光信息记录媒体，其测量方法和光信息记录/再现方法 【技术领域】
本发明涉及光信息记录媒体如光盘之类。
背景技术
近年来，人们已提出和开发光盘，光卡和光(磁)带作为光信息记录媒体。尤其是，光盘作为媒体可大容量，高密度地记录和再现信息，故格外引人注目。
一种可擦去型光盘是相变型光盘。相变型光盘中应用的记录薄膜，根据利用激光光束加热和冷却的条件可取非晶体状态和结晶状态，这两种状态相互间可互相转换。记录薄膜的光常数在非结晶状态和结晶状态之间是不同的。在相变型光盘中，根据信息信号在记录薄膜上有选择地形成一种状态或另一种状态或两种状态，利用形成的光变化(即，透射率或反射率的变化)来记录或再现信息信号。为了取得两种状态，信息信号由下列方法加以记录。
采用功率以脉冲形式对光盘记录薄膜加以照射，来提高记录薄膜的温度至高出其溶点时(此后称峰值功率)，此熔解部分很快地随着激光光束的通过而冷却，呈现非结晶状态的记录记号。或当记录薄膜由强度可转换的激光光束来照射时提高记录薄膜的温度至其结晶温度，但不超过熔点温度时(以后称偏置功率)，记录薄膜的被照射部分转变为结晶状态。
此外，近年来人们强烈需求一种高密度的光盘。就此而论，现已建议一种在光盘厚度上具有二层或多层的多层记录媒体，其中信息可记录在各信息层上，或从该些层上现现出来。
然而，使用通常方法当记录至离激光入射方较远的里面的信息层上时，人们担心，较远的里面的信息层会受到较近的信息层的影响。
例如，根据是否有任何信号记录在信息记录层的记录/再现区，此层的透射率是不同的。因此，产生一个问题，即，当记录在较远的信息层时，到达较远地信息层的激光光束的光强随着较近的信息记录层上激光点中非晶区和结晶区之比而变化，这样就不可能进行精确记录。
又一问题是，当在较远的信息层上再现数据时，根据较近的信息层的记录状态而发生的透射率变化，会引起再现的信号质量的恶化。
【发明内容】
本发明的目的是要通过提供一种光信息记录媒体和在此类多层记录媒体中的较远的里面的信息层上可精确地记录数据和从该层上再现出来的方法来解决这些问题。
本发明的第一发明是一种具有2个信息层的光信息记录媒体，激光光束集中照射至所述任一信息层，可使信息信号被记录或再现，其中：
位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的1个信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测状态之间变化，光信息记录媒体具有的配置为：
0≤|Tc-Ta|/Tc≤0.1其中Tc是所述记录层在a状态时所述较近位置的信息层的透射率，和Ta是所述记录层在b状态时的所述同一信息层的透射率。
第二发明是一种具有3个或更多信息层的光信息记录媒体，任何1个信息层由激光光束加以集中照射，可使信息信号被记录或重现，其中：
在多个信息层中，位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的各个信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测状态之间变化，光信息记录媒体具有的配置为：
0≤|Tc-Tmin|/Tc≤0.1和0≤|Tc-Tmax|/Tc≤0.1其中Tc是所述多个信息层的各个记录层在a状态时所述多个信息层的综合透射率；
Tmin是从各个记录层的所述各种状态组合而推导出来的综合透射率的最小值，和
Tmax是从各个记录层的所述各种状态组合而推导出来的综合透射率的最大值。
第三发明是如第一发明所述的光信息记录媒体，其中，进一步具有的配置为：
(Ta+Tc)/2≥0.4
第四发明是如第一或第三发明所述的光信息记录媒体，其中，具有的配置为：
Ac＜Aa和Rc＞Ra，或
Ac＞Aa和Rc＜Ra其中Ac[％]是所述记录层在a状态时位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层的所述记录层的吸收指数，和Aa[％]是所述记录层在b状态时该层的吸收指数，和
Rc[％]是所述记录层在a状态时所述较近信息层的反射率，Ra[％]是所述记录层在b状态时的该层的反射率。
第五发明是如第三发明所述的光信息记录媒体，其中：
位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层至少有第1介质层、相位变化记录层、第2介质层和金属反射层，以及
所述各层从激光光束入射方向内排列的顺序为：所述第1介质层，所述相位变化记录层，所述第2介质层和所述金属反射层。
第六发明是如第五发明所述的光信息记录媒体，其中：
所述激光光束的波长在390nm至430nm范围内，和
所述金属反射层由Ag或以Ag为主要成份的合金组成，具有的配置为：
当tb≤18时，ta≤12
当18＜tb≤22时，ta≤10，和
当22＜tb≤30时，ta≤32-tb
其中ta[nm]是所述相位变化记录层的厚度，tb[nm]是所述金属反射层的厚度。
第七发明是如第三发明所述的光信息记录媒体，其中：
位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层至少具有第1介质层，相位变化记录层，第2介质层，金属反射层和第3介质层，和
所述各层从入射方向内排列的顺序为：所述第1介质层，所述相位变化记录层，所述第2介质层，所述金属反射层和所述第3介质层。
第八发明是如第七发明所述的光信息记录媒体，其中：
所述激光光束波长在390nm至430nm范围内，和
所述金属反射层至少由Ag或以Ag为主要成分的合金组成，具有的配置为：
当tb≤18时，ta≤12
当16＜tb≤18时，ta≤38-tb
当18＜tb≤20时，ta≤10
当20＜tb≤24时，tb≤30-tb和
当24＜ta≤26时，ta≤28-tb
其中ta[nm]是所述相位变化记录层的厚度，tb(nm)是所述金属反射层的厚度。
第九发明是如第五到第八发明所述的光信息记录媒体，其中，具有的配置为：
Ac＜Aa和Rc＞Ra，或
Ac＞Aa和Rc＜Ra其中Ac[％]是当位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层的记录层是结晶时所述相位变化记录层的吸收指数，Aa[％]是当所述记录层是非晶体的时候该层的吸收指数，和
Rc[％]是当所述记录层是结晶的时候所述信息层的反射率，Ra[％]是当所述记录层是非晶体时该层的反射率。
第十发明是一种光测法，其中激光光束集中在具有2个信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射至所述信息层的任一层，可使信息信号被记录或再现，其中：
