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镀膜装置.pdf

  • 上传人:111****112
  • 文档编号:1259792
  • 上传时间:2018-04-11
  • 格式:PDF
  • 页数:7
  • 大小:445.50KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201010213744.3

    申请日:

    2010.06.30

    公开号:

    CN102312219A

    公开日:

    2012.01.11

    当前法律状态:

    撤回

    有效性:

    无权

    法律详情:

    发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C23C 16/455申请公布日:20120111|||公开

    IPC分类号:

    C23C16/455; C23C16/46

    主分类号:

    C23C16/455

    申请人:

    鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司

    发明人:

    许嘉麟

    地址:

    518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号

    优先权:

    专利代理机构:

    代理人:

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    内容摘要

    一种镀膜装置,其采用原子层沉积方法进行镀膜,所述镀膜装置包括一腔体,所述腔体内壁设置有加热单元,所述加热单元具有一个收容空间用以收容一滚轮以对所述滚轮进行镀膜。

    权利要求书

    1: 一种镀膜装置, 其采用原子层沉积方法进行镀膜, 其特征在于, 所述镀膜装置包括一 腔体, 所述腔体内壁设置有加热单元, 所述加热单元具有一个收容空间用以收容一滚轮以 对所述滚轮进行镀膜。
    2: 如权利要求 1 所述的镀膜装置, 其特征在于, 所述加热单元包括第一加热线圈和第 二加热线圈, 所述第一加热线圈和第二加热线圈共同限定所述收容空间以用来容纳所述滚 轮。
    3: 如权利要求 2 所述的镀膜装置, 其特征在于, 所述腔体包括盖体和底座, 所述第一加 热线圈贴合在所述盖体内壁上, 所述底第二加热线圈贴合在所述底座上。
    4: 如权利要求 1 至 3 任一项所述的镀膜装置, 其特征在于, 所述腔体内具有支撑架以支 持所述滚轮。
    5: 如权利要求 4 所述的镀膜装置, 其特征在于, 所述支撑架位于所述底座内。
    6: 如权利要求 5 所述的镀膜装置, 其特征在于, 所述盖体上具有进气口。
    7: 如权利要求 6 所述的镀膜装置, 其特征在于, 所述底座上具有出气口。

