投射电容式触控面板及其制造方法.pdf

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1、10申请公布号CN101989161A43申请公布日20110323CN101989161ACN101989161A21申请号200910165451X22申请日20090730G06F3/044200601G03F7/0020060171申请人华森电子科技股份有限公司地址中国台湾高雄市前镇区新生路24847号72发明人李启桢黄富成陈新民吴世敏74专利代理机构上海新天专利代理有限公司31213代理人张静洁王敏杰54发明名称投射电容式触控面板及其制造方法57摘要本发明提供一种投射电容式触控面板及其制造方法，该方法包括下列步骤A、提供一基板；B、形成一第一导电层于该基板上侧，该第一导电层为一Y轴通。

2、道；C、形成一绝缘层于该基板及该第一导电层上；以及D、形成一第二导电层于该基板、该绝缘层及该第一导电层上，其中该第二导电层为具有X轴通道的一X轴图案及一Y轴图案，所述的Y轴通道耦接于该Y轴图案，而该绝缘层隔离该X轴通道与该Y轴通道。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书6页附图15页CN101989161A1/2页21一种投射电容式触控面板，其特征在于，包括一基板；一第一导电层，形成于该基板上侧的一部分上；一绝缘层，形成于该第一导电层的一部分上；一第二导电层，具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分形成于该基板上侧及该第一导电层上，该第二部分形成于。

3、该绝缘层上，且该第二导电层采同一次镀膜，而该第一部分与该第二部分具有相同的膜厚；以及一保护层，形成于该基板下侧上，用以保护该基板。2如权利要求1所述的投射电容式触控面板，其特征在于，所述的基板材料是玻璃；所述的绝缘层材料是一光阻型绝缘材料，及/或所述的第一导电层、第二导电层及保护层的材料是铟锡氧化物。3如权利要求1所述的投射电容式触控面板，其特征在于，所述的第一部分为Y轴铟锡氧化物菱形图案；所述的第二部分为具有X轴通道的X轴铟锡氧化物菱形图案；所述的第一导电层为一Y轴通道；所述的绝缘层位于该X轴通道及该Y轴通道的重叠处。4一种投射电容式触控面板，其特征在于，包括一基板；一第一导电层，形成于该基。

4、板上侧的一部分上；一绝缘层，形成于该第一导电层的一部分上；以及一第二导电层，具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分形成于该基板上侧及该第一导电层上，该第二部分形成于该绝缘层上，且该第二导电层采同一次镀膜，而该第一部分与该第二部分具有相同的膜厚。5如权利要求4所述的投射电容式触控面板，其特征在于，所述的第二导电层是铟锡氧化物菱形图样。6如权利要求4所述的投射电容式触控面板，其特征在于，所述的第三部分为Y轴铟锡氧化物图案，所述的第四部分为具有X轴通道的X轴铟锡氧化物图案，所述的第一导电层为一Y轴通道，所述的绝缘层位于X轴通道及Y轴通道的重叠处。7如权利要求4所述的投射电容式触控面板，其特征在于。

5、，更包含一金属导线层；及一顶涂层，该顶涂层的材料是感旋光性树脂材料。8一种投射电容式触控面板的制造方法，其特征在于，包括下列步骤A、提供一基板；B、形成一第一导电层于该基板上侧，该第一导电层为一Y轴通道；C、形成一绝缘层于该基板及该第一导电层上；以及D、形成一第二导电层于该基板、该绝缘层及该第一导电层上，其中该第二导电层为具有X轴通道的一X轴图案及一Y轴图案，该Y轴通道耦接于该Y轴图案，而该绝缘层隔离该X轴通道与该Y轴通道。9如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，步骤D后更包括以下步骤E、形成一铟锡氧化物保护层于该基板下侧，用以保护该基板；权利要求书CN101989161A2/2页3F、形成。