位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有一记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，任一所述信息层所反射的所述激光光束由光测计所接收，用来测量透射率的变化，该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射所述激光光束的区域是a状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sa表示，其中：
首先，所述激光光束由所述较近位置的信息层来透射，然后，由最远信息层来反射，再由所述较近位置的信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射；
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射所述激光光束的区域是b状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sb表示，其中：
首先，所述激光光束由所述较近位置的信息层来透射，然后，由最远信息层来反射，再由所述较近位置的信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据所述Sa和Sb，推导出所述较近位置的信息层的透射率的变化。
第十一发明是一种光测法，其中激光光束集中在具有3个或更多信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射至所述信息层的任1层，可使信息信号被记录或再现，其中：
位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的多个信息层具有一记录层，该记录层在两种可光检测的状态之间变化，通过光测计接收由所述任一信息层所反射的所述激光光束来测量透射率的变化，
情况a是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围之内，所述多个信息层的综合透射率是最小值，和情况b是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围之内，所述多个信息层的综合透射率是最大值，该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是a情况时，使用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sa来表示，其中，所述激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由比透射光束的信息层更远的预定信息层来反射，再由所述较近的多个信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是b情况时，使用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sb来表示，其中：所述激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由最远信息层来反射，再由所述较近的多个信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据所述Sa和Sb，推导出所述较近的多个信息层的透射率的变化。
第十二发明是一种光测法，其中，激光光束集中在具有2个信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射在所述任一信息层上，可使信息信号被记录或再现，其中：
位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有一记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，光测计接收任一所述信息层反射的所述激光光束，来测量激光光束强度的变化，该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射所述激光光束的区域是a状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sa表示，其中：
首先，所述激光光束由所述较近位置的信息层来透射，然后，由最远信息层来反射，再由所述较近位置的信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射；
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射所述激光光束的区域是b状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sb表示，其中：
首先，所述激光光束由所述较近位置的信息层来透射，然后，由最远信息层来反射，再由所述较近位置的信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据所述Sa和Sb，推导出激光光束的强度的变化。
第十三发明是一种光测法，其中激光光束集中在具有3个或更多信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射至所述信息层的任1层，可使信息信号被记录或再现，其中：
位于比离开所述激光光束入射方最远的信息层较为近的多个信息层具有一记录层，该记录层在两种可光检测的状态之间变化，通过光测计接收由所述任一信息层所反射的所述激光光束来测量激光光束强度的变化，
情况a是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围之内，所述多个信息层的综合透射率是最小值，和
情况b是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围之内，所述多个信息层的综合透射率是最大值，该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是a情况时，使用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sa来表示，其中，所述激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由比透射光束的信息层更远的预定信息层来反射，再由所述较近的多个信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是b情况时，使用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的光强，光强由Sb来表示，其中：所述激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由最远信息层来反射，再由所述较近的多个信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据所述Sa和Sb，推导出激光光束的强度的变化。
