离性玻璃基板的玻璃，可采用适合电子装置用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如，碱金属成分的溶出容易对液晶产生影响，因此液晶面板用的玻璃基板由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)制成(其中，通常包含碱土类金属成分)。这样，玻璃基板的玻璃可基于所应用的装置的种类以及其制造工序来适当地选择。
对剥离性玻璃基板的厚度没有特别的限制，从剥离性玻璃基板的薄型化和/或轻量化的观点出发，通常0.8mm以下是优选的，更优选为0.3mm以下，进一步优选为0.15mm以下。超过0.8mm的情况下，无法满足剥离性玻璃基板的薄型化和/或轻量化的要求。0.3mm以下的情况下，能够对剥离性玻璃基板赋予良好的挠性。0.15mm以下的情况下，能够将剥离性玻璃基板卷绕成卷状。此外，从剥离性玻璃基板的制造容易、剥离性玻璃基板的处理容易等理由出发，剥离性玻璃基板的厚度优选为0.03mm以上。
(固化性树脂组合物)
本工序S102中使用的固化性树脂组合物为可形成树脂层(密合性树脂层)的组合物。
作为固化性树脂组合物中含有的固化性树脂，只要其固化膜具有能够与对象物可剥离地密合的密合性即可，可使用公知的固化性树脂(例如，热固化性组合物、光固化性组合物等)。例如，可以举出：固化性丙烯酸类树脂、固化性聚氨酯树脂、固化性有机硅等。也可混合几种固化性树脂使用。其中优选固化性有机硅。这是因为将固化性有机硅固化而得的有机硅树脂的耐热性、剥离性优异。
作为固化性树脂组合物，优选固化性有机硅树脂组合物(尤其优选在剥 离纸用中使用的固化性有机硅树脂组合物)。使用该固化性有机硅树脂组合物形成的树脂层与后述的支撑基板表面密合并且其自由表面具有优异的易剥离性，故优选。
这种成为剥离纸用有机硅树脂的固化性有机硅根据其固化机理，可分类为缩合反应型有机硅、加成反应型有机硅、紫外线固化型有机硅以及电子射线固化型有机硅，任意种均可使用。这些当中，优选加成反应型有机硅。这是因为固化反应的容易程度、形成树脂层时剥离性的程度良好、耐热性也高。
加成反应型有机硅树脂组合物含有主剂和交联剂，为在铂系催化剂等催化剂的存在下固化的固化性的组合物。加成反应型有机硅树脂组合物的固化通过加热处理得到促进。加成反应型有机硅树脂组合物中的主剂优选为具有与硅原子键合的烯基(乙烯基等)的有机聚硅氧烷(即，有机烯基聚硅氧烷。其中优选为直链状)，烯基等成为交联点。加成反应型有机硅树脂组合物中的交联剂优选为具有与硅原子键合的氢原子(硅氢基)的有机聚硅氧烷(即，有机氢聚硅氧烷。需要说明的是，优选直链状)，硅氢基等成为交联点。
加成反应型有机硅树脂组合物通过主剂与交联剂的交联点进行加成反应来固化。
需要说明的是，从源自交联结构的耐热性更优异的方面出发，优选有机氢聚硅氧烷的与硅原子键合的氢原子和有机烯基聚硅氧烷的烯基的摩尔比为0.5～2。
此外，为了形成剥离纸等的剥离层而使用的固化性有机硅树脂组合物在形态上有溶剂型、乳液型以及无溶剂型，可使用任意种类型。这些当中，优选无溶剂型。这是因为生产率、安全性、环境特性的方面优异。此外因为，不含在形成后述的树脂层时的固化时、即加热固化、紫外线固化或电子射线固化时会产生发泡的溶剂，因而树脂层中不易残留气泡。
此外，作为为了形成剥离纸等的剥离层而使用的固化性有机硅树脂组合 物，具体而言，作为市售的商品名或型号可以举出：KNS-320A、KS-847(均为Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)、TPR6700(Momentive Performance Materials Inc.制造)、乙烯基有机硅“8500”(荒川化学工业株式会社制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业株式会社制造)的组合、乙烯基有机硅“11364”(荒川化学工业株式会社制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业株式会社制造)的组合、乙烯基有机硅“11365”(荒川化学工业株式会社制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业株式会社制造)的组合等。
需要说明的是，KNS-320A、KS-847以及TPR6700为预先含有主剂和交联剂的固化性有机硅树脂组合物。
(工序S102的步骤)
首先，对在剥离性玻璃基板的显示易剥离性的表面上涂布固化性树脂组合物的方法没有特别的限制，可采用公知的方法。例如，作为涂布方法，可以举出：喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。可以根据固化性树脂组合物的种类从这样的方法中适当地选择。
此外，对固化性树脂组合物的涂布量没有特别的限制，从可获得树脂层的适宜的厚度的方面出发，优选为1～100g/m2，更优选为5～20g/m2。
需要说明的是，固化性树脂组合物中含有溶剂的情况下，根据需要，可以进行不会使固化性树脂固化的程度的加热处理，使溶剂挥发。
对将固化性树脂组合物涂布在剥离性玻璃基板上而得到的未固化的固化性树脂组合物层的厚度没有特别的限制，可以适当地调整以得到具有后述的适宜的厚度的树脂层。
需要说明的是，优选在后述的固化处理之前将未固化的固化性树脂组合物层静置规定时间。通过静置，未固化的固化性树脂组合物层的表面的平坦 性提高，可以形成凹凸更少的树脂层。
对静置的条件没有特别的限制，优选的是，在10～50℃、优选为15～30℃下静置10～300秒、优选为30～180秒。
接着，使形成在剥离性玻璃基板上的未固化的固化性树脂组合物层固化的方法可根据使用的固化性树脂的种类而适当选择最佳的方法，通常进行加热处理或曝光处理。
在固化性树脂组合物层中含有的固化性树脂为热固性的情况下，可以通过对未固化的固化性树脂组合物层实施加热处理而使该层固化。加热处理的条件根据使用的热固性树脂的种类而适当选择最佳的条件。其中，从固化性树脂的固化速度以及形成的树脂层的耐热性等方面出发，优选在150～300℃(优选为180～250℃)下进行10～120分钟(优选为30～60分钟)加热处理。
固化性树脂组合物层中含有的固化性树脂为光固化性树脂的情况下，可以通过对未固化的固化性树脂组合物层实施曝光处理而使该层固化。曝光处理时所照射的光的种类可以根据光固化性树脂的种类适当选择，例如可以举出：紫外光、可见光、红外光等。此外，从固化性树脂的固化速度以及形成的树脂层的耐光性等方面出发，曝光处理时的照射时间优选0.1～10分钟(优选为0.5～5分钟)。
