一种量子点发光器件、背光模组及显示装置技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点光源器件、背光
模组及显示装置。
背景技术
色域是一个描述显示器能够达到的色还原能力的指标。目前行业内采用
蓝光激发量子点材料产生白光的背光方案，其可到达100％NTSC(National
Television Standards Committee，简称(美国)国家电视标准委员会)的色域。
现有技术中，通过蓝光照射量子点(英文为：Quantum Dots)，可以激
发不同尺寸的量子点释放出纯度高的红光和绿光，并与剩余的纯蓝光混合得
到高亮度的白光。目前在将量子点应用到直下式显示器上时，行业内的一种
背光模组采用在膜片上涂覆量子点的方法，具体结构如图1所示，发光芯片
102设置在背板101上，来自发光芯片102发射的蓝光照射在涂有量子点的
膜片103上，从而可以激发涂有量子点的膜片103上的量子点材料发出纯度
高的红光和绿光。在上述方案中，由于需要量子点材料需要涂满整个膜片
103，因此量子点的使用量比较多，导致该方案的成本比较高。
为了解决上述成本较高的问题，行业中的另一种方案是将量子点放置在
发光二级管(Light Emitting Diode，简称LED)芯片上方作为点光源，图2
示例性示出采用这种点光源的背光模组的结构示意图。如图2a所示，在背
板201上设置多个点光源202。每个点光源202的结构可参考图2b，包括：
LED芯片202a，以及设置LED芯片202上方的量子点层202b，这种方式节
省了量子点的使用量。
然而，由于每个点光源202中的LED芯片202a的光强呈朗伯分布，即
LED芯片202a发光角度越小的单位面积所产生的光功率就越高，且角度较
小的单位面积照射到量子点层202b的光功率可以到达60～100W/cm2。如图
2b所示，量子点层202b与LED芯片202a正对区域接收到的光功率要比斜
对LED芯片区域接收到的光功率大，而量子点层接收光功率大的区域，产
生的温度要比量子点层接收光功率小的区域产生的温度高。由于量子点材料
在高温影响下会导致其失效，所以量子点层可承受的蓝光照射的极限一般在
5W/cm2以下，因此，LED芯片202a正上方的量子点层202b更容易受到高
强度的蓝光照射，从而导致量子点失效。
发明内容
本发明的实施例提供一种量子点发光器件、背光模组及显示装置，
至少解决现有技术中位于LED芯片正上方的量子点易失效的问题。
本发明实施例提供一种量子点发光器件，包括：
基座；
发光芯片，所述发光芯片设置在所述基座上；
量子点层，所述量子点层设置在所述基座上，位于所述发光芯片
的出光方向上、且与所述发光芯片之间具有间隙，其中，所述量子点
层在与所述发光芯片相对的表面上设置有反射点，所述反射点至少分
布在所述量子点层与所述发光芯片正对的区域。
较佳地，所述基座为呈凹槽状，所述发光芯片设置于所述基座
的凹槽底部，所述量子点层设置于所述基座的凹槽开口处，其中，
所述基座与发光芯片及所述量子点层封装为一体结构。
较佳地，所述基座的凹槽内壁可反射光线。
较佳地，所述反射点分布在整个量子点层所限定的区域；在经过
所述发光芯片正对区域的中心的直线上，任意相邻两个反射点之间的
距离从所述中心到所述量子点层的边缘逐渐增大。
较佳地，所述反射点分布在整个量子点层所限定的区域，且所
述反射点的尺寸从与所述发光芯片正对区域的中心到所述量子点层
的边缘逐渐变小。
较佳地，所述反射点为半球体状，且在所述量子点层上呈同心
圆状分布，其中，每个同心圆上分布的各个反射点的半径相等，且
所述每个同心圆上分布的反射点的半径随着所述每个同心圆的半径
的增大而减小，每个所述同心圆上分布的多个反射点的密度随着所
述每个同心圆的半径的增大而减小。
较佳地，所述量子点层包括：
相向设置的第一基板和第二基板，以及密封在所述第一基板和
所述第二基板之间量子点和位于量子点四周的水氧隔离材料。
较佳地，所述量子点材料包含红色量子点、绿色量子点和树脂；
所述发光芯片为蓝光芯片。
较佳地，所述反射点的材料包括SiO2、CaCO3、TiO2、BaSO4
中的一种或者多种反射材料。
较佳地，所述量子点层上设置的反射点为印刷式网点。
本发明实施例提供一种直下式背光模组，包括：
背板；
多个上述实施例提供的所述的量子点发光器件，所述量子点发
光器件设置在所述背板上；
光学膜片组，所述光学膜片组设置在所述量子点发光器件的出光
方向。
本发明实施例提供一种显示装置，包括：
上述实施例提供的所述的直下式背光模组；
显示面板，所述显示面板设置在所述直下式背光模组的出光方
向。
本发明实施例还提供一种侧入式背光模组，包括：
反射片；
导光板，所述导光板具有入光面、出光面及反射面，所述反射
片设置在所述导光板的反射面上；
多个上述实施例提供的量子点发光器件，所述量子点发光器件
设置在所述导光板入光面一侧；
光学膜片组，所述光学膜片组设置在所述导光板的出光面方向。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括：
上述实施例提供的侧入式背光模组；
显示面板，所述显示面板设置在所述侧入式背光模组的出光方
向。
本发明实施例中，量子点层设置在基座上，位于发光芯片的出光
方向上，且量子点层与该发光芯片之间具有间隙；因此，量子点层可
以接收来自发光芯片发出的照射光。由于在量子点层与该发光芯片相
对的表面设置有反射点，且反射点至少分布在该量子点层与该发光芯
片的正对区域。即发光芯片正对区域设置的反射点可以将来自发光芯
片正对区域的光部分反射，减少了发光芯片正对区域的量子点层接收
发光芯片照射的光功率，避免了发光芯片正对区域的量子点层因高温
而失效的问题，进而由于反射点将来自发光芯片正方向的光反射，是
被反射的光从量子点层的边缘部分进行到量子点层，所以量子点发光
器件中的量子点层接收到的光照相对均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对
