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嵌入式晶圆级接合方法.pdf

  • 上传人:r7
  • 文档编号:1116069
  • 上传时间:2018-04-01
  • 格式:PDF
  • 页数:16
  • 大小:651.49KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201110166151.0

    申请日:

    2011.06.15

    公开号:

    CN102347251A

    公开日:

    2012.02.08

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情:

    授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/60申请日:20110615|||公开

    IPC分类号:

    H01L21/60; H01L21/50

    主分类号:

    H01L21/60

    申请人:

    台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人:

    余振华; 林俊成

    地址:

    中国台湾新竹

    优先权:

    2010.07.30 US 61/369,366; 2010.09.13 US 12/880,736

    专利代理机构:

    北京市德恒律师事务所 11306

    代理人:

    陆鑫;高雪琴

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    内容摘要

    一种方法包括:提供载体,该载体上设置有粘结层;以及提供管芯,该管芯包括第一表面、相对于第一表面的第二表面。管芯进一步包括邻近第二表面的多个接合焊盘;以及多个接合焊盘上方的介电层。该方法进一步包括:将管芯置于粘结层上,使得第一表面面向粘结层,介电层背向粘结层;形成模塑料以覆盖管芯,其中模塑料包围管芯;将处于管芯正上方的模塑料移除,以暴露出介电层;以及在模塑料上面形成再分布线,并且该再分布线穿过介电层电连接到的多个接合焊盘。

    权利要求书

    1: 一种方法, 包括 : 提供载体, 在所述载体上设置有粘结层 ; 提供管芯, 所述管芯包括 : 衬底 ; 多个接合焊盘, 位于所述衬底上方 ; 以及介电层, 位于 所述多个接合焊盘上方 ; 将所述管芯置于所述粘结层上 ; 形成模塑料以覆盖所述管芯, 其中, 所述模塑料包围所述管芯 ; 移除所述模塑料的所述管芯正上方的部分, 以暴露所述介电层 ; 以及 在所述介电层上面形成再分布线, 所述再分布线与所述多个接合焊盘中的至少一个电 连接。
    2: 根据权利要求 1 所述的方法, 其中, 在将所述管芯置于所述粘结层上的步骤之前, 所 述管芯进一步包括 : 金属支柱, 所述金属支柱形成在所述介电层中, 并且与所述多个接合焊 盘电连接。
    3: 根据权利要求 2 所述的方法, 其中, 在形成再分布线的步骤期间, 所述金属支柱用作 对准标记。
    4: 根据权利要求 1 所述的方法, 进一步包括 : 在移除所述模塑料的所述部分的步骤之 后, 形成穿透所述介电层的金属支柱, 所述金属支柱与所述多个接合焊盘电连接。
    5: 根据权利要求 1 所述的方法, 其中, 移除所述模塑料的所述部分的步骤包括 : 在所述 模塑料上实施化学机械抛光 (CMP)。
    6: 根据权利要求 1 所述的方法, 进一步包括 : 在形成再分布线的步骤之后, 在所述再分 布线的上方形成金属凸块, 所述金属凸块与所述再分布线电连接。
    7: 根据权利要求 1 所述的方法, 进一步包括 : 卸下所述载体。
    8: 根据权利要求 1 所述的方法, 其中, 所述介电层的厚度大于大约 10μm。
    9: 一种方法, 包括 : 提供载体, 在所述载体上设置有粘结层 ; 提供多个管芯, 所述多个管芯中的每个管芯都包括 : 衬底 ; 多个接合焊盘, 位于所述衬底上方 ; 介电层, 位于所述多个接合焊盘上方 ; 以及 多个金属支柱, 位于所述介电层中, 并与所述多个接合焊盘电连接 ; 将所述多个管芯置于所述粘结层上, 所述多个管芯中的每个管芯的衬底的底面面向所 述粘结层 ; 将模塑料填入所述多个管芯之间, 其中, 所述模塑料覆盖所述多个管芯中的每个管芯 的介电层 ; 对所述模塑料实施平坦化, 直到暴露所述多个金属支柱 ; 以及 在所述多个金属支柱上方形成再分布线, 所述再分布线与所述多个金属支柱电连接。
    10: 一种方法, 包括 : 提供载体, 在所述载体上设置有粘结层 ; 提供多个管芯, 所述多个管芯中的每个管芯都包括 : 衬底 ; 2 多个接合焊盘, 位于所述衬底上方 ; 以及 介电层, 位于所述多个接合焊盘上方 ; 将所述多个管芯置于所述粘结层上, 所述多个管芯中的每个管芯的衬底的底面面向所 述粘结层 ; 将模塑料填入所述多个管芯之间, 其中, 所述模塑料覆盖所述多个管芯中的每个管芯 的介电层 ; 对所述模塑料实施平坦化, 直到暴露所述介电层 ; 蚀刻所述介电层的暴露部分, 以形成多个开口, 从而暴露所述多个接合焊盘 ; 以及 在所述多个开口中形成多个导电支柱。