通过本发明第十二或十三发明的测量方法，可以容易地获得较近位置信息层的透射率的变化量，而无需测量透射率。
本发明的第二种光测法是以下的第十四发明。
第十四发明是一种光测法，其中，激光光束集中在具有2个信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射在所述任一信息层上，可使信息信号被记录或再现，其中：位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有一记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，光测计接收任一所述信息层反射的所述激光光束，来测量透射率的变化，该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射激光光束的区域是a状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的激光光束的调制幅度，调制幅度由A1表示，其中：激光光束首先由所述较近位置的信息层来透射，然后由记录在最远信息层的所述信息信号来调制，再由所述较近位置的信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射，
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射激光光束的一部分区域或整个区域是b状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的激光光束的调制幅度，调制幅度由A2表示，其中：激光光束首先由所述较近位置的信息层来透射，然后由记录在最远信息层的所述信息信号来调制，再由所述较近位置的信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据A1和A2，推导出所述较近位置的信息层的透射率的变化。
第十五发明是一种光测法，其中，激光光束集中在具有3个或更多信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射至任1个所述信息层，可使信号被记录或再现，其中：位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的多个信息层具有一记录层，该记录层在二种光检测状态之间变化，由光测计接收由所述信息层反射的所述激光光束，来测量透射率的变化，和
情况a是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围内，多个信息层的综合透射率是最小值，和
情况b是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围内，多个信息层的综合透射率是最大值，且该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是情况a时，采用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的调制幅度，调制幅度由A1表示，其中：激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由记录在比透射光束的信息层更远的预定信息层上的所述信息信号来调制，再由所述较近的多个信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是b情况时，采用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的调制幅度，调制幅度由A2表示，其中：激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由记录在最远信息层上的所述信息信号来调制，再由所述较近的多个信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据A1和A2，推导出所述较近位置的信息层的透射率的变化。
第十六发明是一种光测法，其中，激光光束集中在具有2个信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射在所述任一信息层上，可使信息信号被记录或再现，其中：位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有一记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，光测计接收任一所述信息层反射的所述激光光束，来测量激光光束调制幅度的变化，该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射激光光束的区域是a状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的激光光束的调制幅度，调制幅度由A1表示，其中：激光光束首先由所述较近位置的信息层来透射，然后由记录在最远信息层的所述信息信号来调制，再由所述较近位置的信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射，
测量步骤，当所述较近位置的信息层的记录层中透射激光光束的一部分区域或整个区域是b状态时，用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的激光光束的调制幅度，调制幅度由A2表示，其中：激光光束首先由所述较近位置的信息层来透射，然后由记录在最远信息层的所述信息信号来调制，再由所述较近位置的信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据所述A1和A2，推导出激光光束调制幅度的变化。
第十七发明是一种光测法，其中，激光光束集中在具有3个或更多信息层的光信息记录媒体上，激光光束集中照射至任1个所述信息层，可使信号被记录或再现，其中：位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的多个信息层具有一记录层，该记录层在二种光检测状态之间变化，由光测计接收由所述信息层反射的所述激光光束，来测量激光光束调制幅度的变化，和
情况a是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围内，多个信息层的综合透射率是最小值，和
情况b是这种情况，即在从各个记录层的各种状态的组合中推导出来的综合透射率范围内，多个信息层的综合透射率是最大值，且该方法包括以下步骤：
