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1、(10)申请公布号 CN 103339751 A(43)申请公布日 2013.10.02CN103339751A*CN103339751A*(21)申请号 201280006821.5(22)申请日 2012.11.142011-249860 2011.11.15 JPH01L 33/64(2006.01)F21S 2/00(2006.01)F21V 29/00(2006.01)F21Y 101/02(2006.01)(71)申请人松下电器产业株式会社地址日本大阪府(72)发明人森俊雄 青木郁子 冈野和之堀内诚 植本隆在(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司 72002代理人胡建新(54。
2、) 发明名称发光模块以及使用该发光模块的灯(57) 摘要发光模块（1）具备：基板（110）；配置在基板（110）的主面侧的LED芯片（120）；密封部件（140），以覆盖LED芯片（120）的方式配置在基板（110）的主面侧，对从LED芯片（120）放出的光的波长进行变换；以及传热部件（160），将LED芯片（120）的侧面与基板（110的主面热结合，将由LED芯片（120）产生的热向基板（110）放出。而且，传热部件（160）包括：硅树脂；以及分散在该硅树脂中且由热传导率比该硅树脂高的ZrO2形成的纳米粒子和由MgO构成的微粒子（161）。(30)优先权数据(85)PCT申请进入国家阶段日2。
3、013.07.29(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2012/007300 2012.11.14(87)PCT申请的公布数据WO2013/073181 JA 2013.05.23(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书19页 附图21页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书19页 附图21页(10)申请公布号 CN 103339751 ACN 103339751 A1/2页21.一种发光模块，其特征在于，具备：基板；配置在上述基板的主面侧的1个或者多个半导体发光元件；以及传热部件，将上述半导体发光元件的外周面的至少一部分与上述基板的上述主面热结。
4、合，将由上述半导体发光元件产生的热向上述基板传递，上述传热部件包括：具有透光性的基材；以及分散在该基材中且由热传导率比该基材高的透光性材料形成的粒子。2.如权利要求1记载的发光模块，其特征在于，上述粒子包括：由第一种类的透光性材料形成的第一粒子；以及由第二种类的透光性材料形成的第二粒子，上述第一粒子的平均粒径比红色光的波长大，上述第二粒子的平均粒径比蓝光的波长小，上述第一种类的透光性材料与上述第二种类的透光性材料相比热传导率更大。3.如权利要求2记载的发光模块，其特征在于，上述第一种类的透光性材料的折射率与仅使上述第二粒子分散在上述基材而成的复合材料的折射率相同。4.如权利要求2或者权利要求3。
5、记载的发光模块，其特征在于，上述第一种类的透光性材料为第一无机化合物，上述第二种类的透光性材料为与第一无机化合物不同的第二无机化合物。5.如权利要求2至4中任1项记载的发光模块，其特征在于，上述第一粒子的平均粒径为1m至100m。6.如权利要求2至5中任1项记载的发光模块，其特征在于，上述第二粒子的平均粒径为450nm以下。7.如权利要求1至6中任1项记载的发光模块，其特征在于，还具备波长变换部件，该波长变换部件以覆盖上述半导体发光元件的方式配置在上述基板的主面侧，对从上述半导体发光元件放出的光的波长进行变换。8.如权利要求1至7中任1项记载的发光模块，其特征在于，上述半导体发光元件经由粘合剂。