实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，
下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员
来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
图1为现有技术中一种涂布量子点膜片的结构示意图；
图2a为现有技术中一种设置有量子点层的点光源结构示意图；
图2b为图2a中LED芯片上方设置量子点层的结构示意图；
图3为本发明实施例适用的一种背光模组光学结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的一种量子点发光器件结构示意图；
图4b为本发明实施例提供的发光芯片发出光被反射点反射之后，
再次照射到量子点层的光路示意图；
图4c为本发明实施例提供的量子点层结构示意图；
图5a为本发明实施例提供的一种反射点在量子点层的分布示意
图；
图5b为图5a中任意一条直线上的分布的多个反射点在量子点层
上的剖面示意图；
图6a为本发明实施例提供的一种反射点在量子点层的分布示意
图；
图6b为图6a中多个反射点设置在量子层上的剖面示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种反射点在量子点层的分布示
意图；
图8为本发明实施例提供的另一种反射点在量子点层的分布示
意图；
图9为本发明实施例提供的一种直下式背光模组结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种侧入式背光模组结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种显示装置结构示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种显示装置结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进
行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，
而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没
有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的
范围。
本发明实施例提供的量子点发光器件，在量子点层与发光芯片相对的
表面上设置有反射点，且该反射点至少分布在该量子点层与该发光芯片正
对的区域，从而解决了现有技术中存在接收光照射不均匀的问题。
在本发明实施例中，涉及的技术术语如下：
1、背光源：为薄膜晶体管液晶显示屏(Thin Film Transistor Liquid
Crystal Display，简称TFT-LCD)提供一个面内亮度均匀分布的光源。
2、直下式背光方式(英文为：Direct or Bottom Back-Light Type)：
是将发光体直接放在显示屏的下面，并在整个背光面上大量均匀分布
发光体。
3、扩散片，分为上扩散片和下扩散片，位于光源一侧扩散片叫
下扩散片，位于显示屏一侧的扩散片叫上扩散片，下扩散片的作用主
要是让光线透过扩散涂层发生漫反射，使光线均匀分布，保证背光源
面内亮度均一化；上扩散片的作用是防止位于棱镜片上的棱镜图案与
显示屏直接接触发生刮伤，所以上扩散片也叫保护片。
4、棱镜片，位于上扩散片和下扩散片之间，作为一种聚光装置，
主要是利用全反射和折射，将经过下扩散片出来的光，集中在一定角
度范围内出射，从而提高该视野范围内的亮度。
5、反射片，反射冷阴极荧光灯(Cold Cathode Fluorescent Lamp，
简称CCFL)或者LED等光源的光线，使其进入导光板或者扩散片，
提高背光源的光利用率。
6、量子点：是一种由II-VI族或III-V族元素的化合物组成的纳米
颗粒。量子点的量子尺寸效应使得半导体量子点的光电性质产生了巨大的
变化，当半导体量子点颗粒的尺寸小于激子的波尔半径时所产生的量子尺
寸效应改变了半导体材料的能级结构，使之有一个连续的能带结构转变为
具有分子特性的分立能级结构。利用这一现象即可在同一中反应中制备出
不同粒径的半导体量子点，产生不同频率的光发射，从而可以方便的调控
出多种发光颜色。
图3示例性的示出本发明实施例适用的一种直下式背光模组光学结
构剖面示意图。如图3所示，背光模组包括：背板301、点光源302、下
扩散片303、棱镜片304和上扩散片305。其中，点光源302可以是LED
发光芯片，可以是冷阴极荧光管，还可以是电致发光(electroluminescent，
简称EL)，在此不一一列举。
如图3所示，来自点光源302的光照射到下扩散片303上，通过下扩
散片303之后的光线会比较均匀的照射到棱镜片304上，棱镜片304将来
自下扩散片303的比较分散的光集中在一定角度范围内并同上扩散片射出，
从而为显示屏提供了一个面内亮度均匀分布的光源。在上述实施例中，若
光源采用CCFL或者LED，则需要在背光源的底部，即在图3的背板301
上设计一张反射片，将CCFL或者LED照射过来的光反射出去。由于普
通LED电视采用的是蓝色LED芯片加黄色荧光粉形成白光，或者紫外(近
紫外)LED加红、绿、蓝荧光粉形成白光，或者独立的红、绿、蓝三色
LED一体封装形成白光。但是上述方法中产生的红、绿、蓝三基色的纯度
不足，导致红、绿、蓝三基色可以混合出来的颜色比较少，因而所表现的
色域也就比较窄，导致显示屏上多数蓝色、绿色以及部分红色无法被准确
的显示出来。
研究表明，显示屏色域的优劣与电视机的很多指标有关，其中比较重
要的一项指标就是背光源。根据上述专业术语解释，可以知道，背光源主
要是为显示屏提供一个面内亮度均匀分布的光源，而背光源对显示屏色域
影响的主要因数取决于红、绿、蓝三种光波的纯度。而量子点受到受到电
