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本发明提供了一种光记录介质,包括:全息记录层,通过全息技术在该全息记录层上记录信息;固定到全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;用于控制遮光组件的透光状态的控制电极,其中,遮光组件具有通过在记录单元区域基础上划分遮光组件而获得的多个像素,并且透光状态可被逐个像素地控制。 。
CN200510072398.0
2005.05.31
CN1825441A
2006.08.30
撤回
无权
发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开
G11B7/0065(2006.01); G11C13/04(2006.01); G03H1/04(2006.01)
G11B7/0065
富士通株式会社;
金冈利知
日本神奈川县
2005.02.23 JP 047811/2005
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
赵淑萍
本发明提供了一种光记录介质,包括:全息记录层,通过全息技术在该全息记录层上记录信息;固定到全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;用于控制遮光组件的透光状态的控制电极,其中,遮光组件具有通过在记录单元区域基础上划分遮光组件而获得的多个像素,并且透光状态可被逐个像素地控制。
1. 一种光记录介质,包括:全息记录层,通过全息技术在所述全息记录层上记录信息;固定到所述全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;以及用于控制所述遮光组件的透光状态的控制电极,其中所述遮光组件具有通过在记录单元区域基础上划分所述遮光组件而获得的多个像素,而且所述光透光状态可被逐个像素地控制。2. 如权利要求1所述的介质,其中当不向所述控制电极施加电流时,所述遮光组件处于不透光状态。3. 如权利要求1所述的介质,其中每个所述像素都具有基本规则的六边形的形状,且所述像素被紧凑地排列。4. 如权利要求1所述的介质,其中所述遮光组件是液晶平板或微机电系统平板。5. 如权利要求1所述的介质,其中所述遮光组件是微机电系统平板,所述透光状态通过对开孔的开启/关闭而被控制。6. 如权利要求1所述的介质,其中所述控制电极被提供在全息记录层的侧面上。7. 如权利要求1所述的介质,其中反射层和所述全息记录层以此顺序形成在基板上,所述遮光组件固定在所述全息记录层上。8. 如权利要求7所述的介质,其中遮光膜被提供在所述全息记录层的侧面上。9. 如权利要求1所述的介质,其中百叶窗被提供在所述全息记录层的另一主表面上。10. 如权利要求9所述的介质,其中遮光膜被提供在所述全息记录层的侧面上。11. 如权利要求1所述的介质,其中另一遮光组件被固定在所述全息记录层的所述另一主表面上。12. 如权利要求11所述的介质,其中遮光膜被提供在所述全息记录层的侧面上。13. 一种用于在光记录介质上记录信息的方法,所述光记录介质包括全息记录层,通过全息技术在所述全息记录层上记录信息,还包括固定到所述全息记录层的至少一个主表面的遮光组件,还包括控制电极,用于控制所述遮光组件的透光状态,其中所述遮光组件具有通过以记录单元区域为基础来划分所述遮光组件而获得的多个像素,并且所述透光状态可被逐个像素地控制,所述方法包括以下步骤:向所述控制电极施加预定电压,以使得所述遮光组件的至少一个所述像素变得透光;在此状态下,通过所述透光像素用物光束照射所述全息记录层;以及同时用参考光束照射用所述物光束照射的位置,以在对应于所述像素的区域记录信息。14. 