发光器件及发光器件封装件.pdf

公开了一种发光器件以及发光器件封装件。发光器件包括：支撑基板；设置在支撑基板上并包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一金属层；设置在支撑基板上并包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二金属层；以及与第一导电型第一半导体层的侧面接触并电连接至第二金属层的接触部。

权利要求书一种发光器件，包括：
包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；
在所述第一发光结构下的第一金属层；
包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；
在所述第二发光结构下的第二金属层；以及
与所述第一导电型第一半导体层的侧面接触并电连接至所述第二金属层的接触部。
根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接触部与所述第二金属层的顶表面接触。
根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一金属层的一部分上的第一反射电极。
根据权利要求3所述的发光器件，还包括在所述第二金属层的一部分上的第二反射电极。
根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的顶表面接触。
根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述接触部与所述第一有源层之间以及在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的绝缘层。
根据权利要求6所述的发光器件，其中所述绝缘层设置在所述第一导电型第一半导体层的下部处。
根据权利要求4所述的发光器件，还包括：
在第一反射电极与所述第二导电型第二半导体层之间的第一欧姆接触层；以及
在第二反射电极与所述第二导电型第四半导体层之间的第二欧姆接触层。
根据权利要求1所述的发光器件，还包括绝缘层，所述绝缘层使所述第一金属层电绝缘于所述第二金属层、使所述接触部电绝缘于所述第一有源层以及使所述接触部电绝缘于所述第二导电型第二半导体层。
根据权利要求9所述的发光器件，其中所述绝缘层部分地设置在所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层的内部。
根据权利要求9所述的发光器件，其中所述接触部与所述绝缘层间隔开。
根据权利要求9所述的发光器件，其中构成所述第一发光结构的所述半导体层部分地设置在所述接触部与所述绝缘层之间。
根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二金属层部分地设置在所述接触部与所述绝缘层之间。
一种发光器件封装件，包括：
本体；
安装在所述本体上的根据权利要求1至13中任一项所述的发光器件；以及
电连接至所述发光器件的第一和第二引线电极。
一种照明装置，包括：
板；
安装在所述板上的根据权利要求1至13中任一项所述的发光器件；以及
使由所述发光器件供给的光透过的光学构件。

说明书发光器件及发光器件封装件
技术领域
实施方案涉及一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
背景技术
发光二极管(LED)已经广泛地应用为发光器件。LED通过使用化合物半导体的特性将电信号转换成光，例如红外线、可见光或紫外线。
随着发光器件的光效率的提高，发光器件广泛地应用于各种领域，例如显示器件和照明器件。
发明内容
实施方案提供一种能够提高工艺稳定性并包括彼此电连接的多个单元的发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
根据实施方案，提供一种发光器件，该发光器件包括：支撑基板；设置在支撑基板上并包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一金属层；设置在支撑基板上并包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二金属层；以及与所述第一导电型第一半导体层的侧面接触并电连接至第二金属层的接触部。
根据实施方案，提供一种发光器件，该发光器件包括：包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一金属层；包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二金属层；电连接至第一导电型第一半导体层和第二金属层的接触部；以及绝缘层，所述绝缘层使接触部电绝缘于第一有源层、使接触部电绝缘于第二导电型第二半导体层以及使第一金属层电绝缘于第二金属层。
根据实施方案，提供一种发光器件封装件，所述发光器件封装件包括：本体、在本体上的发光器件以及电连接至发光器件的第一引线电极和第二引线电极。该发光器件包括：支撑基板；设置在支撑基板上并包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一金属层；设置在支撑基板上并包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二金属层；以及与第一导电型第一半导体层的侧面接触并电连接至第二金属层的接触部。
根据实施方案，提供一种发光器件封装件，所述发光器件封装件包括：本体、安装在本体上的发光器件以及电连接至发光器件的第一引线电极和第二引线电极。该发光器件包括：包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一金属层；包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二金属层；电连接至第一导电型第一半导体层和第二金属层的接触部；以及绝缘层，所述绝缘层使接触部电绝缘于第一有源层、使接触部电绝缘于第二导电型第二半导体层以及使第一金属层电绝缘于第二金属层。
根据实施方案，提供一种照明装置，所述照明装置包括：板、安装在板上的发光器件以及使由发光器件供给的光透过的光学构件。该发光器件包括：支撑基板；设置在支撑基板上并包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一金属层；设置在支撑基板上并包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二金属层；以及与第一导电型第一半导体层的侧面接触并电连接至第二金属层的接触部。
根据实施方案，提供一种照明装置，所述照明装置包括：板、安装在板上的发光器件以及使由发光器件供给的光透过的光学构件。所述发光器件包括：包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在所述第一发光结构下的第一金属层；包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二金属层；电连接至所述第一导电型第一半导体层和第二金属层的接触部；以及绝缘层，所述绝缘层使接触部电绝缘于第一有源层、使接触部电绝缘于第二导电型第二半导体层以及使第一金属层电绝缘于第二金属层。
如上所述，实施方案提供一种能够提高工艺稳定性并包括彼此电连接的多个单元的发光器件、发光器件封装件以及照明装置。
附图说明
图1是示出根据实施方案的发光器件的截面图；
图2至图6是示出用于制造根据实施方案的发光器件的方法的截面图；
图7和图8是示出根据实施方案的发光器件的变化实例的截面图；
图9是示出根据另一实施方案的发光器件的截面图；
图10至图15是示出用于制造根据另一实施方案的发光器件的方法的截面图；
图16和图18是示出根据另一实施方案的发光器件的变化实例的截面图；
图19是示出根据实施方案的发光器件封装件的视图；
图20是示出根据实施方案的显示器件的视图；
图21是示出根据另一实施方案的显示器件的视图；以及
图22是示出根据实施方案的照明器件的视图。
具体实施方式
在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一个图案“上”或“下”时，其可以“直接”或“间接”地在其它基板、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在有一个或更多个中间层。已参照附图描绘了层的这种位置。
出于方便或清楚的目的，附图中示出的各层的厚度和尺寸可以被放大、省略或示意性地画出。另外，元件的尺寸并非完全反映实际尺寸。
以下，将参照附图描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、照明装置以及用于制造发光器件的方法。
图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。
如图1所示，根据实施方案的发光器件可以包括第一发光结构10、第二发光结构20、第三发光结构30、第一反射电极17、第二反射电极27、第三反射电极37以及电极80。尽管图1中示出三个发光结构，但是根据实施方案的发光器件可以包括两个发光结构或至少四个发光结构。发光结构可以彼此电连接。发光结构可以以串联的方式彼此电连接。第一发光结构10和第二发光结构20可以通过第一接触部43而彼此电连接。第二发光结构20和第三发光结构30可以通过第二接触部53而彼此电连接。另外，发光结构可以设置在支撑基板70上。
第一发光结构10可以包括第一导电型第一半导体层11、第一有源层12以及第二导电型第二半导体层13。第一有源层12可以设置在第一导电型第一半导体层11与第二导电型第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电型第一半导体层11下，第二导电型第二半导体层13可以设置在第一有源层12下。
例如，第一导电型第一半导体层11可以制备成掺杂有作为第一导电类型掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备成掺杂有作为第二导电类型掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。与此相反，第一导电型第一半导体层11可以制备成p型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备成n型半导体层。
例如，第一导电型第一半导体层11可以包括n型半导体层。可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第一导电型第一半导体层11。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有n型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或Te。
第一有源层12通过经由第一导电型第一半导体层11注入的电子(或空穴)与经由第二导电型第二半导体层13注入的空穴(电子)的复合、基于构成第一有源层12的材料的能带的带隙差而发射光。第一有源层12可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，但是实施方案不限于此。
第一有源层12可以包括具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。如果第一有源层12具有MQW结构，则第一有源层12可以具有多个阱层和多个势垒层的堆叠结构。例如，第一有源层12可以包括InGaN阱层/GaN阻挡层的堆叠结构。
例如，第二导电型第二半导体层13可以包括p型半导体层。可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第二导电型第二半导体层13。例如，第二导电型第二半导体层13可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有p型掺杂剂，例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
同时，第一导电型第一半导体层11可以包括p型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以包括n型半导体层。另外，可以在第二导电型第二半导体层13下附加地形成包括n型半导体层或p型半导体层的半导体层。因此，第一发光结构10可以具有NP、PN、NPN以及PNP结结构中的至少一种。另外，第一导电型第一半导体层11和第二导电型第二半导体层13中的杂质的掺杂浓度可以均一或不均一。换言之，发光结构10可以以不同的方式形成，但是实施方案不限于此。