6、与上述基板的上述主面粘合，上述传热部件的热阻比上述粘合剂的热阻小。9.如权利要求1至8中任1项记载的发光模块，其特征在于，上述波长变换部件还覆盖上述传热部件，上述传热部件的热传导率比上述波长变换部件的热传导率大。10.如权利要求1至9中任1项记载的发光模块，其特征在于，上述半导体发光元件以底面与上述基板的上述主面对置的形式配置，上述传热部件配置在上述基板上的上述半导体发光元件的外周区域，与上述半导体发光元件的侧面的至少一部分接触。11.如权利要求10记载的发光模块，其特征在于，上述传热部件还以覆盖上述半导体发光元件的与上述底面相反一侧的上表面的形式权 利 要 求 书CN 103339751 A。
7、2/2页3配置，与上述半导体发光元件的上述上表面的至少一部分接触。12.如权利要求11记载的发光模块，其特征在于，上述半导体发光元件存在多个，上述传热部件将多个半导体发光元件各自的外周区域以及上述多个半导体发光元件的上表面的全部一并覆盖。13.如权利要求11记载的发光模块，其特征在于，在上述基板的上述主面侧行列状地配设多个上述半导体发光元件而成，上述传热部件按照行单位或者列单位对多个半导体发光元件各自的外周区域以及上述多个半导体发光元件的上表面一并覆盖。14.如权利要求10记载的发光模块，其特征在于，在上述基板的上述主面侧行列状地配设多个上述半导体发光元件而成，上述传热部件被配置为，覆盖上述基。
8、板的上述主面侧的、相邻的2个行或者列之间的沿着多个半导体发光元件的排列方向延伸的带状的区域。15.如权利要求10或者权利要求11记载的发光模块，其特征在于，上述半导体发光元件在上表面具有电极，在上述基板的上述主面侧，形成有包括与上述半导体发光元件隔开地配置的焊盘部在内的布线图案，上述半导体发光元件的上述电极和上述焊盘部经由金属线电连接，上述金属线的至少一部分位于上述传热部件的外部。16.一种灯，其特征在于，具备权利要求1至15中任1项记载的发光模块。17.一种灯，其特征在于，具备：发光模块，具有基板；配置在上述基板的主面侧的半导体发光元件；以及传热部件，将上述半导体发光元件的外周面的至少一部分。
9、与上述基板的上述主面热结合，并将由上述半导体发光元件产生的热向上述基板传热；灯罩，将上述发光模块收纳在内部；以及波长变换部件，配置在上述灯罩的内部，对从上述半导体发光元件放出的光的波长进行变换，上述传热部件包括：具有透光性的基材；以及分散在该基材中且由热传导率比该基材高的透光性材料构成的粒子。18.一种照明装置，其特征在于，具备权利要求16或者权利要求17记载的灯。权 利 要 求 书CN 103339751 A1/19页4发光模块以及使用该发光模块的灯技术领域0001 本发明涉及一种使用了半导体发光元件的发光模块，特别涉及提高散热性的技术。背景技术0002 近年，LED（Light Emitt。
10、ing Diode）芯片等半导体发光元件，白炽灯泡或者卤素灯泡相比高效率且长寿命，因此作为灯用的新光源值得期待。该LED芯片为，当其温度上升时，光输出会降低。因此，在使用了该LED芯片的灯中，抑制LED芯片的温度上升较重要。0003 因此，一直以来，提出有实现了抑制LED芯片的温度上升的灯（参照专利文献1、2）。0004 专利文献1、2记载的灯为，具备：由基板和基板上所安装的多个LED芯片构成的发光模块；安装该发光模块的基台；以及一部分向灯外部露出并且在内部保持基台的壳体；基台和壳体一体形成。在这些灯中，由LED芯片产生并向基台传递的热被向壳体高效地传递，因此能够抑制LED芯片的温度上升。00。
11、05 在这些灯中，一般，使用将LED芯片提高由硅树脂等构成的粘合剂粘合在基板上而成的发光模块。然后，由LED芯片产生的热经由由硅树脂构成的粘合剂向基板传热。0006 先行技术文献0007 专利文献0008 专利文献1：日本特开2006-313717号公报0009 专利文献2：日本特开2009-037995号公报发明内容0010 发明要解决的课题0011 然而，近年来，灯的高亮度化的要求提高，LED芯片使用高输出的情况也较多，这种高输出的LED芯片的发热量较大。0012 与此相对，专利文献1、2记载的灯，未提高将LED芯片与基板粘合的粘合剂的散热性。因此，从LED芯片向基板的散热性不充分，可能不。
