具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法.pdf

本发明提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，包括：第一氮化硅膜；设置于第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜；设置于第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中第一氮化硅膜与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的N-H键含量低于第二氮化硅膜中的N-H键含量，且第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于5%。还提供上述栅极绝缘层的形成方法。本发明的栅极绝缘层，内在致密性存在差异，使得蚀刻速度产生差异，从而能够形成具有理想蚀刻角度的斜坡状侧面轮廓。此外，本发明的三层氮化硅膜在同一腔室中以相同原料气体一次性连续形成，工艺简单、成本低，且三层均为氮化硅膜，具有良好的界面性能。

权利要求书1.  一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包括：第一氮 化硅膜、设置于所述第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜、设置于所述第二氮 化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中所述第一氮化硅膜与所述第三氮化硅膜的 厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度，所述第一氮化硅膜与所述第三氮化硅膜 中的N-H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N-H键含量，且所述第三氮化 硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于5%。 2.  如权利要求1所述的栅极绝缘层，其中所述第一氮化硅膜中的N-H 键含量低于10%，所述第二氮化硅膜中的N-H键含量高于20%，所述第三 氮化硅膜中的N-H键含量低于15%，且所述第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中 的N-H键含量之差不小于5%。 3.  如权利要求1所述的栅极绝缘层，其中所述第一氮化硅膜和所述第三 氮化硅膜的厚度为所述第二氮化硅膜的厚度为4.  如权利要求1所述的栅极绝缘层，其中所述栅极绝缘层的蚀刻角度介 于40～60°之间。 5.  一种如权利要求1-4中任一项所述的栅极绝缘层的形成方法，该方法 包括：采用化学气相沉积法，在同一腔室中，采用相同的原料气体和沉积温 度，分别以第一功率、第二功率和第三功率连续沉积第一氮化硅膜、第二氮 化硅膜和第三氮化硅膜，且所述第一功率和第三功率低于所述第二功率，所 述第三功率与所述第一功率之差不低于1000W，制成所述第一氮化硅膜、第 二氮化硅膜和第三氮化硅膜顺次层叠的栅极绝缘层。 6.  如权利要求5所述的方法，其中所述化学气相沉积法为等离子体增强 化学气相沉积法。 7.  如权利要求5所述的方法，其中所述原料气体为甲硅烷、氨气和氮气， 甲硅烷与氨气的流量比为0.2～0.4。 8.  如权利要求5所述的方法，其中所述沉积温度为340～380℃。 9.  如权利要求5所述的方法，其中所述第一功率为800～1000W、所述 第二功率为3000～5000W、所述第三功率为1500～2000W。 10.  如权利要求5所述的方法，其中所述第一氮化硅膜与所述第三氮化 硅膜中的N-H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N-H键含量，且所述第三 氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于5%。 11.  如权利要求10所述的方法，其中所述第一氮化硅膜中的N-H键含 量低于10%、所述第二氮化硅膜中的N-H键含量高于20%、所述第三氮化 硅膜中的N-H键含量低于15%，且所述第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的 N-H键含量之差不小于5%。 12.  如权利要求5所述的方法，其中所述第一氮化硅膜和所述第三氮化 硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度。 13.  如权利要求12所述的方法，其中所述第一氮化硅膜和所述第三氮化 硅膜的厚度为所述第二氮化硅膜的厚度为14.  