(树脂层)
通过经过上述工序，如图2的(B)所示，在剥离性玻璃基板10的显示剥离性的表面10a上形成树脂层12。
树脂层12的外形尺寸与剥离性玻璃基板10的外形尺寸为相同大小、或者比其小。
对树脂层的厚度没有特别的限制，优选为1～100μm，更优选为5～30μm，进一步优选为7～20μm。这是因为，若树脂层的厚度为这样的范围，则树脂层与支撑基板的密合变得充分。此外因为，即使在树脂层与支撑基板之间夹 杂气泡、杂质，也能够抑制剥离性玻璃基板的变形缺陷的产生。此外，若树脂层的厚度过厚，则在形成中需要时间和材料，故不经济。
需要说明的是，树脂层可以由2层以上形成。该情况下“树脂层的厚度”是指全部层的总厚度。
此外，树脂层由2层以上形成的情况下，形成的各个层的树脂的种类可以不同。
树脂层优选由玻璃化转变温度比室温(25℃左右)低、或不具有玻璃化转变温度的材料形成。这是因为，能够更容易地与剥离性玻璃基板剥离，同时与剥离性玻璃基板的密合也变得充分。
对形成树脂层的树脂的种类没有特别的限制，很据上述固化性树脂组合物含有的树脂的种类而不同。例如可以举出：丙烯酸类树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂、或有机硅树脂。其中，如上所述，优选有机硅树脂。也就是说，优选树脂层为有机硅树脂层。
需要说明的是，树脂层根据需要可以含有非固化性的有机聚硅氧烷，其含量具体而言可以列举出5质量％以下(0～5质量％)，优选为0.01～1质量％。若在树脂层中含有非固化性的有机聚硅氧烷，则后述的分离工序S110中的剥离性玻璃基板与树脂层的界面的剥离会更有效地进行。
对使树脂层含有该非固化性的有机聚硅氧烷的方法没有特别的限制，可以举出添加在上述的固化性树脂组合物中的方法。
需要说明的是，作为非固化性的有机聚硅氧烷，可以举出不含Si-H键的硅油、具体而言为聚二甲基硅氧烷系或聚甲基苯基硅氧烷系的硅油等。
[层叠工序]
层叠工序S104为如下的工序：将具有比树脂层的外形尺寸更小的外形尺寸的支撑基板以在树脂层留出不与支撑基板接触的周缘区域的方式层叠在树脂层上，得到切断前层叠体(实施切断处理前的层叠体)。换言之，支撑 基板以在支撑基板的外周露出树脂层的方式层叠在树脂层上。
更具体而言，如图2的(C)所示，通过本工序S104，将比树脂层12的外形尺寸更小的支撑基板14以在树脂层12形成不与支撑基板14接触的周缘区域12a的方式层叠在树脂层12上，得到切断前层叠体16。图3的(A)为切断前层叠体16的俯视图，如该图所示，树脂层12的周缘区域12a不与支撑基板14接触。换言之，树脂层12的表面具有沿着整周而不与支撑基板14接触的外周部。
通常，在树脂层12的露出表面，由于其表面张力的影响而容易在周缘部附近产生凸部(参照图3的(B))。在树脂层12上层叠支撑基板14时，若支撑基板14与这样的凸部接触，则有时会在支撑基板14与树脂层12之间产生空隙28等，结果，有时会产生支撑基板14与树脂层12不接触的区域(图3的(C))。若存在这样的区域，则也有时产生树脂层12的厚度不均，还可成为在带树脂层的支撑基板的露出表面出现表面凹凸的原因。此外，杂质进入到该空隙28中，可成为污染电子装置用构件的污染源，也可成为使电子装置的成品率降低的原因。进而，在层叠电子装置用构件的剥离性玻璃基板10的露出表面产生表面凹凸，会产生引起配置在剥离性玻璃基板10上的电子装置用构件的位置偏移等的担心。
因此，如图3的(D)所示，通过使用具有比树脂层12的外形尺寸更小的外形尺寸的支撑基板14，可以使支撑基板14与树脂层12接触而不与该凸部接触。结果，树脂层12对支撑基板14的密合性更优异，并且树脂层12的厚度不均、空隙28的产生得到进一步抑制。
首先，对在本工序S104中使用的支撑基板进行详细说明，其后对该工序S104的步骤进行详细说明。
(支撑基板)
支撑基板为在后述的构件形成工序S108(制造电子装置用构件的工序) 中在电子装置用构件的制造时防止剥离性玻璃基板的变形、损伤、破损等的基板。
作为支撑基板，例如可以使用玻璃板、塑料板、SUS板等金属板等。在构件形成工序S108伴随热处理的情况下，优选支撑基板由与剥离性玻璃基板的线膨胀系数的差值小的材料形成，更优选由与剥离性玻璃基板同样的材料形成，支撑基板优选为玻璃板。尤其优选支撑基板为由与剥离性玻璃基板相同的玻璃材料形成的玻璃板。
支撑基板的厚度可以比剥离性玻璃基板厚、也可以比其薄。优选的是，根据剥离性玻璃基板的厚度、树脂层的厚度、以及后述的切断后层叠体的厚度选择支撑基板的厚度。例如，目前的液晶显示面板的构件形成工序以使用厚度0.5～0.7mm的玻璃基板来制造面板的方式而设计。此时，若剥离性玻璃基板的厚度与树脂层的厚度的和为0.1mm，则将支撑基板的厚度设为0.4～0.6mm即可。支撑基板的厚度在通常的情况下优选为0.2～5.0mm。
对支撑基板的尺寸没有特别的限制，从处理性的容易程度方面出发，优选为长350～3500mm×宽300～3000mm左右。
支撑基板为玻璃板的情况下，从易处理、不易破裂等理由出发，玻璃板的厚度优选为0.08mm以上。此外，从期望在电子装置用构件形成后进行剥离时具有不会破裂而适度挠曲这样的刚性的理由出发，玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。
剥离性玻璃基板与支撑基板在25～300℃下的平均线膨胀系数(以下，简称为“平均线膨胀系数”)的差值优选为500×10-7/℃以下，更优选为300×10-7/℃以下，进一步优选为200×10-7/℃以下。若差值过大，则有在构件形成工序S108中的加热冷却时层叠体严重翘曲的担心。在剥离性玻璃基板的材料与支撑基板的材料相同的情况下，能够抑制这种问题的产生。
需要说明的是，为了提高支撑基板与树脂层的粘接强度，可以对与支撑 基板的树脂层接触的表面实施电晕处理等活化处理。
(工序的步骤)
对将支撑基板层叠在树脂层上的方法没有特别的限制，可以采用公知的方法。
例如，可以举出在常压环境下在树脂层的表面上重叠支撑基板的方法。需要说明的是，根据需要，可以在树脂层的表面上重叠支撑基板后，使用辊、压机将支撑基板压接在树脂层上。通过利用辊或压机的压接，可以较容易地去除树脂层与支撑基板的层之间混入的气泡，故优选。