另外，可以在第一导电型第一半导体层11与第一有源层12之间形成第一导电类型InGaN/GaN超晶格结构或第一导电类型InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电型第二半导体层13与第一有源层12之间形成第二导电类型AlGaN层。
另外，第二发光结构20可以包括：第一导电型第三半导体层21、第二有源层22以及第二导电型第四半导体层23。第二有源层22设置在第一导电型第三半导体层21与第二导电型第四半导体层23之间。第二有源层22可以设置在第一导电型第三半导体层21下，第二导电型第四半导体层23可以设置在第二有源层22下。可以以类似于上述第一发光结构10的方式来制备第二发光结构20。
另外，第三发光结构30可以包括：第一导电型第五半导体层31、第三有源层32以及第二导电型第六半导体层33。第三有源层32可以设置在第一导电型第五半导体层31与第二导电型第六半导体层33之间。第三有源层32可以设置在第一导电型第五半导体层31下，第二导电型第六半导体层33可以设置在第三有源层32下。可以以类似于上述第一发光结构10的方式来制备第三发光结构30。
可以在第一发光结构10下设置第一欧姆接触层15和第一反射电极17。可以在第一发光结构10下并包围第一反射电极17设置第一金属层19。第一金属层19可以设置在第一欧姆接触层15周围以及第一反射电极17下。
例如，第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一欧姆接触层15可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt以及Ag中的至少一种。
第一反射电极17可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一反射电极17可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO以多层结构形成第一反射电极17。例如，根据实施方案，第一反射电极17可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
第一欧姆接触层15与第一发光结构10欧姆接触。另外，第一反射电极17可以通过反射由第一发光结构10入射的光来增加提取到外部的光量。
当形成接合层60时，第一金属层19可以防止包括在接合层60中的材料向第一反射电极17扩散。详细地，第一金属层19可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第一反射电极17施加影响。第一金属层19可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。第一金属层19可以包括透明导电氧化物层。第一金属层19可以被称为隔离层或沟道层。
另外，可以在第二发光结构20下设置第二欧姆接触层25和第二反射电极27。可以在第二发光结构20下并包围第二反射电极27设置第二金属层29。第二金属层29可以设置在第二欧姆接触层25周围以及第二反射电极27下。
例如，第二欧姆接触层25可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二欧姆接触层25可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第二反射电极27可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第二反射电极27可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料(例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)以多层结构形成第二反射电极27。例如，根据实施方案，第二反射电极27可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
第二欧姆接触层25与第二发光结构20欧姆接触。另外，第二反射电极27可以通过反射由第二发光结构20入射的光来增加提取到外部的光量。
当形成接合层60时，第二金属层29可以防止包括在接合层60中的材料向第二反射电极27扩散。详细地，第二金属层29可以防止包括在接合层60中材料例如Sn对第二反射电极27施加影响。第二金属层29可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。第二金属层29可以包括透明导电氧化物层。
另外，可以在第三发光结构30下设置第三欧姆接触层35和第三反射电极37。可以在第三发光结构30下并包围第三反射电极37设置第三金属层39。第三金属层39可以设置在第三欧姆接触层35周围以及第三反射电极37下。
例如，第三欧姆接触层35可以包括透明导电氧化物层。详细地，第三欧姆接触层35可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第三反射电极37可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第三反射电极37可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料(例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)以多层结构形成第三反射电极37。例如，根据实施方案，第三反射电极37可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
第三欧姆接触层35与第三发光结构30欧姆接触。另外，第三反射电极37可以通过反射由第三发光结构30入射的光来增加提取到外部的光量。
当形成接合层60时，第三金属层39可以防止包括在接合层60中的材料向第三反射电极37扩散。详细地，第三金属层39可以防止包括在接合层60中的材料(例如Sn)对第三反射电极37施加影响。第三金属层39可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。
可以在第一发光结构10与第二发光结构20之间设置第一接触部43。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的侧面接触。第一接触部43可以与第二金属层29接触。第一接触部43可以与第二金属层29的顶表面接触。因为第二金属层29电连接至第二反射电极27和第二欧姆接触层25，所以第一接触部43可以电连接至第二导电型第四半导体层23。因此，第一导电型第一半导体层11可以通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V以及Ag中的至少一种。另外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触。
可以在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间设置第一绝缘层41。可以在第一接触部43与第一有源层12之间设置第一绝缘层41。可以在第一导电型第一半导体层11下部处设置第一绝缘层41。第一绝缘层41可以与第一接触部43接触。第一绝缘层41的侧面可以与第一接触部43接触。第一绝缘层41可以包括透射材料或绝缘材料。例如，第一绝缘层41可以包括SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
可以在第二发光结构20与第三发光结构30之间设置第二接触部53。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的侧面接触。第二接触部53可以与第三金属层39接触。第二接触部53可以与第三金属层39的顶表面接触。因为第三金属层39电连接至第三反射电极37和第三欧姆接触层35，所以第二接触部53可以电连接至第二导电型第六半导体层33。因此，第一导电型第三半导体层21可以通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V以及Ag中的至少一种。另外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。在这种情况下，当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的N面接触。
可以在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间设置第二绝缘层51。可以在第二接触部53与第二有源层22之间设置第二绝缘层51。可以在第一导电型第三半导体层21下部处设置第二绝缘层51。第二绝缘层51可以与第二接触部53接触。第二绝缘层51的侧面可以与第二接触部53接触。第二绝缘层51可以包括透射材料或绝缘材料。例如，第二绝缘层51可以包括SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
可以在第二金属层29与第三金属层39之间设置第三绝缘层40。第三绝缘层40可以包括氧化物或氮化物。第三绝缘层40可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4以及Al2O3。另外，第三绝缘层40可以与第一绝缘层41的下部接触。另外，第三绝缘层40可以与第二绝缘层51的下部接触。第三绝缘层40的第一区域可以设置在第一金属层19与第二金属层29之间。第三绝缘层40的第二区域可以设置在第二金属层29与第三金属层39之间。
可以在第一金属层19和第三绝缘层40下设置扩散阻挡层50、接合层60以及支撑构件70。
当形成接合层60时，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料向第一至第三反射电极17、27和37扩散。详细地，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第一至第三反射电极17、27和37施加影响。扩散阻挡层50可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
接合层60可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。支撑构件70支撑根据实施方案的发光器件并电连接至外部电极以向第一发光结构10供电。接合层60可以制备成种子层。
例如，支撑构件70可以包括选自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu‑W以及掺杂有杂质(即，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe)的半导体基板中的至少一种。支撑构件70可以包括绝缘材料。例如，支撑构件70可以包括Al2O3或SiO2。
同时，可以在第一导电型第五半导体层31上设置电极80。电极80可以电连接至第一导电型第五半导体层31。电极80可以与第一导电型第五半导体层31的顶表面接触。
因此，可以通过电极80和第一反射电极17对第一至第三发光结构10、20和30供电。第一至第三发光结构10、20和30以串联的方式彼此电连接。因此，当通过电极80和第一反射电极17供电时，第一至第三发光结构10、20和30可以发射光。
根据实施方案，电极80可以具有多层结构。例如，电极80可以包括欧姆接触层、中间层和上层。欧姆接触层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn中的一种，以实现欧姆接触。中间层可以包括选自Ni、Cu和Al中的一种。上层可以包括Au。
可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶表面上形成光提取图案。详细地，可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶表面上形成凹凸图案。因此，根据实施方案，可以提高外部光提取效率。
根据实施方案，第一至第三发光结构10、20和30的顶表面可以形成为N面。因为N面表现出大于Ga面的表面粗糙度，所以第一至第三发光结构10、20和30可以表现出更加提高的光提取效率。另外，可以在电极80与第一导电型第五半导体层31之间进一步设置未掺杂GaN层。因此，未掺杂GaN层相对于与N面接触的电极80用作一种平衡电阻器，使得操作电压可以变化。