12、能够充分抑制LED芯片的温度上升。0013 本发明是鉴于上述事由而进行的，其目的在于提供能够实现半导体发光元件的散热性提高的发光模块。0014 用于解决课题的手段0015 为了解决上述课题，本发明的发光模块具备：基板；配置在基板的主面侧的半导体发光元件；波长变换部件，以覆盖半导体发光元件的方式配置在基板的主面侧，对从半导体发光元件放出的光的波长进行变换；以及传热部件，将半导体发光元件的外周面的至少一部与基板的主面热结合，将由半导体发光元件产生的热向基板传递；传热部件由具有透光性的基材、和分散在该基材中且由热传导率比该基材高的透光性材料形成的粒子构成。0016 发明的效果说 明 书CN 1033。
13、39751 A2/19页50017 根据本构成，发光模块具备传热部件，该传热部件将半导体发光元件的外周面的至少一部与基板的上述主面热结合并将由上述半导体发光元件产生的热向基板传热，该传热部件由具有透光性的基材、和分散在该基材中且由热传导率比该基材高的透光性材料形成的粒子构成，与传热部件仅由基材构成的情况相比，由半导体发光元件产生的热经由传热部件被高效地传热到基板，因此促进半导体发光元件的温度上升的抑制。0018 此外，该传热部件由具有透光性的基材、和分散在该基材中且由热传导率比该基材高的透光性材料形成的粒子构成，从半导体发光元件发出的光未被传热部件遮挡，因此能够抑制从半导体发光元件发出的光的取。
14、出效率的降低。并且，通过使传热部件由基材和热传导率比基材高的粒子构成，由此能够实现传热部件的设计自由度的提高。附图说明0019 图1表示实施方式1的发光模块，（a）为平面图，（b）是从箭头的方向观察（a）中的按照A-A线切断的剖面的图，（c）是将（b）中由点划线A1包围的区域放大的截面图，（d）是从箭头的方向观察（a）中按照B-B线切断的剖面的图。0020 图2中（a-1）是比较例的发光模块的局部截面图，（a-2）是用于说明比较例的发光模块的散热特性的热电路图，（b-1）是实施方式1的发光模块的局部截面图，（b-2）是用于说明实施方式1的发光模块的散热特性的热电路图。0021 图3是用于对实施。
15、方式1的发光模块说明传热部件内的热传递路径的图。0022 图4是用于说明实施方式1的传热部件的光学特性的图。0023 图5是用于说明实施方式1的传热部件的光学特性的图。0024 图6是实施方式1的发光模块的各制造工序的截面图。0025 图7是实施方式2的发光模块的局部截面图。0026 图8是用于说明实施方式2的传热部件的散热特性的图。0027 图9表示实施方式3的发光模块，（a）为平面图，（b）是对于（a）中由点划线A2包围的区域将密封部件除去的状态的平面图，（c）为局部截面图。0028 图10表示实施方式3的灯，（a）为立体图，（b）为截面图。0029 图11是实施方式4的灯单元的立体图。0。
16、030 图12是实施方式4的灯单元的分解立体图。0031 图13是实施方式5的照明装置的截面图。0032 图14是变形例的发光模块的局部截面图。0033 图15是变形例的发光模块的局部截面图。0034 图16是变形例的发光模块的局部截面图。0035 图17是变形例的发光模块的局部截面图。0036 图18是变形例的发光模块的局部截面图。0037 图19是变形例的发光模块的局部截面图。0038 图20表示变形例的发光模块，（a）是对于一部分将密封部件除去的状态的平面图，（b）为局部截面图。0039 图21是变形例的发光模块的局部平面图。0040 图22是变形例的灯的截面图。说 明 书CN 1033。
17、39751 A3/19页6具体实施方式0041 实施方式10042 1整体构成0043 图1的（a）是本实施方式的发光模块1的平面图。图1的（b）是从箭头方向观察图1中按照A-A线切断的剖面的图，图1的（c）是将图1的（b）中由点划线A1包围的区域放大的截面图。0044 如图1的（a）所示那样，发光模块1具备基板110、在基板110上配设了2列的多个LED芯片（半导体发光元件）120、用于向LED芯片120供给电力的布线图案130、以及按照每列将多个LED芯片120一并密封的密封部件140。此外，如图1的（c）所示那样，发光模块1具有用于将LED芯片120粘合在基板110上的芯片安装部件150。
