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同步整流管的新型自驱动电路.pdf

  • 上传人:a2
  • 文档编号:1153701
  • 上传时间:2018-04-02
  • 格式:PDF
  • 页数:8
  • 大小:226.72KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN00123488.9

    申请日:

    2000.08.17

    公开号:

    CN1339866A

    公开日:

    2002.03.13

    当前法律状态:

    终止

    有效性:

    无权

    法律详情:

    未缴年费专利权终止IPC(主分类):H02M 3/335申请日:20000817授权公告日:20040331终止日期:20130817|||授权|||公开|||实质审查的生效申请日:2000.8.17

    IPC分类号:

    H02M3/335

    主分类号:

    H02M3/335

    申请人:

    伊博电源(杭州)有限公司;

    发明人:

    华桂潮

    地址:

    310053浙江省杭州市滨江区之江科技园2号路高新软件园3号楼3楼

    优先权:

    专利代理机构:

    浙江省专利事务所

    代理人:

    沈孝敬

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    内容摘要

    本发明涉及一种同步整流管的新型自驱动电路。所述电路包括不对称半桥的主功率MOSFETS1、S2,变压器Tr,同步整流管S3、S4。该发明的主要特点在于所述自驱动电路还包括一个驱动绕组、两个二极管、两个稳压管,该发明所涉及的电路极大地改善了同步整流管的自驱动性能。该发明的另外优点是:结构相对简单、成本比较低、工作非常稳定、可靠性很高。

    权利要求书

    1: 一种同步整流管的新型自驱动电路,所述电路包括不对称半桥的主功率 MOSFET S 1 、S 2 ,变压器T r ,同步整流管S 3 、S 4 ;其特征在于:所述自驱动 电路还包括:一个驱动绕组N a 、二个二极管D 1 和D 2 、二个稳压管ZD 1 和ZD 2 。
    2: 根据权利要求1所述的新型自驱动电路,其特征在于:所述同步整流管 S 3 、S 4 的门极电压分别为: V gs 3 = Na Np DV in ]]> Vgs 4 = Na Np ( 1 - D ) V in ]]> 调整所述驱动绕组N a 的匝数使同步整流管在电源输出电压低于3V或高于 6V时均能获得正常工作的驱动电压。
    3: 根据权利要求1所述的新型自驱动电路,其特征在于:所述二极管D 1 和 稳压管ZD 2 的作用是:当同步整流管S 3 导通时,二极管D 1 和稳压管ZD 2 将同步 整流管S 4 的门极电压钳位于零电压;当同步整流管S 4 导通时,二极管D 2 和稳 压管ZD 1 将同步整流管S 3 的门极电压钳位于零电压;ZD 1 和ZD 2 抑制门极电压, 保护门极正常工作,D 1 和D 2 使S 3 、S 4 不同时导通。

    说明书


    同步整流管的新型自驱动电路

        一种同步整流管的新型自驱动电路,属于电源领域。特别是指集成电路的电源。采用肖特基二极管作为输出整流二极管的低电压输出(如4-5V)的DC-DC开关电源,由于其正向压降约为0.4-0.6V,在低电压大电流输出时,输出二极管上的导通损耗太大。由于低电压功率MOSFET的导通电阻很小,80年代初即陆续将其应用于低压输出的DC-DC开关电源,称为同步整流管(Synchronous Rectifier)。

        同步整流管的驱动方式有外驱动(Externally-driven)和自驱动(Self-driven)两种。由于自驱动电路结构相对简单、成本低且可靠性高,因此在小功率DC-DC变换器中同步整流管的驱动电路通常采用自驱动方式。图1(A)给出了一种不对称半桥电路中常用的自驱动电路,图1(B)则是电路中各点主要的波形。其中,Vgs1、Vgs2为不对称半桥的主功率MOSFET的门极电压波形,Vp为变压器原边电压波形,Vgs3、Vgs4为同步整流管的门极电压波形。虽然这种自驱动电路十分简单,但它只适合于输出电压为3V到6V。根据图1,可得同步整流管S3和S4的门极电压为;Vgs3=2NsNpDVin=2NDVin=Vo1-D..........(1)]]>Vgs4=2NsNp(1-D)Vin=2(1-D)NVin=VoD...........(2)]]>