6、一金属导线层于该第二导电层上；G、形成一感旋光性树脂材料层，并以紫外线固化该感旋光性树脂材料层，以将其制成一顶涂层；H、对该投射电容式触控面板进行电路检测；以及I、切割该投射电容式触控面板。10如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，步骤D后更包括以下步骤E、形成一金属导线层于该第二导电层上；F、形成一感旋光性树脂材料层，并以紫外线固化感旋光性树脂材料层，以将其制成一顶涂层；G、对该投射电容式触控面板进行电路检测；以及H、切割该投射电容式触控面板。11如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，其中步骤A更包括A1、提供具有铟锡氧化物层的一基板；或步骤B更包括B1、于该基板上以一第一镀膜制程形成一。

7、第一铟锡氧化物层；B2、于该第一铟锡氧化物层上涂布一光阻层，并于该光阻层上执行一第一露光显影制程；以及B3、以一第一蚀刻制程及一第一剥膜制程来将该第一铟锡氧化物层制成第一导电层。12如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，其中步骤C更包括C1、于该第一导电层上涂布一绝缘材料，并于该绝缘材料上执行一第二露光显影制程来制成该绝缘层；以及C2、以一固烤制程来使该绝缘层更加密合于该第一导电层上；或步骤D更包括D1、于该绝缘层上以一第二镀膜制程形成一第二铟锡氧化物层；D2、于第二铟锡氧化物层上涂布一光阻层，并于该光阻层上执行一第三露光显影制程；以及D3、以一第二蚀刻制程及一第二剥膜制程来将该第二铟锡氧化。

8、物层制成该第二导电层，其中该X轴图案及Y轴图案为一菱形图案，其中步骤D1更包括D11、于该绝缘层上及该基板下侧以一第二镀膜制程分别形成一第二铟锡氧化物层及一保护层。权利要求书CN101989161A1/6页4投射电容式触控面板及其制造方法技术领域0001本发明涉及一种触控面板及其制造方法，特别是涉及一种投射电容式触控面板及其制造方法。背景技术0002投射电容式触控面板PROJECTIVECAPACITIVETOUCHPANEL是以传统的电容式触控面板为基础，再增加二组存在于不同平面而又彼此垂直的透明导线X、Y以及驱动线所构成。相关现有技术可参阅以下描述。0003请参阅图1，其为现有的投射电容式。

9、触控面板相的制造流程图。此现有的制造流程100包括下列步骤0004步骤101提供作为基板的玻璃基材。0005步骤102在玻璃基材上溅镀SPUTTER一铟锡氧化物ITO层，并利用某种光阻剂A在该ITO层上进行涂布、露光、显影、蚀刻及剥膜等制程，藉以在玻璃基材上形成作为第一导电层的X轴图案层含X轴通道。要注意的是，在此步骤中使用了第一道光罩。0006步骤103利用某种光阻剂B在第一导电层上进行涂布、露光、显影、固烤等制程，藉以形成作为X轴通道和Y轴通道交点绝缘膜的一绝缘层。要注意的是，在此步骤中使用了第二道光罩。0007步骤104随后利用某种光阻剂C在绝缘层上进行涂布、露光、预烤、显影等制程，再溅。

10、镀一铟锡氧化物ITO层，最后利用剥膜等制程，藉以形成作为第二导电层的Y轴图案层含Y轴通道。要注意的是，在此步骤中使用了第三道光罩。0008步骤105溅镀一金属层，利用某种光阻剂D在该金属层上进行涂布、露光、显影、蚀刻及剥膜等制程，藉以形成一金属导线层。要注意的是，在此步骤中使用了第四道光罩。0009步骤106在该金属导线层上利用感旋光性树脂材料ASAHIKSEIPHOTOSENSITIVERESIN，APR进行印刷、紫外线UV固化，而形成绝缘的顶涂TOPCOATING，TC层。最后，对所形成的投射电容式触控面板进行线路检测、裂片等制程，以制成成品。0010请参阅图2，其为与图1的投射电容式触控。

11、面板制造流程相对应的分层示意图。以下配合参阅图1而说明图2的分层示意图。在图2中，投射电容式触控面板的分层200主要是依序由作为基板的玻璃基材201、作为第一导电层的X轴图案层202、作为X轴通道和Y轴通道交点绝缘膜的绝缘层203、作为第二导电层的Y轴图案层204、作为金属导线层的金属层205、以及顶涂层206所构成。0011请参阅图3A图3I，其为与图1相对应的投射电容式触控面板的结构图。以下配合参阅图1而说明图3A图3I的结构图。在图3A图3B中，作为第一导电层的X轴图案层302包含X轴通道形成于玻璃基材301上，其中该X轴图案层302具有数个菱形图案与数个X轴通道相连接，且材料为铟锡氧化。

