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一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带.pdf

  • 上传人:00062****4422
  • 文档编号:1254838
  • 上传时间:2018-04-11
  • 格式:PDF
  • 页数:5
  • 大小:296.79KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201110342314.6

    申请日:

    2011.11.02

    公开号:

    CN102352471A

    公开日:

    2012.02.15

    当前法律状态:

    撤回

    有效性:

    无权

    法律详情:

    发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C22C 38/58申请公布日:20120215|||公开

    IPC分类号:

    C22C38/58; C22C38/54

    主分类号:

    C22C38/58

    申请人:

    永鑫精密材料(无锡)有限公司

    发明人:

    濮晓芳

    地址:

    214183 江苏省无锡市惠山区玉祁镇黄泥坝工业区(永鑫精密材料(无锡)有限公司)

    优先权:

    专利代理机构:

    北京品源专利代理有限公司 11332

    代理人:

    陈慧珍

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    内容摘要

    本发明公开了一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带,所述奥氏体不锈钢以重量百分比计含有下列组份:C 0.06-0.08%,Cr 14.5-16.5%,Ni 11.0-13.0%,Mn 1.4-1.8%,Si 0.3-1.0%,Mo 0.5-0.8%,Nb 0.3-0.6%,B 0.001-0.005%,Al 0.010-0.060%,N 0.05-0.20%,P≤0.03%,S≤0.005%,O≤0.0050%;余量为Fe和不可避免的杂质;并且该不锈钢的Ni-bal%范围为0.5-1.5,所述的Ni-bal%采用下式计算:Ni-bal%=Ni%+30(C%+N%+B%)+0.5Mn%-1.5(Cr%+1.5Si%+Mo%+0.5Nb%)+8.5%。

    权利要求书

    1: 一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 其特征在于, 所述奥氏体不锈钢以重量百 分比计含有下列组份 : C 0.06-0.08%, Cr 14.5-16.5%, Ni 11.0-13.0%, Mn 1.4-1.8%, Si 0.3-1.0 %, Mo 0.5-0.8 %, Nb 0.3-0.6 %, B 0.001-0.005 %, Al 0.010-0.060 %, N 0.05-0.20%, P ≤ 0.03%, S ≤ 0.005%, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并 且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 0.5-1.5, 所述的 Ni-bal%采用下式计算 : Ni-bal%= Ni% +30(C% +N% +B% )+0.5Mn% -1.5(Cr% +1.5Si% +Mo% +0.5Nb% )+8.5%。
    2: 如权利要求 1 所述的电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 其中所述奥氏体不锈 钢以重量百分比计含有下列组份 : C 0.07%, Cr 15.5%, Ni 12%, Mn 1.6%, Si 0.7%, Mo 0.6 %, Nb 0.5 %, B 0.004 %, Al 0.04 %, N 0.12 %, P ≤ 0.03 %, S ≤ 0.005 %, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 1.0。
    3: 0%, Mn 1.4-1.8%, Si 0.3-1.0 %, Mo 0.5-0.8 %, Nb 0.3-0.6 %, B 0.001-0.005 %, Al 0.010-0.060 %, N 0.05-0.20%, P ≤ 0.03%, S ≤ 0.005%, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并 且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 0.5-1.5, 所述的 Ni-bal%采用下式计算 : Ni-bal%= Ni% +30(C% +N% +B% )+0.5Mn% -1.5(Cr% +1.5Si% +Mo% +0.5Nb% )+8.5%。 2. 如权利要求 1 所述的电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 其中所述奥氏体不锈 钢以重量百分比计含有下列组份 : C 0.07%, Cr 15.5%, Ni 12%, Mn 1.6%, Si 0.7%, Mo 0.6 %, Nb 0.5 %, B 0.004 %, Al 0.04 %, N 0.12 %, P ≤ 0.03 %, S ≤ 0.005 %, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 1.0。
    4: 5-16.5%, Ni 11.0-13.0%, Mn 1.4-1.8%, Si 0.3-1.0 %, Mo 0.5-0.8 %, Nb 0.3-0.6 %, B 0.001-0.005 %, Al 0.010-0.060 %, N 0.05-0.20%, P ≤ 0.03%, S ≤ 0.005%, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并 且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 0.5-1.5, 所述的 Ni-bal%采用下式计算 : Ni-bal%= Ni% +30(C% +N% +B% )+0.5Mn% -1.5(Cr% +1.5Si% +Mo% +0.5Nb% )+8.5%。 2. 如权利要求 1 所述的电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 其中所述奥氏体不锈 钢以重量百分比计含有下列组份 : C 0.07%, Cr 1
    5: 5%, Ni 12%, Mn 1.6%, Si 0.7%, Mo 0.6 %, Nb 0.5 %, B 0.004 %, Al 0.04 %, N 0.12 %, P ≤ 0.03 %, S ≤ 0.005 %, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 1.0。
    6: 5%, Ni 11.0-13.0%, Mn 1.4-1.8%, Si 0.3-1.0 %, Mo 0.5-0.8 %, Nb 0.3-0.6 %, B 0.001-0.005 %, Al 0.010-0.060 %, N 0.05-0.20%, P ≤ 0.03%, S ≤ 0.005%, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并 且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 0.5-1.5, 所述的 Ni-bal%采用下式计算 : Ni-bal%= Ni% +30(C% +N% +B% )+0.5Mn% -1.5(Cr% +1.5Si% +Mo% +0.5Nb% )+8.5%。 2. 如权利要求 1 所述的电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 其中所述奥氏体不锈 钢以重量百分比计含有下列组份 : C 0.07%, Cr 15.5%, Ni 12%, Mn 1.6%, Si 0.7%, Mo 0.6 %, Nb 0.5 %, B 0.004 %, Al 0.04 %, N 0.12 %, P ≤ 0.03 %, S ≤ 0.005 %, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 1.0。