可以在第一至第三发光结构10、20和30上形成保护层。保护层可以包括氧化物或氮化物。例如，保护层可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或Al2O3。保护层可以设置在第一和第三发光结构10和30周围。
根据实施方案，相邻的发光结构可以通过第一和第二接触部43和53以串联的方式彼此电连接。另外，因为在第一发光结构10与第二发光结构20之间没有设置附加的绝缘层，所以在形成第一接触部43时，不需要用于绝缘层的蚀刻工艺。因此，当形成第一接触部43时，可以提高制造稳定性。换言之，因为不需要形成绝缘层的工艺和用于绝缘层的蚀刻工艺，所以可以确保工艺稳定性。
根据实施方案的发光器件包括多个发光单元。各发光单元可以包括：反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层以及在有源层上的第一导电型半导体层。另外，发光器件包括接触部，所述接触部与第一发光单元的第一导电型半导体层的侧面接触并电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极。接触部可以与第一发光单元的第一导电型半导体层的顶表面接触并且可以电连接至第二发光单元的反射电极。可以在第一发光单元的有源层与接触部之间以及第一发光单元的第二导电型半导体层与接触部之间设置绝缘层。可以在第一发光单元的第一导电型半导体层下设置绝缘层。另外，发光器件可以包括电连接至第二发光单元的第一导电型半导体层的电极。因此，当向第一发光单元的反射电极以及连接至第二发光单元的电极供电时，第一发光单元以串联方式电连接至第二发光单元，使得能够发射光。
以下，将参照图2至图6描述用于制造根据实施方案的发光器件的方法。
根据用于制造根据实施方案的发光器件的方法，如图2所示，在生长基板5上形成第一导电型半导体层11a、有源层12a以及第二导电型半导体层13a。第一导电型半导体层11a、有源层12a以及第二导电型半导体层13a可以构成发光结构10a。
生长基板5可以包括Al2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP以及Ge中的至少一种，但实施方案不限于此。可以在第一导电型第一半导体层11与生长基板5之间附加地设置缓冲层。
例如，第一导电型半导体层11a可以制备成掺杂有作为第一导电类型掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，第二导电型半导体层13a可以制备成掺杂有作为第二导电类型掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。与此相反，第一导电型半导体层11a可以制备成p型半导体层，第二导电型半导体层13a可以制备成n型半导体层。
例如，第一导电型半导体层11a可以包括n型半导体层。可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第一导电型半导体层11a。例如，第一导电型第一半导体层11a可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN和InN中的一种，并且可以掺杂有n型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或Te。
有源层12a通过经由第一导电型半导体层11a注入的电子(或空穴)与经由第二导电型导体层13a注入的空穴(电子)的复合、基于构成有源层12a的材料的能带的带隙差而发射光。有源层12a可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，但是实施方案不限于此。
有源层12a可以包括具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。如果有源层12a具有MQW结构，则有源层12a可以具有多个阱层和多个势垒层的堆叠结构。例如，有源层12a可以包括InGaN阱层/GaN势垒层的堆叠结构。
例如，第二导电型半导体层13a可以包括p型半导体层。可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第二导电型半导体层13a。例如，第二导电型半导体层13a可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN和InN中的一种，并且可以掺杂有p型掺杂剂，例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
同时，第一导电型半导体层11a可以包括p型半导体层，第二导电型半导体层13a可以包括n型半导体层。另外，可以在第二导电型半导体层13a的上方形成包括n型半导体层或p型半导体层的半导体层。因此，发光结构10a可以具有NP、PN、NPN以及PNP结结构中的至少一种。另外，第一导电型半导体层11a和第二导电型半导体层13a中的杂质的掺杂浓度可以均一或不均一。换言之，发光结构10a可以以不同的方式形成，实施方案并不限于此。
另外，可以在第一导电型半导体层11a与有源层12a之间形成第一导电类型InGaN/GaN超晶格结构或第一导电类型InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电型半导体层13a与有源层12a之间形成第二导电类型AlGaN层。
然后，如图3所示，在第二导电型半导体层13a的第一区域上形成第一欧姆接触层15和第一反射电极17。另外，在第二导电型半导体层13a的第二区域上形成第二欧姆接触层25和第二反射电极27，在第二导电型半导体层13a的第三区域上形成第三欧姆接触层35和第三反射电极37。
例如，第一至第三欧姆接触层15、25和35可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一至第三欧姆接触层15、25和35可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt以及Ag中的至少一种。
第一至第三反射电极17、27和37可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一至第三反射电极17、27和37可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料(例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)以多层结构形成第一至第三反射电极17、27和37。例如，根据实施方案，第一至第三反射电极17、27和37可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
接下来，如图4所示，在第二导电型第二半导体层13与第二导电型第四半导体层23之间形成第一绝缘层41。在第一有源层12与第二有源层22之间形成第一绝缘层41。第一绝缘层41的一部分可以与第一欧姆接触层15接触。第一绝缘层41可以与第一导电型半导体层11a的内部部分接触。第一绝缘层41可以包括透射材料或绝缘材料。第一绝缘层41可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
在第二导电型第四半导体层23与第二导电型第六半导体层33之间形成第二绝缘层51。在第二有源层22与第三有源层33之间形成第二绝缘层51。第二绝缘层51的一部分可以与第二欧姆接触层25接触。第二绝缘层51可以与第一导电型半导体层11a的内部部分接触。第二绝缘层51可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
以下，如图5所示，在第一至第三反射电极17、27和37以及第一和第二绝缘层41和51上形成金属层，然后形成第三绝缘层40。通过第三绝缘层40，金属层可以被分成第一至第三金属层19、29和39。第一至第三金属层19、29和39通过第三绝缘层40彼此电绝缘。第三绝缘层40可以与第一绝缘层41的顶表面接触。第三绝缘层40可以与第二绝缘层51的顶表面接触。
例如，第一至第三金属层19至39可以包括Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。另外，第一至第三金属层19至39可以包括透明导电氧化物层。第三绝缘层40可以包括透射材料或绝缘材料。例如，第三绝缘层40可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或Al。
可以通过各种工艺来形成第一至第三金属层19、29和39以及第三绝缘层40。例如，第三绝缘层40可以通过多种工艺形成。另外，第一至第三金属层19、29和39可以通过单独的工艺形成。
接下来，在第一金属层19和第三绝缘层40上形成扩散阻挡层50、接合层60以及支撑构件70，如图5所示。
当形成接合层60时，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料向第一反射电极17扩散。详细地，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第一反射电极17施加影响。扩散阻挡层50可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W以及Pt中的至少一种。
接合层60可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一种。支撑构件70支撑根据实施方案的发光器件并电连接至外部电极以向第一反射电极17供电。
例如，支撑构件70可以包括选自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu‑W以及掺杂有杂质(即Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe)的半导体基板中的至少一种。支撑构件70可以包括绝缘材料。例如，支撑构件70可以包括Al2O3或SiO2。
接下来，将生长基板5从第一导电型半导体层11a移除。例如，可以通过激光剥离(LLO)工艺来移除生长基板5。根据LLO工艺，激光辐照到生长基板5的底表面上，以将生长基板5从第一导电型半导体层11a剥离。
之后，如图6所示，实施隔离蚀刻工艺，以将第一至第三发光结构10、20和30彼此隔离开。隔离蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺，例如ICP(电感耦合式等离子体)工艺，但实施方案不限于此。第一至第三金属层19、29和39通过隔离蚀刻工艺部分地暴露出来。另外，第一绝缘层41的一部分与第二绝缘层51的一部分通过隔离蚀刻工艺暴露出来。
之后，如图6所示，可以形成第一和第二接触部43和53。可以在第一发光结构10与第二发光结构20之间形成第一接触部43。第一接触部43将第一导电型第一半导体层11电连接至第二反射电极27。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的侧面接触。第一接触部43可以与第二金属层29接触。第一接触部43可以与第二金属层29的顶表面接触。第一接触部43可以电连接至第二导电型第四半导体层23。第一导电型第一半导体层11可以通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。第一接触部43的一部分可以与第一绝缘层41的侧面接触。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一种。另外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触。
可以在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间设置第一绝缘层41。可以在第一接触部43与第一有源层12之间设置第一绝缘层41。可以在第一导电型第一半导体层11下部处设置第一绝缘层41。第一绝缘层41的侧面可以与第一接触部43接触。