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是情况a时，采用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的调制幅度，调制幅度由A1表示，其中：激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由记录在比透射光束的信息层更远的预定信息层上的所述信息信号来调制，再由所述较近的多个信息层来透射，这样，激光光束从所述光信息记录媒体出射，
测量步骤，当所述较近的多个信息层的记录层的状态组合是b情况时，采用所述光测计测量来自所述光信息记录媒体的所述激光光束的调制幅度，调制幅度由A2表示，其中：激光光束首先由所述较近的多个信息层来透射，然后由记录在最远信息层上的所述信息信号来调制，再由所述较近的多个信息层来透射，这样激光光束从所述光信息记录媒体出射，和
推导步骤，根据所述A1和A2，推导出激光光束调制幅度的变化。
通过本发明第十六或十七发明的测量方法，可以容易地获得较近位置的信息层的透射率变化量，而无需测量透射率。
第十八发明是如第十六或十七发明所述的光测法，其中，
测量调制幅度零电平和上包络之间的差值A1’，来取代激光光束的调制幅度A1，
测量调制幅度零电平和上包络之间的差值A2’，来取代激光光束的调制幅度A2，
根据A1’和A2’，检测激光光束调制幅度的上包络的变化，来取代根据A1和A2检测激光光束调制幅度的变化。
第19发明是如第14发明所述的光测法，其中，当较近信息层的记录层中所述激光光束透射的区域是状态b时，在信息信号记录至最远信息层上后，测量调制幅度A2。
第20发明是如第10、12、14、16或19发明所述的光测法，其中：所述状态a是结晶状态，所述状态b是非结晶状态。
第21发明是如第20发明所述的光测法，其中：当测量所述Sb或A2或A2’时，所述较近位置的信息层的记录层是处在由许多在非结晶状态的记录记号和围绕它们四周的晶体部分所组成的状态中。
第22发明是如第10、12、13、16或19发明所述的光测法，其中，所述状态a是非结晶状态，所述状态b是结晶状态。
第23发明是如第22发明所述的光测法，其中：当测量所述Sb或A2或A2’时，所述较近位置的信息层的记录层是处在由许多在晶体状态的记录记号和围绕它们四周的非晶体部分所组成的状态中。
第24发明是一种光信息记录媒体，其中，它具有下列配置：
0≤|1+(Sb/Sa)1/2|≤0.1α
其中α是当测量用于权利要求10所述光测法的所述Sb时，所述记录记号部分的区域对所述激光光束透射区域之比。
第25发明是一种光信息记录媒体，其中，它具有下列配置：
0≤|1-(A2/A1)1/2|≤0.1α
其中α是当测量用于权利要求10所述光测法的所述Sb时，所述记录记号部分的区域对所述激光光束透射区域之比。
第26发明是一种光信息记录/再现的方法，通过用激光光束照射如第1、3、4、5、6、7、8、9、24或25发明所述的光信息记录媒体而记录或再现信息信号，其中：
通过用来自所述光信息记录媒体一侧的所述激光光束照射2个或更多信息层的1个，记录或重现信息信号。
【附图说明】
图1是实施本发明的第1种实施方式的光信息记录媒体外视图和截面图。
图2是第1实施例的第1信息层截面图。
图3示出第1实施例中C/N的峰值功率关系图。
图4a和4b示出第1实施例中平均透射率和透射比的计算结果。
图5是第2实施例中第1信息层的截面图。
图6a和6b示出第2实施例中平均透射率和透射比的计算结果。
图7示出在第1和第2实施方式中出自第2信息记录层的再现信号的波形。
图8是实施本发明的另1种方式中光信息记录媒体的外视图和截面图。
图9a-9c是本发明实施例中第1种光测法过程的示意图。
图10a-10c是本发明实施例中第2种光测法过程的示意图。
图11a-11c是本发明实施例中第3种光测法过程的示意图。
符号说明
1、光盘
2、第1信息层
3、第2信息层
4、5基板
6、中间层
7、物镜
8、激光光束
9、第1介质层
10、第2介质层
11、记录层
12、反射层
13、第3介质层
【具体实施方式】
本发明参照实施例，以更具体的方式描述如下。
第1实施例
图1和图2是实施本发明的第1种方式的光信息记录媒体的示意图。
图1中光盘1的截面图示于图2。图2示出具有2层信息记录层的光盘和光盘由激光光束照射的状态。光盘1具有位于较近光源的第1信息层2和位于离光源较远的第2信息层3。每个信息层是通过在基板4或5上事先形成纹道或相位凹坑并形成介质层、记录层、反射层之类的薄膜而生产的。基板用紫外线凝固的树脂进行粘合，组成中间层6。
另一种方法也是可以接受的，即在已形成纹道或相位凹坑的基板4上形成了组成第2信息层3的各层以后，形成具有纹道或相位凹坑的中间层6，并在组成第1信息层2的各层形成后与基板5相结合(也称盖板层)。
基板4和5采用玻璃，树脂之类的扁平的透明板。另一种方法是，基板4和5也可通过把树脂溶解于溶剂涂料中，并烘干而形成。
图2是截面图，示出组成图1的较近的信息层的第1信息层的配置实例，从激光光束入射方来观察。
对基板5上的第1介质层9和第2介质层10，氧化物如SiO2，SiO，TiO2，MgO或GeO2，氮化物如，Si3N4，BN或AIN，硫化物如，ZnS或PbS或它们的混合物都可使用。
作为记录层11的记录薄膜材料是一种经历非结晶状态和结晶状态之间相位变化的材料，如SbTe基，InTe基，GeTeSn基，SbSe基，TeSeAu基，TeGeSnSb基或TeGeSb基硫属化合物都可使用。一种Te-TeO2基，Te-TeO2-Au基，TeTeO2-Pd基或一些其他氧化物基的材料也可使用。这些材料的任一种都会引起结晶状态(相等于a状态)和非结晶状态(相等于b状态)之间的相位变化。此材料也和AgZn基或InSb基金属化合物一样引起一种结晶状态(a状态)和另一种非结晶状态(b状态)之间的相位变化。
作为反射层12，金属材料以Au，Ag，Al或Cu或在予定波长上具有高反射率的多层介质薄膜均可使用。
薄膜由这些材料通过真空蒸汽沉淀法或溅射法而形成。
此外，如果利用激光光束可探测作为信息的反射射线的光变化，则第2信息层3可采用任何形式。同样对第1信息层2，它可以是包含相位变化记录层的多层薄膜或具有磁光记录层或染料层的多层薄膜。或它也可以是在基板4中作为相位凹坑进行记录的形式。
本发明关键点在于通过合适地选择所述配置中各层的薄膜厚度，在记录前和记录后(已记录状态和未记录(擦去的)状态)第1信息层2在二种状态中的透射率是相等的，这样，在记录或再现时到达第2信息层的激光光束的光强在任一状态中可保持相等。又，到达第2信息层的激光光束的光强必须足够大，以便记录和再现。顺便举例来说，下面将讨论一种情况，即未记录(已擦去的)的部分处于结晶状态和记录部分处于非结晶状态。
根据组成第1信息层各层的材料的光常数和薄膜厚度，采用已知的矩阵方法可计算出第1信息层2的透射率(矩阵方法陈述于Hiroshi Kubota，HadoKogaku(光波光学)，Iwanami Shoten，1971，第3章)，其通过引用结合于此。