18、以及用于将由LED芯片120产生的热向基板110放出的传热部件160。0045 1-1基板0046 如图1的（a）所示那样，基板110形成为俯视矩形状，在长边方向的两端部分别形成有贯通孔112，该贯通孔112用于连接用于从电源电路向LED芯片120供给电力的导线。此外，考虑到将基板110向散热片等上固定时的便利，在基板110的大致中央部形成有贯通孔114。此外，基板110不限定于俯视矩形状，也可以为椭圆形、多边形等其他形状，此外，也可以不形成贯通孔112或者贯通孔114。0047 该基板110例如由散热性优良的高热传导率的陶瓷形成。此外，该基板110相对于可见光是透明的。因此，即使在LED芯片。
19、120仅安装在基板110的厚度方向的一面侧的情况下，从LED芯片120放射的光也会从基板110的厚度方向的另一面侧放出，因此能够得到全方位配光特性。作为这种基板110的材料，例如使用具有透过率为96的透光性的陶瓷的一种、即氧化铝（Al2O3）即可。此外，该基板110的材料不限定于陶瓷，也可以是树脂、玻璃。此外，如果不考虑配光特性，则也可以是金属（例如铝等）。0048 1-2LED芯片0049 如图1的（a）所示那样，LED芯片120为，构成将20个LED芯片120沿着基板110的长边方向配设2列而成的元件列。这些元件列被设置为，在基板110的短边方向上以夹着贯通孔112的形式并列。此外，LED。
20、芯片120的个数不限定于20个，也可以根据发光模块1的用途而适当地变更，此外，元件列也可以仅设置1列、或者也可以设置3列以上的多列。0050 此外，如图1的（b）所示那样，LED芯片120是表面安装型（所谓COB型）的LED。此外，如图1的（c）所示那样，在LED芯片120的上表面上设置有电极（未图示）。然后，多个LED芯片120为，经由将相互相邻的LED芯片120的电极彼此电连接的金属线122串联地连接。0051 该LED芯片120是由进行蓝色发光的GaN系材料形成的LED。该LED芯片120从夹在由N型半导体构成的复合层和由P型半导体构成的复合层之间的由半导体构成的活性层放出光。此外，LE。
21、D芯片120具有长方体状的形状，从LED芯片120的活性层放出的光，不仅从LED芯片120的上表面以及底面、还从4个侧面向LED芯片120的外部放射。换句话说，LED芯片120的光出射面为上表面、底面以及4个侧面。此外，LED芯片120在产生光说 明 书CN 103339751 A4/19页7的同时还产生热。0052 1-3布线图案0053 如图1的（a）所示那样，布线图案130分别形成在基板110的长边方向的两端部。该布线图案130包括：焊盘部130a，配设在基板110的贯通孔112的外周部；以及2个脚部130b，从焊盘部130a的基板110的短边方向的两侧沿着基板110的相邻的2边延伸突出。
22、。然后，在基板110的长边方向的两端部所形成的布线图案130之间，配设2列元件列。在此，各布线图案130的焊盘部130a，通过钎焊等与分别插入在基板110的贯通孔112中的导线的前端部电连接。然后，在2个布线图案130中的任一方上，连接电源电路的高电位侧的输出端，在另一方上连接电源电路的低电位侧的输出端。该布线图案130例如由银（Ag）、钨（W）、铜（Cu）或者ITO（IndiumTinOxide）等导电性材料形成。此外，如图1的（c）所示那样，各布线图案130的脚部130b和LED芯片120经由金属线124电连接。0054 此外，也可以在布线图案的表面上实施镍（Ni）/金（Au）等的电镀处理。