    说明书


    嵌入式晶圆级接合方法

        相关申请的交叉参考
         本申请要求于 2010 年 7 月 30 日提交的美国临时专利申请第 61/369,366 号名称 为 “Embedded Wafer-Level Bonding Approaches” 的优先权, 其全部内容通过引证结合在 此。
         技术领域
         本发明涉及半导体领域, 更具体地, 涉及嵌入式晶圆级接合方法。背景技术 随着半导体技术的发展, 半导体芯片 / 管芯变得越来越小。同时, 有更多的功能需 要集成到半导体管芯中。因此, 半导体管芯需要将越来越多的 I/O 焊盘封装到越来越小的 区域, 因而 I/O 焊盘的密度随着时间迅速增加。故半导体管芯的封装变得越发困难, 这对于 封装的产量 (yield) 产生了不利影响。
         传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中, 在切割晶圆上的管芯之前对该管 芯进行封装。这种封装技术具有一些优点, 比如生产量较高, 并且成本较低。此外, 需要较 少的底部填充或者模塑料 (molding compound)。 然而, 这种封装技术也有缺点。 如上所述, 管芯的尺寸变得越来越小, 对应的封装可以只是扇入型 (fan-in type) 封装, 其中, 每个管 芯的 I/O 焊盘都被限制在对应管芯表面的正上方的区域。随着管芯的区域被限制, 由于限 制了 I/O 焊盘的间距 (pitch), 因此就限制了 I/O 焊盘的数量。如果焊盘的间距减小, 则会 形成焊桥。另外, 在固定的球尺寸需求下, 焊球必须具有确定尺寸, 这样就限制了能够封装 到管芯表面的焊球数量。
         在另一种封装类型中, 在管芯被封装之前就将管芯从晶圆上切割下来, 并且只有 “已知的合格管芯” 才能够被封装。这种封装技术的优点是能够形成扇出型 (fan-out) 封 装, 这就意味着管芯上的 I/O 焊盘可以重新分布到大于管芯的区域, 因此, 可以增加封装到 管芯表面的 I/O 焊盘数量。
         发明内容
         为解决上述问题, 本发明提供了一种方法, 包括 : 提供载体, 在载体上设置有粘结 层; 提供管芯, 管芯包括 : 衬底 ; 多个接合焊盘, 位于衬底上方 ; 以及介电层, 位于多个接合 焊盘上方 ; 将管芯置于粘结层上 ; 形成模塑料以覆盖管芯, 其中, 模塑料包围管芯 ; 移除模 塑料的管芯正上方的部分, 以暴露介电层 ; 以及在介电层上面形成再分布线, 再分布线与多 个接合焊盘中的至少一个电连接。
         其中, 在将管芯置于粘结层上的步骤之前, 管芯进一步包括 : 金属支柱, 金属支柱 形成在介电层中, 并且与多个接合焊盘电连接。
         其中, 在形成再分布线的步骤期间, 金属支柱用作对准标记。
         该方法进一步包括 : 在移除模塑料的部分的步骤之后, 形成穿透介电层的金属支柱, 金属支柱与多个接合焊盘电连接。
         其中, 移除模塑料的部分的步骤包括 : 在模塑料上实施化学机械抛光 (CMP)。
         该方法进一步包括 : 在形成再分布线的步骤之后, 在再分布线的上方形成金属凸 块, 金属凸块与再分布线电连接。
         该方法进一步包括 : 卸下载体。
         其中, 介电层的厚度大于大约 10μm。
         此外, 还提供了一种方法, 包括 : 提供载体, 在载体上设置有粘结层 ; 提供多个管 芯, 多个管芯中的每个管芯都包括 : 衬底 ; 多个接合焊盘, 位于衬底上方 ; 介电层, 位于多个 接合焊盘上方 ; 以及多个金属支柱, 位于介电层中, 并与多个接合焊盘电连接 ; 将多个管芯 置于粘结层上, 多个管芯中的每个管芯的衬底的底面面向粘结层 ; 将模塑料填入多个管芯 之间, 其中, 模塑料覆盖多个管芯中的每个管芯的介电层 ; 对模塑料实施平坦化, 直到暴露 多个金属支柱 ; 以及在多个金属支柱上方形成再分布线, 再分布线与多个金属支柱电连接。