    说明书


    一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带

        【技术领域】
         本发明涉及不锈钢合金领域, 特别涉及一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带。背景技术 随着人们生活水平的提高, 移动电话、 PDA( 个人数字助理, personal digital assistant)、 MP3 及掌上电脑等电子装置大量进入人们的生活和工作, 给人们带来方便和乐 趣。目前, 人们对于上述各种电子装置不但要求功能强大, 而且希望其外观美观、 表面质感 良好, 因此对电子装置的壳体表面加工精度及粗糙度要求较高。
         目前, 制造电子装置的壳体常用的是 304 类奥氏体不锈钢, 尤以冷轧板居多, 因为 冷轧板具有比较优的表面质量和抛光性能。而对于部分电子行业用钢, 冷轧板厚度无法满 足其实际需求, 且成本较高, 因此一般都采用热轧板来取代冷轧板, 而热轧板表面为酸洗后 表面, 其粗糙度一般为 2 ~ 5μm, 需要抛光成镜面后方能使用。
         对于常规成分和工艺生产的奥氏体不锈钢热轧板, 如 304, 其抛光后表面存在凹 坑、 针孔、 易锈斑等缺陷, 且抛光时间较长和材料损耗率较高。对于奥氏体类不锈钢 304, 影响其抛光性能的两个重要指标为材料本身的硬度和内在质量 ( 如夹杂物等级、 第二相析 出 )。对于常规工艺生产的 304 奥氏体不锈钢, 由于为了保证其优异的耐蚀性, 一般需要热 轧或冷轧后进行固溶热处理, 这就造成了其低的硬度和耐磨性, 而若不进行退火处理, 就会 由于碳化物析出而影响其耐蚀性和镜面抛光性, 因此提高硬度和改善材料内在性能是解决 该类技术难题的方向。
         目前提高热轧奥氏体不锈钢硬度的解决方案主要是通过对固溶态奥氏体不锈钢 进行大压下量的室温平整后直接应用, 但冷变形易导致材料内部组织不均匀, 硬度沿着截 面方向分布不均、 钢板平直度较差和磁导率较高 ; 此外制备该类材料加工流程较长, 成本较 高, 钢板厚度规格有限。
         日本专利特开 2001-247938A 公开了一种电子器件用高强度、 高平坦度奥氏体不 锈钢的制备方法, 其公开的成分为 : 0.01%<碳< 0.08%, 0.1%<硅< 2.0%, Mn < 3.0%, 10.0%<铬< 20.0%, 3.0%<镍< 12.0%, 0.08%<氮< 0.25%, 0.01%<铌< 0.50%, 且 Md = 500-458(C+N)-9(S i+Mn)-13Cr-19Ni-65Nb 大于 0 小于 80, 余量为铁及不比可避免 的杂质。热轧后直接冷轧, 压下率为 20%, 然后在 650℃~ 1000℃施加小于材料屈服强度 0.2%以下的张力, 并保持 300s 以下。该材料具有高强度、 高硬度和低的残余应力, 但由于 该类材料只解决了高硬度问题, 而并没有解决材料的抛光性问题, 因为该合金通过 Nb-N 化 合物的析出来强化, 这些析出的颗粒会影响材料的镜面抛光性。
         公开号为 CN101892437A 的中国专利申请公开了一种镜面抛光性良好的低磁奥 氏体不锈钢及其制造方法, 并具体公开了其化学成分重量百分比为 : Cr17.00 ~ 21.00% ; Ni 8.00 ~ 10.00 % ; N 0.05 ~ 0.20 % ; C ≤ 0.05 % ; Mn ≤ 2.00 % ; Si 0.3 ~ 1.0 % ; P ≤ 0.03% ; S ≤ 0.005% ; Ca 0.0010-0.0050% ; O ≤ 0.0050% ; Al 0.010 ~ 0.060% ; 余 量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并且, C+N > 0.10%。虽然其硬度大于 240Hv, 较低的夹杂物等
         级, 即 A+B+C+D ≤ 2.5 级, 导磁率小于 1.2Gs/Oe, 具有良好的抛光性能。但经实践发现某些 指标达不到其声称的数值, 并且, 即使能达到其数值, 对于某些要求较高的高端产品仍不能 满足使用需求。 发明内容
         针对现有技术的不足, 本发明的目的之一在于提供一种电子产品壳体用奥氏体不 锈钢薄带。
         为实现上述目的, 本发明采用的技术方案为 :
         一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 所述奥氏体不锈钢以重量百分比计 含有下列组份: C 0.06-0.08 %, Cr 14.5-16.5 %, Ni 11.0-13.0 %, Mn 1.4-1.8 %, Si 0.3-1.0 %, Mo 0.5-0.8 %, Nb 0.3-0.6 %, B 0.001-0.005 %, Al 0.010-0.060 %, N 0.05-0.20%, P ≤ 0.03%, S ≤ 0.005%, O ≤ 0.0050% ; 余量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并 且该不锈钢的 Ni-bal%范围为 0.5-1.5, 所述的 Ni-bal%采用下式计算 : Ni-bal%= Ni% +30(C% +N% +B% )+0.5Mn% -1.5(Cr% +1.5Si% +Mo% +0.5Nb% )+8.5%。