表1的实例示出了本实施例试生产的光盘第1信息层2薄膜厚度的配置，计算出的在非结晶状态(Ta)和结晶状态(Tc)中的透射率，在非结晶状态(Ra)和结晶状态(Rc)中的反射率，在非结晶状态(Aa)和结晶状态(Ac)中的吸收指数，在非结晶状态和结晶状态之间的透射比(Tc-Ta)/Tc，和平均透射率(Ta+Tc)/2。
(表1) 光盘 ta[nm] tb[nm] t1[nm] t2[nm] Rc[％] Ra[％] Tc[％] Ta[％] Ac[％] Aa[％] 透射比 [％] 平均透射率 [％] (1) (2) (3) (4) (5) (6) 6 10 8 14 14 12 6 12 20 10 30 26 45 40 40 22 68 62 12 45 68 40 12 50 6 3 25 15 34 19 0 9 18 23 9 31 48 46 40 32 5 29 47 41 41 28 7 23 42 42 18 - - - 49 41 23 - - - 2 10 -5 13 -41 21 47 44 41 30 6 26
在本实例中，为了使到达第2信息层的激光光束的光强在非结晶状态和结晶状态之间在记录或再现期间是相等的，透射比的绝对值(Tc-Ta)/Tc越小越理想。还希望，使平均透射率(Ta+Tc)/2最大化，以保证有足够的激光光束的光强到达第2信息层上，用于记录和再现。在本实例中，如表1所示，通过改变记录层厚度ta，反射层厚度tb，第1介质层厚度t1和第2介质层厚度t2，可制备第1信息层2的6种不同透射比和平均透射率的光盘。
各光盘由下面方式来生产。基板4采用直径为120mm，厚度为1.1mm的聚碳酸酯板，在此板表面上形成0.25um宽，0.32um间矩和20nm深度的螺旋纹道。在基板4表面上形成第2信息层3，厚度为100nm的AgPaCu反射层(光常数为0.32至2.06i)，厚度为15nm的ZnS-SiO2介质层(光常数为2.25至0.00i)，12nm厚度的GeSbTe的记录层(光常数：结晶状态时1.78至3.51i；非结晶状态时3.31至2.29i)和60nm厚的ZnS-SiO2介质层等接连地形成。
其次，第2信息层3的记录层通过激光光束的照射开始从非结晶状态向结晶状态变化，接着形成中间层6，在此层上转制如基板4的相同的纹道。
作为第1信息层2，形成厚度为tbnm的AgPaCu反射层，相继形成的有厚度为t2nm的ZnS-SiO2的第2介质层，厚度为tanm的GeSbTe的记录层和厚度为t1nm的ZnS-SiO2第1介质层。在这些薄膜形成后，第1信息层2的记录层通过激光光束的照射，通过从非结晶状态向结晶状态变化而被初始化。
最后，由聚碳酸酯组成的基板5使用紫外线凝固的树脂加以粘结。粘合部分和基板5的总厚定为0.1mm。
使用这6种不同的光盘进行记录/再现测试。每种光盘以线性速度5m/S旋转，不论是光盘的信息层2或3均用半导体激光光束来照射，光束波长为405nm，利用物镜收缩至0.85数值孔径(NA)。
作为记录和再现的调制码，使用(8-16)调制，调制信号转为多脉冲以产生半导体激光。3T记号长度被设定为0.20um。
下面将陈述设定记录功率的方法，参照图3。当处在第1信息层2没作记录的状态中，3T周期信号通过变化峰值功率被记录在第2信息层3上，记录后可测得再现信号的C/N。C/N与峰值功率的依赖关系绘于图3，(饱和的C/N-3dB)的峰值功率由Ppth来表示，信息记录用的最佳峰值功率Pps已计算出来，定义为：Pps＝Ppth×1.2。
现已算出最佳偏置功率为如下偏置功率Pbo，通过变化偏置功率，记录3T信号并稍后重写信号11T，而峰值功率保持不变，可给出最高的擦去率。
下面讲述位于较近光源的第1信息层对位于较远的第2信息层的影响。
随机信号记录在第1信息层2的最内园周至最外园周的一半园状区域内。
当利用峰值功率Pps和偏置功率Pbo使3T周期信号记录在第2信息层3上为整整一圈光声道时并再现些信号时，再现信号的幅度波动，与第1信息层2的未记录区和记录区匹配，每次为半圈。这些再现信号包路线的变化量也可测得。第1信息层2的包络线变化率可参考该层未记录区的再现信号的幅度加以计算。使用由A1表示的第1信息层2的未记录区的再现信号幅度和由A2表示的记录区的再现信号幅度，由下列方程式定义包络线的变化率：
变化率＝(A1-A2)/A1
同时也可测出再现信号误差率。
包络线变化率的测量结果和误差率示于表2。
(表2) 光盘 误差率 变化率 [％] (1) (2) (3) (4) (5) (6) 2×10-5 7×10-5 6×10-5 1×10-3 8×10-4 1×10-3 1 5 3 4 8 10
在光盘1至3给出令人满意的误差率，低于一般可接受的误差率的门限1×10-4，而光盘4至6的误差率却不够低。
光盘1至4的包络线变化率是令人满意的，不到5％，但光盘5至6的包络线变化率要比5％大。
当在由二进制化电路和PLL(锁相回路)电路组成的再现信号处理电路中测得每一光盘的第2信息层3所再现的信号时，光盘4至6在二进制化电路运作时是不稳定的，因为它们的包络线波动大，而考虑到光盘4至6的再现信号质量不合适，故在PLL电路运作时，也是不稳定的。
这些结果可认为是下列原因而产生的。可以想象，在光盘1至3中，第1信息层2的记录区的透射率和未记录区的透射率变化很小，根据第1信息层2的记录状态，到达第2信息层3的激光光束的光强变化也小，包络线变化也小，故形成二进制化操作稳定化，和误差率也降低。示于表2的结果揭示光盘1、2、3的优异性，表1还揭示当透射比的绝对值不超过10％，可取得令人满意的误差率或小于1×10-4的比例。
在光盘4至6中，当第1信息2的平均透射率是低的，则在第2信息层3记录和再现信息的期间，到达此信息层的激光光束的光强就较小，毫无疑问，就造成再现信号质量恶化和较高误差率的结果。示于表2的结果揭示光盘4、5、6的缺陷，接着表1还揭示误差率也不够好，当平均透射率小于40％，其误差率超过1×10-4。
从这些发现来看，众所周知，因为光盘1至3的第1信息层的透射比(Tc-Ta)/Tc的绝对值降低至10％或更低些，和第一信息层2的平均透射率(Ta+Tc)/2提高至40％或更多些，这样，信息才能满意地记录或再现在第2信息层3上。
在图2所示的配置中，对于要使平均透射率(Ta+Tc)/2提高至40％或更高些，又使透射比(Tc-Ta)/Tc降低至10％或更低些的薄膜厚度条件要通过计算加以检查。图4a，4b示意图绘出了平均透射率(Ta+Tc)/2的变化和透射比(Tc-Ta)/Tc的变化，举例来说，记录层厚度ta设定为10nm，反射层厚度tb设定为10nm，第1介质层的薄膜厚度t1和第2介质层的薄膜厚度t2是变化的。在图4中，激光光束波长设定为405nm，以激光光束的波长(λ)为基准，指出了下面介质薄膜厚度和下面介质薄膜厚度的光长度。