若通过真空层压法、真空压制法进行压接，则能抑制气泡混入、确保良好的密合，故更优选。通过在真空下进行压接，还有如下的优点：即使在残留微小气泡的情况下也不会因加热而引起气泡成长、不易导致支撑基板的变形缺陷。
在层叠支撑基板时，优选的是，充分清洗与树脂层接触的支撑基板的表面，在洁净度高的环境下层叠。洁净度越高，支撑基板的平坦性越良好，故优选。
通过上述工序得到的切断前层叠体中，依次包含剥离性玻璃基板的层、树脂层和支撑基板的层。
在该实施方式中，树脂层的外形尺寸比支撑基板的外形尺寸大。树脂层的与支撑基板接触的区域的面积A和树脂层的总面积B之比(面积A/总面积B)优选为0.98以下，更优选为0.95以下。若在上述范围内，则可进一步抑制树脂层的厚度不均的产生。对下限没有特别的限制，从生产率等方面出发，优选为0.75以上，更优选为0.80以上。
在树脂层上层叠支撑基板时，只要以在树脂层上留出不与支撑基板接触的周缘区域的方式层叠在树脂层上即可，从能够进一步抑制支撑基板的变形的方面出发，更具体而言，优选在距树脂层的外周缘10mm以内(更优选在 15mm以内，特别优选在20mm以内)的区域不贴附支撑基板。换言之，在自树脂层的外周缘在规定的树脂层上层叠支撑基板时，自支撑基板的外周缘到树脂层的外周缘的长度优选为超过10mm，更优选为超过15mm，特别优选为超过20mm。若在上述范围内，则能进一步抑制树脂层的周缘部产生的凸部与支撑基板的接触。需要说明的是，对自支撑基板的外周缘到树脂层的外周缘的长度的上限没有特别的限制，从生产率等方面出发，优选为100mm以下。
(切断前层叠体)
通过上述工序S104而得到的切断前层叠体依次具有剥离性玻璃基板的层、树脂层和支撑基板的层。
在得到的切断前层叠体中，树脂层固定(粘接)在支撑基板上，此外，可剥离地密合于剥离性玻璃基板。树脂层防止剥离性玻璃基板的位置偏移直至在后述的分离工序S110中进行将剥离性玻璃基板和带树脂层的支撑基板分离的操作为止。
剥离性玻璃基板的与树脂层接触的表面与树脂层的表面可剥离地密合。在本发明中，将该剥离性玻璃基板的能够容易地剥离的性质称为易剥离性。
在本发明中，上述固定与(可剥离地)密合在剥离强度(即，剥离所需的应力)上不同，固定是指相对于密合而言剥离强度更大。具体而言，切断前层叠体中的树脂层与支撑基板的层的界面的剥离强度比剥离性玻璃基板的层与树脂层的界面的剥离强度大。
此外，可剥离地密合是指，在可剥离的同时，可以不使固定面产生剥离地进行剥离。具体而言是指，在切断前层叠体中，进行将剥离性玻璃基板和支撑基板分离的操作的情况下，在密合的面上发生剥离，在固定的面上不发生剥离。因此，若进行将切断前层叠体分离成剥离性玻璃基板与支撑基板的操作，则切断前层叠体被分离成剥离性玻璃基板和带树脂层的支撑基板这两者。
如上所述，未固化的固化性树脂组合物层在也与剥离性玻璃基板接触的状态下反应固化，但由于剥离性玻璃基板表面的易剥离性(非附着性)，所形成的树脂层与剥离性玻璃基板以来自固体分子间的范德华力的结合力等弱结合力进行密合。相对于此，所形成的树脂层与层叠的支撑基板较强地粘接。
[切断工序]
切断工序S106为沿上述层叠工序S104中得到的切断前层叠体中的支撑基板的外周缘切断树脂层以及剥离性玻璃基板的工序。换言之，是将切断前层叠体中的树脂层以及剥离性玻璃基板各自的外周部切断，使支撑基板、树脂层、以及剥离性玻璃基板各自的外周缘的整周对齐的工序。更具体而言，如图2的(D)所示，通过本工序S106，沿着支撑基板14的外周缘，树脂层12以及剥离性玻璃基板10被切断，得到切断后层叠体18(实施了切断处理的层叠体。本说明书中与玻璃层叠体同义)。
以下，对本工序S106的步骤进行详细说明。
对切断树脂层以及剥离性玻璃基板的方法没有特别的限制，可以采用公知的方法。例如，从处理性等方面出发，基于图4～图6进行说明的切断方法是优选的。
图4为对载置在载台上的切断前层叠体进行一部分透视来表示的平面图，图5为对载置在载台上的切断前层叠体以及加工头进行一部分破坏来表示的截面图，图6为表示载置在其他的载台上的切断前层叠体以及挟持夹具的截面图。
如图4所示，切断前层叠体16的支撑基板14的主面被载台50支撑，并且支撑基板14的外周缘与设置在载台50上的定位块51～53抵接。
在图4中，支撑基板14的露出表面被载台50的上表面支撑，并且矩形状的支撑基板14的相互垂直的两边14a以及14b与定位块51～53抵接。其后，移 动块54、55接近并抵接于支撑基板14的剩余的各边14c、14d。
如图4所示，若支撑基板14的外周缘与定位块51～53抵接，则支撑基板14的外周缘与载台50的位置匹配精度变得良好。因此，支撑基板14的外周缘可与树脂层12以及剥离性玻璃基板10的外周缘精度良好地对齐。
此外，对设置在载台50的上表面的多个吸附孔内用真空泵等进行减压，将支撑基板14吸附在载台50的上表面。在载台50的上表面，为了保护支撑基板14，可以设置树脂膜等。
接着，拍摄装置对载台50上的切断前层叠体16进行拍摄。拍摄得到的图像被发送至计算机。计算机对接收到的图像进行图像处理，检测支撑基板14的外周缘与载台50的位置关系。
接着，计算机基于图像处理的结果，使对切断前层叠体16进行加工的加工头60相对于载台50相对移动。加工头60的移动轨迹被控制为在俯视时与支撑基板14的外周缘重合(参照图5)。
需要说明的是，在本实施方式中，计算机为了控制加工头的移动轨迹而利用图像处理的结果，但也可以代替其而利用硬盘等存储介质等中预先存储的支撑基板的形状尺寸相关的信息。此时，不需要拍摄装置。
如图5所示，加工头60根据剥离性玻璃基板10的种类、厚度等来构成。例如，加工头60在剥离性玻璃基板10的表面形成切割线66，由切割器62等构成。
切割器62例如为圆板状，外周部由金刚石、超合金等形成，支架64可旋转地进行支撑。在将切割器62的外周部压向剥离性玻璃基板10的表面的状态下，使支架64在剥离性玻璃基板10的面内方向相对移动时，切割器62一边旋转一边在剥离性玻璃基板10的表面形成切割线66。
切割线66与矩形状的支撑基板14的四边14a、14b、14c、14d对应，设置四条，分别以在俯视时与支撑基板14的对应边重合的方式形成。各切割线66 以分断剥离性玻璃基板10的表面的方式从剥离性玻璃基板10的一边拉伸至其他边。
需要说明的是，图5示出的本实施方式的加工头60由切割器62等构成，但也可以是先端为圆锥形状且由金刚石形成、通过滑动切入切割线的尖端划线针(point scriber)，也可以由激光光源等构成。激光光源对剥离性玻璃基板10的表面照射点光。点光在剥离性玻璃基板10的表面上扫描，通过热应力形成切割线66。