一种用于从光记录介质再现信息的方法,所述光记录介质包括全息记录层,通过全息技术在所述全息记录层上记录信息,还包括固定到所述全息记录层的至少一个主表面的遮光组件,还包括控制电极,用于控制所述遮光组件的透光状态,其中所述遮光组件具有通过以记录单元区域为基础来划分所述遮光组件而获得的多个像素,所述透光状态可被逐个像素地控制,所述方法包括以下步骤:向所述控制电极施加预定电压,以使得所述遮光组件的至少一个所述像素变得透光;在此状态下,用参考光束照射所述全息记录层;以及检测通过所述透光像素的所述参考光束,以再现记录在对应于所述像素的区域上的信息。15. 一种用于向光记录介质记录信息和从光记录介质再现信息的设备,所述光记录介质包括全息记录层,通过全息技术在所述全息记录层上记录信息,还包括固定到所述全息记录层的至少一个主表面的遮光组件,还包括控制电极,用于控制所述遮光组件的透光状态,其中所述遮光组件具有通过以记录单元区域为基础来划分所述遮光组件而获得的多个像素,所述透光状态可被逐个像素地控制,所述设备包括:其上承载所述光记录介质的承载部件;电连接到所述控制电极的连接部件;用于通过所述连接部件来电控制所述遮光组件的控制器;以及用于向所述全息记录层发射物光束和参考光束的光发射器。16. 如权利要求15所述的设备,其中当在所述全息记录层上记录信息A时,所述控制器将遮光组件中对应于其中要记录所述信息A的像素的位置的部分设置为透光状态。
光记录介质及其使用 技术领域 本发明涉及用于根据全息技术原理而在其上三维地记录数字数据的光记录介质、用于在光记录介质上记录信息的方法、用于再现光记录介质上的信息的方法,以及一种信息记录/再现设备。 背景技术 在全息存储中,通过使用参考光束和物光束这两束光来复用地记录二维数字数据,从而执行三维记录。已知的复用记录方法有角度复用、波长复用、相位码复用,等等。 JP-A 2004-4434中公开了一种用于以高填充密度(packing density)在记录介质上记录数据的传统方法。 该文献公开了一种仅在多个区域中的一个区域记录信息的方法,该方法通过以物光束和参考光束选择性地照射该区域而对记录层进行划分以获得该区域。在该方法中,不同的信息可记录在不同的区域,因此可提高每个介质的记录容量。 通过在记录介质上方部署仅在对应于希望从其处再现信息的区域的部分有开口的空间光束选择器,并在这样状态下以参考光来照射记录层,就可仅从所希望的区域再现用上述方法记录的信息。 在上述方法中,在记录信息时不使用空间光束选择器,而是在再现时将其部署在介质上方。因此,很难在介质和空间光束选择器之间获得精确的对准。当不能获得介质和空间光束选择器之间的精确对准时,就可能会出现相邻区域的信息被再现的问题。 而且,还会出现下面两个问题。 首先,作为全息存储器的候选记录材料的光敏聚合物和光折射材料是感光材料,并很容易对自然光曝光(就像照相机的底片),因此会发生错误的记录和数据损坏等。因此,当假设将此材料用于可删除介质时,用于避免曝光的设备是很必要的。 其次,根据存储系统的一个方面,表明介质上的记录/再现位置的地址信息是必须的。当如在传统的光盘介质中所使用的利用凹坑(pit)和抖动(wobble)的地址信息被记录在同一记录表面上时,虽然在全息记录中使用会聚光(condensed light)记录了几万比特的二维信息,但是使用相同的会聚光只能从一个凹坑或抖动读取1比特信息。 因此,用于记录地址信息的区域面积的比例变得相对较大,而实质的记录区域则减小了。 发明内容 考虑上述情况而得到本发明,本发明提供了一种光记录介质,其中可精确地向特定区域记录或从特定区域再现数据。 本发明提供了一种光记录介质,其包括:全息记录层,通过全息技术在该全息记录层上记录信息;固定到全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;用于控制遮光组件的透光状态的控制电极。这里,遮光组件具有通过在记录单元区域基础上划分遮光组件而获得的多个像素,并且透光状态可被逐个像素地控制。 