如果能给出如图4a中平均透射率(Ta+Tc)/2为40％或更多些的介质薄膜厚度，和能给出图4b中透射比(Tc-Ta)/Tc的绝对值为10％或更少些的介质层薄膜厚度，这二种介质层薄膜厚度可做得互相兼容的话，则这些薄膜厚度的记录层和反射层组合可使第1信息层2配置得以致有可能令人满意地记录和重现信息于第2信息层3上。
表3示出，当记录层厚度ta从2至32nm间改变，以及反射层厚度tb从2至36nm间改变时，无论第1信息层是否有潜力保持平均透射率(Ta+Tc)/2在40％或更高些，透射比(Tc-Ta)/Tc的绝对值为10％或低些是可以配置的。
在此表中，记号○指出适当的薄膜厚度ta和tb能保持平均透射率在40％或更高些，和透射比的绝对值为10％或更低些。又，此外，X记号说明，不论ta和tb选择如何，不可能保持平均透射率在40％或更高些和透射比的绝对值为10％或更低些。换句话说，在图4a，b中没有任何区会有平均透射率在40％至50％，透射比的绝对值为-10至+10％。
如果参照图4a和4b，对各个记录层和反射层的组合进行计算，并利用介质层薄膜厚度的变化，人们可以找到平均透射率和透射比相兼容的一个点，这就可以考虑为，满足条件的第1信息层2可加以配置了。
(表3) ta[nm]2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32tb[nm] 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ × × × × × × × × × × × × ×○ ○ × × × × × × × × × × × × × ×○ × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×
此表揭示满足下列条件的薄膜厚度可提供一种配置，即具有一潜力来满足平均透射率为40％或更高些和透射比的绝对值为10％或更小些的要求。
当tb≤18时，ta＜12
当18＜tb≤22时，ta≤10，和
当22＜tb≤30时，ta≤32
表3还示出，通过一种记录层和反射层都较薄时的配置，可以取得一种符合所述条件的平均透射率和透射比的配置。这就是说，第1信息层2中的光吸收层主要是记录层和反射层。再进一步解释为，因为从光源一方来观察，记录层比反射层近，记录层的吸收指数就大于反射层的吸收指数，记录层薄膜厚度的提高要比反射层薄膜厚度的提高对透射率的影响更大。
当对光盘1和3就记录层在非结晶状态的吸收指数Aa值和记录层在结晶状态的吸收指数Ac值进行计算时，结果为Aa＞Ac。这是因为，由于光盘1和3的反射率设定为Ra＜Rc所致，为了降低透射比的绝对值(即，基本上Tc和Ta相等)，通过对记录层的吸收指数给予一定关系Aa＞Ac(≤100％-反射率-透射率)，可更容易地得出一种配置。相反地，如在光盘2情况中，反射率成为Ra＞Rc，通过对记录层吸收指数给予一定关系Aa＜Ac，就可容易地获得能满足所述要求的配置。由于Aa和Ac的相对幅度随着组成信息层的各个薄膜的光常数和厚度而变化，如果记录薄膜在非结晶状态时的光常数定为na-ika，而在结晶状态时的光常数为nc-ika，而令记录薄膜的吸收指数为Aa＞Ac，反射率为Ra＜Rc时，就可容易地获得一种Tc和Ta基本上相等的配置，其中na+ka＜nc+kc。
相反，其中na+ka＞nc+kc
通过让Aa＜Ac作为记录薄膜的吸收指数，和Ra＞R作为反射率，可更容易地取得一种Tc和Ta基本上相等的配置。
顺便说说，当段号为0037中描述的实施例的记录层具有关系为na+ka＜nc+kc，通过Aa＞Ac作为记录层薄膜的吸收指数，Ra＜Rc作为反射率，就可更容易获得Tc和Ta基本上相等的配置。
综上所述，不论光常数如何，较理想的是，在非结晶状态中与Ra和Rc相对幅度相匹配的相对幅度Ta和Tc和在结晶状态中与Ra和Rc相对幅度相匹配的相对幅度Ta和Tc是不同的。
就上所述，在本实施例的光信息记录媒体中。通过为第1信息层2降低透射比(Tc-Ta)/Tc的绝对值为10％或更少些，提高平均透射率(Ta+Tc)/2为40％或更多些，就能使激光光束具有足够的光强到达第2信息层3，信息可精确地记录下来，不管在第1信息层2上有否记录信息。
图5是截面图，示出第1信息层2的配置实例，从激光光束入射方来观察的话，此信息层成为图1中较近的信息层。这种方式不同于第1实施例，不同方面是在反射层12上设有第3介质层13。图6绘出了平均透射率(Ta+Tc)/2和透射比(Tc-Ta)/Tc的变化，其中记录层厚度设定为10nm，反射层厚度设定为10nm，第3介质层厚度设定为10nm，第1介质层薄膜厚度和第2介质层的薄膜厚度是可变的。把图6与图4相比，虽然记录层已扩大了透射比(Tc-Ta)/Tc的绝对值为10％或更小些的区域。又，如果第3介质层厚度选择得合适，则有可能提高平均透射率。这样就提高了第1信息层2配置的自由度。
表4示出本实施例试生产的光盘的第1信息层2的厚度配置例子，计算3在非结结晶状态的透射率(Ta)和在结晶状态的透射率(Tc)，在非结晶状态的反射率(Ra)和在结晶状态的反射率(Rc)，非结晶状态(Aa)和结晶状态(Ac)的吸收率，在非结晶状态和结晶状态之间的透射比(Tc-Ta)/Tc和平均透射率(Ta+Tc)/2。
(表4) 光盘 ta[nm] tb[nm] t1[nm] t2[nm] t3[nm] Rc[％] Ra[％] Tc[％] Ta[％] Ac[％] Aa[％] 透射比 [％] 平均透射率 [％] (7) (8) (9) (10) (11) (12) 8 6 5 6 10 8 10 8 10 26 30 28 40 68 62 50 34 68 22 12 28 59 68 50 30 10 50 50 70 70 7 15 12 21 27 13 0 5 2 28 35 31 41 44 41 45 33 29 40 46 42 38 36 21 47 35 42 - - - 56 44 53 - - - 2 -4 -3 15 -10 28 41 45 42 41 34 25
在此实例中，如表4所示，通过改变记录层厚度ta，反射层厚度tb，第1介质层厚度t1，第2介质层厚度t2和第3介质层厚度t3来制备第1信息层2的不同的透射比和平均透射率的光盘。
以与第1实例的同样方法制备这些光盘，但与第1实例在下列方面有所不同。作为第1信息层2，由下列各层陆续形成：ZnS-SiO2第3介质层为t3nm，AgPaCu反射层为tb nm，ZnS-SiO2第2介质层为t2 nm，GeSbTe记录层为ta nm和ZnS-SiO2第1介质层为t1 nm。
然后，使用图3所示的6种不同光盘进行记录/再现测试。如在第1实例中，每1光盘以5m/s线性速度旋转，不论光盘的信息层2或3都由半导体激光光束加以照射，光束波长为405nm，利用数值孔径为0.85的物镜进行缩小。
包络线变化率和误差率的测量结果示于表5。