12、物ITO。在图3C及图3D中，X轴通道与Y轴通道的交点绝缘膜303形成于该X轴图案层302上。在图3E中，作说明书CN101989161A2/6页5为第二导电层的Y轴图案层304包含Y轴通道形成于该玻璃基材301与该绝缘膜303上，其中该Y轴图案层304具有数个菱形图案与数个Y轴通道相连接，且材料为铟锡氧化物ITO。另，从图3F及图3G的CC剖面图及DD剖面图中，该X轴图案层302、该绝缘膜303及该Y轴图案层304在X和Y方向上的剖面结构与关系可由此得知。在图3H及图3I中，金属导线305和该X轴图案层302的连接方式可由此得知。0012上述的投射电容式触控面板的现有制程具有下列缺点0013。

13、1有明显图案产生由于X轴ITO图案层跟Y轴ITO图案层未同时被溅镀，且ITO溅镀过程中，因氧气量的差异、溅镀温度、溅镀时间及ITO钯材损耗状态不同，导致溅镀后的ITO膜色也随之不同，并造成X轴ITO图案层跟Y轴ITO图案层有色差发生，而有明显菱形图案产生。值得注意的是，因ITO膜层很薄，ITO膜厚不易控制而容易产生X轴ITO图案层跟Y轴ITO图案层的色差。00142后续工程无法剥膜因光阻剂受到第二次ITO溅镀高温影响固化，造成后续工程无法剥膜的问题。00153外观不良因制程简化考虑，架桥BRIDGE接点采金属导线，金属加桥接点目视下有明显亮点，造成外观不良问题。0016故，申请人鉴于现有技术中。

14、所存在的缺点，经过悉心推论与研究，构思出本发明所提供的投射电容式触控面板及其制造方法，其能够克服上述缺点，以下为本发明的简要说明。发明内容0017本发明的目的在于提供一种投射电容式触控面板及其制造方法，其能克服现有技术中存在的有明显图案色差、后续工程无法剥除光阻剂薄膜以及外观不佳等缺点。0018为达上述目的，根据上述构想，本发明提出一种投射电容式触控面板，包括一基板；一第一导电层，形成于该基板上侧的一部分上；一绝缘层，形成于该第一导电层的一部分上；一第二导电层，具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分形成于该基板上侧及该第一导电层上，该第二部分形成于该绝缘层上，且该第二导电层采同一次镀膜，而。

15、该第一部分与该第二部分具有相同的膜厚；以及一保护层，形成于该基板下侧上，用以保护该基板。0019较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该基板的材料是玻璃。0020较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该绝缘层的材料是一光阻型绝缘材料。0021较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该第一导电层、该第二导电层及该保护层的材料是铟锡氧化物ITO。0022较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该第一部分为Y轴ITO菱形图案，该第二部分为具有X轴通道的X轴ITO菱形图案，该第一导电层为一Y轴通道，该绝缘层位于该X轴通道及该Y轴通道的重叠处。0023根据上述构想，本发明还提出另一种投射电容式触控面板，包括一基板；。

16、一第一导电层，形成于该基板上侧的一部分上；一绝缘层，形成于该第一导电层的一部分上；以及一第二导电层，具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分形成于该基板上侧及该第一导电层上，该第二部分形成于该绝缘层上，且该第二导电层采同一次镀膜，而该第一部分说明书CN101989161A3/6页6与该第二部分具有相同的膜厚。0024较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该第一导电层的材料是铟锡氧化物ITO。0025较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该第二导电层的材料是ITO。0026较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该绝缘层的材料是一光阻型绝缘材料。0027较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该保护层的材。

