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1、10申请公布号CN102054867A43申请公布日20110511CN102054867ACN102054867A21申请号200910201763122申请日20091105H01L29/78200601H01L21/33620060171申请人上海华虹NEC电子有限公司地址201206上海市浦东新区川桥路1188号72发明人张洪强魏炜74专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人孙大为54发明名称提高功率MOS晶体管工作频率的结构及方法57摘要本发明公开了一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构及方法；包括自上而下布置的源极、衬底和漏极，源极和漏极之间有作为栅极的沟道，其特征。
2、在于，作为栅极的沟道的底部有一层氧化物，所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。本发明结构简单，对产品的成本并没有太大的影响，能够在不改变器件其他电学性能的前提下提高工作频率。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图4页CN102054874A1/1页21一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构；包括自上而下布置的源极、衬底和漏极，源极和漏极之间有作为栅极的沟道，其特征在于，作为栅极的沟道的底部有一层氧化物，所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。2如权利要求1所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构，其特征在于所述作为栅极的沟道。
3、的底部的氧化物为二氧化硅。3如权利要求1所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构，其特征在于所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三至五倍。4如权利要求1所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤步骤一、在硅基片上生长处过渡氧化层和氮化硅作为刻蚀阻挡层；步骤二、利用光刻板刻蚀出沟道；步骤三、生长出沟道侧壁表面的牺牲氧化层；步骤四、淀积氮化硅，作为氧化时的阻挡层步骤五、将沟道底部的氮化硅刻蚀开，同时去除沟道侧壁的牺牲氧化层；步骤六、通过氧气与沟道底部硅反应生成底部所述的氧化层；步骤七、将氮化硅和氧化硅去除，只留下底部的氧化层。5如权利要求2所述的提高功率MOS晶体。
4、管工作频率的结构的制作方法，其特征在于步骤一中采用化学气相淀积的方法淀积氮化硅作为刻蚀阻挡层。6如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于步骤四中再采用化学气相淀积的方法积淀氮化硅7如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于步骤五中采用干法刻蚀将沟道底部的氮化硅刻蚀开。8如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于步骤七中，采用湿法刻蚀将氮化硅和氧化硅去除。9如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于所述作为栅极的沟道的底部的氧化物为二氧化硅。10如权利要求2所述的提高。
5、功率MOS晶体管工作频率的结构，其特征在于所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三至五倍。权利要求书CN102054867ACN102054874A1/3页3提高功率MOS晶体管工作频率的结构及方法技术领域0001本发明涉及一种半导体集成电路结构及其制造方法，具体涉及一种功率MOS晶体管器件的结构及其制作方法。背景技术0002在半导体集成电路中，典型的沟道型功率MOS晶体管的结构如图1所示。MOS管栅氧电容的充放电时间是影响器件工作频率的关键因素。电容越小，器件的充放电延迟时间越短，器件的工作频率也就越高。为减小器件的栅氧电容，传统的方法有以下几种00031、增加栅氧的厚度。原有的栅氧工艺是在。
6、高温条件下使氧气与基体材料中的硅反应，在沟道中一次形成一层膜厚均匀的二氧化硅，由于要生长更厚的栅极氧化层，使得器件的阈值电压大幅增加，无法满足电路要求。00042、减小栅氧的面积。原有工艺会使得沟道深度变浅以达到此目的，但这样会使器件崩溃电压降低同时导通电阻RDSON变大。0005可见传统工艺在改善器件工作频率的同时，都是以牺牲其他电学性能为代价的。如何能在不改变器件其他电学性能的前提下提高其工作频率，便是本发明所要达到的目的。发明内容0006本发明所要解决的技术问题是提供一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构，其可以在基本不改变器件工作电压以及导通电阻等电学性能的前提下提高功率MOS晶体管工。