通过加工头60形成切割线66后，真空泵停止动作，吸引孔内向大气开放，解除吸引。接着，移动块54、55从支撑基板14离开，并且支撑基板14从定位块51～53离开。其后，切断前层叠体16被抬升至载台50的上方，移送至其他的载台70的上方。接着，切断前层叠体16被降至下方，载置于载台70(参照图6)。
接着，如图6所示，对设置在载台70的上表面的多个吸引孔内用真空泵等进行减压，将支撑基板14吸附在载台70的上表面。在该状态下，在载台70的外侧露出一条切割线66。
接着，在板厚方向上用挟持夹具72挟持比一条切割线66更靠外侧的部分。在该状态下，挟持夹具72向下方向转动时，向剥离性玻璃基板10以及树脂层12施加弯曲应力，因此以1条切割线66作为起点，裂缝68在板厚方向上延伸扩展，剥离性玻璃基板10以及树脂层12被一同割断(参照图6)。
接着，解除载台50上的支撑基板14的吸附，切断前层叠体16平行移动或90°转动后，再次被吸附。其后，沿着其他的一条切割线66将剥离性玻璃基板10以及树脂层12割断。重复该操作，沿着四条切割线66将剥离性玻璃基板10以及树脂层12割断。
需要说明的是，在本实施方式中，为了进行割断，将切断前层叠体16从载台50移送到其他的载台70，但也可以在同一载台50上平行移动或90°转动 后进行割断。此外，根据需要可以对割断部实施倒角处理。
[构件形成工序]
构件形成工序S108为在上述切断工序S106中得到的切断后层叠体中的剥离性玻璃基板的第2主面上形成电子装置用构件，得到带电子装置用构件的层叠体的工序。
更具体而言，如图2的(E)所示，在剥离性玻璃基板10的第2主面10b上形成电子装置用构件20，得到带电子装置用构件的层叠体22。
首先，对在本工序S108中使用的电子装置用构件进行详细说明，其后对工序S108的步骤进行详细说明。
(电子装置用构件(功能性元件))
电子装置用构件形成在切断后层叠体中的剥离性玻璃基板的第2主面上，为构成电子装置的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子装置用构件，可以举出：显示装置用面板、太阳能电池、薄膜2次电池、或在表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件等中使用的构件。作为显示装置用面板，包括有机EL面板、等离子体显示面板、场致发射面板等。
例如，作为太阳能电池用构件，对于硅型，可以举出：正极的氧化锡等透明电极、以p层/i层/n层表示的硅层、以及负极的金属等，其他可以举出：与化合物型、染料敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
此外，作为薄膜2次电池用构件，对于锂离子型，可以举出：正极以及负极的金属或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为封装层的树脂等，其他可以举出：与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
此外，作为电子部件用构件，对于CCD、CMOS，可以举出：导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等，其他可以举出：与压力传感器·加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、柔性印刷基板、刚性柔性印刷基板等 对应的各种构件等。
(工序的步骤)
对上述的带电子装置用构件的层叠体的制造方法没有特别的限制，根据电子装置用构件的构成构件的种类用现有公知的方法，在切断后层叠体的剥离性玻璃基板的第2主面表面上形成电子装置用构件。
需要说明的是，电子装置用构件可以不是在剥离性玻璃基板的第2主面最终形成的构件的全部(以下称为“全部构件”)，而是全部构件的一部分(以下称为“部分构件”)。也可以将自树脂层剥离的带部分构件的剥离性玻璃基板在其后的工序中制成带全部构件的剥离性玻璃基板(相当于后述的电子装置)。
此外，也可以组装带全部构件的层叠体，其后自带全部构件的层叠体剥离带树脂层的支撑基板来制造电子装置。进而，也可以使用两张带全部构件的层叠体组装电子装置，其后自带全部构件的层叠体剥离两张带树脂层的支撑基板来制造电子装置。
例如，以制造OLED的情况为例时，为了在切断后层叠体的剥离性玻璃基板的树脂层侧的相反侧的表面上(相当于剥离性玻璃基板的第2主面)形成有机EL结构体，进行如下的各种层形成、处理：形成透明电极、进而在形成了透明电极的面上蒸镀空穴注入层·空穴输送层·发光层·电子输送层等、形成背面电极、使用封装板封装等。作为这些层形成、处理，具体而言，例如可以举出：成膜处理、蒸镀处理、封装板的粘接处理等。
此外，例如，TFT-LCD的制造方法具有下述等各种工序：TFT形成工序，在切断后层叠体的剥离性玻璃基板的第2主面上，使用抗蚀液，在通过CVD法以及溅射法等一般的成膜法形成的金属膜以及金属氧化膜等上进行图案形成，来形成薄膜晶体管(TFT)；CF形成工序，在其他的切断后层叠体的玻璃基板的第2主面1上，在图案形成中使用抗蚀液，形成滤色器(CF)；贴 合工序，将TFT形成工序中得到的带TFT的层叠体和CF形成工序中得到的带CF的层叠体以TFT与CF相对的方式借助封装剂(seal)层叠。
在TFT形成工序、CF形成工序中，使用众所周知的光刻技术、蚀刻技术等，在剥离性玻璃基板的第2主面形成TFT、CF。此时，可以使用抗蚀液作为图案形成用的涂布液。
需要说明的是，在形成TFT、CF之前，根据需要，可以清洗剥离性玻璃基板的第2主面。作为清洗方法，可以使用众所周知的干式清洗、湿式清洗。
在贴合工序中，例如在带TFT的层叠体与带CF的层叠体之间注入液晶材料来层叠。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴加注入法。
[分离工序]
分离工序S110为如下的工序：自上述构件形成工序S108中得到的带电子装置用构件的层叠体，以剥离性玻璃基板与树脂层的界面作为剥离面，去除具有树脂层以及支撑基板的带树脂层的支撑基板，得到具有剥离性玻璃基板和电子装置用构件的电子装置。更具体而言，如图2的(F)所示，通过该工序S110，自带电子装置用构件的层叠体22分离·去除带树脂层的支撑基板24，得到包括剥离性玻璃基板10和电子装置用构件20的电子装置26。