本发明的光记录介质具有这样的遮光组件,其透光状态可被逐个像素地控制。因此,仅能向变得透光的像素记录信息或从其再现信息,因此可避免串写和串读。 遮光组件固定在全息记录层上。因此,变得透光的像素的位置可被非常精确地指定,而且记录/再现的位置也可被非常精确地指定。不必提供地址信息区域就可在合适的位置记录/再现信息,于是可抑制实际记录区域的减小。 由于遮光组件附着在至少一个主表面上,因此通过合适地对其它表面进行遮光,可有效地避免全息记录层的曝光。 附图说明 根据下面的详细说明和附图可获得对本发明的更全面理解,所述说明和附图对本发明来说仅是示例性的而并非限制性的,其中: 图1A和1B分别是根据本发明的第一实施方式的光记录介质的平面图和剖面图; 图2A和2B是各自示出了图1A和1B的液晶平板的具体配置的剖面图; 图3A和3B是示出了根据第一实施方式的用于光记录介质的记录/再现设备的配置图; 图4示出了在介质和设备之间进行位置校准的原理; 图5示出了将一个像素的形状与一个束斑的形状进行比较的简图; 图6A和6B示出了像素的另一种形状; 图7示出了MEMS平板中像素的例子; 图8示出了相位码调制模式的例子; 图9A、9B和9C分别是根据本发明第二实施方式的光记录介质的平面图、剖面图和后视图; 图10是示出了根据第二实施方式的用于光记录介质的记录/再现设备的配置图; 图11A、11B和11C分别是根据本发明另一实施方式的光记录介质的平面图、剖面图和后视图; 图12A、12B和12C分别是根据本发明另一实施方式地光记录介质的平面图、剖面图和后视图; 图13A和13B分别是根据本发明第三实施方式的光记录介质的平面图和剖面图; 图14是示出了根据第三实施方式的用于光记录介质的记录/再现设备的配置图; 图15A和15B分别是根据本发明第四实施方式的光记录介质的平面图和剖面图; 图16A和16B分别是根据第四实施方式的用于光记录介质的心轴的平面图和剖面图。 具体实施方式 本发明提供了一种光记录介质,其包括:全息记录层,通过全息技术在该全息记录层上记录信息;固定到全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;用于控制遮光组件的透光状态的控制电极。这里,遮光组件具有通过在记录单元区域基础上划分遮光组件而获得的多个像素,透光状态可被逐个像素地控制。 这里将描述本发明的各个组成元件。 固定到全息记录层的主表面的遮光组件可以是(由一种材料制成的)这样的结构,其不透光到设置在下方的全息记录层。具体地说,可使用液晶平板或MEMS(Micro Elctro-Mechanical System,微机电系统)作为遮光组件。 从避免全息记录层曝光的方面考虑,优选地,当不向控制电极供电时,遮光组件不透光。 而且,从执行精确的记录/再现的方面考虑,优选地,遮光组件通过使用粘合剂而被牢固地固定在全息记录层的主表面上。可提供具有相互配合的突起部件和凹陷部件的耦合机构,从而将遮光组件和全息记录层固定在一起。 本发明的记录介质可以是通过这样的方法获得的介质,即反射层和全息记录层按此顺序形成在基板上,并在全息记录层上固定地提供遮光组件。 从避免串写等方面考虑,优选地,像素具有与透过光束的束斑形状接近的形状。更优选地,紧凑地排列每一个都具有基本规则的六边形形状的像素。 而且,当遮光组件是MEMS平板时,优选地,通过对开孔的开启/关闭来控制透光状态。 控制电极被提供来向遮光组件提供控制电压,控制电极可被提供在不同于光照射面的区域,例如全息记录层的侧面。 可在全息记录层的另一主表面提供百叶窗,并可固定地安装另一遮光组件。 从避免曝光的方面考虑,优选地在全息记录层的侧面提供遮光膜。 