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本发明提供了一种全无机体系中蒸气相自转晶(蒸气相传输法,即VPT)制备高硅丝光沸石即MOR的方法。该方法是将含有碱金属(M)源、三价元素(X)的氧化物源、四价元素(Y)的氧化物源、水组成的混合物制成凝胶,经脱水得到干胶,在水(H2O)蒸气相中进行自转晶反应,产物MOR沸石晶体经冷却、洗涤、抽滤、烘干后得到,产物SiO2/Al2O32040。。
CN200510023802.5
2005.02.03
CN1673081A
2005.09.28
终止
无权
未缴年费专利权终止IPC(主分类):C01B 39/26申请日:20050203授权公告日:20071024终止日期:20100203|||授权|||实质审查的生效|||公开
C01B39/26; B01J29/18
复旦大学;
汪靖; 程晓维; 徐孝文; 龙英才
200433上海市邯郸路220号
上海正旦专利代理有限公司
姚静芳;王福新
本发明提供了一种全无机体系中蒸气相自转晶(蒸气相传输法,即VPT)制备高硅丝光沸石即MOR的方法。该方法是将含有碱金属(M)源、三价元素(X)的氧化物源、四价元素(Y)的氧化物源、水组成的混合物制成凝胶,经脱水得到干胶,在水(H2O)蒸气相中进行自转晶反应,产物MOR沸石晶体经冷却、洗涤、抽滤、烘干后得到,产物SiO2/Al2O3=20~40。
权利要求书1、 一种高硅丝光沸石即MOR沸石的制备方法,其特征在于在Na2O-SiO2-Al2O3-H2O反应混合物搅拌均匀成凝胶后脱水制成干胶反应物,经蒸气相转晶后经冷却、洗涤、抽滤、干燥即可;上述体系各原料的摩尔比为OH-∶SiO2∶Al2O3∶H2O=0.30~0.50∶1.0∶0.005~0.05∶10~30,蒸汽相转晶反应温度为100~200℃,反应时间为12小时~120小时。2、 如权利要求1所述的方法,其特征在于体系所用的硅源为硅溶胶、水玻璃、白炭黑中的任一种。3、 如权利要求1所述的方法,其特征在于体系所用的铝源为Al2(SO4)3、Al(OH)3中的任一种。4、 如权利要求1所述的方法,其特征在于反应混合物搅拌均匀后85-95℃脱水得到干胶。5、 如权利要求1所述的方法,其特征在于每摩尔SiO2晶种用量为0.4-0.6g/mol。6、 如权利要求1所述方法获得的高硅丝光沸石的SiO2/Al2O3=20-40。
说明书一种高硅丝光沸石的制备方法 技术领域 本发明属于材料合成技术领域,具体涉及一种全无机体系中蒸气相自转晶制备高硅丝光沸石(即MOR)的方法。 背景技术 沸石分子筛是一种无机硅铝酸盐晶体,其骨架中含有规则且有序排列、分子尺寸的孔道或笼(ca.3~15)、具有择形催化、离子交换以及分子筛分离等作用,被广泛应用于原油炼制、石油催化裂化与石油化工等领域。 丝光沸石中由5-3结构单元连接的四元环和五元环(五元环占优势)构成椭圆形12元环主通道,主通道间有八元环通道沟通。12元环直筒形通道尺寸0.695×0.581nm,八元环通道排列不规则,孔径0.28nm,一般分子不易进出。由于合成的丝光沸石纯度高、孔结构可以调节,并且具有优良的耐热、耐酸和抗水汽性能,工业上广泛用作气体或液体混合物分离的吸附剂及碳氢化合物裂解、异构化、烷基化,歧化等催化剂。 MOR沸石合成除传统的、在Na2O-SiO2-Al2O3-H2O反应混合物系统中的水热合成法(Bajpai P K.Zeolites,1986,6(1),2已对此进行综述),此后又有非水体系合成法(徐文炀等,CN 88 100228.1988)和蒸气相自转晶合成法等。但所得到的产物硅铝比均在10左右,未得到更高硅铝比的MOR沸石,而高硅铝比丝光沸石具有高热(1000℃以上)稳定性的特点,在烷基转移反应中,催化活性、选择性和稳定性都随硅铝比的增大而提高。在高硅丝光沸石的合成中,一般都需加入大量有机胺模板剂,因而成本提高,同时还可能造成环境污染。近年来又有无机体系中加入氟化物的方法(祁晓岚等,CN 1198404.1998)和有机铵阳离子与氟化物共存的方法(Hitoshi Sasaki,etc.J.Mater.Chem.2003,13,1173),大幅提高了合成MOR沸石的硅铝比,但同样存在高成本,污染严重等问题。 发明内容 本发明的目的在于提出一种不使用有机模板剂和氟化物、反应温度低、时间短、无污染、产物结晶度高的全无机反应物体系在H2O蒸气相中自转晶制备MOR沸石的方法。 