         其中, 在实施平坦化的步骤之前, 金属支柱的顶表面基本上与介电层的顶表面平 齐。
         其中, 在实施平坦化的步骤之前, 金属支柱的顶表面低于介电层的顶表面。
         其中, 介电层包含非模塑料介电材料。
         其中, 介电层包括模塑料。
         其中, 再分布线延伸到模塑料的正上方。
         该方法进一步包括 : 在形成再分布线的步骤之后, 在再分布线中的一条的上方形 成金属凸块, 金属凸块与再分布线中的一条连接 ; 以及将载体从多个管芯和模塑料上移除。
         此外, 还提供了一种方法, 包括 : 提供载体, 在载体上设置有粘结层 ; 提供多个管 芯, 多个管芯中的每个管芯都包括 : 衬底 ; 多个接合焊盘, 位于衬底上方 ; 以及介电层, 位于 多个接合焊盘上方 ; 将多个管芯置于粘结层上, 多个管芯中的每个管芯的衬底的底面面向 粘结层 ; 将模塑料填入多个管芯之间, 其中, 模塑料覆盖多个管芯中的每个管芯的介电层 ; 对模塑料实施平坦化, 直到暴露介电层 ; 蚀刻介电层的暴露部分, 以形成多个开口, 从而暴 露多个接合焊盘 ; 以及在多个开口中形成多个导电支柱。
         该方法进一步包括 : 在多个导电支柱上方形成再分布线, 并且再分布线与多个导 电支柱电连接。
         该方法进一步包括 : 在形成再分布线的步骤之后, 在再分布线上方形成多个金属 凸块, 并且金属凸块与再分布线电连接 ; 以及将载体从多个管芯和模塑料下面移除。
         其中, 多个导电支柱包含铜。
         其中, 介电层的厚度大于大约 10μm。 附图说明 为了更加全面地理解本发明及其优点, 现在将以下描述和附图结合起来作为参 考, 其中 :
         图 1 到图 7A 是根据各种实施例的制作嵌入型晶圆级封装的中间阶段的横截面 图;
         图 7B 示出了图 7A 中所示管芯的俯视图 ; 以及
         图 8 到图 13 是根据备选实施例的制作嵌入型晶圆级封装的中间阶段的横截面图。具体实施方式
         下面, 详细讨论本发明优选实施例的制造和使用。然而, 应该理解, 本发明提供了 许多可以在各种具体环境中实现的可应用的概念。 所讨论的具体实施例仅仅示出制造和使 用本发明的具体方式, 而不用于限制本公开的范围。
         根据实施例, 提供了一种新式的嵌入式晶圆级封装结构及其形成方法。示出了制 作的中间阶段的实施例。还论述了实施例的变化。在各个视图和所示实施例中, 相似的参 考标号用于表示相似的部件。
         参考图 1, 提供了管芯 20, 该管芯 20 是多个相同管芯 20( 参考图 2) 中的一个。管 芯 20 可以包括半导体衬底 21, 还可以包括集成电路器件 23 以及形成在其中的覆盖的互连 结构 ( 未示出 )。集成电路器件 23 可以包括有源器件, 比如晶体管。接合 (bond) 焊盘 22 形成在管芯 20 中, 并且通过互连结构电连接到集成电路器件 23。接合焊盘 22 可以由铝、 铜、 镍、 或者其组合物制成。介电层 24 形成在接合焊盘 22 上方。在实施例中, 接合焊盘 22 的顶表面基本上和介电层 24 的底表面 24b 平齐。介电层 24 是厚度为 T 的厚层, 该厚度 T 大于大约 10μm, 还可以处于大约 10μm 和 30μm 之间, 或者处于大约 10μm 和大约 50μm 之间。介电层 24 的材料可以选自阻焊、 聚苯并恶唑 (polybenzoxazole, PBO)、 苯环丁烯 (benzocyclobutene, BCB)、 模塑料等等。