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1、(10)申请公布号 CN 102929468 A(43)申请公布日 2013.02.13CN102929468A*CN102929468A*(21)申请号 201210466581.9(22)申请日 2012.11.16G06F 3/044(2006.01)(71)申请人敦泰科技有限公司地址开曼群岛大开曼岛乔治郡南教堂大街阿格兰大厦(72)发明人王朋 侯卫京 郭明 李华刘伯政 刘辉(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人王宝筠(54) 发明名称一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构(57) 摘要本发明实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构，其中工艺包括：在。
2、单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所设置的补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。本发明实施例中的面向单层电容触摸屏的改良工艺，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书7页 附图5页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书。
3、 2 页 说明书 7 页 附图 5 页1/2页21.一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，包括：在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。2.如权利要求1所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层。3.如权利要求1所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配包括:所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏。
4、的不透光区域的相对介电常数一致。4.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。5.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述。
5、不透光区域与所述ITO层之间。6.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。7.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间设置补偿层，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。8.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：所述补。
6、偿层设置于所述单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。9.一种面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，包括：所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。10.如权利要求9所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层；所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。权 利 要 求 书CN 102929468 A2/2页311.。
7、如权利要求9或10任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。12.如权利要求9或10任一项权利要所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层。
8、之间。13.如权利要求9或10任一项权利要所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。14.如权利要求9或10任一项权利要所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。15.如权利要求9或10任一项权利要所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：所述补偿层设置于所述。
9、单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。权 利 要 求 书CN 102929468 A1/7页4一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构技术领域0001 本发明涉及电容屏制造技术领域，更具体地说，涉及一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构。背景技术0002 电容屏是既电阻屏应用后迅速崛起的移动终端屏幕类型，并广泛应用于移动终端。电容屏有多种类型，其中单层互容触摸屏的结构由单层纳米铟锡金属氧化物ITO1实现，结合图1a-图1b所示：可视区域2供用户实现人机交互，在可视区域2的边沿设置有不透光区域3，用于遮挡驱动可视区域2的元器件，参见图1b，所述单层互容。
10、触摸屏上还设置有覆盖层4，该种结构使用互容触摸屏原理实现触摸定位，即在所述触摸屏上通过计算驱动电极与所有接收电极间的耦合电容值变化量，确定触摸点坐标。0003 以现有的单层互容触摸屏为例，所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，因而所述可视区域2与所述不透光区域3在检测触摸点时的耦合电容值变化量将不同，从而在不透光区域3检测到触摸点，同样的报点条件，将出现报点数据不准确的技术问题。0004 因而，如何提高所述不透光区域的报点准确性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。发明内容0005 有鉴于此，本发明提供一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构，以实现提高单层电容屏中不透。
11、光区域的报点准确性的技术目的。0006 一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括：0007 在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所设置的补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。0008 可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：0009 在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层。0010 可选地，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配包括:0011 所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。0。
12、012 可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：0013 在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。0014 可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：说 明 书CN 102929468 A2/7页50015 在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。0016 可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿。
13、层包括：0017 所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。0018 可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：0019 在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间设置补偿层，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。0020 可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括：0021 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。0022 一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括：0023 所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，。
14、所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。0024 可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：0025 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。0026 可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：0027 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。0028 可选地，所述单层。
15、电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：0029 所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。0030 可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：0031 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。0032 可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：0033 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。0034 从上述的技术方案可以看出，本发明实施例中的面向单层电容触摸屏的改良工艺，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面。
16、以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。附图说明0035 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现说 明 书CN 102929468 A3/7页6有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。0036 图1a为本发明公开的现有面向单层电容触摸屏的。
17、正视结构示意图；0037 图1b为本发明公开的现有面向单层电容触摸屏的纵剖面结构示意图；0038 图2为本发明实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；0039 图3为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；0040 图4为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；0041 图5为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；0042 图6为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；0043 图7为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；0044 图8为本发明实施例公开的一种面向单层电。