一种如权利要求1-4中任一项所述的栅极绝缘层的形成方法，该方 法包括：采用化学气相沉积法，在同一腔室中，采用相同的功率、沉积温度 和原料气体种类，分别按照第一原料气体比例、第二原料气体比例和第三原 料气体比例连续沉积第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，制成所 述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜顺次层叠的栅极绝缘层。 15.  如权利要求14所述的方法，其中所述化学气相沉积法为等离子体增 强化学气相沉积法。 16.  如权利要求14所述的方法，其中所述功率为3000～5000W。 17.  如权利要求14所述的方法，其中所述沉积温度为340～380℃。 18.  如权利要求14所述的方法，其中所述原料气体为甲硅烷、氨气和氮 气。 19.  如权利要求18所述的方法，其中所述第一原料气体比例为甲硅烷与 氨气的摩尔比介于0.8至1之间、所述第二原料气体比例为甲硅烷与氨气的 摩尔比介于0.05至0.1之间、所述第三原料气体比例为甲硅烷与氨气的摩尔 比介于0.2至0.4之间。 20.  如权利要求19所述的方法，其中所述第一原料气体比例为甲硅烷与 氨气的摩尔比等于1、所述第二原料气体比例为甲硅烷与氨气的摩尔比等于 0.1、所述第三原料气体比例为甲硅烷与氨气的摩尔比等于0.2。 21.  如权利要求14所述的方法，其中所述第一氮化硅膜与所述第三氮化 硅膜中的N-H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N-H键含量，且所述第三 氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于5%。 22.  如权利要求21所述的方法，其中所述第一氮化硅膜中的N-H键含 量低于10%、所述第二氮化硅膜中的N-H键含量高于20%、所述第三氮化 硅膜中的N-H键含量低于15%，且所述第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的 N-H键含量之差不小于5%。 23.  如权利要求14所述的方法，其中所述第一氮化硅膜和所述第三氮化 硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度。 24.  如权利要求23所述的方法，其中所述第一氮化硅膜和所述第三氮化 硅膜的厚度为所述第二氮化硅膜的厚度为

说明书具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝 缘层及其制造方法。
背景技术
目前，平板显示器，例如液晶显示装置、有机电致发光显示装置等，主 要采用有源矩阵驱动模式，通过驱动电路部分的薄膜晶体管(TFT)作为开关 元件，为像素电极输出信号。常见的薄膜晶体管一般包括：绝缘基板、栅极 层、栅极绝缘层、有源半导体层和源电极/漏电极层。在制作过程中，薄膜晶 体管中各层需经历多个蚀刻处理工艺进行图案化。对于栅极绝缘层，一般采 用干法蚀刻例如反应离子蚀刻或等离子蚀刻进行各项异性蚀刻，蚀刻后形成 斜坡状侧壁轮廓，对于蚀刻角度θ，即经蚀刻的栅极绝缘层的斜坡状侧面部 分与底面部分之间的夹角，达到40～100°较为理想，由此可防止其上有源半 导体生长层中产生裂纹以及底部生长部分出现蠕升生长，并有利于形成具有 良好表面平坦度的半导体生长层。
目前，薄膜晶体管中的栅极绝缘层多为氧化硅膜与氮化硅膜层叠构成， 例如CN101300681A公开了一种氧化硅膜/氮化硅膜双层结构栅极绝缘层， 来克服氧化硅膜单层构造栅极绝缘层薄膜化引发的击穿耐压降低的问题。然 而，氧化硅膜与氮化硅膜为异质膜，蚀刻速率不同，对这种氧化硅膜/氮化硅 膜双层结构栅极绝缘层进行蚀刻时易造成钻蚀(undercut)，不利于后续膜层的 生长。
因而，仍需要一种改善的栅极绝缘层，能够在经过蚀刻处理后达到理想 的蚀刻角度，以利于后续膜层的生长，同时兼顾栅极绝缘层的介电性能，进 而提高薄膜晶体管的性能和品质。
发明内容
为解决上述问题，本发明利用蚀刻速度与材料密度的关系以及氮化硅膜 的致密性与其中N-H键含量的关系，通过改变成膜结构和成膜膜质，形成具 有三层氮化硅膜层叠结构且各膜层N-H键含量不同即致密度不同的栅极绝 缘层，其中中间氮化硅膜作为主体相对疏松以兼顾产能，上层和下层氮化硅 膜之间存在一定的密度差而具有不同的蚀刻速度，由此实现理想蚀刻角度。
因此，一方面，本发明提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，该 栅极绝缘层包括：第一氮化硅膜；设置于所述第一氮化硅膜之上的第二氮化 硅膜；设置于所述第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中所述第一氮化硅 膜与所述第三氮化硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度，所述第一氮化 硅膜与所述第三氮化硅膜中的N-H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N-H 键含量，且所述第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于 5%。