本发明还提供了一种用于在光记录介质上记录信息的方法,所述光记录介质包括:全息记录层,通过全息技术在所述全息记录层上记录信息;固定到全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;以及控制电极,用于控制遮光组件的透光状态,其中遮光组件具有通过以记录单元区域为基础来划分遮光组件而获得的多个像素,透光状态可被逐个像素地控制。这里,所述方法包括以下步骤:向控制电极施加预定电压,以使得遮光组件的至少一个像素变得透光;以及在此状态下,通过透光像素用物光束照射全息记录层,同时用参考光束照射以物光束照射的位置,以在对应于该像素的区域记录信息。 本发明还提供了一种用于从光记录介质再现信息的方法,所述光记录介质包括:全息记录层,通过全息技术在所述全息记录层上记录信息;固定到全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;以及控制电极,用于控制遮光组件的透光状态,其中遮光组件具有通过以记录单元区域为基础来划分遮光组件而获得的多个像素,透光状态可被逐个像素地控制。这里,所述方法包括以下步骤:向控制电极施加预定电压,以使得遮光组件的至少一个像素变得透光;以及在此状态下,用参考光束照射全息记录层并检测通过透光像素的参考光束,以再现记录在对应于该像素的区域上的信息。 本发明还提供了一种用于向光记录介质记录信息和从光记录介质再现信息的设备,所述光记录介质包括:全息记录层,通过全息技术在所述全息记录层上记录信息;固定到全息记录层的至少一个主表面的遮光组件;以及控制电极,用于控制遮光组件的透光状态,其中遮光组件具有通过以记录单元区域为基础来划分遮光组件而获得的多个像素,透光状态可被逐个像素地控制。这里,该设备包括:其上承载光记录介质的承载部件、电连接到控制电极的连接部件、用于通过连接部件来电控遮光组件的控制器,以及用于向全息记录层发射物光束和参考光束的光发射器。在该设备中,优选地,当在全息记录层上记录信息A时,控制器将遮光组件中对应于其中要记录信息A的像素的位置的部分设置为透光状态。 下面将参照附图描述本发明的实施方式。 1.第一实施方式 图1A和1B分别是示出了根据第一实施方式的光记录介质的结构的平面图和剖面图。图1A和1B所示的根据该实施方式的介质1具有这样的结构:反射层3、全息记录层5、遮光组件7和保护层9按此顺序形成在基板2上。使用具有划分为多个像素7a的区域的液晶平板作为遮光组件7。液晶平板7通过粘合剂等固定,并被保护层9所保护。在该介质的一个侧面,提供了用于电控液晶平板7的透光状态(透光状态或不透光状态)的控制电极11。控制电极11电连接到下面将描述的光记录/再现设备中的控制器,控制器逐个像素地控制液晶平板7。该介质的另一侧面覆盖有遮光膜13,用于避免全息记录层5曝光。可使用包含例如碳粒子的遮光材料的膜或ABS树脂膜作为遮光膜13。 全息记录层5由例如光敏聚合物或光折射材料的全息记录材料制成。 液晶平板7是常黑型(当不向其供电时不透光)。当液晶平板7与设备分离时(当不施加电压时),所有像素7a都不透光。在此状态下,来自外部的光被阻断,于是全息记录层5不会曝光。 图2A和2B是示出了常黑型的液晶平板的示例的剖面图。图2A示出了VA(Vertically Aligned,垂直排列)型的液晶平板,图2B示出了TN(Twisted Nematic,扭转向列)型液晶平板。在两种类型中,基本的配置是相同的。液晶分子29被密封在下平板27a和上平板27b之间,其中下平板27a包括偏光板21a、透射层23a以及电极-取向(electrode-and-orientation)膜25a,而上平板27b则包括偏光板21b、透射层23b以及电极-取向膜25b。 在VA类型中,偏光板21a和偏光板21b被布置为相互正交。在这种布置中,当不施加电场时,液晶分子沿垂直方向排列,因此入射光的偏振方向没有被液晶改变,没有光透过。另一方面,当施加电场时,液晶分子沿水平方向排列,因此入射光的偏振方向被液晶改变,光可以透过。利用上述配置可获得常黑型的液晶平板。 在TN型中,偏光板21a和偏光板21b被布置在同一方向。