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1、10申请公布号CN102064202A43申请公布日20110518CN102064202ACN102064202A21申请号200910201790922申请日20091112H01L29/868200601H01L29/06200601H01L21/32920060171申请人上海华虹NEC电子有限公司地址201206上海市浦东新区川桥路1188号72发明人陈雄斌周正良74专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人王函54发明名称应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构57摘要本发明公开了一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，由下至上依次包括硅基片、N区、I区和P区，该轻掺杂二极。
2、管的P区与N区为非全包含结构，P区与N区在水平面上的投影无重叠部分，P区与N区在水平面方向上投影的间距X0。通过调整N区与P区在水平面方向上投影的间距X可以实现对轻掺杂二极管的特性的独立调节而且与现有的锗硅异质结三极管的制造工艺兼容。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图1页CN102064212A1/1页21一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，由下至上依次包括硅基片、N区、I区和P区，其特征在于，该轻掺杂二极管的P区与N区为非全包含结构，P区与N区在水平面上的投影无重叠部分，P区与N区在水平面方向上投影的间距X0。2如权利要求1所述的应。
3、用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，其特征在于，所述N区与P区在水平面方向上投影的间距X由N区与P区各自相应的掩模版决定。3如权利要求1或2所述的应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，其特征在于，所述轻掺杂二极管的特性调整方式通过调整N区与P区在水平面方向上投影的间距X来实现。权利要求书CN102064202ACN102064212A1/2页3应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构技术领域0001本发明涉及一种半导体器件，具体涉及锗硅三极管领域，尤其涉及一种可调节的应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构。背景技术0002在锗硅异质结三极管制造工艺中，需要集成轻掺杂二极管PIN并保持与现有的制造工艺兼容。为。
4、了与现有的工艺兼容，常规的轻掺杂二极管是无法独立调节特性的，常规的轻掺杂二极管的制作方法是在P型基片上先掺杂N形成一层N型区域作为轻掺杂二极管的N区，然后在N型层上生长外延，外延为轻掺杂，作为轻掺杂二极管的I区。最后在表面掺杂一层P型，作为轻掺杂二极管的P区，如图1所示。0003现有的轻掺杂二极管的特性是由I区的厚度和浓度决定的，也就是外延的条件决定的。但是由于在锗硅异质结三极管制造工艺中，外延的浓度与厚度取决于三极管的要求，比如BVCEO晶体管基极开路时，集电极至发射极的反向击穿电压，BVCBO晶体管发射极开路时，集电极至基极的反向击穿电压等以及截止频率等，因此一旦三极管条件固定，外延的条件。
5、也就固定，轻掺杂二极管的特性也就决定了，无法独立调节。这给设计以及应用都带来了限制。发明内容0004本发明所要解决的技术问题是提供一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，可以对其特性独立调节而且与现有的锗硅异质结三极管制造工艺兼容。0005为解决上述技术问题，本发明提供一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，由下至上依次包括硅基片、N区、I区和P区，该轻掺杂二极管的P区与N区为非全包含结构，P区与N区在水平面上的投影无重叠部分，P区与N区在水平面方向上投影的间距X0。0006所述N区与P区在水平面方向上投影的间距X由N区与P区各自相应的掩模版决定。0007所述轻掺杂二极管的特性调整方式通过调整。
6、N区与P区在水平面方向上投影的间距X来实现。0008和现有技术相比，本发明具有以下有益效果本发明的轻掺杂二极管在和常规工艺兼容的情况下实现性能独立可调，对设计以及应用的限制较小。附图说明0009图1是现有的轻掺杂二极管的结构示意图；0010图2是本发明应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管的结构示意图。具体实施方式0011下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。说明书CN102064202ACN102064212A2/2页40012轻掺杂二极管的特性主要是由轻掺杂层的浓度与厚度决定的，浓度由外延的条件决定，而厚度在纵向距离上也是由外延的条件决定，而在水平方向上无限制，因此，若把轻掺杂二极管的P。
7、区与N区做成非包含结构，即P区与N区在水平面方向上的投影无重叠且间距可调，这样等同于I区的厚度可调。0013如图2所示，本发明的轻掺杂二极管由下至上依次包括硅基片、N区、I区和P区，不同于现有轻掺杂二极管的是本发明在轻掺杂二极管设计的时候，引入横向结构，通过调节P区与N区水平方向上的距离，引入一个独立于工艺条件的变量，通过在P区与N区的掩模版出版时根据要求调整这个变量对轻掺杂二极管的特性进行调节，即在P区与N区的掩模版出版时按要求定义P区与N区在水平面方向上投影的间距X，就可以实现调整这个变量，从而对轻掺杂二极管的特性进行调节。0014此横向结构，表示P区与N区在水平面上的投影无重叠且P区与N区在水平面方向上投影的间距X0由要求决定，这样等同于I区的厚度可调。其中，P区与N区在水平面方向上投影的间距X由P区与N区各自相应的掩模版决定。说明书CN102064202ACN102064212A1/1页5图1图2说明书附图CN102064202A。