可以在第二发光结构20与第三发光结构30之间设置第二接触部53。第二接触部53将第一导电型第三半导体层21电连接至第三反射电极37，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的侧面接触。第二接触部53可以与第三金属层39接触。第二接触部53可以与第三金属层39的顶表面接触。第二接触部53可以电连接至第二导电型第六半导体层33。第一导电型第三半导体层21可以通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。第二接触部53的一部分可以与第二绝缘层51的侧面接触。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V和Ag中的至少一种。另外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。在这种情况下，当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的N面接触。
可以在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间设置第二绝缘层51。可以在第二接触部53与第二有源层22之间设置第二绝缘层51。可以在第一导电型第三半导体层21下部处设置第二绝缘层51。第二绝缘层51可以与第二接触部53接触。
可以在第一至第三发光结构10至30的顶表面上设置光提取图案。可以在第一至第三发光结构10至30的顶表面上设置凹凸图案。因此，根据实施方案，可以提高外部光提取效率。根据实施方案，第一至第三发光结构10、20和30的顶表面可以形成为N面。因为N面表现出大于Ga面的表面粗糙度，所以第一至第三发光结构10、20和30可以表现出更加提高的光提取效率。
同时，可以在第一导电型第五半导体层31上设置电极80。电极80可以电连接至第一导电型第五半导体层31。电极80可以与第一导电型第五半导体层31的顶表面接触。
因此，可以通过电极80和第一反射电极17向第一至第三发光结构10、20和30供电。第一至第三发光结构10、20和30以串联的方式彼此连接。因此，当通过电极80和第一反射电极17供电时，第一至第三发光结构10、20和30可以发射光。
根据实施方案，电极80可以具有多层结构。例如，电极80可以包括欧姆接触层、中间层和上层。欧姆接触层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn中的一种，以实现欧姆接触。中间层可以包括选自Ni、Cu和Al中的一种。上层可以包括Au。
可以在第一至第三发光结构10、20和30上形成保护层。保护层可以包括氧化物或氮化物。例如，保护层可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或Al2O3。保护层可以设置在第一和第三发光结构10和30周围。
根据实施方案，相邻的发光结构可以通过第一和第二接触部43和53以串联的方式彼此电连接。另外，因为在第一发光结构10与第二发光结构20之间没有设置附加的绝缘层，所以在形成第一接触部43时，不需要用于绝缘层的蚀刻工艺。因此，当形成第一接触部43时，可以提高制造稳定性。换言之，因为不需要形成绝缘层的工艺和用于绝缘层的蚀刻工艺，所以可以确保工艺稳定性。
同时，形成上述层的工艺只是用于说明性目的，可以以不同的方式改变工艺次序。
图7是示出根据实施方案的发光器件的另一实例的视图。当描述图7所示的根据实施方案的发光器件时，与图1中所示相同的结构和部件将不再赘述。
可以在第一和第二发光结构10和20之间设置第一接触部43。第一接触部43可以将第一导电型第一半导体层11电连接至第二反射电极27。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的侧面接触。第一接触部43可以与第二金属层29接触。第一接触部43可以与第二金属层29的顶表面接触。第一接触部43可以电连接至第二导电型第四半导体层23。第一导电型第一半导体层11可以通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V和Ag中的至少一种。另外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触。
可以在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间设置第一绝缘层41。可以在第一接触部43与第一有源层12之间设置第一绝缘层41。可以在第一导电型第一半导体层11下部处设置第一绝缘层41。第一绝缘层41可以与第一接触部43接触。第一绝缘层41可以包括透射材料或绝缘材料。例如，第一绝缘层41可以包括SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
可以在第二发光结构20与第三发光结构30之间设置第二接触部53。第二接触部53将第一导电型第三半导体层21电连接至第三反射电极37，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的侧面接触。第二接触部53可以与第三金属层39接触。第二接触部53可以与第三金属层39的顶表面接触。第二接触部53可以电连接至第二导电型第六半导体层33。第一导电型第三半导体层21可以通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V以及Ag中的至少一种。另外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。在这种情况下，当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的N面接触。
可以在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间设置第二绝缘层51。可以在第二接触部53与第二有源层22之间设置第二绝缘层51。可以在第一导电型第三半导体层21下部处设置第二绝缘层51。第二绝缘层51可以与第二接触部53接触。第二绝缘层51可以包括透射材料或绝缘材料。第二绝缘层51可以包括如下材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
可以在第二金属层29与第三金属层39之间设置第三绝缘层40。第三绝缘层40可以包括氧化物或氮化物。第三绝缘层40可以包括透射且绝缘的材料。例如，第三绝缘层40可以包括SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4以及Al2O3。另外，第三绝缘层40可以与第一绝缘层41的下部接触。在接触区域中，第三绝缘层40的的顶表面的接触面积可以与第一绝缘层41的底表面的接触面积相同。另外，第三绝缘层40可以与第二绝缘层51的下部接触。在接触区域中，第三绝缘层40的顶表面的接触面积可以与第二绝缘层51的底表面的接触面积相同。在第一金属层19与第二金属层29之间可以插入第三绝缘层40的一部分。在第二金属层29与第三金属层39之间可以插入第三绝缘层40的另一部分。
图8是示出根据实施方案的发光器件的又一实例的视图。当描述图8所示的根据实施方案的发光器件时，与图1中所示相同的结构和部件将不再赘述。
根据实施方案的发光器件，可以在第一发光结构10下设置第一欧姆反射电极16。第一欧姆反射电极16可以制备成实施已参照图1描述的第一反射电极17和第一欧姆接触层15两者的功能。因此，第一欧姆反射电极16与第二导电型第二半导体层13形成欧姆接触并反射由第一发光结构10入射的光。
另外，可以在第二发光结构20下设置第二欧姆反射电极26。第二欧姆反射电极26可以制备成实施已参照图1描述的第二反射电极27和第二欧姆接触层25两者的功能。因此，第二欧姆反射电极26与第二导电型第四半导体层23形成欧姆接触并反射由第二发光结构20入射的光。
另外，可以在第三发光结构30下设置第三欧姆反射电极36。第三欧姆反射电极36可以制备成实施已参照图1描述的第三反射电极37和第三欧姆接触层35两者的功能。因此，第三欧姆反射电极36与第二导电型第六半导体层33欧姆接触并反射由第三发光结构30入射的光。
图9是示出根据实施方案的发光器件的截面图。
如图9所示，根据实施方案的发光器件包括：第一至第三发光结构10、20和30；第一至第三反射电极17、27和37；以及电极80。尽管图9中示出三个发光结构，但是根据实施方案的发光器件还可以包括两个发光结构或至少四个发光结构。
发光结构可以彼此电连接。发光结构可以以串联的方式彼此电连接。第一发光结构10和第二发光结构20可以通过第一接触部43彼此电连接。第二发光结构20和第三发光结构30可以通过第二接触部53彼此电连接。另外，可以将发光结构设置在支撑基板70上。
第一发光结构10可以包括：第一导电型第一半导体层11、第一有源层12以及第二导电型第二半导体层13。第一有源层12可以设置在第一导电型第一半导体层11与第二导电型第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电型第一半导体层11下，第二导电型第二半导体层13可以设置在第一有源层12下。
例如，第一导电型第一半导体层11可以制备成掺杂有作为第一导电类型掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备成掺杂有作为第二导电类型掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。与此相反，第一导电型第一半导体层11可以制备成p型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备成n型半导体层。
例如，第一导电型第一半导体层11可以包括n型半导体层。第一导电型第一半导体层11可被制备成化合物半导体。第一导电型第一半导体层11可以包括II‑VI族化合物半导体或III‑V族化合物半导体。例如可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第一导电型第一半导体层11。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种，并且可以掺杂有n型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或Te。
第一有源层12通过经由第一导电型第一半导体层11注入的电子(或空穴)与经由第二导电型第二半导体层13注入的空穴(电子)的复合、基于构成第一有源层12的材料的能带的带隙差而发射光。第一有源层12可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，但是实施方案不限于此。
第一有源层12可以包括化合物半导体。第一有源层12可以包括具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。如果第一有源层12具有MQW结构，则第一有源层12可以具有多个阱层和多个势垒层的堆叠结构。例如，第一有源层12可以包括InGaN阱层/GaN势垒层的堆叠结构。
例如，第二导电型第二半导体层13可以包括p型半导体层。第二导电型第二半导体层13可被制备成化合物半导体。第二导电型第二半导体层13可以包括II‑VI族化合物半导体或III‑V族化合物半导体。例如，可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第二导电型第二半导体层13。例如，第二导电型第二半导体层13可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有p型掺杂剂，例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
同时，第一导电型第一半导体层11可以包括p型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以包括n型半导体层。另外，可以在第二导电型第二半导体层13下附加地形成包括n型半导体层或p型半导体层的半导体层。因此，第一发光结构10可以具有NP、PN、NPN以及PNP结结构中的至少一种。另外，第一导电型第一半导体层11和第二导电型第二半导体层13中的杂质的掺杂浓度可以均一或不均一。换言之，发光结构10可以以不同的方式形成，实施方案不限于此。
另外，可以在第一导电型第一半导体层11与第一有源层12之间形成第一导电类型InGaN/GaN超晶格结构或第一导电类型InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电型第二半导体层13与第一有源层12之间形成第二导电类型AlGaN层。