23、，对焊盘部130a以及脚部130b的将与焊盘部130a连续的一端部相反侧的另一端部（金属线124的端部所结合的部位）除去的部位、实施玻璃等的涂层。此外，2个布线图案130的任一方也可以接地。0055 1-4密封部件0056 如图1的（a）所示那样，密封部件140以覆盖2个上述元件列各自的方式，沿着基板110的长边方向设置。该密封部件140由含有荧光体的透光性的树脂材料形成。该密封部件140作为对从LED芯片120放射的光的波长进行变换的波长变换部件起作用。0057 作为该透光性的树脂材料，例如为硅树脂、氟树脂、硅环氧的混合树脂、脲醛树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等。。
24、此外，密封部件140的材料不限定于透光性的树脂材料，也可以是以SiO2等为主成分的玻璃等。或者，作为密封部件140的材料，也可以使用有机-无机混合透光体。该有机-无机混合透光体由玻璃和树脂构成。0058 此外，作为荧光体，例如能够使用YAG荧光体（Y，Gd）3Al5O12：Ce3+）、硅酸盐荧光体（Sr，Ba）2SiO4：Eu2+）、氮化物荧光体（Ca，Sr，Ba）AlSiN3：Eu2+）、氮氧化物荧光体（Ba3Si6O12N2：Eu2+）的粉末。由此，通过使从各LED芯片120出射的蓝光、与将该蓝光的一部分通过荧光体变换而出射的黄绿色进行混色，由此得到白色光。此外，密封部件140不一定需要含。
25、有荧光体。此外，LED芯片120由密封部件140密封，由此能够防止LED芯片120的劣化。0059 1-5芯片安装部件0060 如图1的（c）以及（d）所示那样，芯片安装部件150夹在LED芯片120和基板110的主面之间，将LED芯片120粘合固定在基板110上。该芯片安装部件150例如由粘合剂构成，该粘合剂由硅树脂等具有透光性的热传导性树脂形成。如此，芯片安装部件150具有透光性，因此从LED芯片120的底面放射的光透过芯片安装部件150而向基板110的内部传播。0061 该芯片安装部件150的热阻，通过以下的式（1）计算。0062 数1说 明 书CN 103339751 A5/19页80。
26、063 0064 （式1）0065 在此，RthD表示芯片安装部件150的热阻，TD表示芯片安装部件150的厚度，SD表示芯片安装部件150的剖面积，D表示芯片安装部件150的热传导率。0066 例如，在芯片安装部件150的外形尺寸形成为365m365m2m、材料为硅树脂的情况下，由于硅树脂的热传导率为0.15W/mK，因此根据式（1），芯片安装部件150的热阻成为大约100（K/W）。0067 1-6传热部件0068 传热部件160具有将LED芯片120在产生光时产生的热向基板110放出的功能。如图1的（c）以及（d）所示那样，传热部件160配置在基板110上的LED芯片120的外周区域，与。
27、LED芯片120的4个侧面接触，将LED芯片120与基板110热结合。该“热结合”是指，成为能够从所结合的2个物体之间的一方向另一方传导热的状态。此外，相邻的2个LED芯片120各自的外周区域所配置的传热部件160相互不相接。0069 该传热部件160由具有透光性的基材、分散在该基材中且由热传导率比该基材高的透光性材料形成的粒子构成。具体地说，传热部件160包括：具有透光性的基材即硅树脂；以及分散在该硅树脂中的由纳米粒子形成的复合材料162和微粒子161。在此，纳米粒子和微粒子，相当于由热传导率比基材高的透光性材料形成的粒子。以下，将复合材料162称为纳米复合材料。该纳米复合材料162起到保持。
28、微粒子161的作用。在此，纳米粒子是指平均粒径为蓝光的波长即450nm以下的粒子，微粒子161是指平均粒径大于红色光的波长即660nm的1m至100m的粒子。此外，作为纳米粒子以及微粒子161的材料，例如使用ZnO、MgO、蓝宝石、Al2O3、Y2O3、TiO2、ZrO2即可。此外，构成纳米粒子以及微粒子的透光性材料，是除了荧光体材料以外的材料。因此，从LED芯片120出射的光，在透过该传热部件160时，不进行波长变换。如此，通过成为不利用传热部件160来进行波长变换的构成，由此从发光模块1出射的光的颜色，仅由从LED芯片120出射的光的颜色和通过密封部件140变换而发出的光的颜色决定。由此，。