(表5) 光盘 误差率 变化率 [％] (7) (8) (9) (10) (11) (12) 6×10-5 3×10-5 6×10-5 1×10-3 5×10-4 4×10-3 1 2 2 8 5 14
光盘7至10给出令人满意的误差率，误差率低于一般所接受的门限1×10-4，光盘10至12的误差率不够低。光盘7至9和11的包络线变化率是满意的，不大于5％，但光盘10至12的误差率大于5％。
当在由二进制化电路，PLL电路组成的再现信号处理电路中测量从各光盘的第2信息层所重现的信号时，光盘11，12在二进制化电路运作中不稳定，因为它们的包络线波动大，说明误差率较高。光盘10至12在PLL电路运作中也不稳定，这是由于误差率提高而招致再现信号的质量欠缺所造成的。
示于图4，图5的结果揭示，当透射比的绝对值不大于10％和平均透射率不小于40％时，可获得足够低的误差率。
从这些发现来看，大家知道，因为光盘7至9的第1信息层2的平均透射率(Ta+Tc)/2提高至40％或更多些，而透射比(Tc-Ta)/Tc的绝对值又了降低至10％或更低些，所以信息可以满意地记录在第2信息层3，或从该层满意地再现出来。
又，在图5所示的配置中，能使平均透射率(Ta+Tc)/2上升到40％或更多些和使透射比(Tc-Ta)/Tc绝对值下降至10％或更低些的薄膜厚度条件是由详细计算来检查的。
表6示出，当记录层薄膜厚度ta在2至32nm中变化，以及反射层薄膜厚度tb在2至36nm中变化时，无论第1信息层2是否有潜力来保持平均透射率(Ta+Tc)/2在40％或更高些，透射比的绝对值(Tc-Ta)/Tc在10％或更低些是可在配置。图7示出记录层薄膜厚度和反射层薄膜厚度同样变化时的情况，第3介质层薄膜厚度设定为30nm，表8是厚度为50nm的情况，表9为厚度为70nm的另一种情况。
(表6) t3＝10[nm] ta[nm]2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32tb[nm] 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ × × × × × × × × × × × × ×○ × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×
(表7) t3＝30[nm] ta[nm]2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32tb[nm] 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ × × × × × × × × × × × × ×○ × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×
(表8) t3＝50[nm] ta[nm]2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32tb[nm] 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ × × × × × × × × × × × × ×○ ○ × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×
(表9) t3＝70[nm] ta[nm]2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32tb[nm] 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ ○ × × × × × × × × × × × ×○ ○ ○ × × × × × × × × × × × × ×○ × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × ×
这些表揭示，如果记录层做成ta[nm]厚度，金属反射层做成tb[nm]厚度，和第3介质层的薄膜厚度在10和70nm之间，则满足下述条件的薄膜厚度就能提供符合所述要求的平均透射率和透射比的配置。
当tb≤18时，tb＜12
当16＜ta≤18时，ta≤38-ta
当18＜ta≤20时，ta≤10
当20＜ta≤24时，ta≤30-ta和
当24，ta≤26时，ta≤28-ta
从表6至表9可以看出，利用一种记录层和反射层都为较薄的配置，可获得平均透射率和透射比符合所述要求的一种配置。这说明第1信息层2中具有光吸收层作用的主要是记录层和反射层。
对光盘7至9进行记录层在非结晶状态时吸收指数值Aa和记录层在结晶状态时吸收指数值Ac的计算，结果是Aa＞Ac。这是因为由于光盘7至9的反射率设定为Ra＜Rc，为了降低透射比的绝对值(即，基本上Tc和Ta相等)，通过给记录层的吸收指数一种关系Aa＞Ac，就可更容易地得到一种配置(≤100％-反射率-透射率)。
如上所述，如果该实施例中的光信息记录媒体被配置成将透射比(Tc-Ta)/Tc的绝对值减小到10％或更低，并将平均透射率(Ta+Tc)/2提高到40％或更高，则足够的激光光束的光强可到达第二信息层3，且信息可精确地记录或再现，不管信息是否记录在第一信息层2中。
最后，由于所述透射率Ta和Tc一般由光学仪器如分光仪来测得，故通过利用对第2信息层由信息再现的激光光束照射所获得的再现信号，就可方便地测量Tc和Ta之间的差别。如图7所示。参照附图，再现说明此类光测法。
图9是本发明第一光测法的示意图，图9上面部分组成激光光束如何照射至各信息层的示意图，下面部分是从由第2信息层反射的激光光束中所取得的再现信号波形图。
(步骤1)
首先，在第1信息层没有东西被记录的状态中，如图9上面部分所示，进行激光光束照射，聚焦于第2信息层。较理想的是，照射位置在此过程中应设定在“静止”的状态，如转满一圈后，又返回至原来位置，因为，这样的话，与下一步的测量结果进行比较就方便了。使用光测计把反射的光强转换为电流或电压，以便再现信号之类，可观察到基本是直流再现波形，如图9a下面部分所示。虽然实际的波形有些不平整，这是光盘反射率之类引起的波动，当在时间上加以平均，它可认为是直流波形。当光盘离开激光光束的光通路时，此图纵轴上零电平表示光测计输出。因此，示于图中的电平Sa表示处在第1信息层没有东西记录的状态时反射的光强。
(步骤2)
其次，随机信号或单调信号记录在紧接着在步骤1测量sa位置下面的第1信息层的位置上，如图9b上面部分所示。当激光光束聚焦在第2信息层上时，规定的记录范围包括激光通过第1信息层的整个区域。如果激光光束波长为405nm，物镜的NA是0.85，中间层厚度为30nm，中间层反射率为1.60，则第1信息层的激光光束直径约为37.6nm。利用此直径和考虑到第1和第2信息层之间的偏心度，要求的记录范围可能是200nm左右。
(步骤3)