在根据本发明的一种实施方式中，所述第一氮化硅膜中的N-H键含量低 于10%，所述第二氮化硅膜中的N-H键含量高于20%，所述第三氮化硅膜 中的N-H键含量低于15%，且所述第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的N-H 键含量之差不小于5%。
在根据本发明的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜和所述第三氮化 硅膜的厚度为所述第二氮化硅膜的厚度为
在根据本发明的另一种实施方式中，所述栅极绝缘层的蚀刻角度介于 40～60°之间。
另一方面，本发明提供一种上述栅极绝缘层的形成方法，该方法包括： 采用化学气相沉积法，在同一腔室中，采用相同的原料气体和沉积温度，分 别以第一功率、第二功率和第三功率连续沉积第一氮化硅膜、第二氮化硅膜 和第三氮化硅膜，且所述第一功率和第三功率低于所述第二功率，所述第三 功率与所述第一功率之差不低于1000W，制成所述第一氮化硅膜、第二氮化 硅膜和第三氮化硅膜顺次层叠的栅极绝缘层。
在根据本发明方法的一种实施方式中，所述化学气相沉积法为等离子体 增强化学气相沉积法。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述原料气体为甲硅烷、氨气 和氮气，甲硅烷与氨气的流量比(即摩尔比)为0.2～0.4。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述沉积温度为340～380℃。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一功率为800～1000W、 所述第二功率为3000～5000W、所述第三功率为1500～2000W。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜与所述第三 氮化硅膜中的N-H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N-H键含量，且所述 第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于5%。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜中的N-H键 含量低于10%、所述第二氮化硅膜中的N-H键含量高于20%、所述第三氮 化硅膜中的N-H键含量低于15%，且所述第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的 N-H键含量之差不小于5%。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜和所述第三 氮化硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜和所述第三 氮化硅膜的厚度为所述第二氮化硅膜的厚度为
再一方面，本发明提供一种上述栅极绝缘层的形成方法，该方法包括： 采用化学气相沉积法，在同一腔室中，采用相同的功率、沉积温度和原料气 体种类，分别按照第一原料气体比例、第二原料气体比例和第三原料气体比 例连续沉积第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，制成所述第一氮 化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜顺次层叠的栅极绝缘层。
在根据本发明方法的一种实施方式中，所述化学气相沉积法为等离子体 增强化学气相沉积法。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述功率为3000～5000W。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述沉积温度为340～380℃。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述原料气体为甲硅烷、氨气 和氮气。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一原料气体比例为甲硅 烷与氨气的摩尔比介于0.8至1之间、所述第二原料气体比例为甲硅烷与氨 气的摩尔比介于0.05至0.1之间、所述第三原料气体比例为甲硅烷与氨气的 摩尔比介于0.2至0.4之间。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一原料气体比例为甲硅 烷与氨气的摩尔比等于1、所述第二原料气体比例为甲硅烷与氨气的摩尔比 等于0.1、所述第三原料气体比例为甲硅烷与氨气的摩尔比等于0.2。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜与所述第三 氮化硅膜中的N-H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N-H键含量，且所述 第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于5%。