29、存在从发光模块1出射的光的颜色容易进行调整这种优点。0070 在此，如果可见光波长的波段比450nm大且为750nm以下，则微粒子161的平均粒径比可见光波长大，纳米粒子的平均粒径比可见光波长小。0071 在此，蓝宝石的热传导率为42（K/mW），Al2O3的热传导率为36（K/mW），Y2O3的热传导率为11（K/mW），ZnO以及MgO的热传导率为54（W/mK），ZrO2的热传导率为3.0（W/m K），硅树脂的热传导率高于0.15（W/m K）。这些陶瓷，能够使用为构成传热部件160的一部分的微粒子161、纳米粒子的材料。例如，也可以使微粒子161由MgO形成，使纳米粒子由ZrO2形成。
30、。在该情况下，构成微粒子161的MgO的热传导率比构成纳米粒子的ZrO2大。0072 此外，微粒子161也可以使用平均粒径相互不同的多种粒子。例如，在使用平均粒径不同的两种微粒子的情况下，平均粒径较小的微粒子（以下称为“小微粒子”。）的平均粒径优选为，即使在将平均粒径较大的微粒子（以下称为“大微粒子”。）最密地填充到传热部件160中的情况下、也能够进入到在相邻接的大微粒子之间产生的间隙中的大小以下。由说 明 书CN 103339751 A6/19页9此，能够提高传热部件160中的微粒子161的填充率，因此能够提高从LED芯片120向基板110的传热性。0073 微粒子161以及纳米粒子的平均粒。
31、径，通过使用了动态光散射法的测定方法（例如，作为测定装置，使用了日机装公司制的nanotrac-UT151的测定方法）来测定。然后，将纳米粒子混入有机溶剂等溶剂，使用含有纳米粒子的浓度低于30wt的溶液来测定。其原因为，当溶液的浓度为30wt以上时，由于多重散射的影响而不能够得到正确的值。此外，本说明书的“平均粒径”相当于如下粒径：相对于根据通过测定而得到的粒径分布来计算的纳米粒子的总体积，从粒径较小一方对纳米粒子的体积进行累加的结果，累积体积成为总体积的50时的粒径。此外，微粒子161以及纳米粒子的平均粒径，也可以在将传热部件160在任意的位置切断后，利用使用SEM（ScanningElec。
32、tronMicroscope）等观察该剖面而得到的结果来测定。0074 此外，传热部件160接触的LED芯片120的侧面的数量不限定于4个，也可以为一个以上、3个以下。此外，传热部件160不限定于与LED芯片120的侧面整体接触，例如也可以与LED芯片120的侧面的一部分（例如下部）接触。0075 2关于发光模块的散热特性0076 在此，关于本实施方式的发光模块1的散热路径，在与比较例的发光模块的散热路径进行比较的同时进行说明。0077 图2的（a-1）是比较例的发光模块的局部截面图，图2的（a-2）是用于说明比较例的发光模块的散热特性的热电路图。此外，图2的（b-1）是本实施方式的发光模块1。
33、的局部截面图，图2的（b-2）是用于说明本实施方式的发光模块1的散热特性的热电路图。0078 在比较例的发光模块中，由LED芯片120产生的热经由经过了芯片安装部件150的散热路径（参照图2的（a-1）中的箭头AR1），向基板110放出。因此，当将LED芯片120设为热源P，将芯片安装部件150设为热阻RthD，将基板110以及收纳基板110的壳体等设为热阻RthH时，能够用图2的（a-2）所示那样的热电路图来表示。0079 另一方面，如图2的（b-1）所示那样，在发光模块1中，由LED芯片120产生的热，除了经过了芯片安装部件150的散热路径（参照图2的（b-1）中的箭头AR1）以外，还经由。