介电层 24 的边缘垂直对齐到衬底 21 的相应边缘。 金属支柱 (metal pillar)26 形成在介电层 24 中, 并且电连接到接合焊盘 22。在 实施例中, 金属支柱 26 的底表面与接合焊盘 22 的顶表面相接触。 金属支柱 26 可以包含铜, 从而在整个描述中可选地将其称为铜支柱 26。然而, 其他导电材料 ( 比如镍和 / 或铝 ) 也 可以用到铜支柱 26 中。铜支柱 26 的高度 H 也可以大于大约 10μm, 还可以处于大约 5μm 和 30μm 之间, 或者处于大约 10μm 和大约 50μm 之间。横向尺寸 W( 取决于铜支柱 26 的 俯视图形状 ) 可以是长度 / 宽度或者直径, 该横向尺寸 W 可以小于大约 60μm。因此, H/W 的比率可以大于大约 0.15。在实施例中, 铜支柱 26 的顶表面 26a 基本上与介电层 24 的顶 表面 24a 平齐。在其他实施例中, 铜支柱 26 的顶表面 26’ a 高于顶表面 24a, 从而使得铜支 柱 26 的部分突出到顶表面 24a 以上。在其他实施例中, 铜支柱 26 的顶表面 26” 低于顶表 面 24a, 从而将铜支柱 26 嵌入到介电层 24 中, 此时介电层 24 的薄层处于铜支柱 26 的正上 方。
         参 考 图 2, 粘 结 层 28(adhesive layer) 设 置 ( 例 如, 层 压 (laminate)) 于 载 体 30 上。粘结层 28 可以由胶粘剂 (glue) 形成, 或者可以是由箔形成的迭层 (lamination layer)。接着, 管芯 20 通过粘结层 28 被置于载体 30 上。在管芯 20 包括半导体衬底 21 的 实施例中, 半导体衬底 21 的底表面 21b 与粘结层 28 相接触。 载体 30 可以包括对准标记 31, 从而使得管芯 20 准确地安装在载体 30 的期望位置上。在相邻的管芯 20 之间留有空间。
         图 3 示出了将模塑料 34 填入管芯 20 之间的空间。管芯 20 的顶表面也由模塑料 34 覆盖。模塑料 34 可以是有机材料 ( 比如环氧树脂 ), 该有机材料以液态形式填充到管芯 22 之间的空间。接着, 实施固化工艺 (curing process), 以使模塑料 34 凝固。
         参考图 4, 在模塑料 34 上实施平坦化 ( 比如, 研磨 (grinding)), 直到铜支柱 26( 可 能还有介电层 24) 暴露出来。因此, 介电层 24 的顶表面 24a、 铜支柱 26 的顶表面 26a、 以及
         模塑料 34 的顶表面 34a 相互之间可以基本平齐。在铜支柱 26 嵌入到介电层 24 的实施例 中, 介电层 24 也被研磨。研磨的结果是, 没有模塑料 34 处在管芯 20 的正上方。当从上面 看下去时, 铜支柱 26 被介电层 24 包围, 并且与介电层 24 相接触。此外, 每个管芯 20 中的 铜支柱 26 和介电层 24 形成集成元件, 该集成元件被模塑料 34 包围。
         接下来, 如图 5 所示, 形成有再分布层 (redistribution layer, RDL), 其中 RDL 包 括 ( 多个 ) 介电层 38, 以及介电层 38 中的导电线路 40( 包括金属线和金属通孔, 也称为再 分布线 )。导电线路 40 可以延伸到对应管芯 20 的边缘之外, 模塑料 34 的正上方, 这样所形 成的封装是扇出封装。在导电线路 40 的形成过程中, 铜支柱 26 可以用作对准标记。因此, RDL 在形成中的准确性得以改进。这样, 就行成了晶圆 44, 包括管芯 20、 模塑料 34、 和 RDL。