剥离时的剥离性玻璃基板上的电子装置用构件为必要的全部构成构件的形成的一部分的情况下，也可以分离后在剥离性玻璃基板上形成剩余的构成构件。
对将剥离性玻璃基板与树脂层剥离的方法没有特别的限制。具体而言，例如可以在剥离性玻璃基板与树脂层的界面插入锐利的刀具状的物件，制造剥离起点，进而吹送水与压缩空气的混合流体等来剥离。优选的是，以带电子装置用构件的层叠体中的支撑基板成为上侧、电子装置用构件成为下侧的方式设置在平台上，将电子装置用构件侧真空吸附在平台上，在该状态下，首先使刀具侵入剥离性玻璃基板与树脂层的界面。其后用多个真空吸盘吸附 支撑基板侧，自插入刀具的位置附近起依次使真空吸盘上升。这样，在剥离性玻璃基板与树脂层的界面形成空气层，该空气层扩展至界面的整面，可以将带树脂层的支撑基板容易地剥离。
此外，在自带电子装置用构件的层叠体去除带树脂层的支撑基板时，通过利用离子发生器的吹送、控制湿度，可以抑制有可能会影响电子装置的静电。或者，可以在电子装置中组装消耗静电的电路、或者组装牺牲性电路而从端子部导通至层叠体的外部。
通过上述工序得到的电子装置适宜于在手机、PDA这样的移动终端使用的小型显示装置的制造。显示装置主要为LCD或OLED，作为LCD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上可以应用于无源驱动型、有源驱动型中的任意显示装置的情况。
此外，可以对电子装置中的剥离性玻璃基板的显示易剥离性的表面实施常压等离子体处理等，以使水接触角变小的方式改变表面的性状。
<第二实施方式>
图7为示出本发明的电子装置的制造方法的其他实施方式中的制造工序的流程图。如图7所示，电子装置的制造方法具备表面处理工序S112、树脂层形成工序S102、层叠工序S104、切断工序S106、构件形成工序S108、以及分离工序S110。
图7中示出的各工序除了具备表面处理工序S112这点之外，与图1示出的工序是同样的步骤，对同样的工序标记同样的参照符号，省略其说明，以下主要对表面处理工序S112进行说明。
[表面处理工序]
表面处理工序S112为如下的工序：用剥离剂处理具有第1主面和第2主面的玻璃基板的第1主面，得到具有显示易剥离性的表面的剥离性玻璃基板。通过实施该工序S112，可以对各种玻璃基板赋予易剥离性表面。
首先，对在本工序中使用的玻璃基板以及剥离剂进行详细说明，其后对该工序S102的步骤进行详细说明。
(玻璃基板)
玻璃基板为具有第1主面和第2主面的板状基板，其第1主面通过剥离剂进行了表面处理。经表面处理的、显示易剥离性的第1主面与后述的树脂层可剥离地密合，在与树脂层密合侧的相反侧的第2主面设置电子装置用构件。
玻璃基板的种类可以为一般的种类，例如可以举出LCD、OLED这样的显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板的耐化学药品性、耐透湿性优异，并且热收缩率低。作为热收缩率的指标，可以使用JIS R 3102(1995年修正)中规定的线膨胀系数。
玻璃基板可以将玻璃原料熔融并将熔融玻璃成型为板状而得到。这样的成型方法可以为一般的成型方法，例如可以使用浮法、熔融法、流孔下引法(slot down draw process)、弗克法(fourcault process)、鲁伯法(Lubbers process)等。此外，尤其是厚度薄的玻璃基板，是利用将暂时成型为板状的玻璃加热至可成型的温度、通过拉伸等方法拉伸变薄的方法(平拉法)成型而得的。
对玻璃基板的玻璃没有特别的限制，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃、其他以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40～90质量％的玻璃。
作为玻璃基板的玻璃，可采用适合电子装置用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如，由于碱金属成分的溶出容易对液晶产生影响，因此液晶面板用的玻璃基板由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)形成(其中，通常包含碱土类金属成分)。这样，玻璃基板的玻璃可根据所应用的装置的种类以及其制造工序来适当地选择。
玻璃基板的厚度以及尺寸与上述剥离性玻璃基板的厚度以及尺寸为相 同含义。
需要说明的是，玻璃基板可以由2层以上形成，在该情况下，形成各个层的材料可为同种材料，也可以为不同种材料。此外，此时，“玻璃基板的厚度”是指所有层的总厚度。
(剥离剂)
作为剥离剂可以使用公知的剥离剂，例如可以举出：有机硅系化合物(例如硅油等)、甲硅烷化剂(例如六甲基二硅氮烷等)、氟系化合物(例如氟树脂等)等。剥离剂可以以乳液型·溶剂型·无溶剂型的形式使用。从剥离力、安全性、成本等出发，作为适宜的例子之一，可以举出含有甲基甲硅烷基(≡SiCH3、＝Si(CH3)2、-Si(CH3)3中的任意者)或氟代烷基(-CmF2m+1)(m优选为1～6的整数)的化合物，作为其他适宜的例子，可以举出有机硅系化合物或氟系化合物，特别优选硅油。
对硅油的种类没有特别的限制，可以举出：二甲基硅油、甲基苯基硅油、甲基氢硅油等直链硅油、在直链硅油的侧链或末端导入了烷基、氢基、环氧基、氨基、羧基、聚醚基、卤素基等而得到的改性硅油。作为直链硅油的具体例子，可以举出：甲基氢聚硅氧烷、二甲基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、二苯基聚硅氧烷等，耐热性按列出的顺序增加，耐热性最高的是二苯基聚硅氧烷。这些硅油一般而言被用于玻璃基板、经底漆处理的金属基板等基板的表面的疏水处理。
硅油从使其结合于玻璃基板的被处理表面的处理的效率性的观点出发，优选在25℃下的运动粘度为5000mm2/s以下，更优选为500mm2/s以下。对运动粘度的下限没有特别的限制，考虑到处理方面、成本而优选为0.5mm2/s以上。
上述硅油中，从与树脂层的剥离性良好的方面出发，优选直链硅油，尤其从赋予高剥离性方面出发，优选二甲基聚硅氧烷。此外，在需要剥离性并 且尤其需要耐热性的情况下，优选甲基苯基聚硅氧烷或二苯基聚硅氧烷。