在这种布置中,当不施加电场时,液晶分子是扭转的,因此入射光的偏置方向被液晶改变,没有光透过。另一方面,当施加电场时,液晶分子沿垂直方向排列,入射光的偏振方向没有被液晶改变,光可以透过。利用这种配置可获得常黑型液晶平板。 现在将参照图3A和3B来描述用于向介质记录信息和从介质再现信息的方法。图3A是根据本实施方式的记录/再现设备30的配置简图,图3B是介质1的平面图。 从光源31发射的激光束33被准直镜35转化为平行光,该平行光被分束器37分为两束光33a和33b。两束光之一的光束33a的直径被扩束器39增大,所得到的光束被空间光调制器41转化为具有预定信息的物光束33c。物光束33c通过分束器42,被物镜43会聚,并通过液晶平板7中的像素7b落在介质1中的全息记录层5上,其中像素7b在下面将描述的控制器55的控制下变为透光的。另一光束33b被反射镜45a和45b导向检流计镜47,被检流计镜47反射,并通过透镜对49而作为参考光落在与物光束33c相同的位置。检流计镜47以垂直于图面的轴47a为中心旋转,并改变光束33b的反射角。即使在光束33b的反射角改变的情况下,通过透镜对49的动作,光束33b落在与具有不同的入射角的参考光束几乎相同的位置。当参考光束33b的入射角不同时,不同的干涉条纹图案被记录在介质1上。通过改变检流计镜的角度可实现角度复用记录。 当再现时,光束33a被空间光调制器41阻断(可替换地,光束33a被单独提供的百叶窗等阻断),介质1仅被参考光束33b照射。当全息记录层5的干涉条纹图案被由介质1的反射层3反射的光束照射时,该光束被干涉条纹图案衍射,从而产生再现光束33d。再现光束33d从介质1向物镜43行进,被分束器42反射,并被光检测器51例如CCD所检测,从而再现信息。 介质1被承载在承载部件52上,控制电极11通过具有连接电极53a的连接部件53而电连接到控制器55。如图3B所示,控制器55使得要被记录的像素7b变为透光的。在该状态下,通过透光像素7b,用物光束33c和参考光束3b照射全息记录层5。在此情形下,可仅在对应于像素7b的区域记录信息,而且可避免串写(曝光相邻像素正下方的全息记录层5)。对于信息再现来说,通过检测通过透光像素7b的再现光束33d,仅能再现记录在对应于像素7b的区域中的信息。因此可避免串读(再现记录在相邻像素正下方的全息记录层5中的信息)。在本实施方式中,液晶平板7固定在全息记录层5上,因此可通过控制液晶平板7中的像素来精确地指定要执行记录/再现的位置。 虚线围绕的光源50的位置是固定的,承载部件52被驱动器(未示出)驱动,从而可在X和Y方向上(X方向是由图中箭头示出的方向,Y方向是与图面垂直的方向)可移动。因此,例如当顺序地向液晶平板7中的在X方向排列的像素记录信息或从液晶平板7中的在X方向排列的像素再现信息时,重复如下操作,即将承载部件52右移一个像素的量,从而将透光像素左移一个像素的量,并且在该状态下的记录或再现信息。 为了执行介质1和记录/再现设备30之间的精确对准,每次移动承载部件52时,都在记录/再现信息之前矫正承载部件52的位置。将参照图4描述位置矫正。图4是仅示出了图3A的液晶平板7的一部分和光检测器51的一部分的简图。在液晶平板7中,像素7b是透光的。光检测器51被划分为4个小区域51a。当用参考光束33b照射全息记录层5时,再现光束33d从像素7b发射出,然后进入光检测器51。当介质1和记录/再现设备30之间的对准不精确时,进入4个小区域51a的光束的量互不相同。在此情形下,调整承载部件52的位置,以使得进入4个小区域的光束的量变得彼此相等。再现光束33d被像素7b的边缘衍射,并作为多束衍射光束57a和57b而被检测。 虽然上面已描述了具体实施方式,但是本发明并不限于这些实施方式,而是可被作出各种修改。 在图1A和1B中,像素7a是正方形的。但是,如图5所示,物光束33c的束斑59的形状一般是圆形的,因此阴影区域没有被用到。