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜中的N-H键 含量低于10%、所述第二氮化硅膜中的N-H键含量高于20%、所述第三氮 化硅膜中的N-H键含量低于15%，且所述第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的 N-H键含量之差不小于5%。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜和所述第三 氮化硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度。
在根据本发明方法的另一种实施方式中，所述第一氮化硅膜和所述第三 氮化硅膜的厚度为所述第二氮化硅膜的厚度为
本发明通过改变栅极绝缘层的成膜结构形成三层氮化硅膜叠层构造，并 通过调整成膜工艺条件控制三层氮化硅膜中的N-H键含量，改变三层氮化硅 膜的成膜膜质，形成致密氮化硅膜-疏松氮化硅膜-致密氮化硅膜三层成膜膜 质不同的栅极绝缘层。在本发明的栅极绝缘层中，位于中间膜质相对疏松的 第二氮化硅膜层厚度较大，作为栅极绝缘层的主体，得以兼顾产能，位于外 侧相对致密的第一氮化硅膜层和第三氮化硅膜层厚度较小，且第一氮化硅膜 层的致密性大于第三氮化硅膜层，特别是两者之中的N-H键含量相差5%以 上，使得第一氮化硅膜层的蚀刻速度小于第三氮化硅膜层，从而进行蚀刻处 理时易于达到理想蚀刻角度(40～60°)，避免钻蚀的发生。此外，本发明的三 层氮化硅膜在同一腔室中采用相同的原料气体一次性连续形成，工艺简单、 成本低，且三层均为氮化硅膜，具有良好的界面性能。
附图说明
图1为根据本发明的栅极绝缘层的结构示意图。
图2为根据本发明实施例1的制造栅极绝缘层的方法的工艺流程图。
图3为根据本发明实施例2的制造栅极绝缘层的方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面根据具体实施例对本发明的技术方案做进一步说明。本发明的保护 范围不限于以下实施例，列举这些实例仅出于示例性目的而不以任何方式限 制本发明。
本发明提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，如图1所示，该栅 极绝缘层包括：第一氮化硅膜；设置于所述第一氮化硅膜之上的第二氮化硅 膜；设置于所述第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中所述第一氮化硅膜 与所述第三氮化硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度，所述第一氮化硅 膜与所述第三氮化硅膜中的N-H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N-H键 含量，且所述第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N-H键含量之差不小于5%。
根据本发明，采用具有高介电常数的氮化硅作为形成栅极绝缘层的材 料，对于氮化硅的蚀刻处理，一般采用干法蚀刻，例如反应离子蚀刻或等离 子蚀刻，进行各项异性蚀刻，蚀刻后通常形成斜坡状侧壁轮廓，对于蚀刻角 度θ，即对经蚀刻的栅极绝缘层的斜坡状侧面部分与底面部分之间的角度， 达到40～100°较为理想，由此可防止其上有源半导体生长层中产生裂纹以及 底部生长部分出现蠕升生长，并有利于形成具有良好表面平坦度的半导体生 长层。就相同材料而言，蚀刻速度与材料致密性之间存在反比关系，即材料 约致密，蚀刻速度越慢。而氮化硅的致密性与其中的N-H键含量密切相关。 在本发明的一种实施方式中，氮化硅膜优选采用甲硅烷、氨气和氮气作为原 料气体进行制备，制得的氮化硅膜中一般含有N-H键、Si-H键、Si-Si键、 Si-N键，而N-H键与Si-H为长程键相对于Si-Si、Si-N短程键而言稳定性较 差，因此N-H键或Si-H的含量越高，氮化硅膜的致密性越差。基于蚀刻速 度与材料致密性的相关性以及氮化硅膜质的致密性与膜中N-H键含量之间 的相关性，本发明通过调控三层氮化硅膜中的N-H键含量，形成具有不同致 密性的三层氮化硅膜，使处于中间的第二氮化硅膜作为主体部分其中N-H键 含量较高，优选大于20%，膜质较疏松，以兼顾产能，而第一氮化硅膜中的 N-H键含量优选低于10%，第三氮化硅膜中N-H键含量优选低于15%，且 两者的N-H键含量相差5%以上，使得第一氮化硅膜比第三氮化硅膜更加致 密，从而使第三氮化硅膜的蚀刻速度大于第一氮化硅膜，进而在实施蚀刻处 理时具有上述致密性差异的三层氮化硅膜层叠所形成的栅极绝缘层整体上 易于达到40～100°，特别是40～60°的蚀刻角度。