对氟系化合物的种类没有特别的限制，可以举出：全氟烷基铵盐、全氟烷基磺酰胺、全氟烷基磺酸盐(例如全氟烷基磺酸钠)、全氟烷基钾盐、全氟烷基羧酸盐、全氟烷基环氧乙烷加成物、全氟烷基三甲基铵盐、全氟烷基氨基磺酸盐、全氟烷基磷酸酯、全氟烷基化合物、全氟烷基甜菜碱、全氟烷基卤素化合物等。需要说明的是，作为含氟代烷基(CmF2m+1)的化合物，例如可以举出上述氟系化合物的例示化合物中具有氟代烷基的化合物。m的上限在剥离性能上没有特别的限制，从处理上的安全性更优异的方面出发，优选m为1～6的整数。
(工序S112的步骤)
玻璃基板的表面的处理方法可根据使用的剥离剂而适当地选择最佳的方法。通常，通过将剥离剂赋予(例如涂布)在玻璃基板的第1主面的表面来进行处理。
例如，在使用硅油的情况下，可以举出将硅油涂布在玻璃基板表面的方法。其中，涂布硅油后，优选进行使硅油结合于玻璃基板的被处理表面的处理。使硅油结合于被处理表面的处理是切断硅油的分子链这样的处理，被切断的断片结合于被处理表面(以下将该处理称为硅油的低分子化)。
硅油的涂布方法可以是一般的方法。例如可以根据硅油的种类、涂布量等从喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法、刮板涂布法(squeegee coating)等中适当选择。
作为涂布液，理想的是，使用以己烷、庚烷、二甲苯、异链烷烃、酮类等溶剂将硅油稀释至5质量％以下而得到的溶液。若超过5质量％，则低分子化的处理时间过长。
涂布液所含的溶剂可以根据需要通过加热和/或减压干燥等方法去除。也可以通过低分子化工序中的加热去除。
硅油的涂布量优选为0.1～10μg/cm2。若为0.1μg/cm2以上，则从剥离性更优异的方面出发优选，若为10μg/cm2以下，则从涂布液的涂布性以及低分子化处理性更优异的方面出发优选。
将硅油低分子化的方法可以使用一般的方法，例如有通过光分解、热分解来切断硅油的硅氧烷键的方法。在光分解中可以利用从低压汞灯、氙弧灯等照射的紫外线，并组合使用通过大气中的紫外线照射产生的臭氧。热分解可以在间歇炉、传送炉等中进行，也可以利用等离子体、电弧放电等。
若硅油的硅氧烷键或硅原子与碳原子的键被切断，则产生的活性点会与被处理表面的羟基等活性基团反应。其结果，被处理表面中的甲基等疏水性的官能团的密度变高，亲水性的极性基团的密度降低，结果可赋予被处理表面易剥离性。
需要说明的是，进行表面处理的玻璃基板的表面优选为十分洁净的面，优选为刚清洗后的面。作为清洗方法，可以使用玻璃表面、树脂表面的清洗所使用的一般的方法。
理想的是，不进行表面处理的表面预先用掩膜等保护膜保护起来。
此外，在使用六甲基二硅氮烷等甲硅烷化剂的情况下，优选使甲硅烷化剂的蒸气与玻璃基板表面接触。需要说明的是，可以在加热玻璃基板的状态下使其与甲硅烷化剂的蒸气接触。
甲硅烷化剂的蒸气浓度越高，即越接近饱和浓度，越能缩短处理时间，故优选。甲硅烷化剂与玻璃基板的接触时间只要无损剥离性玻璃基板的功能就可以缩短。
<第三实施方式>
图8为示出本发明的电子装置的制造方法的其他实施方式中的制造工序的流程图。如图8所示，电子装置的制造方法具备表面处理工序S112、加热工序S114、树脂层形成工序S102、层叠工序S104、切断工序S106、构件形成 工序S108、以及分离工序S110。
图8示出的各工序除了具备加热工序S114这点之外，与图7中示出的工序是同样的步骤，对同样的工序标记同样的参照符号，省略其说明，以下主要对加热工序S114进行说明。
[加热工序S114]
加热工序S114为对上述表面处理工序S112中得到的剥离性玻璃基板实施加热处理的工序。通过实施该工序S114，进行剥离性玻璃基板上的剥离剂的再排列，得到进一步显示剥离性的表面，结果剥离性玻璃基板与树脂层的剥离性变得更良好。
对加热工序S114中的加热条件没有特别的限制，可以根据使用的剥离剂的种类适当选择最佳的条件。
其中，从生产率以及剥离性玻璃基板与树脂层的剥离性的两者良好的方面出发，作为加热温度，优选为100～350℃，更优选为150～350℃，进一步优选为200～300℃。此外，作为加热时间，优选为1～30分钟，更优选为2～20分钟。
实施例
以下，通过实施例等具体地说明本发明，本发明并不受这些例子的限制。
以下的实施例1～7、比较例1～2中，作为剥离性玻璃基板用的玻璃基板，使用了由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长970mm、宽780mm、板厚0.2mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造的商品名“AN100”)。此外，作为支撑基板，同样地使用了由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长880mm、宽680mm、板厚0.5mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造的商品名“AN100”)。
(实施例1)
对作为剥离性玻璃基板使用的玻璃基板进行碱清洗、纯水清洗，将表面 洁净化。其后，在玻璃基板的第1主面对硅油含量为1质量％的Isopar G(异链烷烃系溶剂)溶液进行刮板涂布并干燥。硅油使用二甲基聚硅氧烷(Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造、SH200、运动粘度190～210mm2/s)。
接着，在250℃下进行10分钟的加热处理，得到剥离性玻璃基板。
其后，使用接触角计(Kyowa Interface Science Co.,Ltd.制造、便携式接触角仪PCA-1)测定剥离性玻璃基板的第1主面的水接触角，结果为107°。
接着，在剥离性玻璃基板的第1主面上，用模涂法以长920mm、宽730mm的尺寸将在两末端具有乙烯基的直链状有机烯基聚硅氧烷(乙烯基有机硅，荒川化学工业株式会社制造，ASA-V01)、在分子内具有硅氢基的甲基氢聚硅氧烷(荒川化学工业株式会社制造，ASA-X01)、铂系催化剂(荒川化学工业株式会社制造，ASA-C01)、以及IP Solvent 2028(出光兴产株式会社制造)的混合液涂覆成长方形，将含有未固化的固化性有机硅的层设置在剥离性玻璃基板上。此处，调节直链状有机烯基聚硅氧烷与甲基氢聚硅氧烷的混合比使得乙烯基与硅氢基的摩尔比成为1:1。此外，铂系催化剂相对于直链状有机烯基聚硅氧烷与甲基氢聚硅氧烷的总和100质量份为4质量份。此外，调节IP Solvent 2028使得溶液固体成分浓度成为40重量％。
接着，将其在250℃下在大气中加热干燥固化20分钟，得到含有厚度8μm的固化了的有机硅树脂层的固化后层叠体A1。