因此,如图6A所示,优选地,像素7a具有基本规则的六边形形状,并且被紧凑地排列。从图6B可理解,在此情形下,未被使用的阴影区域减小了。“基本规则的六边形”不仅包括严格规则的六边形,还包括通过将六边形的纵向和横向变长而获得的形状。该形状可以是五边形或包括六条或更多条边的形状(例如八边形)。 任何组件例如MEMS平板都可用来作为遮光组件7,只要该组件可逐个像素地控制透光状态。图7示出了MEMS平板中像素的示例。在此情形下,可通过对开孔的开启/关闭来控制透光状态。 复用并不限于角度复用,而是可以是波长复用、相位码复用等。在执行波长复用的情形下,准备用于发射不同波长的激光束的多个光源,物光束的光源是固定的。通过顺序地改变参考光束的波长,可执行复用。在执行相位码复用的情形下,通过使用相位调制器来预先调制参考光束,多种调制模式被产生并顺序地改变,从而执行复用。图8示出了调制模式的示例。在此情形下,通过使用四种调制模式,可执行四路复用。 虽然在上述实施方式中,介质1和记录/再现设备30之间的对准是通过移动承载部件52来实现的,但是承载部件52可以是固定的(换句话说,介质1不移动),而由虚线围绕的整个光发射器50是可移动的。可通过使用电动机等来移动光发射器。可替换地,只有光发射器50的一部分可由反射镜、分束器等的合适组合来移动。 控制电极11可形成在介质1的主表面上(例如主表面的末端部)。可通过将整个介质1置于暗盒等之中来对其进行遮蔽,以代替提供遮光膜对介质1进行遮蔽。在此情形下,百叶窗等可被提供在光入射表面上。百叶窗可具有可被机械地开启/关闭的任何结构。 2.第二实施方式 图9A到9C分别是示出了根据第二实施方式的光记录介质的结构的平面图、剖面图和后视图。介质1具有这样的结构,其中全息记录层5形成在透明基板61上,具有多个像素7a的液晶平板7作为全息记录层5上的遮光组件被粘合剂等固定。具有遮光特性的百叶窗63被提供在基板61的后表面上。百叶窗63被划分为第一组件63a和第二组件63b,它们可在图9C所示的箭头所表明的方向上移动。当开启第一组件63a的区域时,第一组件63a向下移动,并重叠在第二组件63b上。另一方面,当开启第二组件63b的区域时,第二组件63b向上移动,并重叠在第一组件63a上。其他配置与第一实施方式类似。 现在参照图10来描述用于记录/再现该介质的方法。图10是根据本实施方式的记录/再现设备30的配置简图。 在本实施方式中,向透射型介质记录并从其再现信息。信息以类似于反射型介质的情形(第一实施方式)的方式而被记录。当再现信息时,必须用来自下方的参考光束来照射透射型介质。因此,在本实施方式中,设备30还包括反射镜65a和65b、检流镜67,以及透镜对69。当记录时,光束33b被反射镜45a反射,并通过与第一实施方式相同的光路而落在介质1上。当再现时,反射镜45a从光路移出。因此,光束33b就不被反射镜45a反射,而是实际上直线前进,被反射镜65a和65b并进而被检流镜67反射,穿过透镜对69,落在介质1上。之后,再现光束33d被产生,穿过物镜43,被分束器42反射,被光检测器51检测。 介质1承载在承载部件52上。为了用来自下方的光束照射介质1,承载部件52具有透光特性或开口。设备30具有开启/关闭百叶窗63的机构。其他配置类似于第一实施方式。 百叶窗63并不限于图9C所示,而是可具有任何可被机械地开启/关闭的结构。百叶窗63可被划分为3部分或更多。百叶窗63可以是像手风琴那样可折叠,或者可以具有图7所示的开孔那样的结构。 在另一实施方式中,如图11A到11C所示,可提供可被逐个像素地控制的遮光组件(例如液晶平板或MEMS)71来代替百叶窗63。具体地说,在此情形下,在全息记录层5的两面都提供遮光组件。记录该介质的方法与具有百叶窗的介质的情形相同。再现方法基本相同,除了当发射参考光束时,遮光组件71被控制以把要被再现的像素设置为透光状态。 