最后，进行激光光束照射，通过已有随机信号或单调信号记录的第1信息层，聚焦在第2信息层上，如图9c的上面部分。较理想的是，为了更精确地测量，照射位置随后应与步骤1时测量的踪迹相重叠。观察到的反射的光强基本上是直流再现波形，如图9c下面部分所示。示于图中的电Sb表示第1信息层中记录的反射的光强。此图示出一种情况，即透射率在记录状态中要低于在未记录的状态中。
(步骤4)
根据Sa和Sb，通过下列计算就可算出第1信息层在未记录状态和在记录状态之间的透射率的差异。其中α是记录记号的面积与激光光束在第1信息层部分上的激光光束的整个截面积之比，记录的第1信息层的等效的透射率Ta’是：
Ta’＝(1-α)Tc+αTa＝Tc-α(Tc-Ta)
因为未记录的第1信息层的透射率保持为Tc，根据Sa和Sb的测量，激光光束由第1信息层透射2次。下面方程式成立：
Sb/Sa＝(Ta’/Tc)2
这二个方程式说明所述的透射比可由下式获得：
(Tc-Ta)/Tc＝(1-(Sb/Sa)1/2/α…方程式(1)
其中α值通常约为0.25，但它会根据包括记录功率的记录条件而变化。
通过步骤1至步骤4，可方便测得第1信息在未记录状态中和在已记录状态中的透射率的变化，不需要使用专用的测量仪表。
图10是示意图，示出第2光测法的过程，在图中，上面部分为示出激光光束如何照射至各信息层的示意截面，下面部分是从由第2信息层所反射的激光光束中取得的再现信号的波形图。
(步骤1)
首先，在第1信息层没有东西记录的情况下，如图10a上面所示，进行激光光束照射，聚焦在第2信息层上，随机信号和单调信号记录在第2信息层的预先确定的轨迹上。然后，利用再现级别的激光光束照射至记录于该轨迹的信号上，通过光测计之类仪表，转换为电流或电压，观察具有固定幅度的包络线波形，如图10a下面部分所示。示于图中的幅度A1表示在第1信息层没有东西记录状态时的再现信号幅度。
(步骤2)
其次，随机信号和单调信号记录在紧接于在步骤1测量A1的位置的下面的第1信息层的位置上，如图10b上面部分所示。记录范围与按照第1光测法的范围相同。
(步骤3)
最后，进行激光光束照射，通过记录过随机信号的第1信息层，聚焦在第2信息层上，如图10c上面部分所示。使照射的位置与步骤1测量的轨迹相重迭。观察到作为再现信号的，具有固定幅度的包络线波形，如图10c下面部分所示。图中示出的幅度A2表示在第1信息层的记录状态中的再现信号幅度。此图也示出第1信息层在记录状态中的透射率要比在未记录状态中的低。
(步骤4)
根据第1光测法所示的计算中，以A1代替Sa，以A2代替Sb，可计算出第1信息层的未记录状态和记录状态之间的透射比(Tc-Ta)/Tc。
通过步骤1至步骤4，可方便地测得第1信息层在未记录状态中和已记录状态中的透射率的变化，不需要使用特定的测量仪表。同时，因为参照图10所描述的方法使用再现幅度A1和A2来与反射的光强级进行比较，即使来自第1信息层的部分反射光束散射并入射至光测计上，当测量幅度时，因为散射光是可取消的，所以能测得精度较高的透射率的差异。另一方面，通过参照图9所述的方法，如果光测计量值足够小，如散射光强被抑制至总的入射光强的2％左右，则测得的透射率差异的容差将抑止在2/100，这样可使测量精度足够精确。
对于本发明的第二光测法，如图11所述，第一信息层记录状态和未记录状态之间的透射比(|Tc-Ta|/Tc)可用这种方式获得，其中检测调制幅度零电平和上包络之间的差值A1’和A2’，并且在第一光测法所述的计算中，Sa用A1’替代，Sb用A1’替代。
通过所述的光测法，通过方程式1可方便地算出透射比。因为理想的第1信息层的透射比为10％或更小些，如果使用方程式1，通过第1光测法满足下列要求，就可获得满意的Sa和Sb：
0≤|1-(Sb/Sa)1/2|≤0.1α或采用第2光测法满足下列要求，也可取得满意的A1和A2：
0≤|1-(A2/A1)1/2|≤0.1α
此外，在上述模式的媒体中，虽然第一信息层2可配置为图2所示的4层，或图5所示的5层，但也能使用一种在这些多层中相粼对之间没有交接层的多层结构配置，如果这种结构能满足有关透射比和/或平均透射率等所述条件，则也可行。除了图2和图5的配置外，一些不设反射层的配置也可应用。个别层的材料也不限于这些实施方式中所采用的材料。
在所述方式的实施中，每个光盘有2个信息层，若每个光盘有3个或更多信息层，这也可接受的，如图8所示，但要使比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层能满足有关透射比的所述要求。
综合透射率是各信息层透射率的积。根据各个信息层的记录的和未记录的状态的组合，存在一个其综合透射率处于最小值的状态(此透射率由Tmin表示)，和其综合透射率处于最大值的状态(此透射率由Tmax表示)。与2个信息层的情况相似，为了减少激光光束光强在到达比其他多个信息层较为远的1个信息层时的变化，配置应为：
0 ≤|Tc-Tmin|/Tc≤0.1和0.1≤|Tc-Tmax|/Tc≤0.1
其中Tc是多个信息层的每个信息层都在未记录状态时的综合透射率。
在这情况下，因为所有较近位置的信息层没有必要保持平均透射率为40％或更高些，所以必须提高再现电路的信噪比(S/N)，保证足够的信号质量。
在所述光测法中，被检测的媒体可以是3层或更多信息层。在此情况下，通过分别检测情况a和情况b各自的反射量，就可检测出较近的多层信层的透射率的最大变化。这儿情况a是指位于比离开激光光束入射方最远信息层较为近的多个信息层综合透射率取最小值。情况b是指位于比离开激光光束入射方最远信息层较为近的多个信息层综合透射率取最大值。
并且，在上述光测法中，在步骤4中根据测出的Sa(或A1、A1’)和Sb(或A2、A2’)计算透射比。另外，提高检测这些测出值的变化，较近位置的信息层的透射率的变化也可以容易地获得，而无需测量透射比。
例如，作为表示信号变化的参数，定义(Sa-Sb)/Sa或(A1-A2)/A1或(A1’-A2’)/A1’。通过获得这些参数，较近信息层对最远信息层上再现信号质量的影响被消除，且无需获得透射比(Tc-TA)/Tc。然后，较近信息层的透射率变化可容易地判断。
在实际测量条件下，由于盘片反射率的不均衡等因素，Sa(或A1、A1’)和Sb(或A2、A2’)会变化，然而较近信息层的透射率变化对参数的变化影响最大。
因此，即使通过记录较近信息层上的本地信号，测量最远信息层的反射光束变化量并检测最大值Sa和最小值Sb来获得上述参数，也不影响判断较近信息层的透射率变化。对于调制幅度A1、A1’、A2、A2’，也是一样。
又，可用于上这实施方式中的调制系统和记录密度不限于所述的方式，但不用说，对媒体本身或记录/再现装置，它能取任何合适的形式。
就上所述，本发明中的光信息记录媒体能使足够的激光光束的光强到达较远的里面的信息层，并能精确地记录在较远的信息层上，或从该层再现出来，不论在较近的信息层上是否已记录任何信息。
又，本发明的光测法能在记录或未记录的情况下容易地检测较近信息层的透射率变化。