另外，第二发光结构20可以包括：第一导电型第三半导体层21、第二有源层22以及第二导电型第四半导体层23。第二有源层22设置在第一导电型第三半导体层21与第二导电型第四半导体层23之间。第二有源层22可以设置在第一导电型第三半导体层21下，第二导电型第四半导体层23可以设置在第二有源层22下。可以以类似于上述第一发光结构10的方式来制备第二发光结构20。
另外，第三发光结构30可以包括：第一导电型第五半导体层31、第三有源层32以及第二导电型第六半导体层33。第三有源层32可以设置在第一导电型第五半导体层31与第二导电型第六半导体层33之间。第三有源层32可以设置在第一导电型第五半导体层31下，第二导电型第六半导体层33可以设置在第三有源层32下。可以以类似于上述第一发光结构10的方式来制备第三发光结构30。
可以在第一发光结构10下设置第一欧姆接触层15和第一反射电极17。可以在第一发光结构10下并包围第一反射电极17设置第一金属层19。第一金属层19可以设置在第一欧姆接触层15的周围以及第一反射电极17下。
例如，第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一欧姆接触层15可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt以及Ag中的至少一种。
第一反射电极17可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一反射电极17可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料(例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)以多层结构形成第一反射电极17。例如，根据实施方案，第一反射电极17可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
第一欧姆接触层15与第一发光结构10欧姆接触。另外，第一反射电极17可以通过反射由第一发光结构10入射的光来增加提取到外部的光量。
当形成接合层60时，第一金属层19可以防止包括在接合层60中的材料向第一反射电极17扩散。详细地，第一金属层19可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第一反射电极17施加影响。第一金属层19可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。第一金属层19可以包括透明导电氧化物层。第一金属层19可以称为隔离层或沟道层。
另外，可以在第二发光结构20下设置第二欧姆接触层25和第二反射电极27。可以在第二发光结构20下并包围第二反射电极27设置第二金属层29。第二金属层29可以设置在第二欧姆接触层25的周围以及第二反射电极27下。
例如，第二欧姆接触层25可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二欧姆接触层25可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第二反射电极27可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第二反射电极27可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料(例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)以多层结构形成第二反射电极27。例如，根据实施方案，第二反射电极27可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
第二欧姆接触层25与第二发光结构20欧姆接触。另外，第二反射电极27可以通过反射由第二发光结构20入射的光来增加提取到外部的光量。
当形成接合层60时，第二金属层29可以防止包括在接合层60中的材料向第二反射电极27扩散。详细地，第二金属层29可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第二反射电极27施加影响。第二金属层29可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。第二金属层29可以包括透明导电氧化物层。
另外，可以在第三发光结构30下设置第三欧姆接触层35和第三反射电极37。可以在第三发光结构30下并包围第三反射电极37设置第三金属层39。第三金属层39可以设置在第三欧姆接触层35的周围以及第三反射电极37下。
例如，第三欧姆接触层35可以包括透明导电氧化物层。详细地，第三欧姆接触层35可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第三反射电极37可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第三反射电极37可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料(例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)以多层结构形成第三反射电极37。例如，根据实施方案，第三反射电极37可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
第三欧姆接触层35与第三发光结构30欧姆接触。另外，第三反射电极37可以通过反射由第三发光结构30入射的光来增加提取到外部的光量。
当形成接合层60时，第三金属层39可以防止包括在接合层60中的材料向第三反射电极37扩散。详细地，第三金属层39可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第三反射电极37施加影响。第三金属层39可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。
可以在第一发光结构10与第二发光结构20之间设置第一接触部43。第一接触部43可以电连接至第一半导体层11。第一接触部43可以电连接至第二金属层29。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的侧面接触。第一接触部43可以与第二金属层29接触。第一接触部43可以与第二金属层29的顶表面接触。因为第二金属层29电连接至第二反射电极27和第二欧姆接触层25，所以第一接触部43可以电连接至第二导电型第四半导体层23。因此，第一导电型第一半导体层11可以通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V以及Ag中的至少一种。另外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触。
可以在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间设置第一绝缘层41。可以在第一接触部43与第一有源层12之间设置第一绝缘层41。可以在第一导电型第一半导体层11下部处设置第一绝缘层41。第一绝缘层41可以使第一接触部43电绝缘于第一有源层12。第一绝缘层41可以使第一接触部43电绝缘于第二半导体层13。
同时，如图15所示，当从顶部观察时，第二导电型第二半导体层13的第一区域13b可被第一绝缘层41隔离开。因此，设置在第一绝缘层41的一侧的第一区域13b可以通过第一绝缘层41与设置在第一绝缘层41的相反一侧的第二导电型第二半导体层13电绝缘。例如，第一接触部43可以与第一区域13b接触，第一接触部43可以电绝缘于第二导电型第二半导体层13。
同时，可以以各种改变的结构使与第一接触部43接触的第一区域13b电绝缘于第二导电型第二半导体层13。例如，第一绝缘层41可以制备成闭环，以包围第一发光结构10内的中央区域。第一发光结构10的中央区域为第一导电型第一半导体层11、第一有源层12以及第二导电型第二半导体层13发射光的区域。因此，第一发光结构10的中央区域可以通过第一绝缘层41电绝缘于第一发光结构10的外周区域。因此，与第一接触部43接触的第一区域13b可以电绝缘于第二导电型第二半导体层13和第一有源层12，以有助于发光。
可以在第一发光结构10的第一半导体层11的内部设置第一绝缘层41。第一接触部43可以与第一绝缘层41间隔开。构成第一发光结构10的半导体层可以部分地设置在第一接触部43和第一绝缘层41之间。第一绝缘层41可以包括如下材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。另外，第一绝缘层41可以连接至第三绝缘层40。换言之，第一绝缘层41可以从第三绝缘层40延伸并通过第一金属层19、第二半导体层13以及第一有源层12，以部分地与第一半导体层11的内部部分接触。
第三绝缘层40可以使第一金属层19电绝缘于第二金属层29。
可以在第二发光结构20和第三发光结构30之间设置第二接触部53。第二接触部53可以电连接至第三半导体层21。第二接触部53可以电连接至第三金属层39。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的侧面接触。第二接触部53可以与第三金属层39接触。第二接触部53可以与第三金属层39的顶表面接触。因为第三金属层39电连接至第三反射电极37和第三欧姆接触层35，所以第二接触部53可以电连接至第二导电型第六半导体层33。因此，第一导电型第三半导体层21可以通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V和Ag中的至少一种。另外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。在这种情况下，当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的N面接触。
可以在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间设置第二绝缘层51。可以在第二接触部53与第二有源层22之间设置第二绝缘层51。可以在第一导电型第三半导体层21下部处设置第二绝缘层51。第二绝缘层51可以使第二接触部53电绝缘于第二有源层22。第二绝缘层51可以使第二接触部53电绝缘于第四半导体层23。
可以在第二发光结构20的第三半导体层21的内部设置第二绝缘层51。第二接触部53可以与第二绝缘层51间隔开。构成第二发光结构20的半导体层可以部分地设置在第二接触部53和第二绝缘层51之间。第二绝缘层51可以包括透射材料或绝缘材料。第二绝缘层51可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。另外，第二绝缘层51可以连接至第三绝缘层40。第三绝缘层40可以使第二金属层29电绝缘于第三金属层39。
同时，参照图15，第二绝缘层51可以具有类似于第一绝缘层41的功能和结构。换言之，从顶部观察，第二导电型第四半导体层23的第一区域可以被第二绝缘层51隔离开。
因此，第四半导体层23的设置在第二绝缘层51的一侧的第一区域可以通过第二绝缘层51与第二导电型第四半导体层23的设置在第二绝缘层51的相反一侧的第二区域电绝缘。例如，第二接触部53可以与第一区域接触，第二接触部53可以电绝缘于第二导电型第四半导体层23。
同时，可以以各种改变结构使第四半导体层23的与第二接触部53接触的第一区域电绝缘于第四半导体层23的第二区域。例如，第二绝缘层51可以具有闭环，以包围第二发光结构20内部的中央区域。
在这种情况下，第二发光结构20的中央区域是第一导电型第三半导体层21、第二有源层22以及第二导电型第四半导体层23发射光的区域。因此，第二发光结构20的中央区域可以通过第二绝缘层51与第二发光结构20的外周区域电绝缘。因此，与第二接触部53接触的第一区域13b可以电绝缘于第二导电型第四半导体层23和第二有源层22，以有助于发光。
可以在第二金属层29与第三金属层39之间设置第三绝缘层40。第三绝缘层40可以包括氧化物或氮化物。第三绝缘层40可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4以及Al2O3。另外，第三绝缘层40可以与第一绝缘层41的下部接触。另外，第三绝缘层40可以与第二绝缘层51的下部接触。第三绝缘层40的第一区域(即，延伸到第一绝缘层41的区域)可以设置在第一金属层19与第二金属层29之间。第三绝缘层40的第二区域(即，延伸到第二绝缘层51的区域)可以设置在第二金属层29与第三金属层39之间。