17、料是ITO。0028较佳地，本发明所提出的触控面板，其中第二导电层是ITO菱形图样。0029较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该第三部分为Y轴ITO图案，该第四部分为具有X轴通道的X轴ITO图案，该第一导电层为一Y轴通道，该绝缘层位于该X轴通道及该Y轴通道的重叠处。0030较佳地，本发明所提出的触控面板，更包含一金属导线层。0031较佳地，本发明所提出的触控面板，其中更包含一顶涂层。0032较佳地，本发明所提出的触控面板，其中该顶涂层的材料是感旋光性树脂材料ASAHIKSEIPHOTOSENSITIVERESIN，APR。0033根据上述构想，本发明再提出一种投射电容式触控面板的制造方法，包。

18、括下列步骤A、提供一基板；B、形成一第一导电层于该基板上侧，该第一导电层为一Y轴通道；C、形成一绝缘层于该基板及该第一导电层上；以及D、形成一第二导电层于该基板、该绝缘层及该第一导电层上，其中该第二导电层为具有X轴通道的一X轴图案及一Y轴图案，该Y轴通道耦接于该Y轴图案，而该绝缘层隔离该X轴通道与该Y轴通道。0034较佳地，本发明所提出的制造方法，其中步骤D之后更包括E、形成一ITO保护层于该基板下侧，用以保护该基板；F、形成一金属导线层于该第二导电层上；G、形成一APR层，并以紫外线UV固化该APR层以将其制成一顶涂层；H、对该投射电容式触控面板进行电路检测；以及I、切割该投射电容式触控面板。

19、，其中该步骤E可以于步骤D之前或之后执行，也可以不执行。0035较佳地，本发明所提出的制造方法，其中步骤A更包括A1、提供具有铟锡氧化物ITO层的一基板。0036较佳地，本发明所提出的制造方法，其中步骤B更包括B1、于该基板上以一第一镀膜制程形成一第一铟锡氧化物ITO层；B2、于该第一ITO层上涂布一光阻层，并于该光阻层上执行一第一露光显影制程；以及B3、以一第一蚀刻制程及一第一剥膜制程来将该第一ITO层制成该第一导电层。0037较佳地，本发明所提出的制造方法，其中步骤C更包括C1、于该第一导电层上涂布一绝缘材料，并于该绝缘材料上执行一第二露光显影制程来制成该绝缘层；以及C2、以一固烤制程来使。

20、该绝缘层更加密合于该第一导电层上。0038较佳地，本发明所提出的制造方法，其中步骤D更包括D1、于该绝缘层上以一第二镀膜制程形成一第二铟锡氧化物ITO层；D2、于第二ITO层上涂布一光阻层，并于该光阻层上执行一第三露光显影制程；以及D3、以一第二蚀刻制程及一第二剥膜制程来将该第二ITO层制成该第二导电层，其中该X轴图案及Y轴图案为一菱形图案。0039较佳地，本发明所提出上述之制造方法，其中步骤D1更包括D11、于该绝缘层上及该基板下侧以一第二镀膜制程分别形成一第二铟锡氧化物ITO层及一保护层。说明书CN101989161A4/6页70040综上，本发明所提供的投射电容式触控面板及其制造方法，其。

21、能克服现有技术中存在的有明显图案色差、后续工程无法剥除光阻剂薄膜以及外观不佳等缺点。附图说明0041图1为现有的投射电容式触控面板相的制造流程图。0042图2为与图1所示的投射电容式触控面板制造流程相对应的分层示意图。0043图3A图3I为与图1相对应的投射电容式触控面板的结构图。0044图4为本发明提供的投射电容式触控面板的第一较佳实施例的制造方法的流程图。0045图5为与图4所示的投射电容式触控面板的第一较佳实施例的制造方法相对应的分层示意图。0046图6A图6H为与图4相对应的第一较佳实施例的投射电容式触控面板的结构图。0047图7为本发明提供的投射电容式触控面板的第二较佳实施例的制造方。

