发明内容：
本发明是考虑了传统方法中存在的问题，而开发出来的一种SOI
晶片的制造方法，本发明的目的在于提供一种制造工艺，以便在不需
要高温热处理的条件下，提高物理性能和表面粗糙度的均匀性。
考虑了上述存在的问题而开发出来的，有关SOI晶片制造方法，
其特点在于设有如下的各个工艺。即：
工艺(100)，是准备工艺，在该工艺中要备好具有设计厚度的硅晶
片(SW)；
工艺(110)，在该工艺中，要在硅晶片(SW)表面上利用ALE工
艺或ALCVD，ALD，ASCVD，ALVCD等的工艺形成绝缘层；
工艺(120)，把形成有绝缘膜层的硅晶片(SW)和另一个硅晶片
(SW2)用多种方法进行粘接；
工艺(130)，在该工艺中，将对粘接的硅晶片(SW，SW2)以多种
方法进行切削加工；
工艺(140)，在该工艺中，将对切削加工的硅晶片粘接体(SW，SW2)
表面进行抛光。
本发明的有益效果是，利用上述工艺的SOI晶片制造方法，由于
利用氧化铝Al2O3、二氧化钛TiO2、氧化钽Ta2O3等来代替二氧化硅SiO2，
因而可以在低1/3的加工温度下进行加工，不但可以节俭向工艺投入的
费用，而且还能使物理特性的变化也很小。另外，本发明的SOI晶片
制造方法，同传统的二氧化硅相比，对漏电具有1000倍以上的绝缘性
能，因而具有提高电气性能和加工性能的优点。补充说明的一点是，
由于器件的破坏电压提高的很高，因而不但能增长寿命，还由于能以
原子层厚度为单位来进行厚度调整，又能去提高适应器件特性的设计
要求。
附图说明：
下面参照附图，就本发明SOI晶片制造方法的基本构成概念和方
法进行详细说明。
图1是按本发明提出的SOI晶片的制造方法制造的晶片，依次按制
造工艺示出的侧视图。
图2是按本发明提出的SOI晶片的制造方法制造出的晶片部分侧视
图。
图3是用来说明本发明提出的SOI晶片的制造方法的工艺流程图。
图4是示出传统的用来形成二氧化硅(SiO2)绝缘层的工艺一例。
图面主要部分的符号说明
SW、SW2：硅单晶片
AL：氧化铝绝缘层
具体实施方式：
图1是对按本发明提出的SOI晶片制造方法来制造的晶片，依次按
制造工艺示出的一个侧视图；图2是按本发明提出的SOI晶片的制造方
法制造出的晶片部分侧视图；图3是用来说明本发明提出的SOI晶片制
造方法的工艺流程图；图4是示出一例用传统的方法形成二氧化硅绝缘
层的工艺。本发明的SOI晶片制造方法，基本上不利用传统的绝缘膜成
分二氧化硅(SiO2)，而是去利用一种在后道工艺中，适应性和加工性
都良好的氧化铝(Al2O3)系列，二氧化钛(TiO2)系列，氧化钽(Ta2O3)
系列，使其能去适应多种切削方法和粘接方法。
另外就本发明的构成来说，它能去适应Smart Cut方法之外，还
能去适应BE，SIMOX等的多种加工方法。
本发明将利用氧化铝(Al2O3)来代替传统的用CVD方法形成的氧
化绝缘膜二氧化硅(SiO2)。其氧化方式也跟传统的方法不同，特点就
是采用ALE等的晶体生长方式。
氧化铝(Al2O3)由于其延展性好，容易薄膜化；另外，化学反应
性强，容易形成氧化膜，因而耐腐蚀性能特别好。
另外，电气性能也良好，热传导率和电导率分别约为二氧化硅的
1/2和12/3。
本发明中提到的另外的绝缘膜材料有二氧化钛(TiO2)和氧化钽
(Ta2O3)；它们的物理性能几乎同氧化铝相同或者更好。
同ALE方式一样，能被利用的方式有ALCVD方法。该方法是能以原
子层的厚度来调节薄膜化的一种工艺，被认为是利用原子层的化学吸
附和排斥来蒸敷薄膜的一种方法。
除此之外，还有ALD，ASCVD，ALVCD等方法。
尤其ALE最佳。该方法的优点在于能利用欲想蒸敷的原料，去依
次注入含有原料的化合物，并在欲想蒸敷的衬底上，诱导出表面饱和
反应，借以在大面积上形成极为精细的杂质膜层；另外，还能精密地
去控制膜层的厚度。
利用本发明的SOI晶片制造方法，来形成的Al2O3绝缘膜层，可在
比形成SiO2所需的1000℃要低的700℃温度下，形成并结晶；现已判
明，如此形成的绝缘膜层同二氧化硅(SiO2)结构相比，它在厚度处的
漏电流要低1000倍以上。
另外，因氧化铝(Al2O3)自身的耐蚀性，器件的破坏电压变得很
高，进而寿命变长；形成的膜厚能以原子层的水平加以调整，因而能
去提供一种易于调整器件特性的SOI晶片。
下面详细地去说明本发明的实例。在这里，它只是个实例而已；
本发明的目的和思想是可以用变相的方法和用复合工艺来构成；这些
构成，当然都将包括在本发明的技术范围之内。
[实例]
工艺(100)：备好具有设计厚度的硅晶片(SW)。
工艺(110)：在备好的硅晶片(SW)上，利用ALE工艺或ALCVD，
ALD，ASCVD等工艺，去形成氧化铝绝缘膜层(Al2O3)(AL)。
工艺(120)：将把形成有氧化铝绝缘层(Al2O3)(AL)的硅晶片
SW和另一硅晶片SW2，以单面去粘接或用其他方法进行粘接。
工艺(130)：将把粘接好的硅晶片(SW，SW2)，用Smart Cut等
多种方法进行切削加工。(130)
工艺(140)：将对切削加工好的硅晶片(SW，SW2)粘接体的表面
进行抛光，使其表面光滑。
工艺(150)：将获一个能投放到后道光掩膜、蚀刻等工艺所需的
硅晶片(SW，SW2)成品。