34、经过了传热部件160的散热路径（参照图2的（b-1）中的箭头AR2）向基板110放出。因此，当将LED芯片120设为热源P，将芯片安装部件150设为热阻RthD，将传热部件160设为热阻Rthn，将基板110以及收纳基板110的壳体等设为热阻RthH时，如图2的（b-2）所示那样，能够用与芯片安装部件150相当的热阻RthD和与传热部件160相当的热阻Rthn并联地连接在LED芯片120与基板110以及壳体等之间的热电路来表示。于是，芯片安装部件150和传热部件160的合成热阻能够用以下的式（2）来表示。0080 数20081 0082 （式2）0083 在此，Rsyns为合成热阻，RthD为。
35、芯片安装部件150的热阻，Rthn为传热部件160的热阻。0084 因此，在本实施方式的发光模块1中，在想将芯片安装部件150以及传热部件160说 明 书CN 103339751 A7/19页10的合成热阻Rsyns的大小，减小到芯片安装部件150的热阻RthD单体的大小的10分之1的情况下，使传热部件160的热阻Rthn成为芯片安装部件150的热阻RthD的9分之1即可。例如，在芯片安装部件150的热阻RthD为100（K/W）的情况下，使传热部件160的热阻Rthn成为大约11（K/W）即可。0085 在此，使用图3，对在传热部件160内传递的热的热传递路径进行说明。该热传递路径是指，由L。
36、ED芯片120产生的热向基板110放出为止的路径。0086 在图3的（a）所示那样的情况下，通过一个微粒子161，形成主要的热传递路径PT10。在热传递路径PT10中，仅存在热传导率比纳米复合材料162高的微粒子161。0087 此外，如图3的（b）所示那样，在与LED芯片120的侧面接触的微粒子161和与基板110接触的微粒子161相互接触的情况下，由LED芯片120产生的热的主要的热传递路径PT11为，从LED芯片120进入与LED芯片120的侧面接触的一方的微粒子161内，然后通过2个微粒子161的接触部分而进入与基板110接触的另一方的微粒子161内，并到达基板110的路径。在该情况下。
37、，在热传递路径PT11中，也仅存在热传导率比纳米复合材料162高的微粒子161。0088 此外，在如图3的（c）所示那样的情况下，通过与LED芯片120侧面接触的微粒子161、与基板110的主面接触的微粒子161、以及夹在这2个微粒子161之间的纳米复合材料162，形成主要的热传递路径PT20。在图3的（c）的情况下，在热传递路径PT20中夹有热传导率比微粒子161低的纳米复合材料162，因此与图3的（a）所示的热传递路径PT10以及图3的（b）所示的热传递路径PT11相比，热传递路径PT20上的每单位长度的热阻变大，相应地散热性降低。0089 因此，传热部件160为，自身所含有的微粒子161。
38、的量越多，则微粒子161彼此越容易接触，越容易形成仅存在微粒子161的热传递路径。由此，容易实现传热部件160的热阻的减少。0090 3传热部件的光学特性0091 接下来，对传热部件160的光学特性进行说明。0092 图4表示用于说明本实施方式的传热部件的光学特性的图。0093 在从LED芯片120放射的光中，存在从LED芯片120的侧面进入传热部件160、并如图4所示那样在传热部件160内传播而向传热部件160的外部放出的成分。0094 当微粒子161的折射率比纳米复合材料162的折射率大或者小时，如图4的（a）所示那样，在微粒子161和纳米复合材料162的界面光会被散射。结果，LED芯片1。
39、20的光的取出效率可能降低。0095 与此相对，如果微粒子161的折射率与纳米复合材料162的折射率相同，则如图4的（b）所示那样，抑制微粒子161和纳米复合材料162的界面的光散射。结果，能够防止LED芯片120的光的取出效率降低。0096 因此，在本实施方式中着眼于如下情况，使纳米粒子分散在基材中而成的纳米复合材料162为，在构成自身的一部分的纳米粒子的体积分率为0时，为构成基材的材料单体的折射率，在纳米粒子的体积分率为100时，是构成纳米粒子的材料单体的折射率，在纳米粒子的体积分率为0至100之间，则折射率与纳米粒子的体积分率成正比例地变化。例如，在纳米粒子由ZrO2形成、基材为硅树脂的情况下，纳米粒子的体积分率为0的纳说 明 书CN 103339751 A10。