         图 6 示出了金属凸块 42 的形成, 该金属凸块 42 电连接到导电线路 40。此外, 还 形成了接合焊盘 ( 未示出 ), 金属凸块 42 形成在接合焊盘上, 并且与其物理接触。因此, 金属凸块 42 位于新形成的晶圆 44 的顶表面上。金属凸块 42 可以是焊球, 使用球装头 部 (ball-mounting head) 将该焊球传送到晶圆 44 上。备选地, 金属凸块 42 是非可回流 (non-reflowable) 凸块, 比如铜凸块。一些金属凸块 42 还可以形成在模塑料 34 正上方之 外。 接下来, 如图 7A 所示, 将载体 30 从晶圆 44 上卸下, 以及将粘结层 28 移除并使其 离开晶圆 44。接着, 晶圆 44 被固定到带子 46 上, 并且沿着划片槽 (scribe line)48 切割开 晶圆 44。因此, 形成了管芯 50。可以理解, 在每个管芯 50 中, 管芯 20 的底表面 20b 与模塑 料 34 的底表面 34b 平齐。图 7B 示出了管芯 50 的俯视图, 该俯视图示出模塑料 34 包围管 芯 20, 并且与管芯 20 的侧壁相接触。
         图 8 到图 13 示出了制作根据备选实施例的嵌入型晶圆级封装的中间阶段的横截 面图。除非另有说明, 在这些实施例中的参考标号表示与图 1 到图 7B 中的实施例相似的部 件。参考图 8, 提供了管芯 20( 带有所示出的管芯 20 之一 )。除了在接合焊盘 22 上方没有 铜支柱形成, 管芯 20 与图 1 中的管芯 20 相似。这样, 介电层 24 覆盖了接合焊盘 22, 介电层 24 的底表面 24b 基本上与接合焊盘 22 的顶表面 22a 平齐。介电层 24 中没有形成导电部 件。此外, 介电层 24 的厚度 T 可以大于大约 10μm, 还可以处于大约 10μm 和 30μm 之间, 或者处于大约 10μm 和大约 50μm 之间。
         接下来, 如图 9 所示, 管芯 20 通过粘结层 28 被安装到载体 30 上, 随后施用模塑料 34, 如图 10 所示。模塑料 34 的顶表面 34a 高于介电层 24 的顶表面 24a。接着, 模塑料 34 被研磨, 直到介电层 24 暴露出来, 并且模塑料 34 处于管芯 20 正上方的部分被移除。所得 到的结构如图 11 所示。
         参考图 12, 通过蚀刻介电层 24, 在介电层 24 中形成开口 54。接合焊盘 22 通过开 口 54 而暴露出来。在实施例中, 开口 54 是单镶嵌开口 (single damascene opening)。在 备选实施例中, 介电层 38 形成在介电层 24 上方, 开口 54 是双镶嵌开口, 包括处于介电层 24 中的下部和处于介电层 38 中的上部, 其中上部比下部宽。参考图 13, 开口 54 中被填入导 电材料, 以形成导电柱 26, 除导电柱 26 之外还可能填入导电线路 40。在实施例中, 导电支 柱 26 和导电线路 40 由铜、 铝、 铁、 银、 钼、 焊膏等等形成。可以实施平坦化 ( 比如化学机械 抛光, CMP), 以使得导电支柱 26( 或者导电线路 40, 如果有的话 ) 的顶表面与介电层 24( 或 者介电层 38 的顶表面 ) 的顶表面平齐。在其他实施例中, 实施电镀步骤, 以将铜填入到开
         口 54 中。在其他实施例中, 可以使用其他方法 ( 比如物理气相沉积 (PVD)), 并且填入的材 料可以包括钛层 ( 未示出 ) 和位于钛层上方的铜层 ( 未示出 )。图 13 还示出了介电层 60 的形成。剩下的步骤实质上与图 7A 和图 7B 中所示出的相同, 因此在本文中不再赘述。
         根据实施例的形成工艺, 载体 30 用于在再分布线的研磨和形成期间支撑相应 的覆盖封装结构。从而, 可以减小模塑料 34 的厚度。因此, 晶圆 44( 参考图 6) 的翘曲 (warpage) 较小。模塑料 34( 如图 7A) 没有形成在管芯 20 的背面上, 从而管芯 20 的热消散 不会被弱化 (degraded)。此外, 金属支柱 26 还可以用作对准标记以提高对准的精度。