全息记录层5的一个表面上的遮光组件的大小和像素数与另一表面上的遮光组件的大小和像素数可以是互不相同的。如图12A到12C所示,优选地将背面的遮光组件72中的像素72a的大小设置为大于前面的遮光组件7的像素7a的大小。由于可用参考光束照射整个背面,因此即使增大遮光组件72的像素大小,记录/再现位置的精确性也不会变坏。在此情形下,用于控制遮光组件72的电极数量可以减少,并且可降低制造成本。在图12的配置中,不必精确地对准前面的遮光组件和第二面的遮光组件,从而提高了生产率和产量。 3.第三实施方式 图13A和13B分别是示出了根据第三实施方式的光记录介质的结构的平面图和剖面图。 介质1具有这样的配置,其中数据全息记录层74和数据保护层75交替堆叠。液晶平板7被附着作为顶面,液晶平板77被附着到一个侧面。其他配置与第一实施方式类似。 现在参照图14来描述用于记录/再现该介质的方法。图14是根据本实施方式的记录/再现设备30的配置图。 在本实施方式中,主要地,参考光束的照射方法与第一实施方式不同。光束33b被反射镜45a和45b反射,之后被透镜81会聚。记录层74被来自介质1的侧面的会聚光束照射。为了用参考光束照射多个记录层74中的每一个,提供了用于垂直移动反射镜45b的驱动器(透镜致动器)(未示出)。因为必须在介质1的多个记录层74的每一个上获得物光束33c的焦点,因此提供了移动物镜43的驱动器。 通过使用该介质,当记录时,仅在指定的平面位置处的像素7a被变为透光的。顶面被物光束33c照射。仅有这样的像素77a被变为透光的,并被参考光束33b照射,所述像素77a位于要从侧面向其写信息的那一层。当再现时,仅有这样的像素77a被变为透光的,并被参考光束33b照射,所述像素77a位于要从侧面从其再现信息的那一层。要从其再现信息的顶面中的平面位置上的像素7a被变为透光的,信息从像素7a被读取。根据平面地址信息和要向其施加光的层地址信息来管理记录/再现地址控制。 在本实施方式中,可在多个记录层中记录信息,因此可提高每单位面积的记录密度。 在另一实施方式中,可在参考光束33b的光路中提供相位调制器,且可执行相位码复用记录。在此情形下,多层记录和复用记录都可被执行,因此可获得极高的记录密度。 4.第四实施方式 图15A和15B分别是示出了根据第四实施方式的光学记录介质的结构的平面图和剖面图。介质1具有盘的形状,并包括中央的夹具部件83中的突起的控制电极11,盘的整个外缘被遮光膜13覆盖。其他配置与第一实施方式类似。 图16A和16B分别是示出了用于附着介质1的心轴85的结构的平面图和剖面图。心轴85的夹具部件83具有凹陷连接电极53a,介质1的突起控制电极11将被装入到该凹陷连接电极53a中。心轴85装配在与第一实施方式类似的记录/再现设备30(见图1)中。凹陷连接电极53a电连接到记录/再现设备30的控制器55。 当向本实施方式的介质1记录信息,或从其再现信息时,首先,介质1被附着到心轴85,从而介质1的突起控制电极11电连接到心轴85的凹陷连接电极53a。介质1的液晶平板7被控制器55通过电极11和53a而逐个像素地控制。控制器55使得只有要被记录/再现的像素变为透光的,而信息以类似于第一实施方式的方式被记录/再现。 虽然图15A和15B示出了反射型结构,但是也可采用类似于第二实施方式的透射型结构。可以类似于图11A到11C和图12A到12C所示的实施方式的方式,在介质的两面都提供遮光组件。控制电极11和连接电极53a中的每一个的形状都可进行各种修改。例如,控制电极11可具有凹陷的形状,而连接电极53a可具有突起的形状。 上面已经描述了本发明,很明显,可以多种方式对本发明作出修改。这些变化不应被认为是离开了本发明的精神和范围,这些对于本领域的技术人员来说是明显的修改将包括在所附权利要求的范围中。
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