    说明书


    镀膜装置

        【技术领域】
         本发明涉及一种镀膜装置。背景技术 目前光学膜片一般利用具有微结构雕刻之铜滚轮, 将树脂载体压印后照光固化完 成, 而在制程上, 难以避免有尘粒掉落于滚轮表面。因电镀之硬质铜硬度较小, 所以当滚轮 继续运转时, 尘粒便在树脂载体与轮面间随之带动, 最后造成刮伤而导致膜片成品光学质 量不良。 另一方面因轮面为铜材, 故暴露于大气环境容易形成氧化铜, 当氧化层面积增大时 将造成微结构破坏, 最后滚轮报废而须重新进行雕刻。
         在滚轮直接镀上镍层再行雕刻, 虽增加了轮面硬度但势必缩短钻石刀具使用寿 命, 因此最佳方式仍是在铜滚轮上雕刻微结构, 再设法制作保护层以达到轮面之耐磨耗或 者抗氧化效果。
         由于滚轮体积较大, 倘若以一般 PVD 方式进行镀膜, 因膜层均匀性的考虑, 除了注 意载体气体流场外, 可能由于靶材置放、 电浆源以及滚轮转动等等疑虑, 必须重新制作一套 较为复杂的系统。
         传统镀膜设备中, 加热装置一般设置在镀膜工件下方, 从下方对工件进行加热, 但 是, 采用此方式对滚轮加热造成滚轮加热不均匀。
         发明内容
         有鉴于此, 有必要提供一种可均匀加热滚轮的镀膜装置。
         一种镀膜装置, 其采用原子层沉积制程进行镀膜, 所述镀膜装置包括一腔体, 所述 腔体内壁设置有加热单元, 所述加热单元具有一个收容空间用以收容一滚轮以对所述滚轮 进行镀膜。
         与现有技术相比, 本发明实施例的镀膜装置的加热单元围绕滚轮设置, 以将滚轮 围绕在中间, 从而使得滚轮各个位置受热均匀, 进而可均匀加热滚轮。 附图说明
         图 1 是本发明实施例镀膜装置之轴向剖面图。 图 2 是本发明实施例镀膜装置之径向剖面图。 主要元件符号说明 镀膜装置 1 腔体 10 盖体 11 底座 12 加热单元 13 支撑架 143102312219 A CN 102312221
         说明书131 132 20 30 40 110, 120 111 1212/3 页第一加热线圈 第二加热线圈 滚轮 第一收容空间 第二收容空间 内壁 进气口 出气口具体实施方式
         下面将结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。
         请参阅图 1 及图 2 所示, 本发明实施例提供了一种镀膜装置 1, 其在原子层沉积 (atomic layer deposition, ALD) 过程中对滚轮 20 进行镀膜。
         镀膜装置 1 包括腔体 10, 腔体 10 包括盖体 11、 底座 12、 加热单元 13 和用来支撑滚 轮 20 之支撑架 14, 支撑架 14 设置在底座 12 上, 盖体 11 盖合在底座 12 上从而限定一个第 一收容空间 30, 第一收容空间 30 可以为方形、 圆筒形等。 滚轮 20 设置在支撑架 14 上, 支撑架 14 将滚轮 20 支撑一定高度使得滚轮 20 与腔 体 10 之间具有一定空隙, 即滚轮 20 大致位于腔体 10 中部。
         加热单元 13 包括设置在盖体 11 内的第一加热线圈 131 和设置在底座 12 内的第二 加热线圈 132, 第一加热线圈 131 和第二加热线圈 132 在第一收容空间 30 内限定一个第二 收容空间 40, 滚轮 20 设置在第二收容空间 40 内且与第一加热线圈 131、 第二加热线圈 132 隔开一定距离, 换言之, 第一加热线圈 131 和第二加热线圈 132 围绕在滚轮 20 的外围且不 接触滚轮 20。
         优选地, 第一加热线圈 131 贴合在盖体 11 的内壁 110 上, 第二加热线圈 132 贴合 在底座 12 的内壁 120 上。
         优选地, 第二收容空间 40 为圆筒形, 即形状与滚轮 20 的形状相同。
         第一加热线圈 131 和第二加热线圈 132 均匀缠绕滚轮 20, 以利均匀加热滚轮 20。
         盖体 11 上设置有进气口 111, 底座 12 上设置有出气口 121, 镀膜时, 气体可经过进 气口 111 进入腔体 10 内, 多馀的气体或者镀膜过程中产生的副产物可经过出气口 121 排出 腔体 10 以凈化腔体 10, 另外, 也可以通过出气口 121 实现腔体 10 的真空度。
         当然, 进气口 111 的数量可以根据需要引入腔体 10 内的气体种类设定, 一个进气 口 111 允许一种气体进入腔体 10。
         在对滚轮 20 进行镀膜时, 打开盖体 11, 将滚轮 20 放置在支撑架 14 上, 然后将盖 体 11 盖合在底座 12 上, 藉助真空装置通过出气口 121 实现腔体 10 内的真空度, 施加电流 予第一加热线圈 131 和第二加热线圈 132 使其对滚轮 20 加热达到预定温度, 然后将反应气 体通过进气口 111 引入腔体 10 内, 反应气体在腔体 10 内发生反应从而在滚轮 20 表面形成 镀膜。
         由于加热单元均匀缠绕滚轮, 使得滚轮各个位置受热均匀, 从而使得滚轮表面形 成的薄膜厚度均匀。
         可以理解的是, 本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化等用于本发明的 设计, 只要其不偏离本发明的技术效果均可。 这些依据本发明精神所做的变化, 都应包含在 本发明所要求保护的范围之内。

    关 键  词:
    镀膜 装置
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