或者光的激发时，会根据量子点自身的半径大小，发出各种不同颜色但是
纯度非常高的单色光。纯度比较高的红、绿和蓝光混合可以得到纯度高的
白光，因此显示屏的色域就会比较高，从而显示屏上可以将多数蓝色、绿
色和红色比较准确的显示出来。
现有技术中，一般上将量子点层设置在LED芯片的正上方，而由于
量子点有遇到高温会失效的问题，因此，在将量子点应用到背光源时，可
能会因为量子点层在LED芯片正上方的放置位置，导致量子点层与LED
芯片正对区域接收到的光功率大，产生了量子点不能承受的温度，导致量
子点失效，从而影响显示屏显示效果。
基于上述分析，并考虑到量子点具有遇高温会失效的问题。在本发明
实施例中，提供一种在量子点层与发光芯片正对区域的量子点层上设置反
射点的方法，利用设置在量子点层与发光芯片正对区域的反射点，将照射
到量子点层与发光芯片正对区域的光反射，避免了发光芯片正对区域的量
子点接收到的大的光功率，产生量子点不能承受的温度，导致量子点失效，
影响光源器件接收光照不均匀以及显示屏显示效果的问题。
图4a示例性示出本发明实施例提供的一种量子点发光器件结构示意
图。该量子点发光器件可以作为背光模组的点光源。
参见图4a，本发明实施例提供的一种量子点发光器件，主要包括：基
座401，发光芯片402，量子点层403和反射点404。其中，发光芯片402
设置在基座401上；量子点层403设置在基座401上，位于发光芯片402
的出光方向，且量子点层403和发光芯片402之间具有间隙；量子点层403
在与发光芯片402相对的表面上设置有反射点404，而且反射点404至少
分布在量子点层403与发光芯片402正对的区域。
需要说明的是，所谓反射点404至少分布在量子点层403与发光芯片
402正对的区域，是指反射点404可以仅分布在发光芯片402正对的区域，
还可以分布在量子点层403上更大的区域，例如，可以在整个量子点层403
上均有分布。另外，此处“分布”一般是指多个反射点在某个区域内分散
设置，其中某个反射点可以与其他反射点间隔开来，也可以与其他某个或
某些个紧邻，只要照射到量子点层403的上述区域(分布有反射点的区域)
的部分光线可从反射点间的间隙穿过，部分光线可被反射点反射即可。
在本发明实施例中，由于在量子点层与发光芯片相对的表面设置
有反射点，且反射点至少分布在该量子点层与发光芯片的正对区域，
即发光芯片正对区域设置的反射点可以将来自发光芯片正对区域的
光部分反射，减少了发光芯片正对区域的量子点层接收发光芯片照射
的光功率，避免了发光芯片正对区域的量子点层因高温而失效的问题，
进而由于反射点将来自发光芯片正方向的光反射，使被反射的光从量
子点层的边缘部分进行到量子点层，所以量子点发光器件中的量子点
层接收到的光照相对均匀。
参见图4a，本发明实施例中，基座401呈凹槽状，发光芯片402设置
于基座401的凹槽底部，而量子点层设置于基座401的凹槽开口处。其中，
基座401，发光芯片402和量子点层403封装为一体结构，形成第一种量
子点发光器件。在现有技术中，由于发光芯片402和量子点层403之间的
距离比较近，当来自发光芯片402的光若直接照射到与发光芯片402正对
区域的量子点层之后，容易使得量子点层与发光芯片正对区域的量子点材
料失效。而在本发明实施例中，由于在量子点层与发光芯片正对区域设置
有反射点404，而该反射点404会对来自发光芯片402发出的光进行反射，
从而可以改变来自发光芯片402发出光的光路，并将发光芯片402发出的
光反射到基座401上。从而避免了量子点层403与发光芯片402正对区域
的量子点材料失效的问题。
在本发明实施例中，可以将多个发光芯片402设置在基座401的凹
槽底部，同时将量子点层403设置在基座的凹槽开口处。其中，基座的凹
槽开口处可以对应的是导光板，即将量子点层403设置在导光板的下侧。
在本发明实施例中，凹槽开口处还可以对应的是光学膜片组，即将量子点
层403设置在光学膜片组的下侧。在上述实施例中，由于量子点层与发光
芯片的距离相对比较远，所以，与发光芯片正对区域的量子点层的量子点
材料不会因为发光芯片的照射而导致量子点材料失效的问题。而由于在量
子点层与发光芯片正对区域设置的反射点，反射点会对来自发光芯片正对
区域的光进行反射，改变发光芯片发出光的传输方向，将于发光芯片正对
区域的光反射到基座上，从而使得照射到量子点层的光线更均匀。
在本发明实施例中，为了提高对发光芯片发出光的利用率，基座的凹
槽内壁可反射光线。示例的，基座的凹槽内壁涂有反射层。又示例的，
基座可以采用的材料具有反射可见光的特性，进一步的还可以具有耐蓝光
辐射和耐高温等特性。
图4b示例性示出发光芯片发出光在发光器件中的光路示意图。参见
图4b，与发光芯片402正对区域的量子点层403上设置的反射点404将来
自发光芯片402发出的光反射到基座401上，由于基座401可以反射光，
所以基座401可以将来自反射点404反射的光再次反射出去，从而使得被
反射点404反射的光通过基座401反射之后，再次照射到量子点层402上。
采用上述方法，可以使得发光芯片402发出的光均匀的照射到量子点层
403上，并且避免量子点层403与发光芯片正对区域接收高温照射而导致
量子点失效的问题。进一步地，由于基座401具有耐蓝光辐射和耐高温的
特性，即使被反射点404的反射的光强度比较大，基座401也不会因此而
失效，从而影响被反射点404反射的光再次反射。优选地，基座的组成材
料可以是环氧树脂(Epoxy Molding Compound，简称为EMC)材料。本
发明实施例中，对基座的组成材料不做具体的限定。
在本发明实施例中，为了更好的保护量子点，在量子点上下各设置一
层基板，将量子点密封在上下基板中。而将量子点密封在上下基板一般采
用的封装工艺是激光烧融，或者火烧方法。而在实际应用中，若直接将量
子点密封在上下基板上，会存在靠近上下基板密封点的量子点会因为高温
影响，而导致失效的问题。在本发明实施例中，为了避免量子点材料在密