接着，对板厚0.5mm的支撑基板的要与有机硅树脂层接触的一侧的面(第1主面)进行碱清洗、纯水清洗而洁净化。其后，将支撑基板的第1主面与有机硅树脂层在室温下通过辊压机贴合，得到切断前层叠体。此时，以在有机硅树脂层留出不与支撑基板接触的周缘区域的方式，将支撑基板层叠在有机硅树脂层上。需要说明的是，自支撑基板的外周缘起到有机硅树脂层的外周缘的长度为约15mm以上。此外，有机硅树脂层的与支撑基板接触的区域的面积A与有机硅树脂层的总面积B的比值(面积A/总面积B)为0.89。
接着，在安装有定位夹具的平台上固定切断前层叠体的支撑基板，从平台的上表面以与支撑基板的外周缘中的一条边重合的方式，在剥离性玻璃基板的第2主面上用金刚石转轮切割器刻出切割线，然后用挟持夹具夹入剥离性玻璃基板的切割线的外侧并割断。同样地，对与支撑基板的外周缘剩余的三边重合的剥离性玻璃的外侧进行割断，然后用具有曲面的磨石研磨剥离性玻璃基板的割断面实施倒角，得到切断后层叠体。
接着，使切断后层叠体中的剥离性玻璃基板的与有机硅树脂层的接触面相反的面(第2主面)真空吸附于平台，进而在剥离性玻璃基板的四个角部中的一个角部的剥离性玻璃基板与有机硅树脂层的界面插入厚度0.1mm的不锈钢制刀具，在剥离性玻璃基板与有机硅树脂层的界面形成剥离的起点。接着，用24个真空吸盘吸附在支撑基板表面，进而自插入刀具的角部附近的吸盘起依次使其上升。此处，一边从离子发生器(KEYENCE CORPORATION制造)向该界面吹送除电性流体一边进行刀具的插入。接着，一边从离子发生器朝向形成的空隙继续吹送除电性流体一边提起真空吸盘。其结果，可以将在第1主面形成了有机硅树脂层的支撑基板(带树脂层的支撑基板)剥离。
此时，在剥离性玻璃基板的与有机硅树脂层密合的面(第1主面)上，目视未见到有机硅树脂的附着。需要说明的是，通过该结果，可以确认有机硅树脂层与支撑基板的层的界面的剥离强度大于剥离性玻璃基板的层与有机硅树脂层的界面的剥离强度。
(实施例2)
将对剥离性玻璃基板在250℃下实施10分钟的加热处理变更为在200℃下实施10分钟，除此之外，通过与实施例1同样的方法，得到切断后层叠体A2。此时，使用接触角计(Kyowa Interface Science Co.,Ltd.制造、便携式接触角仪PCA-1)测定剥离性玻璃基板的第1主面的水接触角，结果为106°。
接着，通过与实施例1同样的方法，自切断后层叠体A2剥离带树脂层的 支撑基板，得到剥离性玻璃基板。此时，在剥离性玻璃基板的与有机硅树脂层密合的面(第1主面)上，目视未见到有机硅树脂的附着。
(实施例3)
将对剥离性玻璃基板在250℃下实施10分钟的加热处理变更为在150℃下实施10分钟，除此之外，通过与实施例1同样的方法，得到切断后层叠体A3。此时，使用接触角计(Kyowa Interface Science Co.,Ltd.制造、便携式接触角仪PCA-1)测定剥离性玻璃基板的第1主面的水接触角，结果为105°。需要说明的是，此时，准备50张切断后层叠体A3。
接着，通过与实施例1同样的方法，自切断后层叠体A3剥离带树脂层的支撑基板，得到50张剥离性玻璃基板。此时，在剥离性玻璃基板的与有机硅树脂层密合的面(第1主面)上，仅有1张为目视可见到有机硅树脂的附着。
(实施例4)
将对剥离性玻璃基板在250℃下实施10分钟的加热处理变更为在100℃下10分钟，除此之外，通过与实施例1同样的方法，得到切断后层叠体A4。此时，使用接触角计(Kyowa Interface Science Co.,Ltd.制造、便携式接触角仪PCA-1)测定剥离性玻璃基板的第1主面的水接触角，结果为97°。需要说明的是，此时，准备50张切断后层叠体A4。
接着，通过与实施例1同样的方法，自切断后层叠体A4剥离带树脂层的支撑基板，得到50张剥离性玻璃基板。此时，在剥离性玻璃基板的与有机硅树脂层密合的面(第1主面)上，仅有6张为目视可见到有机硅树脂的附着。
(实施例5)
将硅油含量由1质量％变更为0.01质量％，将对剥离性玻璃基板在250℃下实施10分钟的加热处理变更为在100℃下10分钟，除此之外，通过与实施例1同样的方法，得到切断后层叠体A5。此时，使用接触角计(Kyowa Interface Science Co.,Ltd.制造、便携式接触角仪PCA-1)测定剥离性玻璃基板的第1 主面的水接触角，结果为75°。需要说明的是，此时，准备50张切断后层叠体A5。
接着，通过与实施例1同样的方法，自切断后层叠体剥离带树脂层的支撑基板，得到50张剥离性玻璃基板。此时，在剥离性玻璃基板的与有机硅树脂层密合的面(第1主面)上，仅有8张为目视可见到有机硅树脂的附着。
由实施例1～5的结果可知，在用本发明的玻璃层叠体的制造方法得到的玻璃层叠体(切断后层叠体)中，可确认到有机硅树脂层与支撑基板的层的界面的剥离强度大于剥离性玻璃基板的层与有机硅树脂层的界面的剥离强度。此外，确认到抑制了在剥离性玻璃基板的表面上产生有机硅树脂层的附着，适合于后述电子装置的制造。尤其确认到，在剥离性玻璃基板的表面的水接触角为100°以上的情况下进一步抑制有机硅树脂层的附着。
(实施例6)
在本例中，使用实施例1中得到的切断后层叠体制作OLED。
更具体而言，在切断后层叠体中的剥离性玻璃基板的第2主面上，通过溅射法使钼成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成栅电极。接着，通过等离子体CVD法，在设置有栅电极的剥离性玻璃基板的第2主面侧，进一步以氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序成膜，接着，通过溅射法使钼成膜，通过使用了光刻法的蚀刻，形成栅绝缘膜、半导体元件部以及源/漏电极。接着，通过等离子体CVD法，在剥离性玻璃基板的第2主面侧，进一步使氮化硅成膜形成钝化层，然后通过溅射法使氧化铟锡成膜，通过使用了光刻法的蚀刻，形成像素电极。