18、容触摸屏的改良结构示意图；0045 图9为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；0046 图10为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；0047 图11为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；0048 图12为本发明又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图。具体实施方式0049 为了引用和清楚起见，下文中使用的技术名词、简写或缩写总结如下：0050 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实。
19、施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。0051 现有的单层互容触摸屏中，如图1a-图1b，在同样的报点条件下，单层互容触摸屏在所述不透光区域3（Black matrix）内的报点存在不准确的情况，原因在于，所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，从而造成所述不透光区域3与可视区域（View area）2出现报点条件不一致的情况，也就是在同样的报点条件下所述不透光区域3报点不准确。0052 现有解决上述不透光区域3报点不准确的问题所采取的方式是通过软件算法进行修正，而由于覆盖层4的材料与所述不透光区域3的材料的相。
20、对介电常数时常变化，因而软件算法不仅复杂度高且修正准确度得不到保证。0053 本发明实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构，以实现提高单层电容屏中不透光区域的报点准确性的技术目的。0054 图2示出了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括：0055 S21：原材料准备；0056 S22：在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所设置的补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域；0057 所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。说 明 书CN 102929468 A4/7页70058 作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不。
21、透光区域的相对介电常数一致。0059 并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。0060 当所述单层电容触摸屏中具备了该补偿层后，所述驱动电极与接收电机之间的耦合电容值变化量，可表示为CmBM：0061 CmBMCm1BM-Cm0BMf(CL,BM,Cf)-f(CL,BM)，其中：0062 Cm0BMf(CL,BM)是在不透光区域未检测到触摸点时，驱动电极与接收电极之间耦合电容，Cm1BMf(CL,BM,Cf)是不透光区域在检测到触摸点时，驱动电极与接收电极之间耦合电容，所述CL为覆盖层的相对介电常数，所述BM为不透光区域材料的相对介电常数，Cf人体与驱动电极之间的耦合电容。0063 优选。
22、地，当所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致时，所述耦合电容值变化量，可表示为：0064 CmBM=CmVA=Cm1VA-Cm0VA=f(CL,Cf)-f(CL)0065 上述实施例从单层互容触摸屏的工作原理角度验证，采用本发明中的改良工艺，将改观现有单层触摸屏中的可视区域2与所述不透光区域3在检测触摸点时的耦合电容值及耦合电容值变化量不一致的情况。0066 需要说明的是：0067 所述补偿层可采用透明树脂类作为相对介电常数的补偿材料，所述透明树脂类具有良好的耐化学性、耐热性能，可选用丙烯树脂、环氧树脂好、聚酰亚胺树脂、硅树脂等，并不局限。0068 上述实施。
23、例中所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配但不一致的情况下，可借助软件算法辅助实现不透光区域3报点准确性提高的技术目的。0069 所述补偿层的厚度可由实际应用和相对介电常数的设置不同而调整，此处不做过多局限。所述覆盖层通常为玻璃基板，一般地，其厚度约为0.7mm在本说明书的实施例中，补偿层、ITO层及不透光区域均以该玻璃基板为基础进行溅镀或涂布。0070 图3示出了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括：0071 S31：原材料准备；0072 S32：在覆盖层内表面平铺补偿层；0073 所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹。
24、配。0074 作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。0075 并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。0076 S33：设置不透光区域；0077 S34：设置ITO层。0078 该实施例中，所述补偿层位于所述覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。说 明 书CN 102929468 A5/7页80079 图4示出了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括：0080 S41：原材料准备；0081 S42：设置覆盖层和不透光区域；0082 S43：设置补。
25、偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间；0083 作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。0084 并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。0085 S44：设置ITO层。0086 该实施例中，在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层。0087 图5示出了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括：0088 S51：原材料准备；0089 S52：设置覆盖层和不透光区域；0090 S53：在所述覆盖层和不透光区域内表面设置ITO层；0091 S54：在所述。
26、ITO内表面设置所述补偿层。0092 作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。0093 并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。0094 该实施例中，所述补偿层覆盖所述ITO层内表面，所述ITO层的边沿设置不透光区域，所述ITO层上设置覆盖层。0095 图6示出了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括：0096 S61：原材料准备；0097 S62：设置覆盖层和不透光区域；0098 S63：在所述覆盖层内表面设置补偿层，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接；0099 作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对。
27、介电常数一致。0100 并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。0101 S64：在所述补偿层和所述不透光区域内表面设置ITO层。0102 本实施例中：在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间设置补偿层，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。0103 图7示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括：0104 S71：原材料准备；0105 S72：在所述覆盖层和不透光区域内表面设置ITO层；0106 S73：在所述ITO的内表面设置补偿层，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。0107 作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏。
28、的不透光区域的相对介电常数一致。说 明 书CN 102929468 A6/7页90108 并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。0109 本实施例中：所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。0110 图8示出了一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括：0111 补偿层81，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层82内表面以下，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域83的相对介电常数匹配。0112 在实施例中，所述补偿层81设置于覆盖层82内表面，图中ITO。
29、层84设置于所述不透光区域83与所述补偿层81内表面。0113 作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。0114 并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。0115 所述补偿层的工作原理参见图1图示及其说明，此处不再赘述。0116 图9示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括：0117 在本实施例中，补偿层91设置于所述覆盖层92内表面与所述ITO层94之间，所述补偿层91对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域93与所述ITO层94之间，图中所述补偿层91与所述不透光区域93的平面在所述覆盖层92内表面。0118 图10示出了又一种面。
30、向单层电容触摸屏的改良结构，包括：0119 在本实施例中，补偿层101覆盖所述ITO层104内表面，所述ITO层104的边沿设置不透光区域103，覆盖层102平铺在所述ITO层104与所述不透光区域103表面。0120 图11示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括：0121 在本实施例中，补偿层111设置于所述覆盖层112内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层111的边沿与所述不透光区域113边沿相接，图中所述补偿层111与所述不透光区域113的平面在所述覆盖层112内表面。0122 图12示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括：0123 在本实施例中，补偿层12。
31、1设置于所述ITO层内表面，且所述补偿层121的边沿与所述不透光区域123边沿在同一竖直线上，所述ITO层124与所述不透光区域123表面在覆盖层122的内表面。0124 上述实施例中的改良结构，从硬件上改进了现有的单层电容触摸屏层叠结构，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量匹配，从而提高所述不透光区域的报点准确性。0125 综上所述：0126 本发明实施例中的面向单层电容触摸屏的改良工艺，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与。
32、所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。0127 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。0128 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。说 明 书CN 102929468 A7/7页10对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明实施例的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明实施例将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。说 明 书CN 102929468 A10。