封过程中因为高温影响，导致量子点材料失效的问题，在将量子点密封在
上下基板的同时，还会在量子点的四周设置水氧隔离材料。
图4c示例性示出本发明实施例提供的量子点层结构示意图。参见图
4c，量子点层包括：第一基板403-1，第二基板403-2，量子点403-3和量
子点403-3四周的水氧隔离材料403-4。其中，第一基板403-1和第二基
板403-2相向设置，量子点403-3和量子点四周的水氧隔离材料403-4都
被密封在第一基板403-1和第二基板403-2之间。优选地，第一基板和第
二基板可以是玻璃基板。本发明实施例中，对第一基板和第二基板的材料
不做具体的限定。
由于量子点层四周设置了水氧隔离材料，一方面节约了量子点；一
方面，避免了量子点在高温密封时由于高温而导致失效的问题；另一方法，
同时避免了量子点因遇水或者遇氧而导致失效的问题。优选地，水氧隔离
材料材料可以选择二氧化硅材料。本发明实施例中，对水氧隔离材料组
成材料不做具体限定。
在本发明实施例中，量子点材料包含红色量子点、绿色量子点和树脂，
由于量子点发光效率高并且发射谱线窄，因此，能将来自发光芯片的光高
效转化成接近单色光的红光或者绿光，进而提高色域，提高画面的显示品
质。由于量子点层包含的量子点尺寸不同，因此，可将来自发光芯片的光
转化为不同颜色的光，一般红光量子点的尺寸大约为7nm，绿光量子点的
尺寸大约为3nm。
由于核-壳型量子点对发光芯片的进行转化，从吸收和发射光谱来看，
核-壳结构的量子点具有更加优异的发光特性，能够明显减少纳米颗粒的
表面缺陷，大大提高了发光效率，因此，核-壳型红光量子点和核-壳型绿
光量子点利于提高发光效率。优选地，红色量子点和绿色量子点可以是核
-壳型量子点。本发明实施例中，对红色量子点和绿色量子点的材质不做
具体的限定。
由于蓝光波长较短，具有较高的能量，可以将红光量子点和绿光量子
点激发分别转化为红光和绿光。在本发明实施例中，发光芯片可以优选的
选择发蓝光的发光芯片，由于发光芯片发出的蓝光接近单色光，因此，采
用蓝光发光芯片照射红色量子点和绿色量子点，可以进一步的提高色域，
提高画面的显示品质。
在本发明实施例中，为了更好的保护与发光芯片相对区域的量子点层
不会因为发光芯片发出的高强度光照射，而导致量子点材料失效的问题，
在量子点层与发光芯片相对的表面设置有反射点，而且反射点至少分布在
量子点层与发光芯片正对的区域。反射点可以将来自发光芯片发出的并且
照射到反射点的光反射。进一步地，反射点由具有反射特性的材料组成。
优选地，反射点的材料包括SiO2、CaCO3、TiO2、BaSO4中的一种或
者多种反射材料。本发明实施例中，对反射点的组成材料不做具体
的限定。
反射点的形成方式优选地，可以采用印刷方式将反射点设置在量
子点层上，即将油墨印刷到量子点层上，以形成反射点，这种方式形成的
反射点称为印刷式网点。其中，油墨可以采用具有高反射及散射特性的
材料，其中可以包含有上述一种或者多种反射材料。本发明实施例中，
对将反射点设置到量子点层的具体方法不做限定。
在本发明实施例中，由于量子点层与发光芯片相对的表面还包括有第
二基板，因此，将反射点设置在量子层与发光芯片相对的表面，其实是将
反射点设置在第二基板上，第二基板的材质一般为玻璃材质。
由于量子点层和发光芯片都设置在基座上，且量子点层位于发光芯片
的出光方向，所有需要采用透明，且具有粘性的材料将量子点层从上侧固
定在基座上。优选地，具有透明且具有粘性的材料可以是硅胶。在本发明
实施例中，对透明且具有粘性的材料不做具体的限定。
基相同的发明构思以及反射点在量子点层上不同的分布情况，本
发明实施例还至少包括以下几种具体的实施方式，具体参见实施例一
至实施例四。
实施例一
以下结合附图5a和附图5b来进一步说明本发明实施例提供的在量子
点层与发光芯片正对区域至少设置有反射点的一种量子点发光器件。图
5a示例性示出本发明实施例提供的一种反射点子在量子点层上的分布示
意图；图5b为图5a中任意一条直线上的分布的多个反射点在量子点层上
的剖面示意图。
本发明实施例仅对反射点在量子点层上的分布做进一步限定，关于量
子点发光器件的其他结构可以参考上述实施例。
在本发明实施例中，反射点在量子点层上的具体分布参见图5a，反射
点分布在整个量子点层所限定的区域，即反射点既分布在发光芯片正对区
域，还分布除了该正对区域以外的区域。其中，在经过所述发光芯片正
对区域的中心的直线上，任意相邻两个反射点之间的距离从所述中心
到所述量子点层的边缘逐渐增大。
参见图5a，以发光芯片正对区域中心点的反射点501为例，任意一
个与反射点501相邻的反射点所组成的直线上，都分布有反射点。而且任
意一条直线上分布的多个反射点都以反射点501为中心，且呈对称分布。
比如，通过反射点501的一条直线51上分布有多个反射点，而且这
多个反射点都在反射点501的左右两侧分布。其中，与射点501与相邻的
反射点502之间的距离为d1，由于反射点502和反射点502-1分别与反射
点501呈对称分布，且距离反射点501的距离相等，所以，可以确定反射
点502-1与反射点501之间的距离也为d1；与反射点502相邻的反射点
503之间的距离为d2，由于反射点503-1和反射点503分别与反射点501
呈对称分布，且距离反射点501的距离相等，且反射点502和反射点502-1
分别与反射点501的距离都为d1，所以，可以确定反射点503-1与反射点
502-1之间的距离为d2，且d2大于d1；根据上述规则，可以进一步确定，
反射点504与反射点503之间的距离为d3，且反射点504-1与反射点503-1
之间的距离也为d3，且d3大于d2；反射点505与反射点504之间的距离
为d4，且反射点505-1与反射点504-1之间的距离也为d4，且d4大于d3；
反射点506与反射点505之间的距离为d5，且反射点506-1与反射点505-1
之间的距离也为d5，且d5大于d4；反射点507与反射点506之间的距离