         本发明的奥氏体不锈钢薄带的上述成分基于下述理由设计 : 通过添加 Mo、 Nb 和 B 来稳定碳化化物, 使其不析出, 从而提高奥氏体不锈钢的表面 抛光性能。
         通过添加微量的 Al 并控制氧含量来减少夹杂物。
         氮和碳是强奥氏体形成元素, 增加碳氮含量不仅可以降低奥氏体不锈钢中的铁素 体含量, 增加奥氏体不锈钢的稳定性, 还可以固溶奥氏体相中来提高强度和硬度。 但过量的 碳和氮元素的增加又会使碳氮化物析出, 从而影响材料的抛光性。
         调整镍铬当量为 0.5-1.5 来控制奥氏体的稳定性, 降低材料磁性并保证薄带的硬 度。
         本发明奥氏体不锈钢薄带的有益效果为 :
         1. 本发明通过对奥氏体不锈钢的合金设计, 使得各元素产生协同作用, 从而提高 薄带的综合性能。
         2. 本发明的奥氏体不锈钢薄带具有良好的硬度, 即硬度大于 280Hv, 较低的夹杂 物等级, 即 A+B+C+D ≤ 2.0 级, 因此具有良好的抛光性能, 抛光后不存在针眼和凹坑, 可达到 镜面光洁度, 导磁率小于 0.6Gs/Oe, 因而可满足电子元器件, 特别是手机外壳等通讯器件领 域越来越高的要求。
         具体实施方式
         实施例一
         一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 所述奥氏体不锈钢以重量百分比计含有 下列组份 : C 0.06%, Cr 16.5%, Ni 11.0%, Mn 1.8%, Si 0.3%, Mo 0.8%, Nb 0.3%, B 0.005%, Al 0.010%, N 0.20%, P ≤ 0.03%, S ≤ 0.005%, O ≤ 0.0050%; 余量为 Fe 和不可 避免的杂质 ; 并且该不锈钢的 Ni-bal 范围为 1.5, 所述的 Ni-bal 采用下式计算 : Ni-bal% = Ni% +30(C% +N% +B% )+0.5Mn% -1.5(Cr% +1.5Si% +Mo% +0.5Nb% )+8.5%。
         实施例二一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 所述奥氏体不锈钢以重量百分比计 含有下列组份 : C 0.08 %, Cr 14.5 %, Ni 13.0 %, Mn 1.4 %, Si 1.0 %, Mo 0.5 %, Nb 0.6%, B 0.001%, Al 0.060%, N 0.05%, P ≤ 0.03%, S ≤ 0.005%, O ≤ 0.0050% ; 余 量为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并且该不锈钢的 Ni-bal %范围为 0.93, 所述的 Ni-bal %采 用下式计算 : Ni-bal %= Ni % +30(C % +N % +B % )+0.5Mn % -1.5(Cr % +1.5Si % +Mo % +0.5Nb% )+8.5%。
         实施例三
         一种电子产品壳体用奥氏体不锈钢薄带, 所述奥氏体不锈钢以重量百分比计含 有下列组份 : C 0.07%, Cr 15.5%, Ni 12%, Mn 1.6%, Si 0.7%, Mo 0.6%, Nb 0.5%, B 0.004 %, Al 0.04 %, N 0.12 %, P ≤ 0.03 %, S ≤ 0.005 %, O ≤ 0.0050 % ; 余量 为 Fe 和不可避免的杂质 ; 并且该不锈钢的 Ni-bal %范围为 1.0, 所述的 Ni-bal %采用 下式计算 : Ni-bal % = Ni % +30(C % +N % +B % )+0.5Mn % -1.5(Cr % +1.5Si % +Mo % +0.5Nb% )+8.5%。
         申请人声明, 本发明通过上述实施例来详细说明本发明, 但本发明并不局限于实 施例, 即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明 了, 对本发明的任何改进, 对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、 具体方式的 选择等, 均落在本发明的保护范围和公开范围之内。5

    关 键  词:
    一种 电子产品 壳体 奥氏体 不锈钢
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