可以在第一金属层19和第三绝缘层40下设置扩散阻挡层50、接合层60以及支撑构件70。
当形成接合层60时，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料向第一至第三反射电极17、27和37扩散。详细地，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第一至第三反射电极17、27和37施加影响。扩散阻挡层50可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
接合层60可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。支撑构件70支撑根据实施方案的发光器件并电连接至外部电极以向第一发光结构10供电。接合层60可以制备成种子层。
支撑构件70可以设置在接合层60下。支撑构件70可以设置在第一至第三发光结构10至30下。支撑构件70可以包括导电材料。例如，支撑构件70可以包括选自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu‑W以及掺杂有杂质(即，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe)的半导体基板中的至少一种。支撑构件70可以包括绝缘材料。例如，支撑构件70可以包括Al2O3或SiO2。
同时，可以在第一导电型第五半导体层31上设置电极80。电极80可以电连接至第一导电型第五半导体层31。电极80可以与第一导电型第五半导体层31的顶表面接触。
因此，可以通过电极80和第一反射电极17向第一至第三发光结构10、20和30供电。第一至第三发光结构10、20和30以串联的方式彼此电连接。因此，当通过电极80和第一反射电极17供电时，第一至第三发光结构10、20和30可以发射光。
根据实施方案，电极80可以具有多层结构。例如，电极80可以包括欧姆接触层、中间层和上层。欧姆接触层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn中的一种，以实现欧姆接触。中间层可以包括选自Ni、Cu和Al中的一种。上层可以包括Au。
可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶表面上形成光提取图案。详细地，可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶表面上形成凹凸图案。因此，根据实施方案，可以提高外部光提取效率。
同时，当在第一至第三发光结构10、20和30上形成光提取图案时，可以使用PEC(光电化学)蚀刻工艺。当使用PEC蚀刻工艺时且当发光结构的周围和发光结构的下部存在有绝缘层时，可以在PEC工艺中沿着绝缘层来实施蚀刻。在这种情况下，当沿着绝缘层实施蚀刻时，构成各发光结构(特别是各有源层)的半导体层可受损。另外，当沿着绝缘层实施蚀刻工艺时，发光结构与绝缘层之间会发生剥离，使得可发生短路现象。因此，电可靠性可劣化。然而，根据实施方案，因为各发光结构周围以及该发光结构的下部可以不存在绝缘层，所以即使当实施PEC蚀刻工艺时，各发光结构也不会劣化。
根据实施方案，第一至第三发光结构10至30的顶表面可以形成为N面。因为N面表现出大于Ga面的表面粗糙度，所以第一至第三发光结构10、20和30可以表现出更加提高的光提取效率。另外，还可以在电极80与第一导电型第五半导体层31之间设置未掺杂GaN层。因此，未掺杂GaN层相对于与N面接触的电极80用作一种平衡电阻器，使得操作电压可以变化。
还可以在第一至第三发光结构10、20和30的上形成保护层。保护层可以包括氧化物或氮化物。例如，保护层可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或Al2O3。保护层可以设置在第一和第三发光结构10和30周围。
根据实施方案，相邻的发光结构可以通过第一和第二接触部43和53以串联的方式彼此电连接。另外，因为在第一发光结构10与第二发光结构20之间没有设置附加的绝缘层，所以在形成第一接触部43时，不需要用于绝缘层的蚀刻工艺。因此，当形成第一接触部43时，可以提高制造稳定性。换言之，因为不需要形成绝缘层的工艺和用于绝缘层的蚀刻工艺，所以可以相对地确保工艺稳定性。
同时，如上所述，设置第一和第二接触部43和53，以使发光结构彼此电连接。然而，根据实施方案，第一发光结构10的第一半导体层11可以通过第二金属层29电连接至第二发光结构20的第四半导体层23。因此，可以选择性地移除第一接触部43。另外，根据实施方案，第二发光结构20的第三半导体层21可以通过第三金属层39电连接至第三发光结构30的第六半导体层33。因此，可以选择性地移除第二接触部53。
根据实施方案的发光器件包括多个发光单元。各发光单元可包括：金属层、在金属层上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层。另外，根据实施方案的发光器件与发光单元中的第一发光单元的第一导电型半导体层的侧面、以及电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的金属层的接触部相接触。
在这种情况下，接触部可以与第一发光单元的第一导电型半导体层的顶表面接触以及可以与第二发光单元的金属层的顶表面接触。另外，根据实施方案的发光器件，可以在第一发光单元的有源层与接触部之间以及第一发光单元的第二导电型半导体层与接触部之间设置绝缘层。
绝缘层可以使接触部电绝缘于第一发光单元的有源层。绝缘层可以使接触部电绝缘于第一发光单元的第二导电型半导体层。绝缘层可以使第一发光单元的金属层电绝缘于第二发光单元的金属层，并且可以部分地设置在第一发光单元的第一导电型半导体层的内部。另外，发光器件可以包括电连接至第二发光单元的第一导电型半导体层的电极。因此，当向第一发光单元的金属层和包括在第二发光单元中的电极供电时，第一发光单元以串联的方式电连接至第二发光单元，使得可以发射光。
以下，将参照图10至图15来描述用于制造根据实施方案的发光器件的方法。
根据用于制造根据实施方案的发光器件的方法，如图10所示，在生长基板5上形成第一导电型半导体层11a、有源层12a以及第二导电型半导体层13a。第一导电型半导体层11a、有源层12a以及第二导电型半导体层13a可以构成发光结构10a。
生长基板5可以包括Al2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP以及Ge中的至少一种，但实施方案不限于此。可以在第一导电型第一半导体层11与生长基板5之间附加地设置缓冲层。
例如，第一导电型半导体层11a可以制备成掺杂有作为第一导电类型掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，第二导电型半导体层13a可以制备成掺杂有作为第二导电类型掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。与此相反，第一导电型半导体层11a可以制备成p型半导体层，第二导电型半导体层13a可以制备成n型半导体层。
例如，第一导电型半导体层11a可以包括n型半导体层。可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第一导电型半导体层11a。例如，第一导电型第一半导体层11a可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN和InN中的至少一种，并且可以掺杂有n型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或Te。
有源层12a通过经由第一导电型半导体层11a注入的电子(或空穴)与经由第二导电型导体层13a注入的空穴(电子)的复合、基于构成有源层12a的材料的能带的带隙差而发射光。有源层12a可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，但是实施方案不限于此。
有源层12a可以包括具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。如果有源层12a具有MQW结构，则有源层12a可以具有多个阱层和多个势垒层的堆叠结构。例如，有源层12a可以包括InGaN阱层/GaN势垒层的堆叠结构。
例如，第二导电型半导体层13a可以包括p型半导体层。可以通过使用具有组成式InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第二导电型半导体层13a。例如，第二导电型半导体层13a可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN和InN中的一种，并且可以掺杂有p型掺杂剂，例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
同时，第一导电型半导体层11a可以包括p型半导体层，第二导电型半导体层13a可以包括n型半导体层。另外，可以在第二导电型半导体层13a的上方附加地形成包括n型半导体层或p型半导体层的半导体层。因此，发光结构10a可以具有NP、PN、NPN以及PNP结结构中的至少一种。另外，第一导电型半导体层11a和第二导电型半导体层13a中的杂质的掺杂浓度可以均一或不均一。换言之，发光结构10a可以以不同的方式形成，实施方案并不限于此。
另外，可以在第一导电型半导体层11a与有源层12a之间形成第一导电类型InGaN/GaN超晶格结构或第一导电类型InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电型半导体层13a与有源层12a之间形成第二导电类型AlGaN层。
然后，如图11所示，在第二导电型半导体层13a的第一区域上形成第一欧姆接触层15和第一反射电极17。另外，在第二导电型半导体层13a的第二区域上形成第二欧姆接触层25和第二反射电极27，在第二导电型半导体层13a的第三区域上形成第三欧姆接触层35和第三反射电极37。
例如，第一至第三欧姆接触层15、25和35可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一至第三欧姆接触层15、25和35可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt以及Ag中的至少一种。
第一至第三反射电极17、27和37可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一至第三反射电极17、27和37可以包括如下金属或合金，所述金属或合金包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种。另外，可以通过使用金属或合金以及透射导电材料(例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)以多层结构形成第一至第三反射电极17、27和37。例如，根据实施方案，第一至第三反射电极17、27和37可以包括Ag、Al、Ag‑Pd‑Cu合金以及Ag‑Cu合金中的至少一种。
接下来，如图12所示，在第二导电型第二半导体层13与第二导电型第四半导体层23之间形成第一绝缘层41。在第一有源层12与第二有源层22之间形成第一绝缘层41。第一绝缘层41的一部分可以与第一欧姆接触层15接触。第一绝缘层41可以与第一导电型半导体层11a的内部部分接触。第一绝缘层41可以包括透射材料或绝缘材料。第一绝缘层41可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
在第二导电型第四半导体层23与第二导电型第六半导体层33之间形成第二绝缘层51。在第二有源层22与第三有源层33之间形成第二绝缘层51。第二绝缘层51的一部分可以与第二欧姆接触层25接触。第二绝缘层51可以与第一导电型半导体层11a的内部部分接触。第二绝缘层51可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。
以下，如图13所示，在第一至第三反射电极17至37上以及第一和第二绝缘层41和51上形成金属层，然后形成第三绝缘层40。通过第三绝缘层40，金属层可以被分成第一至第三金属层19、29和39。第一至第三金属层19、29和39通过第三绝缘层40彼此电绝缘。第三绝缘层40可以与第一绝缘层41的顶表面接触。第三绝缘层40可以与第二绝缘层51的顶表面接触。