为d6，且反射点507-1与反射点506-1之间的距离也为d6，且d6大于d5；
反射点508与反射点507之间的距离为d7，且反射点508-1与反射点507-1
之间的距离也为d7，且d7大于d6。
根据上述分析以及图5a所示，可以确定，通过发光芯片正对区域的
反射点的任一直线上分布的任意两个相邻的反射点之间的距离，从与发光
芯片正对区域的中心到量子点层的边缘逐渐增大。比如，反射点501与反
射点502之间的距离d1小于反射点502与反射点503之间的距离d2；反
射点503和反射点502之间的距离d2小于反射点504和反射点503之间
的距离d3；同理，反射点506和反射点507之间的距离d6小于反射点508
和反射点507之间的距离d7。
参见图5b，多个反射点设置在量子点层5与发光芯片(图中未示出)
相对的表面上，多个反射点以与发光芯片正对区域中心点的一个反射点
501为中心，呈对称分布。比如，反射点502与反射点501之间的距离为
d1，由于反射点502和反射点502-1以反射点501为中心，呈对称分布，
所以反射点502-1与反射点501之间的距离也为d1；反射点503与反射点
502之间的距离为d2，由于发射点503和反射点503-1分别以反射点501
为中心呈对称分布，且反射点502、反射点502-1分别与反射点501之间
的距离为d1，所以可以确定，反射点503-1和反射点5021之间的距离也
为d2，且d2大于d1；进一步地，反射点504与反射点503之间的距离为
d3，反射点504-1与反射点503-1之间的距离为d3，反射点505与反射点
504之间的距离为d4，反射点505-1与反射点504-1之间的距离为d4，反
射点506与反射点505之间的距离为d5，反射点506-1与反射点505-1之
间的距离为d5，且d5大于d4，d4大于d3，d3大于d2。
根据上述分析，可以确定，通过发光芯片正对区域中心的反射点的任
一直线上分布的反射点，由于发光芯片正对区域中心的反射点与任意一个
相邻的反射点之间的距离都小于通过发光芯片正对区域的反射点的任一
直线上其它任意相邻的两个反射点的距离，且距离发光芯片正对区域中心
的反射点越远的任意两个相邻的反射点之间的距离会越来越大，而由于发
光芯片的光强呈朗伯分布，小角度单位面积上的光功率大于大角度单位面
积上的光功率。在本发明实施例中，即使发光芯片的光强呈朗伯分布，存
在小角度单位面积上的光功率高，单位时间内通过的光子多的问题，会导
致量子点层上与发光芯片正对的区域接收到发光芯片发出的光比量子点
层周边区域接收到发光芯片发出的光强。由于与发光芯片正对区域的量子
点层设置的反射点比量子点层周边区域设置的反射点多，因此，在量子点
层与发光芯片正对区域的反射点对来自发光芯片的光进行反射的几率也
会高于量子层周边区域的反射点对来自发光芯片的光的反射几率。当发光
芯片发出的光照射在与发光芯片正对区域的反射点上，会被该反射点反射，
并且改变发光芯片发出光的光路，使来自发光芯片的光被反射到基座上，
由于基座具有反射作用，所以来自发光芯片的光会再次被基座反射，而再
次被反射的光可以从量子点的周边区域进入到量子点层。采用本发明实施
例提供的上述方法，即可以避免量子点层因发光芯片高功率照射而导致量
子点失效，同时保证了量子点层可以均匀的接收发光芯片发出的光。
在本发明实施例中，多个量子点设置在量子点层与发光芯片相对的表
面上，经过所述发光芯片正对区域的中心的直线上。优选地，任意一
条直线通过发光芯片正对区域的中心，且发光芯片正对区域的中心上
有一个反射点，且任意一条直线上的多个反射点以发光芯片正对区域
的中的反射点位中心，呈对称分布。进一步地，任意一条直线上通过
发光芯片正对区域的中心，且发光芯片正对区域的中心上也可以没有
反射点，但任意一条直线上的多个反射点同样以发光芯片正对区域为
中心，呈对称分布。在本发明实施例中，对发光芯片正对区域是否设
置有反射点不做具体的限定。
在本发明实施例中，多个量子点设置在量子点层与发光芯片相对的表
面上，多个反射点以与发光芯片正对区域中心的一个反射点为中心，呈对
称分布。优选地，量子层与发光芯片相对的表面上设置的多个量子点的形
状为半球体状。进一步地，量子层与发光芯片行对的表面上设置的多个量
子点的形状也可以是不规则的体状。本发明实施例中，对量子层与发光芯
片行对的表面上设置的多个量子点的形状不做具体的规定。
在本发明实施例中，多个量子点设置在量子点层与发光芯片相对的表
面上，当量子点的形状为半球体状时，优选地，多个量子点的半径相等；
进一步地，多个量子的半径也可以不相等。本发明实施例中，对多个量子
点的半径不做具体的限定。
在本发明实施例中，多个量子点设置在量子点层与发光芯片相对的表
面上，多个反射点以与发光芯片正对区域中心点的一个反射点为中心，呈
对称分布。优选地，同一直线上分布的任意两个相邻的反射点之间的距离，
从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘可以按照设定数值进行
递增；进一步地，同一直线上分布的任意两个相邻的反射点之间的距离，
从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘也可以按照任意数值进
行递增；进一步地，同一直线上分布的反射点之间的距离，可以按照从发
光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘整体呈递增状态进行递增，但是
对任意两个相邻的反射点之间的距离是否递增不做限定，比如，发光芯片
正对区域的量子点1，与量子点1相邻的量子点2之间的距离为l2，与而
与量子点2相邻的量子点3之间的距离也为l2，但是量子点4和量子点5
之间的距离为l4，其中，l4大于l2。本发明实施例中，对同一直线上分布
的任意两个相邻的反射点之间的距离，从与发光芯片正对区域的中心到量
子点层的边缘的递增数值不做具体的限定。
实施例二
以下结合附图6a和附图6b来进一步说明本发明实施例提供的在量子