接着，在剥离性玻璃基板的第2主面侧，进一步通过蒸镀法依次成膜4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺作为空穴注入层、双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺作为空穴输送层、在8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)中混合有2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈 (BSN-BCN)40体积％的物质作为发光层、Alq3作为电子输送层。接着，在剥离性玻璃基板的第2主面侧通过溅射法使铝成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成对电极。接着，在形成了对电极的剥离性玻璃基板的第2主面上，通过紫外线固化型的粘接层贴合另一张玻璃基板来封装。通过上述顺序得到的在剥离性玻璃基板上具有有机EL结构体的切断后层叠体相当于带支撑基板的显示装置用面板(面板A1)(带电子装置用构件的层叠体)。
接着，使面板A1的封装体侧真空吸附于平台，进而在面板A1的角部的剥离性玻璃基板与有机硅树脂层的界面插入厚度0.1mm的不锈钢制刀具，自面板A1分离带树脂层的支撑基板，得到OLED面板(相当于电子装置。以下称为面板A)。
对制作的面板A连接IC驱动器使其驱动，结果，在驱动区域内未确认到显示不均。
(实施例7)
在本例中，使用实施例1中得到的切断后层叠体制作LCD。
准备两张切断后层叠体，首先，在一张切断后层叠体的剥离性玻璃基板的第2主面上，通过溅射法使钼成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成栅电极。接着，通过等离子体CVD法，在设置有栅电极的剥离性玻璃基板的第2主面侧，进一步以氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序成膜，接着，通过溅射法使钼成膜，通过使用了光刻法的蚀刻，形成栅绝缘膜、半导体元件部以及源/漏电极。接着，通过等离子体CVD法，在剥离性玻璃基板的第2主面侧，进一步使氮化硅成膜形成钝化层，然后通过溅射法使氧化铟锡成膜，通过使用了光刻法的蚀刻，形成像素电极。接着，在形成有像素电极的剥离性玻璃基板的第2主面上，通过辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液，通过热固化形成取向层，进行研磨。将得到的切断后层叠体称为切断后层叠体A1。
接着，在另一张切断后层叠体的剥离性玻璃基板的第2主面上，通过溅 射法使铬成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成遮光层。接着，在设置有遮光层的剥离性玻璃基板的第2主面侧，进一步通过模涂法涂布彩色抗蚀剂，通过光刻法以及热固化形成滤色器层。接着，在剥离性玻璃基板的第2主面侧，进一步通过溅射法使氧化铟锡成膜，形成对电极。接着，在设置有对电极的剥离性玻璃基板的第2主面上，通过模涂法涂布紫外线固化树脂液，通过光刻法以及热固化形成柱状间隔物。接着，在形成有柱状间隔物的剥离性玻璃基板的第2主面上，通过辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液，通过热固化形成取向层，进行研磨。接着，在剥离性玻璃基板的第2主面侧，通过分配器法将封装剂用树脂液描绘成框状，在框内通过分配器法滴加液晶，然后使用上述切断后层叠体A1，将两张切断后层叠体的剥离性玻璃基板的第2主面侧彼此贴合，通过紫外线固化以及热固化得到具有LCD面板的层叠体。以下，将此处的具有LCD面板的层叠体称为带面板的层叠体B1。
接着，与实施例1同样地从带面板的层叠体B1剥离两面带树脂层的支撑基板，得到由形成有TFT阵列的玻璃基板以及形成有滤色器的玻璃基板形成的LCD面板B(相当于电子装置)。
对制作的LCD面板B连接IC驱动器使其驱动，结果，在驱动区域内未确认到显示不均。
(比较例1)
与实施例1同样地，对支撑基板的第1主面进行碱清洗、纯水清洗来洁净化表面。
接着，将实施例1中的在末端具有乙烯基的直链状有机烯基聚硅氧烷、在分子内具有硅氢基的甲基氢聚硅氧烷和铂系催化剂的混合液99.5质量份与0.5质量份硅油(Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造、SH200)的混合物通过丝网印刷涂布在支撑基板的第1主面上。接着，将其在250℃下在大气中进行30分钟的加热固化，形成厚度10μm的固化了的有机硅树脂层。
接着，对玻璃基板的第1主面进行纯水清洗、UV清洗来洁净化，然后在室温下通过真空压制使其与支撑基板的第1主面上形成的有机硅树脂层密合，得到层叠体C1。
接着，在层叠体C1的玻璃基板上，按与实施例6同样的步骤制作OLED，然后剥离带树脂层的支撑基板，得到OLED面板(以下称为面板P)。
对制作的面板P连接IC驱动器使其驱动，结果，在驱动区域内确认到显示不均，不良部存在于相当于层叠体C1的端部附近的部分。
(比较例2)
用与比较例1同样的方法得到两张层叠体C1。
接着，依照与实施例7同样的的步骤，使用两张层叠体C1，得到具有LCD面板的层叠体。进而，自得到的层叠体剥离两面带树脂层的支撑基板，得到LCD面板(以下称为面板Q)。
对制作的面板Q连接IC驱动器使其驱动，结果，在驱动区域内确认到显示不均，不良部存在于相当于层叠体C1的端部附近的部分。
如上述实施例6以及7所示，根据本发明的电子装置的制造方法，能够成品率良好地制造性能优异的电子装置。需要说明的是，在实施例6以及7中使用了实施例1制造的切断后层叠体，但即使使用实施例2～5制造的切断后层叠体来代替实施例1中制造的切断后层叠体，也可以与实施例6以及7同样地成品率良好地制造性能优异的电子装置。
另一方面，在专利文献1记载的现有的方法中，如上述比较例1以及2所示，有时得到的电子装置发生性能降低。在比较例1以及2中，在电子装置的端部(周缘部)附近观察到显示不均。可认为这是如上所述，由于通过固化处理得到的树脂层(尤其是树脂层的外周缘附近)中的厚度不均，在玻璃基板与树脂层之间产生空隙，杂质进入该空隙中而引起电子装置的性能降低。
本申请基于2012年12月13日申请的日本特许出愿2012-272553，其内容 在此作为参照引入。
附图标记说明
10  剥离性玻璃基板
12  树脂层
14  支撑基板
16  切断前层叠体
18  切断后层叠体
20  电子装置用构件
22  带电子装置用构件的层叠体
24  带树脂层的支撑基板
26  电子装置
28  空隙
50，70  载台
51～53  定位块
54，55  移动块
60  加工头
62  切割器
64  支架
66  切割线
68  裂缝
72  挟持夹具
80  凸部
82  玻璃基板
84  空隙