本发明还提供了上述栅极绝缘层的形成方法。根据本发明，三层氮化硅 膜均由化学气相沉积方法(CVD)形成，可采用低压化学气相沉积法、热气相 沉积法、催化化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法等，其中优选等 离子增强化学气相沉积法。等离子增强化学气相沉积法(PECVD)是一种常用 的低温薄膜制备技术，辉光放电和化学气相沉积相结合，特别适用于半导体 薄膜和化合物薄膜的制备。PECVD的基本原理是利用低温等离子体作为能 量源，将基板置于辉光放电阴极之上，通入适当的反应原料气体，气体经过 一系列化学反应和等离子体反应，在基板表面形成一系列薄膜。PECVD设 备具有多路气体接入装置，可同时将多种气体导入设备的反应腔室内，进行 掺杂非晶硅薄膜的生长。根据本发明的栅极绝缘层，构成层叠结构的三层膜 均为氮化硅膜，因而可优选采用PECVD法在同一反应腔室中采用相同的原 料气体一次性连续成膜。
就形成氮化硅膜的原料气体而言，作为氮源气体，可使用NH3、NH2H2N、 N2等，优选NH3和N2，作为硅源气体，可使用SiH4、Si2H6、SiCl4、SiHCl3、 SiH2Cl2、SiH3Cl3、SiF4等，优选SiH4。
为了使三层氮化硅膜中的N-H键含量不同而形成致密性不同的膜层，可 通过调整工艺参数来实现，可采用相同的原料气体种类和比例以及沉积温 度，通过调整功率实现对N-H键含量的控制，还可采用相同的原料气体种类 以及沉积温度和功率，通过调整原料气体比例实现对N-H键含量的控制。
在本发明中，第一原料气体比例、第二原料气体比例和第三原料气体比 例均为原料气体的摩尔比，所提及的流量比均为体积流量比(即摩尔比)。
除非另作限定，本发明所用术语均为本领域技术人员通常理解的含义。
以下通过实施例对本发明作进一步地详细说明。
实施例
实施例1
在本实施例中，采用PECVD方法，使用相同的原料气体种类和比例以 及沉积温度，通过调整功率实现对N-H键含量的控制，制造了本发明的栅极 绝缘层，如图2所示，具体工艺步骤如下：
在真空腔室中，利用射频频率为13.56MHz的射频源，产生低温等离子 体作为气体反应能量源，经由多路气体接入装置通入反应气体甲硅烷、氨气 和氮气，将甲硅烷与氨气的流量比设定为0.2，将沉积温度设定为360℃，以 1000W的第一功率，在具有栅极图形的玻璃基板之上沉积厚度为的第 一氮化硅膜；
在同一腔室中，保持上述工艺条件，仅改变射频功率，以5000W的第 二功率，在所形成的第一氮化硅膜之上连续沉积厚度为的第二氮化硅 膜；
接着，在同一腔室中，保持上述工艺条件，仅改变射频功率，以2000W 的第三功率，在所形成的第二氮化硅膜之上连续沉积厚度为的第三氮化 硅膜，从而制成本发明的栅极绝缘层。
通过傅里叶变换红外光谱来分析上述栅极绝缘层的第一氮化硅膜、第二 氮化硅膜和第三氮化硅膜中各元素的成键状态。根据傅里叶变换红外吸收光 谱，确定了各膜层中N-H键的浓度，相应计算出各膜层中N-H键所占含量 比例：第一氮化硅膜中为10%，第二氮化硅膜中为22%，第三氮化硅膜中为 16%。由此可见，根据本实施例的方法形成的栅极绝缘层，第一氮化硅膜的 N-H键含量小于第三氮化硅膜中的N-H键含量，且两者之差大于5%。进一 步对该栅极绝缘层进行反应离子蚀刻，测得其蚀刻角度为55°。
实施例2
在本实施例中，采用PECVD方法，使用相同的原料气体种类以及沉积 温度和功率，通过原料气体比例实现对N-H键含量的控制，制造了本发明的 栅极绝缘层，如图3所示，具体工艺步骤如下：
在真空腔室中，利用射频频率为13.56MHz的射频源，产生低温等离子 体作为气体反应能量源，将沉积温度设定为360℃，将射频功率设定为 4000W，经由多路气体接入装置通入反应气体甲硅烷、氨气和氮气，以甲硅 烷与氨气的流量比即第一原料气体比例设定为1，在具有栅极图形的玻璃基 板之上沉积厚度为的第一氮化硅膜；
在同一腔室中，保持上述工艺条件，仅改变甲硅烷与氨气的流量比，将 第二原料气体比例设定为0.1，在所形成的第一氮化硅膜之上连续沉积厚度 为的第二氮化硅膜；
接着，在同一腔室中，保持上述工艺条件，仅改变甲硅烷与氨气的流量 比，将第三原料气体比例设定为0.2，在所形成的第二氮化硅膜之上连续沉 积厚度为的第三氮化硅膜，从而制成本发明的栅极绝缘层。
通过傅里叶变换红外光谱来分析上述栅极绝缘层的第一氮化硅膜、第二 氮化硅膜和第三氮化硅膜中各元素的成键状态。根据傅里叶变换红外吸收光 谱，确定了各膜层中N-H键的浓度，相应计算出各膜层中N-H键所占含量 比例分别为：第一氮化硅膜中为12%，第二氮化硅膜中为24%，第三氮化硅 膜中为18%。由此可见，根据本实施例的方法形成的栅极绝缘层，第一氮化 硅膜的N-H键含量小于第三氮化硅膜中的N-H键含量，且两者之差大于5%。 进一步对该栅极绝缘层进行反应离子蚀刻，测得其蚀刻角度为60°。
综上所述，本发明通过调整工艺参数连续形成三层具有不同N-H键含量 的氮化硅膜层所构成的栅极绝缘层，由于内在致密性存在差异，使得蚀刻速 度产生差异，从而能够形成具有理想蚀刻角度的斜坡状侧面轮廓。
本领域技术人员应当注意的是，本发明所描述的实施方式仅仅是示范性 的，可在本发明的范围内作出各种其他替换、改变和改进。因而，本发明不 限于上述实施方式，而仅由权利要求限定。