点层与发光芯片正对区域至少设置有反射点的一种量子点发光器件。图
6a示例性示出本发明实施例提供的一种反射点子在量子点层上的分布示
意图；图6b为图6a中多个反射点设置在量子层上的剖面示意图。
本发明实施例仅对反射点在量子点层上的分布做进一步限定，关于量
子点发光器件的其他结构可以参考上述实施例。
在本发明实施例中，反射点在量子点层上的具体分布参见图6a，反
射点分布在整个量子点层所限定的区域，即反射点既分布在发光芯片正对
区域，还分布除了该正对区域以外的区域。其中，所述反射点的尺寸从
与所述发光芯片正对区域的中心到所述量子点层的边缘逐渐变小。
参见图6a，以发光芯片正对区域中心点的反射点601为例，当量子点
的形状为球体状时。反射点601位于量子点层与发光芯片正对区域的中心
点，且反射点601的半径为r1(图中未示出)，与反射点601相邻的两个
反射点602和反射点602-1的半径相等，均为r2(图中未示出)，且r1大
于r2；与反射点602相邻的反射点603的半径为r3(图中未示出)，相应
地，与反射点602-1相邻的反射点603-1的半径也为r3，且r2大于r3；根
据上述规则，可以确定，与反射点604相邻的反射点605的半径为r5(图
中未示出)，相应地，与反射点604-1相邻的反射点605-1的半径也为r5，
且r4(图中未示出)大于r5。
参见图6b，多个反射点设置在量子点层6与发光芯片(图中未示出)
相对的表面上，多个反射点的半径从与发光芯片正对区域的中心到量子点
层的边缘部分在逐渐变小。比如，反射点601的半径r1大于反射点602
和反射点602-1的半径r2；反射点602的半径r2大于反射点603的半径
r3，反射点602-1的半径r2大于反射点603-1的半径r3；同理，反射点604
的半径r4大于反射点605的半径r5；相应地，反射点604-1的半径r4大
于反射点605-1的半径r5。
根据上述分析，可以确定，在整个量子层所在区域内设置的多个反射
点，由于与发光芯片正对区域的反射点的半径比任意一个与发光芯片正对
区域的反射点相邻的反射点的半径都大，且距离发光芯片正对区域的反射
点距离越远的反射点的半径会越小，而由于发光芯片的光强呈朗伯分布，
小角度单位面积上的光功率大于大角度单位面积上的光功率。在本发明实
施例中，即使发光芯片的光强呈朗伯分布，存在小角度单位面积上的光功
率高，单位时间内通过的光子多的问题，会导致量子点层上与发光芯片正
对的区域接收到发光芯片发出的光比量子点层周边区域接收到发光芯片
发出的光强。由于量子点层与发光芯片相对的表面设置有反射点，与发光
芯片正对区域的反射点的半径比任意一个与发光芯片正对区域的反射点
相邻的反射点的半径都大，且反射点具有反射作用，可以将量子点层与发
光芯片正对区域接收到发光芯片发出的光进行反射。由于与发光芯片正对
区域的量子点层设置的反射点的半径大于量子点层周边区域设置的反射
点的半径大，因此，在量子点层与发光芯片正对区域的反射点对来自发光
芯片的光进行反射的几率也会高于量子层周边区域的反射点对来自发光
芯片的光的反射几率。当发光芯片发出的光照射在与发光芯片正对区域的
反射点上，会被该反射点反射，并且改变发光芯片发出光的光路，使来自
发光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以来自发光芯
片的光会再次被基座反射，而再次被反射的光可以从量子点的周边区域进
入到量子点层。采用本发明实施例提供的上述方法，即可以避免量子点层
因发光芯片高功率照射而导致量子点失效，同时保证了量子点层可以均匀
的接收发光芯片发出的光。
在本发明实施例中，多个量子点设置在量子点层与发光芯片相对的表
面上，优选地，量子层与发光芯片行对的表面上设置的多个量子点的形状
为半球体状。进一步地，量子层与发光芯片行对的表面上设置的多个量子
点的形状可以是不规则的形状。本发明实施例中，对量子层与发光芯片相
对的表面上设置的多个量子点的形状不做具体的规定。
在本发明实施例中，多个量子点设置在量子点层与发光芯片相对的表
面上，优选地，反射点的半径从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的
边缘可以按照设定数值进行有规则的递减。进一步地，反射点的半径从与
发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘可以按照任意数值进行递减。
进一步的，反射点的半径从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘
可以整体按照递减的规律变化，但是对从发光芯片正对区域的中心到边缘
任意相邻的反射点的半径是否递减不做限定，比如，发光芯片正对区域的
量子点1的半径为r1，与量子点1相邻的量子点2的半径为r2，与量子点
2相邻的量子点3的半径也为r2，但是量子点5的半径为r4，其中，r1大
于r2，r2大于r4。本发明实施例中，对设置在与发光芯片相对的表面上的
多个量子点的半径从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘的递
减数值不做具体的限定。
在本发明实施例中，多个量子点设置在量子点层与发光芯片相对的表
面上，当反射点的半径从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘可
以按照设定数值进行有规则的递减时，优选地，反射点从与发光芯片正对
区域的中心到量子点的边缘上，任意两个相邻的反射点之间的距离相等。
本发明实施例中，对反射点从与发光芯片正对区域的中心到量子点的边缘
上，任意两个相邻的反射点之间的距离不做具体的限定。
实施例三
以下结合附图7来进一步说明本发明实施例提供的在量子点层与发
光芯片正对区域至少设置有反射点的一种量子点发光器件。图7示例性示
出本发明实施例提供的一种反射点子在量子点层上的分布示意图。
本发明实施例仅对反射点在量子点层上的分布做进一步限定，关于量
