熔丝结构技术领域
本发明涉及适用于各种芯片制造工艺的新型的熔丝结构，且尤其涉及一种适
用于芯片精度修正的熔丝结构。
背景技术
随着对集成电路高性能指标的要求越来越高,集成电路面临高精度的要求日趋
明显,修调技术是实现高精度集成电路的必要手段。修调技术广泛应用于对D/A和
A/D转换器的精度、V/F转换器的频率、有源滤波器的零点频率、运算放大器的失
调电压和各种高精度基准源等的微调。采用熔丝结构作为高精度修调的方式，成本
比较低廉，主要需要考虑熔丝结构所占据面积和熔断熔丝的可靠性问题。
发明内容
本发明提出了一种全新的蛇形或叠层熔丝结构，用于大幅提升熔丝熔断可靠
性，保证芯片精度的修正准确。
具体的，本发明提供了一种熔丝结构，包括：电介质层和熔丝，其中该熔丝
采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层上。
较佳地，在上述的熔丝结构中，该折叠绕弯的布图方式是使该熔丝弯折后所
形成的两段熔丝之间的夹角在0-180度之间，且弯折部位呈弧线或折线。
较佳地，在上述的熔丝结构中，该熔丝电介质层上的熔丝弯折多次。
较佳地，在上述的熔丝结构中，该电介质层包括彼此叠置的多个电介质层，
其中每个电介质层上的熔丝的至少一端处设置有对接孔，且相邻两个电介质层上的
熔丝经由该对接孔实现串联。
较佳地，在上述的熔丝结构中，该相邻两个电介质层的用于实现熔丝串联的
对接孔定位于彼此平行的水平面上的相同水平位置。
较佳地，在上述的熔丝结构中，该熔丝通过沉积、光刻、刻蚀、溅射、电镀
和喷涂中的一种方式形成于该电介质层的一侧表面上。
较佳地，在上述的熔丝结构中，该电介质层为铝层或者多晶层。
较佳地，在上述的熔丝结构中，该熔丝结构适用于芯片精度修正。
综上，本发明的熔丝结构可以增加熔丝长度，扩大熔丝整体结构占据的空间
体积，大幅提升熔丝熔断可靠性，保证芯片精度的修正准确。
应当理解，本发明以上的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性
的，并且旨在为如权利要求所述的本发明提供进一步的解释。
附图说明
包括附图是为提供对本发明进一步的理解，它们被收录并构成本申请的一部
分，附图示出了本发明的实施例，并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。
附图中：
图1a示出了折叠绕弯的布图方式的第一实施例。
图1b示出了折叠绕弯的布图方式的第二实施例。
图1c示出了折叠绕弯的布图方式的第三实施例。
图1d示出了折叠绕弯的布图方式的第四实施例。
图2示出了叠置结构的实施例。
具体实施方式
现在将详细参考附图描述本发明的实施例。现在将详细参考本发明的优选
实施例，其示例在附图中示出。在任何可能的情况下，在所有附图中将使用相
同的标记来表示相同或相似的部分。此外，尽管本发明中所使用的术语是从公
知公用的术语中选择的，但是本发明说明书中所提及的一些术语可能是申请人
按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，
要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理
解本发明。
首先参考图1a-图1d。本发明的熔丝结构100主要包括电介质层101和熔丝
102。特别是，该熔丝102采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层101上，从
而增加了相同面积下熔丝结构所占据的空间。
该电介质层101可以是铝层或者多晶层。
此外，该熔丝102例如可以通过沉积、光刻、刻蚀、溅射、电镀和喷涂中的
一种方式形成于该电介质层101的一侧表面上。更具体的，如果电介质层101采用
多晶层，则可以采用诸如多晶淀积、光刻多晶、刻蚀多晶等工艺形成熔丝102于该
多晶层上；或者，若电介质层101采用铝层，则可以采用诸如溅射、光刻、刻蚀等
工艺形成熔丝102于该铝层上。
具体的，上述的折叠绕弯的布图方式是使该熔丝102(例如熔丝图形的中位线)
弯折后所形成的两段熔丝之间的夹角在0-180度之间的各种角度。比如，图1a所
示的实施例中的夹角例如是135度，且图1b、图1c和图1d所示的实施例中的多
处夹角均为90度。此外，弯折的部位优选呈弧线或折线。
此外，图1a所示的实施例中的熔丝102仅包含一次弯折，图1b所示的实施
例中包含两次弯折。在图1c和图1d所示的实施例中，熔丝电介质层101上的熔丝
102弯折多次。
现在转到图2，该图示出了包含多个电介质层的叠置结构的实施例。在图2
所示的实施例中，该电介质层101包括彼此叠置的三个电介质层。每个电介质层
101上的熔丝102的至少一端处设置有对接孔103。这样，相邻两个电介质层101
上的熔丝102经由该对接孔103实现串联。
较佳地，在图2所示的实施例中，该相邻两个电介质层101的用于实现熔丝
102串联的对接孔103定位于彼此平行的水平面上的相同水平位置，如图2所示的
两个对接孔103那样。这样，可以更方便地实现跨层的对接。
综上，本发明的用于芯片精度修正的熔丝结构的特点主要在于以下两方面：1)
折叠绕弯(蛇形)的熔丝平面结构，以及2)通过串联多层的方式形成叠层熔丝结
构。本发明的上述两项技术特征的益处至少在于：可以增加熔丝结构所占据的空间
位置，增加熔丝有效长度，增加熔丝的熔断可靠性。
本领域技术人员可显见，可对本发明的上述示例性实施例进行各种修改和变
型而不偏离本发明的精神和范围。因此，旨在使本发明覆盖落在所附权利要求书及
其等效技术方案范围内的对本发明的修改和变型。