例如，第一至第三金属层19至39可以包括Ni、Ti‑W、W、Pt、V、Fe、Mo、Ti以及Cr中的至少一种。另外，第一至第三金属层19至39可以包括透明导电氧化物层。第三绝缘层40可以包括透射材料或绝缘材料。例如，第三绝缘层40可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或Al。
可以通过各种工艺来形成第一至第三金属层19、29和39以及第三绝缘层40。例如，第三绝缘层40可以通过多种工艺形成。另外，第一至第三金属层19、29和39可以通过单独的工艺形成。
接下来，在第一金属层19上和第三绝缘层40上形成扩散阻挡层50、接合层60以及支撑构件70，如图13所示。
当形成接合层60时，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料向第一反射电极17扩散。详细地，扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中材料(例如Sn)对第一反射电极17施加影响。扩散阻挡层50可以包括Cu、Ni、Ti‑W、W以及Pt中的至少一种。
接合层60可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一种。支撑构件70支撑根据实施方案的发光器件并电连接至外部电极以向第一反射电极17供电。
例如，支撑构件70可以包括选自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu‑W中的至少一种以及掺杂有杂质(即Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe)的半导体基板。支撑构件70可以包括绝缘材料。例如，支撑构件70可以包括Al2O3或SiO2。
接下来，将生长基板5从第一导电型半导体层11a移除。例如，可以通过激光剥离(LLO)工艺来移除生长基板5。根据LLO工艺，激光辐照到生长基板5的底表面上，以将生长基板5从第一导电型半导体层11a上剥离。
之后，如图14所示，实施隔离蚀刻工艺，以将第一至第三发光结构10、20和30彼此隔离开。隔离蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺，例如ICP(电感耦合式等离子体)工艺，但实施方案不限于此。第一至第三金属层19、29和39通过隔离蚀刻工艺部分地暴露出来。另外，实施隔离蚀刻工艺，使得第一绝缘层41与第二绝缘层51不暴露于外部。
以下，如图14所示，可以形成第一和第二接触部43和53。可以在第一发光结构10和第二发光结构20之间形成第一接触部43。第一接触部43将第一导电型第一半导体层11电连接至第二反射电极27。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的侧面接触。第一接触部43可以与第二金属层29接触。第一接触部43可以与第二金属层29的顶表面接触。第一接触部43可以电连接至第二导电型第四半导体层23。第一导电型第一半导体层11可以通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V和Ag中的至少一种。另外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触。
可以在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间设置第一绝缘层41。可以在第一接触部43与第一有源层12之间设置第一绝缘层41。可以在第一导电型第一半导体层11下部处设置第一绝缘层41。
可以在第二发光结构20与第三发光结构30之间设置第二接触部53。第二接触部53将第一导电型第三半导体层21电连接至第三反射电极37，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的侧面接触。第二接触部53可以与第三金属层39接触。第二接触部53可以与第三金属层39的顶表面接触。第二接触部53可以电连接至第二导电型第六半导体层33。第一导电型第三半导体层21可以通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V和Ag中的至少一种。另外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。在这种情况下，当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的N面接触。
可以在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间设置第二绝缘层51。可以在第二接触部53与第二有源层22之间设置第二绝缘层51。可以在第一导电型第三半导体层21下部处设置第二绝缘层51。
可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶表面上设置光提取图案。详细地，可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶表面上设置凹凸图案。因此，根据实施方案，可以提高外部光提取效率。根据实施方案，第一至第三发光结构10至30的顶表面可以形成为N面。因为N面表现出大于Ga面的表面粗糙度，所以第一至第三发光结构10、20和30可以表现出更加提高的光提取效率。
同时，当在第一至第三发光结构10、20和30上形成光提取图案时，可以使用PEC(光电化学)蚀刻工艺。当使用PEC蚀刻工艺时以及当发光结构的周围和发光结构的下部存在有绝缘层时，可以在PEC工艺中沿着绝缘层以来实施蚀刻。在这种情况下，当沿着绝缘层实施蚀刻时，构成各发光结构(特别是各有源层)的半导体层可受损。另外，当沿着绝缘层实施蚀刻工艺时，会发生剥离，使得可发生短路现象。因此，电可靠性可劣化。然而，根据实施方案，因为各发光结构周围以及该发光结构的下部可以不存在绝缘层，所以即使当实施PEC蚀刻工艺时，各发光结构不会劣化。
同时，可以在第一导电型第五半导体层31上设置电极80。电极80可以电连接至第一导电型第五半导体层31。电极80可以与第一导电型第五半导体层31的顶表面接触。
因此，可以通过电极80和第一反射电极17向第一至第三发光结构10、20和30供电。第一至第三发光结构10、20和30以串联的方式彼此连接。因此，当通过电极80和第一反射电极17供电时，第一至第三发光结构10、20和30可以发射光。
根据实施方案，电极80可以具有多层结构。例如，电极80可以包括欧姆接触层、中间层和上层。欧姆接触层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn中的一种，以实现欧姆接触。中间层可以包括选自Ni、Cu和Al中的一种。上层可以包括Au。
可以在第一至第三发光结构10、20和30上形成保护层。保护层可以包括氧化物或氮化物。例如，保护层可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或Al2O3。保护层可以设置在第一和第三发光结构10和30周围。
根据实施方案，相邻的发光结构可以通过第一和第二接触部43和53以串联的方式彼此电连接。另外，因为在第一发光结构10与第二发光结构20之间没有设置附加的绝缘层，所以在形成第一接触部43时，不需要用于绝缘层的蚀刻工艺。因此，当形成第一接触部43时，可以提高制造稳定性。换言之，因为不需要形成绝缘层的工艺和用于绝缘层的蚀刻工艺，所以可以确保工艺稳定性。
同时，形成上述层的工艺只是用于说明性目的，可以以不同的方式改变工艺次序。
另外，如图15所示，当从顶部观察时，第二导电型第二半导体层13的第一区域13b被第一绝缘层41隔离开。因此，设置在第一绝缘层41的一侧的第一区域13b可以通过第一绝缘层41与设置在第一绝缘层41的相反一侧的第二导电型第二半导体层13电绝缘。例如，第一接触部43可以与第一区域13b接触，第一接触部43可以电绝缘于第二导电型第二半导体层13。
同时，可以以各种改变的结构使与第一接触部43接触的第一区域13b与第二导电型第二半导体层13电绝缘。例如，第一绝缘层41可以制备成闭环，以包围第一发光结构10内的中央区域。第一发光结构10的中央区域为第一导电型第一半导体层11、第一有源层12以及第二导电型第二半导体层13发射光的区域。因此，第一发光结构10的中央区域可以通过第一绝缘层41与第一发光结构10的外周区域电绝缘。因此，与第一接触部43接触的第一区域13b可以与第二导电型第二半导体层13和第一有源层12电绝缘，以有助于发光。
图16是示出根据实施方案的发光器件的另一实例的截面图。当描述图16所示的根据实施方案的发光器件时，与图9中所示相同的结构和部件将不再赘述。
可以在第一发光结构10和第二发光结构20之间设置第一接触部43。第一接触部43可以电连接至第一导电型第一半导体层11。第一接触部43可以电连接至第二金属层29。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的侧面接触。第一接触部43可以与第二金属层29接触。第一接触部43可以与第二金属层29的顶表面接触。因为第二金属层29电连接至第二反射电极27和第二欧姆接触层25，所以第一接触部43可以电连接至第二导电型第四半导体层23。因此，第一导电型第一半导体层11可以通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V和Ag中的至少一种。另外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触。
可以在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间设置第一绝缘层41。可以在第一接触部43与第一有源层12之间设置第一绝缘层41。可以在第一导电型第一半导体层11下部处设置第一绝缘层41。第一绝缘层41可以使第一接触部43电绝缘于第一有源层12。第一绝缘层41可以使第一接触部43电绝缘于第二半导体层13。
可以在第一发光结构10的第一半导体层11的内部设置第一绝缘层41。第一接触部43可以与第一绝缘层41间隔开。第二金属层29的一部分可以设置在第一接触部43与第一绝缘层41之间。第二金属层29的一部分可以与第一半导体层11接触。第二金属层29的一部分可以与第一半导体11的底表面接触。
第一绝缘层41可以包括如下材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。另外，第一绝缘层41可以连接至第三绝缘层40。第三绝缘层40可以使第一金属层19电绝缘于第二金属层29。
可以在第二发光结构20和第三发光结构30之间设置第二接触部53。第二接触部53可以电连接至第三半导体层21。第二接触部53可以电连接至第三金属层39。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的侧面接触。第二接触部53可以与第三金属层39接触。第二接触部53可以与第三金属层39的顶表面接触。因为第三金属层39电连接至第三反射电极37和第三欧姆接触层35，所以第二接触部53可以电连接至第二导电型第六半导体层33。因此，第一导电型第三半导体层21可以通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt、V和Ag中的至少一种。另外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO、IZO、AZO、AGZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ATO、GZO、IZON、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的顶表面接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。在这种情况下，当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的N面接触。
可以在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间设置第二绝缘层51。可以在第二接触部53与第二有源层22之间设置第二绝缘层51。可以在第一导电型第三半导体层21下部处设置第二绝缘层51。第二绝缘层51可以使第二接触部53电绝缘于第二有源层22。第二绝缘层51可以使第二接触部53电绝缘于第四半导体层23。