子点发光器件的其他结构可以参考上述实施例。
在本发明实施例中，反射点在量子点层上的具体分布参见图7，反射
点的形状为半球体状，在量子点层上呈同心圆状分布。其中，每个同心圆
上分布的各个反射点的半径相等，且每个同心圆上分布的反射点的半径随
着每个同心圆的半径的增大而减小，每个同心圆上分布的多个反射点的密
度随着每个同心圆的半径的增大而减小。
参见图7，以发光芯片正对区域的中心设置的反射点的701为例，反
射点701的半径为r1(图中未示出)，以反射点701为圆心，且与反射点
701相邻的第二个圆同心圆702上设置有多个反射点，其中，同心圆702
上设置的多个反射点的半径都为r2(图中未示出)，且r1大于r2；以反射
点701为圆心，与第二个同心圆702相邻的第三个同心圆703上设置有多
个反射点，且同心圆703上设置的多个反射点的半径都为r3(图中未示出)，
其中，r3大于r2；进一步地，同心圆703上设置的反射点的密度小于同心
圆702上设置的反射点的密度，其中，在本发明实施例中，密度指的是同
一个圆上分布的反射点的数量与圆周长的比值。根据上述规则，可以确定，
同心圆705上设置的多个反射点的半径为r5(图中未示出)，同心圆705
上设置的反射点的半径r5小于同心圆704上设置的反射点的半径r4(图
中未示出)，而且，同心圆705的半径大于同心圆704的半径，即同心圆
705上设置的反射点的密度小于同心圆704上设置的反射点的密度。
根据上述分析，可以确定，多个反射点设置在量子点层与发光芯片相
对的表面上，由于多个反射点在量子点层上呈同心圆状分布，而且每个同
心圆上分布的各个反射点的半径相等，且每个同心圆上分布的反射点的半
径随着每个同心圆的半径的增大而减小，每个同心圆上分布的多个反射点
的密度随着每个同心圆的半径的增大而减小，而由于发光芯片的光强呈朗
伯分布，小角度单位面积上的光功率大于大角度单位面积上的光功率。在
本发明实施例中，即使发光芯片的光强呈朗伯分布，存在小角度单位面积
上的光功率高，单位时间内通过的光子多的问题，会导致量子点层上与发
光芯片正对的区域接收到发光芯片发出的光比量子点层周边区域接收到
发光芯片发出的光强。由于量子点层与发光芯片相对的表面设置有反射点，
反射点具有反射作用，可以将量子点层与发光芯片正对区域接收到发光芯
片发出的光进行反射，而且在本发明实施例中，量子点层上设置的反射点
具有以下分布特点：(1)与发光芯片正对区域的中心反射点的半径比任意
一个以该反射点为圆心的其它同心圆上设置的反射点的半径大；(2)以发
光芯片正对区域的中心的反射点为圆心的其它同心圆上设置的反射点的
密度随着同心圆的半径的增大而减小。所以，量子点层与发光芯片正对区
域的反射点对来自发光芯片的光进行反射的几率也会高于量子层周边区
域的反射点对来自发光芯片的光的反射几率。当发光芯片发出的光照射在
与发光芯片正对区域的反射点上，会被该反射点反射，并且改变发光芯片
发出光的光路，使来自发光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射
作用，所以来自发光芯片的光会再次被基座反射，而再次被反射的光可以
从量子点的周边区域进入到量子点层。采用本发明实施例提供的上述方法，
即可以避免量子点层因发光芯片高功率照射而导致量子点材料失效，同时
保证了量子点层可以均匀的接收发光芯片发出的照射光。
在本发明实施例中，每个同心圆上分布的反射点的半径随着每个同心
圆的半径的增大而减小，优选地，反射点的半径从与发光芯片正对区域的
中心到量子点层的边缘可以按照设定数值进行有规则的递减。进一步地，
反射点的半径从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘可以按照
任意数值进行递减。进一步的，反射点的半径从与发光芯片正对区域的中
心到量子点层的边缘可以整体按照递减的规律变化，但是对从发光芯片正
对区域的中心到边缘任意相邻的同心圆上的反射点的半径是否递减不做
限定。比如，发光芯片正对区域的量子点1的半径为r1，与量子点1相邻
的同心圆2上的量子点2的半径为r2，与同心圆2相邻的同心圆3上的量
子点3的半径也为r2，但是同心圆5上的量子点5的半径为r4，其中，r1
大于r2，r2大于r4。本发明实施例中，对设置在与发光芯片相对的表面上
的多个量子点的半径从与发光芯片正对区域的中心到量子点层的边缘的
递减数值不做具体的限定。
在本发明实施例中，每个同心圆上分布的多个反射点的密度随着每个
同心圆的半径的增大而减小，优选地，每个同心圆上分布的多个反射点的
密度随着每个同心圆的半径的增大而按照设置的数值进行有规则的减少。
进一步地，每个同心圆上分布的多个反射点的密度随着每个同心圆的半径
的增大可以按照任意数值进行递减。进一步地，每个同心圆上分布的多个
反射点的密度随着每个同心圆的半径的增大而做整体减小，但是对任意相
邻的同心圆上的反射点的半径是否减小不做具体限定。本发明实施例中，
对设置在每个同心圆上分布的多个反射点的密度随着每个同心圆的半径
的增大而减小不做具体的限定。
实施例四
以下结合附图8来进一步说明本发明实施例提供的在量子点层与发
光芯片正对区域至少设置有反射点的一种量子点发光器件。图8示例性示
出本发明实施例提供的一种反射点子在量子点层上的分布示意图。
本发明实施例仅对反射点在量子点层上的分布做进一步限定，关于量
子点发光器件的其他结构可以参考上述实施例。
在本发明实施例中，反射点在量子点层上的具体分布参见图8，反射
点的形状为半球体状，在量子点层上呈同心圆状分布。其中，每个同心圆
上分布的各个反射点的半径相等，每个同心圆上分布的反射点的半径随着
每个同心圆的半径的增大而减小，每个同心圆上分布的多个反射点的密度
随着每个同心圆的半径的增大而减小，且每个同心圆之间的距离从所述
中心到所述量子点层的边缘逐渐增大。
参见图8，以发光芯片正对区域的中心设置的反射点的801为例，反
射点801的半径为r1(图中未示出)，以反射点801为圆心，与反射点801