本发明所制备的MOR沸石晶体是将Na2O-SiO2-Al2O3-H2O反应物混合物凝胶体系经脱水制成干胶后,在H2O蒸气相中通过自转品反应得到。 上述MOR沸石的具体制备方法是:将硅源、碱、铝源、水、晶种搅拌混合均匀成凝胶(A),脱水得到干胶(B),将H2O(C)置于不锈钢反应釜底部,盛放B的敞口容器位于反应釜中上部的支架上,加入H2O的量应控制在加热反应时干胶不与其直接接触。反应釜密封后可置于烘箱中加热进行反应。产物经冷却、洗涤、抽滤、干燥后得到MOR沸石。上述方法中,反应温度为100~200℃,反应时间为12小时~120小时。 上述方法中,所用地硅源为硅溶胶、水玻璃、白炭黑的任一种,铝源为Al2(SO4)3、Al(OH)3的任一种。 上述方法中,体系原料摩尔比为:(0.30~0.50)OH-∶SiO2∶(0.005~0.05)Al2O3∶(10~30)H2O。 上述方法中,每摩尔SiO2晶种用量为0.4-0.6g/mol。 本发明获得的产物SiO2/Al2O3=20-40。 本发明所提供的MOR沸石的特征可用如下方法进行表征: 1、粉末X-射线衍射(XRD)。在粉末X-射线衍射中,参照标准图谱,以确定产物为结晶完全的MOR沸石晶体。 2、X-射线荧光分析(XRF)。分析粉末产物的硅铝等元素的含量。 3、27Al核磁共振(27Al NMR)。分析产物的骨架铝与非骨架铝比例,以校正XRF测定的产物化学硅铝比,获得产物的骨架硅铝比数据。 4、扫描电子显微镜(SEM)。直观判断晶体形貌和尺寸。 5、低温氮吸附—脱附。判断微孔结构,测定其Langmuir比表面积及孔容积。 本发明方法不使用有机模板剂和氟化物,反应条件温和,无污染,产物结晶度高。 附图1为MOR晶体与干胶的XRD图谱对比。可看出气相转晶后产物为结晶度较高的MOR沸石。 附图2为MOR晶体与干胶的扫描电镜照片。可看出气相转晶后生成的MOR沸石为棒状单晶体,尺寸1-5微米。 附图3为MOR沸石的27Al核磁共振图谱。可看出无非骨架铝存在。 附图4为MOR沸石的低温氮吸附—脱附图。可看出其滞后环面积比较小,表明其微孔结构较好。 附图说明 图1为本发明的XRD图,其中1为MOR晶体,2为干胶。 图2为本发明扫描电镜图,其中3、4为干胶,5、6为MOR晶体。 图3为本发明的27Al核磁共振图。 图4为本发明的低温氮吸附—脱附图。 具体实施方式 下面通过实施例进一步描述本发明:实施例 起始原料 原料配比 (摩尔比) 温度 (℃) 时间 (h) 产物硅源铝源 1硅溶胶Al2(SO4)3 0.50OH-∶SiO2∶0.0125Al2O3∶10H2O 160 20 MOR 2硅溶胶Al2(SO4)3 0.50OH-∶SiO2∶0.025Al2O3∶10H2O 160 20 MOR 2白炭黑Al(OH)3 0.10OH-∶SiO2∶0.05Al2O3∶20H2O 170 24 MOR 3水玻璃Al2(SO4)3 0.40OH-∶SiO2∶0.05Al2O3∶20H2O 170 24 MOR+MFI 4硅溶胶Al(OH)3 0.10OH-∶SiO2∶0.001Al2O3∶10H2O 150 48 MFI+MOR 5水玻璃Al(OH)3 0.50OH-∶SiO2∶0.01Al2O3∶30H2O 160 20 MOR 7硅溶胶Al2(SO4)3 0.50OH-∶SiO2∶0.005Al2O3∶10H2O 200 36 MOR+Quartz 8硅溶胶Al2(SO4)3 0.40OH-∶SiO2∶0.025Al2O3∶20H2O 180 48 MOR+Quartz 9硅溶胶Al2(SO4)3 0.40OH-∶SiO2∶0.05Al2O3∶20H2O 140 48 MOR 10硅溶胶Al2(SO4)3 0.30OH-∶SiO2∶0.025Al2O3∶20H2O 160 6 MFI+MOR上述实施例所用碱均为NaOH,水为蒸馏水,品种量均为0.5g/mol SiO2。 实施例11,用X-射线荧光分析测定实施例1合成的MOR沸石,其化学成分硅铝摩尔比为29。 实施例12,用27Al核磁共振测定实施例1合成的MOR沸石,测得无非骨架铝,得到沸石骨架硅铝摩尔比即为29。 实施例13,用低温氮吸附法测定实施例1合成的MOR沸石,其Langmuir比表面积为344.6m2/g,微孔容积为0.14cm3/g。
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