可以在第二发光结构20的第三半导体层21的内部设置第二绝缘层51。第二接触部53可以与第二绝缘层51间隔开。第三金属层39的一部分可以设置在第二接触部53和第二绝缘层51之间。第三金属层39的一部分可以与第三半导体层21接触。第三金属层39的一部分可以与第三半导体层21的底表面接触。
第二绝缘层51可以包括透射材料或绝缘材料。第二绝缘层51可以包括如下材料：例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2或AlN。另外，第二绝缘层51可以连接至第三绝缘层40。第三绝缘层40可以使第二金属层29电绝缘于第三金属层39。
可以在第二金属层29与第三金属层39之间设置第三绝缘层40。第三绝缘层40可以包括氧化物或氮化物。第三绝缘层40可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4以及Al2O3。另外，第三绝缘层40可以与第一绝缘层41的下部接触。另外，第三绝缘层40可以与第二绝缘层51的下部接触。第三绝缘层40的第一区域可以设置在第一金属层19与第二金属层29之间。第三绝缘层40的第二区域可以设置在第二金属层29与第三金属层39之间。
图17是示出根据实施方案的发光器件的另一实例的截面图。当描述图17所示的根据实施方案的发光器件时，与图9中所示相同的结构和部件将不再赘述。
根据实施方案的发光器件，可以在第一发光结构10下设置第一欧姆反射电极16。第一欧姆反射电极16可以制备成实施已参照图1描述的第一反射电极17和第一欧姆接触层15两者的功能。因此，第一欧姆反射电极16与第二导电型第二半导体层13欧姆接触并反射由第一发光结构10入射的光。
另外，可以在第二发光结构20下设置第二欧姆反射电极26。第二欧姆反射电极26可以制备成实施已参照图9所描述的第二反射电极27和第二欧姆接触层25两者的功能。因此，第二欧姆反射电极26与第二导电型第四半导体层23欧姆接触并反射由第二发光结构20入射的光。
另外，可以在第三发光结构30下设置第三欧姆反射电极36。第三欧姆反射电极36可以制备成实施已参照图9描述的第三反射电极37和第三欧姆接触层35两者的功能。因此，第三欧姆反射电极36与第二导电型第六半导体层33欧姆接触并反射由第三发光结构30入射的光。
图18是示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。当描述图18所示的根据实施方案的发光器件时，与图16中所示相同的结构和部件将不再赘述。
根据实施方案的发光器件，可以在第一发光结构10下设置第一欧姆反射电极16。第一欧姆反射电极16可以制备成实施已参照图16描述的第一反射电极17和第一欧姆接触层15两者的功能。因此，第一欧姆反射电极16与第二导电型第二半导体层13欧姆接触并反射由第一发光结构10入射的光。
另外，可以在第二发光结构20下设置第二欧姆反射电极26。第二欧姆反射电极26可以制备成实施已参照图16描述的第二反射电极27和第二欧姆接触层25两者的功能。因此，第二欧姆反射电极26与第二导电型第四半导体层23欧姆接触并反射由第二发光结构20入射的光。
另外，可以在第三发光结构30下设置第三欧姆反射电极36。第三欧姆反射电极36可以制备成实施已参照图16描述的第三反射电极37和第三欧姆接触层35两者的功能。因此，第三欧姆反射电极36与第二导电型第六半导体层33欧姆接触并反射由第三发光结构30入射的光。
图19是示出包括根据实施方案的发光器件的发光器件封装件的视图。
参照图19，根据实施方案的发光器件封装件包括：本体120；形成在本体120上的第一引线电极131和第二引线电极132；安装在本体120中并电连接至第一引线电极131和第二引线电极132的根据实施方案的发光器件100；以及包围发光器件100的模制构件140。
本体120可以包括硅、合成树脂或金属材料。在发光器件100周围可以形成倾斜表面。
第一和第二引线电极131和132彼此电绝缘并向发光器件100供电。第一和第二引线电极131和132可以反射由发光器件100发射的光，以提高光效率，并且可以将发光器件100产生的热耗散到外部。
发光器件100可以安装在本体120上或第一引线电极131或第二引线电极132上。
发光器件100可以通过布线方案、倒装芯片方案和晶粒接合方案中的一种与第一引线电极131和第二引线电极132电连接。
模制构件140可以通过包围发光器件100来保护发光器件100。另外，模制构件140可以包括磷光体，以改变从发光器件100发射的光的波长。
可以在板上设置根据多个发光器件封装件的实施方案的多个发光器件。另外，可以在发光器件封装件的光路中安装光学构件，例如透镜、导光板、棱镜片以及散射片。发光器件封装件、板以及光学构件可以用作照明装置。可以在便携式终端或笔记本电脑的显示器件中设置俯视类型的照明装置或侧视类型的照明装置，俯视类型的照明装置或侧视类型的照明装置或者可以应用到如下各种设备中：例如照明器件和指示器。根据另一实施方案，提供一种照明器件，所述照明器件包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。例如，照明器件可以包括灯、街灯、电光板或前灯。
根据实施方案的发光器件可以应用于照明装置中。照明装置具有其中设置有多个发光器件的结构。照明装置可以包括图20和图21示出的显示器件以及图22中示出的照明器件。
参照图20，根据实施方案的显示器件1000包括：导光板1041；用于向导光板1041提供光的发光模块1031；在导光板1041下的反射构件1022；在导光板1041上的光学片1051；在光学片1051上的显示面板1061；以及用于容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022的底盖1011。然而，实施方案不限于上述结构。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041以及光学片1051可以构成照明装置1050。
导光板1041使光散射，以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯酰基的树脂例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)和聚邻苯二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂中的一种。
发光模块1031向导光板1041的至少一侧提供光并用作显示器件的光源。
设置至少一个发光模块1031，以直接或间接地向导光板1041侧面提供光。发光模块1031可以包括板1033和根据实施方案的发光器件100。发光器件100布置在板1033上同时彼此间隔开预定的间隔。
板1033可以包括具有电路图案的印刷电路板(PCB)。另外，板1033还可以包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及典型PCB，但实施方案不限于此。如果发光器件100安装在底盖1011的侧面上或安装在散热板上，则可以省去板1033。散热板与底盖1011的顶表面部分接触。
另外，发光器件100布置成使得发光器件100的出光面与导光板1041间隔预定的距离，但实施方案不限于此。发光器件100可以直接或间接地向入光面提供光，入光面是导光板1041的一个侧面，但实施方案不限于此。
反射构件1022设置在导光板1041下。反射构件1022将向下传播穿过导光板1041的底表面的光向上反射，由此提高照明装置1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但实施方案不限于此。
底盖1011中可以容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022。为此，底盖1011具有容纳部1012，该容纳部1012具有顶表面开口的盒形，但实施方案不限于此。底盖1011可以与顶盖耦接，但实施方案不限于此。
可以使用金属材料或树脂材料通过压制工艺或挤出工艺来制造底盖1011。另外，底盖1011可以包括金属或具有优异导热率的非金属材料，但实施方案不限于此。
显示面板1061例如为LCD面板，该LCD面板包括彼此相对的、透明的第一基板和第二基板以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。可以在显示面板1061的至少一个表面附接有偏振板，但实施方案不限于此。显示面板1061基于穿过光学片1051的光来显示信息。显示器件1000可以应用于各种便携式终端、膝上型计算机的监视器和电视机。
光学片1051设置在显示面板1061与导光板1041之间并包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括散射片、水平和竖直棱镜片以及增亮片中的至少一种。散射片使入射光散射，水平和竖直棱镜片将入射光汇聚到显示区域，增亮片通过重新使用损失光来提高亮度。另外，可以在显示面板1061上设置保护板，但实施方案不限于此。
导光板1041与光学片1051可以设置在发光模块1031的光路上作为光学构件，但实施方案不限于此。
图21是示出根据另一实施方案的显示器件的截面图。
参照图21，显示器件1100包括底盖1152、其上设置有发光器件100的板1020、光学构件1154以及显示面板1155。
板1020和发光器件100可以构成发光模块1060。另外，底盖1152、至少一个发光模块1060以及光学构件1154可以构成照明装置。
底盖1152中可以设置有容纳部1153，但实施方案不限于此。
光学构件1154可以包括透镜、导光板、散射片、水平和竖直棱镜板片以及增亮片中的至少一种。导光板可以包括PC或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。导光板可以省去。散射片使入射光散射，水平和竖直棱镜片将入射光汇聚到显示区域，增亮片通过重新使用损失光来提高亮度。
光学构件1154设置在发光模块1060上，以将从发光模块1060发射的光转换成表面光。另外，光学构件1154可以散射或汇聚光。
图22是示出根据实施方案的照明器件的立体图。
参照图22，照明器件1500包括：壳1510、安装在壳1510中的发光模块1530、以及安装在壳1510中以从外部电源接收电力的接线端子1520。
优选地，壳1510包括具有优异散热特性的材料。例如，壳1510包括金属材料或树脂材料。
发光模块1530可以包括板1532和安装在板1532上的根据实施方案的发光器件100。发光器件100可以彼此间隔开或布置成矩阵的形式。
板1532包括印有电路图案的绝缘构件。例如，板1532包括PCB、MCPCB、FPCB、陶瓷PCB以及FR‑4板。
另外，板1532可以包括有效地反射光的材料。可以在板1532的表面上形成涂覆层。同时，涂覆层具有白色或银色以有效地反射光。
在板1532上安装有至少一个发光器件100。各发光器件100可以包括至少一个LED(发光二级管)芯片。LED芯片可以包括发射红色、绿色、蓝色或白色的可见光波段的光的LED以及发射紫外光的UV(紫外)LED。
可以以不同的方式设置发光模块1530的发光器件100以提供各种颜色和亮度。例如，可以设置白色LED、红色LED和绿色LED来实现高的显色指数(CRI)。
接线端子1520电连接至发光模块1530以向发光模块1530供电。接线端子1520具有与外部电源旋接的插座形状，但实施方案不限于此。例如，接线端子1520可以制备成插入到外部电源的管脚形式或通过线连接至外部电源。
根据实施方案，发光器件100可以被封装，然后被安装到板上，以获得发光模块。另外，可以以LED芯片的形式安装发光器件，然后将其封装以形成发光模块。
本说明书中对于“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任意引用表示结合实施方案描述的具体特征、结构或者特性包括在本发明的至少一个实施方案中。本说明书中的各个位置处出现这样的措辞并非都涉及相同的实施方案。此外，在结合任意实施方案描述具体的特征、结构或者特性时，认为将这些特征、结构或者特性与实施方案的其他特征、结构或者特性进行结合在本领域技术人员的范围内。
虽然已经参照大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开内容的原理的精神和范围内设计出大量其他的修改和实施方案。更具体地，可以在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内对主题组合设置的部件和/或设置进行各种变化和修改。除了部件和/或设置方面的变化和修改之外，替选用途对于本领域技术人员来说也是明显的。