相邻的第二个圆同心圆802上设置有多个反射点，这多个反射点的半径都
为r2(图中未示出)，且r1大于r2；进一步的，同心圆802上任一点与反
射点801之间的距离为d1。以反射点801为圆心，与第二个同心圆802
相邻的第三个同心圆803上设置有多个反射点，这多个反射点的半径都为
r3(图中未示出)，且r3大于r2；进一步地，同心圆803上任意一点与同
心圆802之间最短距离为d2，且d2大于d1；同心圆803上设置的反射点
的密度小于同心圆802上设置的反射点的密度，在本发明实施例中，密度
指的是同一个圆上分布的反射点的数量与圆周长的比值。根据上述规则，
可以确定，同心圆805上设置的多个反射点的半径为r5(图中未示出)，
同心圆805上设置的反射点的半径r5小于同心圆804上设置的反射点的
半径r4；进一步地，同心圆805上任意一点与同心圆804之间最短几率为
d4，且d4大于d3，而且，同心圆805上设置的反射点的密度小于同心圆
804上设置的反射点的密度。
根据上述分析，可以确定，多个反射点设置在量子点层与发光芯片相
对的表面上，由于多个反射点在量子点层上呈同心圆状分布，每个同心圆
上分布的各个反射点的半径相等，每个同心圆上分布的反射点的半径随着
每个同心圆的半径的增大而减小，每个同心圆上分布的多个反射点的密度
随着每个同心圆的半径的增大而减小，且每个同心圆之间的距离从所述
中心到所述量子点层的边缘逐渐增大。由于发光芯片的光强呈朗伯分布，
小角度单位面积上的光功率大于大角度单位面积上的光功率。在本发明实
施例中，即使发光芯片的光强呈朗伯分布，存在小角度单位面积上的光功
率高，单位时间内通过的光子多的问题，会导致量子点层上与发光芯片正
对的区域接收到发光芯片发出的光比量子点层周边区域接收到发光芯片
发出的光强。由于量子点层与发光芯片相对的表面设置有反射点，反射点
具有反射作用，可以将量子点层与发光芯片正对区域接收到发光芯片发出
的光进行反射，而且在本发明实施例中，量子点层上设置的反射点具有以
下分布特点：(1)与发光芯片正对区域的中心反射点的半径比任意一个以
该反射点为圆心的其它同心圆上设置的反射点的半径大；(2)以发光芯片
正对区域的中心的反射点为圆心的其它同心圆上设置的反射点的密度随
着同心圆的半径的增大而减小。(3)以发光芯片正对区域的中心的反射点
为圆心的每个同心圆之间的距离从所述中心到所述量子点层的边缘逐
渐增大。所以，量子点层与发光芯片正对区域的反射点对来自发光芯片
的光进行反射的几率也会高于量子层周边区域的反射点对来自发光芯片
的光的反射几率。当发光芯片发出的光照射在与发光芯片正对区域的反射
点上，会被该反射点反射，并且改变发光芯片发出光的光路，使来自发光
芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以来自发光芯片的
光会再次被基座反射，而再次被反射的光可以从量子点的周边区域进入到
量子点层。采用本发明实施例提供的上述方法，即可以避免量子点层因发
光芯片高功率照射而导致量子点材料失效，同时保证了量子点层可以均匀
的接收发光芯片发出的照射光。
如图9所示，为本发明实施例提供的一种直下式背光模组，包括：背
板901，量子点发光器件902和光学膜片组903。其中，量子点发光器件
901为本发明实施例中任意一种量子点发光器件，该量子点发光器件902
设置在背板901上，光学膜片组903设置在量子点发光器件902的出光方
向上。
如图10所示，本发明实施例提供的一种侧光式背光模组，包括：量
子点发光器件1001，反射片1002，导光板1003和光学膜片组1004。其中，
量子点发光器件1001为本发明实施例中任意一种量子点发光器件，该量子
点发光器件1001设置在导光板1003的一侧，反射片1002设置在导光板
1003的下方，光学膜片组1004设置在导光板1003的出光方向上。
如图11所示，为本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实
施例提供的直下式背光模组1101和显示面板1102，其中，显示面板1102
设置在直下式背光模组1101的出光方向。
如图12所示，为本发明实施例提供的另一种显示装置，包括本发明
实施例提供的侧入式背光模组1201和显示面板1202，其中，显示面板1202
设置在侧入式背光模组1201的出光方向。
在本发明实施例中，量子点层设置在基座上，位于发光芯片的出光方
向上，且量子点层与该发光芯片之间具有间隙；因此，量子点层可以接收
来自发光芯片发出的照射光。由于在量子点层与该发光芯片相对的表面设
置有反射点，且反射点至少分布在该量子点层与该发光芯片的正对区域，
从而使发光芯片正对区域的反射点可以将来自发光芯片正方向的光被反
射，从而避免了发光芯片正对区域的量子点层因高温照射而失效，导致光
源器件存在接收光照不均匀的问题。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用于限制本申请，凡在
本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包
含在本申请的保护范围之内。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知
了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所
附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更
和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离
本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权
利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在
内。