         根据实施例, 一种方法包括 : 提供载体, 该载体上设置有粘结层 ; 以及提供管芯, 该管芯包括第一表面、 相对于第一表面的第二表面。管芯进一步包括邻近第二表面的多个 接合焊盘 ; 以及多个接合焊盘上方的介电层。该方法进一步包括 : 将管芯置于粘结层上, 使得第一表面面向粘结层, 介电层背向粘结层 ; 形成模塑料以覆盖管芯, 其中模塑料包围管 芯; 将处于管芯正上方的模塑料移除, 以暴露出介电层 ; 以及在模塑料上面形成再分布线, 并且该再分布线穿过介电层电连接到多个接合焊盘中的一个上。
         根据其他实施例, 一种方法包括 : 提供载体, 在该载体上设置有粘结层 ; 以及提供 多个管芯, 该多个管芯中的每个管芯都包括 : 具有底面的衬底 ; 在相对于底面的一侧上的 接合焊盘 ; 在多个接合焊盘上方的介电层 ; 以及介电层中多个金属支柱, 该金属支柱电连 接到多个接合焊盘。 该方法进一步包括 : 将多个管芯置于粘结层上, 多个管芯中的每个管芯 的衬底的底面都面向粘结层 ; 将模塑料填充到多个管芯之间, 其中, 模塑料覆盖了多个管芯 中的每个管芯的介电层 ; 在模塑料上实施平坦化, 直到多个金属支柱暴露出来 ; 以及在介 电层上方形成再分布线, 该再分布线电连接到多个金属支柱。 根据其他实施例, 一种方法包括 : 提供载体, 在该载体上设置有粘结层 ; 以及提供 多个管芯, 该多个管芯中的每个管芯都包括 : 具有底面的衬底 ; 在相对于底面的一侧上的 接合焊盘 ; 在多个接合焊盘上方的介电层, 其中介电层中基本上没有导电部件。该方法进 一步包括 : 将多个管芯置于粘结层上, 多个管芯中的每个管芯的衬底的底面都面向粘结层 ; 将模塑料填充到多个管芯之间, 其中模塑料覆盖了多个管芯中的每个管芯的介电层 ; 以及 在模塑料上实施平坦化, 直到多个金属支柱暴露出来。 在实施平坦化的步骤之后, 介电层被 蚀刻以形成多个开口, 其中多个接合焊盘通过多个开口暴露出来。开口被填充以形成多个 导电支柱。
         根据其他实施例, 一种器件包括 : 衬底 ; 衬底上方的介电层 ; 介电层中的多个金属 支柱 ; 以及与衬底和介电层的边缘相接触的模塑料。介电层和模塑料由不同的介电材料形 成。
         根据其他实施例, 一种器件包括 : 半导体衬底 ; 半导体衬底表面上方的有源器件 ; 半导体衬底上方的介电层 ; 介电层中的多个金属支柱 ; 以及包围半导体衬底和介电层, 并 且与半导体衬底和介电层的边缘相接触的模塑料, 模塑料和介电层由不同的材料形成。模 塑料的顶表面基本上与金属支柱的顶表面和介电层的顶表面平齐。该器件进一步包括 : 介 电层上方的再分布线, 该再分布线电连接到多个金属支柱。
         尽管已经详细地描述了本发明及其优势, 但应该理解, 可以在不背离所附权利要 求限定的本发明主旨和范围的情况下, 做各种不同的改变, 替换和更改。而且, 本申请的范 围并不仅限于本说明书中描述的工艺、 机器、 制造、 材料组分、 装置、 方法和步骤的特定实施
         例。 作为本领域普通技术人员应理解, 通过本发明, 现有的或今后开发的用于执行与根据本 发明所采用的所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、 机器、 制造, 材 料组分、 装置、 方法或步骤根据本发明可以被使用。因此, 所附权利要求应该包括在这样的 工艺、 机器、 制造、 材料组分、 装置、 方法或步骤的范围内。 此外, 每条权利要求构成单独的实 施例, 并且多个权利要求和实施例的组合在本发明的范围内。

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    嵌入式 晶圆级 接合 方法
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