22、法的流程图。0048图8为与图7所示的投射电容式触控面板的第二较佳实施例的制造方法相对应的分层示意图。具体实施方式0049为让本发明的上述目的、特征和效果能明显易懂，特别举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下0050请参阅图4，其为本发明所提出的投射电容式触控面板的第一实施例的制造方法流程图。此第一制造方法400包括下列步骤0051步骤401提供一基板，该基板可以为玻璃基材或其它本领域技术人所已知的材料。0052步骤402形成一第一导电层于该基板上侧，该第一导电层为一Y轴通道，该第一导电层的材料最佳为铟锡氧化物ITO或其它本领域技术人所已知的导电材料。0053步骤403形成一绝缘层绝缘。

23、膜于该基板及该第一导电层上，该绝缘层的材料最佳为可微蚀刻的光阻型绝缘材料或其它本领域技术人所已知的绝缘材料。0054步骤404形成一第二导电层于该基板、该绝缘层及该第一导电层上，其中该第二导电层为具有X轴通道的一X轴图案及一Y轴图案，该Y轴通道耦接于该Y轴图案，而该绝缘层隔离该X轴图案与该Y轴图案。该第二导电层的材料最佳为铟锡氧化物ITO或其它本领域技术人所已知的导电材料，而该X轴图案与该Y轴图案最佳为菱形图案或其它本领域技术人所已知的图案。0055请参阅图5，其为与图4所示的投射电容式触控面板的第一实施例的制造方法相对应的分层示意图。以下配合参阅图4而说明图5的分层示意图。在图5中，投射电容。

24、式触控面板的分层500依序为基板501、第一导电层502、绝缘层503、第二导电层504。0056请参阅图6A图6H，其为与图4相对应的第一较佳实施例的投射电容式触控面板结构图。以下配合参阅图4而说明图6A图6H的结构图。在图6A及图6B说明书CN101989161A5/6页8中，即Y轴通道形成图，第一导电层602形成于基材601上，其中该第一导电层602为一Y轴通道，且材料较佳为铟锡氧化物ITO。在图6C及图6D中，即交点绝缘层绝缘膜形成图，X轴通道与Y轴通道的交点绝缘层603形成于该第一导电层602的Y轴通道中间部分及该基板601的部分上，而从GG剖面的观点，该绝缘层603覆盖该第一导电层。

25、602。在图6E中，即X轴通道、X轴图案与Y轴图案的形成图，第二导电层604形成于该基材601、该第一导电层602与该绝缘膜603上，而该第二导电层604具有X轴通道、X轴图案及Y轴图案，且材料较佳为铟锡氧化物ITO而X轴图案及Y轴图案较佳为菱形图案，其中X轴通道连接X轴图案，该第一导电层602的Y轴通道连接Y轴图案，而该绝缘层603将X轴通道与Y轴通道分离以达绝缘效果。在图6F、图6G及图6H中，即X轴与Y轴的交点设计图，该HH剖面及该II剖面说明了如何设计X轴与Y轴重叠的部分，其中该第二导电层604被分为具有X轴通道与X轴图案的第一部分6041及具有Y轴图案的第二部分6042。从该HH剖面。

26、的观点，该绝缘层603覆盖该第一导电层602，具有X轴通道与X轴图案的该第一部分6041覆盖该绝缘层603，以使具有X轴通道与X轴图案的该第一部分6041与该第一导电层602相互绝缘。从该II剖面的观点，该绝缘层603覆盖该第一导电层602的中间部分，该第一导电层602连接或电耦接具有Y轴图案的该第二部分6042，而该绝缘层603使第一部分6041绝缘，如此该第一部分6041与该第二部分6042将不会有造成触控面板的灵敏度下降的漏电问题产生。以上的叙述已清楚阐释第一较佳实施例的结构，使本领域技术人员能依此具以实施本发明。0057请参阅图7，其为本发明所提出的投射电容式触控面板的第二实施例的制造。

27、方法流程图。此第二制造方法700包括下列步骤0058步骤701提供在上侧具有一第一铟锡氧化物ITO层的一基板，该基板的材料较佳为玻璃材料。0059步骤702利用某种光阻剂A于该第一ITO层上涂布并形成一第一光阻层，并于该第一光阻层上执行一第一露光显影制程，再以一第一蚀刻制程及一第一剥膜制程来将该第一ITO层制成具有Y轴通道的一第一导电层。要注意的是，在此步骤中使用了第一道光罩。0060步骤703于该第一导电层上涂布某种绝缘材料B，并于该绝缘材料上执行一第二露光显影制程来制成作为X轴通道和Y轴通道交点绝缘膜的一绝缘层，再以一固烤制程来使该绝缘层更加密合于该第一导电层上。要注意的是，在此步骤中使用。