7、作频率。0007为了解决以上技术问题，本发明提供了一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构；包括自上而下布置的源极、衬底和漏极，源极和漏极之间有作为栅极的沟道，其特征在于，作为栅极的沟道的底部有一层氧化物，所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。0008本发明的有益效果在于仅比原有功率MOS晶体管制成工艺增加了氮化硅的化学气相淀积以及多余氧化物的湿法刻蚀和干法刻蚀，并没有增加光罩数目或是过多的工艺过程，对产品的成本和其他电学特性并没有太大的影响，却能得到比现有产品频率特性更为优异的器件。0009本发明还提供了上述提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，包括以下步骤0010步骤一、在。
8、硅基片上生长处过渡氧化层和氮化硅作为刻蚀阻挡层；0011步骤二、利用光刻板刻蚀出沟道；0012步骤三、生长出沟道侧壁表面的牺牲氧化层；0013步骤四、淀积氮化硅，作为氧化时的阻挡层0014步骤五、将沟道底部的氮化硅刻蚀开，同时去除沟道侧壁的牺牲氧化层；说明书CN102054867ACN102054874A2/3页40015步骤六、通过氧气与沟道底部硅反应生成底部所述的氧化层；0016步骤七、采将氮化硅和氧化硅去除，只留下底部较厚的氧化层。附图说明0017下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。0018图1是目前公知的沟道型功率MOS晶体管结构示意图；0019图2是本发明实施例所述的。
9、沟道型功率MOS晶体管结构示意图；0020图3是本发明实施例所述方法步骤一的示意图；0021图4是本发明实施例所述方法步骤二的示意图；0022图5是本发明实施例所述方法步骤三的示意图；0023图6是本发明实施例所述方法步骤四的示意图；0024图7是本发明实施例所述方法步骤五的示意图；0025图8是本发明实施例所述方法步骤六的示意图；0026图9是本发明实施例所述方法步骤七的示意图。具体实施方式0027本发明在现有功率MOS晶体管器件的基础上，通过采用氮化硅SIN作为功率MOS的刻蚀阻挡层的新工艺，使得栅极底部氧化层变厚使得电容变小，而且不会影响到沟道区域的电学特性，从而实现在基本不改变器件工作。
10、电压以及RDSON等电学性能的前提下提高其工作频率的目的。0028为解决以上技术问题，本发明所提及的功率MOS晶体管器件，在原有结构的基础上，在沟道底部生长较厚的氧化物，减少栅极电容。提供功率的频率特性。其工艺实现方法是首先在已经生长好过渡氧化层硅片上用化学气相淀积的方法淀积氮化硅；然后进行光刻，用氮化硅作为刻蚀阻挡层，形成功率MOS的沟槽，然后在沟道侧壁生长牺牲氧化层，用化学气相淀积的方法淀积氮化硅，采用干法刻蚀，将沟道底部的氮化硅刻蚀开，然后在氧化炉中生长很厚的氧化层，再用湿法去除氮化硅和牺牲氧化层，通过湿法控制底部氧化层的余量，最后生长栅极氧化层，使得最后在氧化炉中生成侧壁所需厚度的氧化。
11、层以实现沟道底部与侧壁不同厚度的栅氧。其结构如图2所示。0029比较图1与图2可以明显地看到，新的结构与原有结构相比除了在沟道底部的栅氧厚度明显差异以外，其他结构完全一致。其优点在于由于源极与漏极间沟道处的栅氧厚度没有变化，所以器件的阈值电压不会有明显改变，由于功率MOS的崩溃电压击穿点一般在沟道底部，因而这种结构可以略为增大器件的崩溃电压的工艺窗口，同时由于没有改变沟道的深度，导通电阻RDSON等电学参数也不会改变很大，因为底部栅氧厚度增加而带来的栅氧电容变小，这样便实现了在没有改变工作电压以及导通电阻RDSON等电学性能的前提下提高其工作频率的目的。0030本发明在具体工艺的实现上，仅比原。
12、有功率MOS晶体管制成工艺增加了氮化硅的化学气相淀积以及多余氧化物的湿法刻蚀和干法刻蚀，并没有增加光罩数目或是过多的工艺过程，对产品的成本并没有太大的影响，却能得到比现有产品频率特性更为优异的器件。0031图3图9是本发明功率MOS晶体管器件的工艺实现方法示意图。说明书CN102054867ACN102054874A3/3页50032首先是在硅基片上生长处过渡氧化层和采用化学气相淀积氮化硅作为刻蚀阻挡层。见图3。利用原有的光刻板，刻蚀出沟道来。见图4。生长出沟道侧壁表面的牺牲氧化层。见图5。再采用化学气相淀积氮化硅，作为氧化时的阻挡层。采用干法刻蚀，将沟道底部的氮化硅刻蚀开，同时去除沟道侧壁的。
13、牺牲氧化层见图67。在高温条件下通过氧气与沟道底部硅反应生成底部很厚的氧化层。见图8。采用湿法将氮化硅和氧化硅去除，只留下底部较厚的氧化层。见图9，后续工艺与传统功率MOS晶体管器件制成工艺完全一致。经过离子注入后形成的器件结构如图2所示。0033本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。说明书CN102054867ACN102054874A1/4页6图1图2说明书附图CN102054867ACN102054874A2/4页7图3图4图5说明书附图CN102054867ACN102054874A3/4页8图6图7说明书附图CN102054867ACN102054874A4/4页9图8图9说明书附图CN102054867A。