        其中,Vin为输入电压、Vo为输出电压、D为稳态工作的占空比、N为变压器原边到副边的匝比(以下同)。

        如果假设电路在满载时,稳态占空比为30%,则Vgs3大约为1.4Vo2而Vgs4大约为3.3Vo。因为大多数同步整流管的门极驱动电压为4V到20V之间,因此,只有当输出电压在2.9V到6V时电路才能正常工作。因为当输出电压低于2.9V时,同步整流管S3无法驱动,而当输出电压大于6V时,同步整流管S4会因为门极电压过高而损坏。

        本发明的目的在于提供一种使同步整流管在电源输出电压更低(例如低于2.9V)或更高(例如高于6V)时都能获得正常工作的驱动电压的新型的自驱动电路。

        本发明地目的是通过下述技术方案实现的:在该发明中,所述电路包括不对称半桥的主功率MOSFET S1、S2,变压器Tr,同步整流管S3、S4;其特点在于:所述驱动电路还包括:一个驱动绕组Na、二个二极管D1和D2、二个稳压管ZD1和ZD2。所述同步整流管S3、S4的门极电压分别为:Vgs3=NaNpDVin]]>Vgs4=NaNp(1-D)Vin]]>

        调整所述驱动绕组Na的匝数使同步整流管在电源输出电压低于3V或高于6V时均能获得正常工作的驱动电压。所述二极管D1和稳压管ZD2的作用是:当同步整流管S3导通时,二极管D1和稳压管ZD2将同步整流管S4的门极电压钳位于零电压;当同步整流管S4导通时,二极管D2和稳压管ZD1将同步整流管S3的门极电压钳位于零电压;ZD1和ZD2抑制门极电压,保护门极正常工作,D1和D2使S3、S4不同时导通。下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。其中:

        图1(A)为不对称半桥电路中常用的自驱动电路。

        图1(B)为图1(A)中各点的主要波形(D50%)。

        图2(A)为改进后的不对称半桥电路的自驱动电路。

        图2(B)为图2(A)中各点的主要波形。

        图3为对称半桥电路的自驱动电路。

        图4为正激电路的自驱动电路。

        图5为全桥电路的自驱动电路。图1为现有技术,在前面已经说明。我们可以清楚地看到,本发明在同步整流管的自驱动电路中加入如图2(A)所示一个驱动绕组Na、两个二极管D1和D2、两个稳压管ZD1和ZD2。从而极大地改善了同步整流管的自驱动性能,图2(B)则是电路中各点主要的波形,其中Vgs1、Vgs2为不对称半桥的主功率MOSFET的门极电压波形,Vp为变压器原边电压波形,Vna为驱动绕组上的电压波形,Vgs3,Vgs4为同步整流管的门极电压波形。

        由图2可得:Vgs3=NaNpDVin..........(3)]]>Vgs4=NaNp(1-D)Vin.................(4)]]>

        将(3)式、(4)式与(1)式、(2)式比较可知,当输入电压Vin、稳态工作的占空比D及变压器的原、副边的匝数(Np、Ns)一定时,改进后的同步整流管的驱动电压仍能通过调整驱动绕组Na的匝数,使同步整流管在电源输出电压低于3V或高于6V时都能获得正常工作的驱动电压。当同步整流管S3导通时,二极管D1和稳压管ZD2将同步整流管S4的门极电压钳位于零电压。从而保证在同步整流管S4可靠关断的同时又不增加其门极的驱动损耗。二极管D2和稳压管ZD1对同步整流管S3的作用也是如此。当同步整流管S3(S4)导通时,稳压管ZD1、ZD2对门极的过电压有抑制作用,从而保护门极,使其正常工作;而D1、D2则确保S3、S4不出现同时导通现象。

        该自驱动电路不仅可以用于不对称半桥电路,还可以应用于对称半桥电路(如图3),其中包括占空比接近50%的零电压型半桥电路、正激电路(如图4)、全桥电路(如图5)。总之,该电路的结构相对比较简单、成本也比较低,但可靠性高,很好地解决了现有技术的不足,应用范围也相当广。

    关 键  词:
    同步 整流管 新型 驱动 电路
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