28、了第二道光罩。0061步骤704随后在该基板下侧及该绝缘层上溅镀铟锡氧化物，藉以在该绝缘层上形成一第二铟锡氧化物ITO层及在该基板下侧形成一保护层以保护该基板。要注意的是，可以同时双面溅镀铟锡氧化物，或者是先在该绝缘层上溅镀铟锡氧化物，之后在任一步骤中再于该基板下侧溅镀铟锡氧化物以形成该保护层。0062步骤705利用某种光阻剂C于该第二ITO层上涂布并形成一第二光阻层，并于该二光阻层上执行一第三露光显影制程，再以一第二蚀刻制程及一第二剥膜制程来将该第二ITO层制成具有X轴通道、X轴图案及Y轴图案的一第二导电层，其中该X轴图案及Y轴图案较佳为一菱形图案。要注意的是，在此步骤中使用了第三道光罩。0。

29、063步骤706溅镀一金属层，利用某种光阻剂D在该金属层上进行涂布、露光、显影、蚀刻及剥膜等制程，藉以形成一金属导线层。要注意的是，在此步骤中使用了第四道光说明书CN101989161A6/6页9罩。0064步骤707在该金属导线层上利用感旋光性树脂材料进行印刷、紫外线UV固化，而形成绝缘的顶涂TOPCOATING，TC层。最后，对所形成的投射电容式触控面板进行线路检测、裂片、切割等制程，以制成成品。0065请参阅图8，其为与图7所示的投射电容式触控面板第二实施例的制造方法相对应的分层示意图。以下配合参阅图7而说明图8的分层示意图。在图8中，投射电容式触控面板的分层800依序为基板801、第一。

30、导电层802、绝缘层803、第二导电层804、金属导线层805、顶涂层806，而保护层807位于该基板801的下侧。0066综上所述，本发明提出了一种投射电容式触控面板及其制造方法，由于本发明的X轴ITO图案层跟Y轴ITO图案层采一次镀膜，而并非将X轴ITO图案层跟Y轴ITO图案层分别采两次镀膜，因此可使膜色一致而不至于有明显菱形图案产生。若再直接使用具有ITO层的基板，可以避免会造成光阻剂固化的第二次镀ITO制程，如此可使剥膜更为容易。再者，本发明只有在X轴通道与Y轴通道交点含绝缘层有三层重叠外，其余皆为单层结构，是故可以减少光的阻隔而提高触控面板的表面透过率。此外，为使同一面X轴及Y轴IT。

31、O图案层不会有短路问题，本发明可采用能微蚀刻的光阻绝缘材料来形成绝缘层，是故可以使绝缘层面积细小和位置精准，进而提高触控面板的透过率。另，由于上述原因，更可使得制程优良率大大提升。0067以上所述的实施例仅为说明本发明的原理及其效果，而非限制本发明。因此，本领域的技术人员可在不违背本发明精神的基础上，对上述实施例进行修改及变化，但是这些修改和变换均不脱离所附权利要求书所限定的保护范围。说明书CN101989161A1/15页10图1说明书附图CN101989161A2/15页11图2说明书附图CN101989161A3/15页12图3A图3B说明书附图CN101989161A4/15页13图3。

32、C图3D说明书附图CN101989161A5/15页14图3E图3F说明书附图CN101989161A6/15页15图3G图3H说明书附图CN101989161A7/15页16图3I说明书附图CN101989161A8/15页17图4说明书附图CN101989161A9/15页18图5说明书附图CN101989161A10/15页19图6A图6B说明书附图CN101989161A11/15页20图6C图6D说明书附图CN101989161A12/15页21图6E图6F说明书附图CN101989161A13/15页22图6G图6H说明书附图CN101989161A14/15页23图7说明书附图CN101989161A15/15页24图8说明书附图。