等离子显示面板的下基板和等离子显示面板 【技术领域】
本发明涉及平板显示屏领域，更具体地，涉及等离子显示面板的下基板和等离子显示面板。
背景技术
等离子显示面板(Plasma Display Panel，简称PDP)，是利用气体放电产生真空紫外光(VUV)，该紫外光又激发三原色荧光粉而产生红绿蓝三基色光，然后经过空间和时间的调试实现了图像显示。AC表面放电型等离子显示屏，分为前、后基板。前基板包括ITO层，以及在ITO层上交替排列的维持电极(也称作X电极)和扫描电极(也称作Y电极)，在X、Y电极上覆盖有一定厚度的介质层，再于介质层上沉积一层MgO薄膜；后基板包括在玻璃基板上的寻址电极覆盖该电极的介质层以及介质层上具有一定高度的障壁，障壁将放电空间隔离开并在其中涂敷蓝、绿、红三色荧光粉。随后将前、后玻璃基板封结在一起充入气体。经过Y电极和ADD寻址电极之间微弱放电产生壁电荷，通电时X、Y电极之间会产生放电，产生的紫外光会激发障壁槽内的三原色荧光粉发出可见光。
等离子显示单元的寻址放电主要发生在ADD寻址电极和Y电极，其中，在Y电极下方的有效范围内寻址最为有效。目前，为了提高寻址的效率，通常采用的方法是整体加宽ADD寻址电极，但是，整体加宽的ADD寻址电极会造成寻址电极电容增大，从而增加了无效功耗。
【发明内容】
本发明旨在提供一种等离子显示面板的下基板和等离子显示面板，能够解决无法同时提高寻址效率和降低功耗等问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种等离子显示面板的下基板，其包括：寻址电极和位于寻址电极上的介质，寻址电极具有第一部分和第二部分，第一部分与上基板的维持电极的位置对应，第二部分与上基板的扫描电极的位置对应，其中，第二部分宽于第一部分。
为了实现上述目的，根据本发明的另一个方面，提供了一种等离子显示面板，其包括：上基板和下基板，其中，下基板包括：寻址电极和位于寻址电极上的介质，寻址电极具有第一部分和第二部分，第一部分与上基板的维持电极的位置对应，第二部分与上基板的扫描电极的位置对应，其中，第二部分宽于第一部分。
在本发明中，增加了与Y电极对应的部分寻址电极的宽度，而减少了其他部分寻址电极的宽度，从而在提高寻址效率的同时，降低了寻址电极电容以及无效功耗。此外，还利用具有不同厚度的介质来限定寻址放电产生的位置，使得寻址的主放电产生在BUS电极的下方，从而有利于降低显示器件暗场亮度，提高显示屏的对比度。
【附图说明】
附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是根据本发明实施例的等离子显示面板的结构示意图；
图2是根据本发明实施例的三种电极的结构示意图。
【具体实施方式】
下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。
实施例1
图1是根据本发明实施例的等离子显示面板的结构示意图。如图1所示，该等离子显示面板包括上基板玻璃1和下基板玻璃2。上基板玻璃1的表面具有维持电极(也称作X电极)8和扫描电极(也称作Y电极)9，在透明电极上方制作BUS电极。然后，上基板玻璃1还包括：位于上述电极上方的厚约为20至40微米的透明介质10，以便保护电极。此外，上基板玻璃1还可以包括：位于在透明介质10上的保护介质，例如，氧化镁保护膜，以便免于粒子轰击。为了提高显示屏对比度，还可以在显示单元非发光区域上制作有黑条7。
下基板玻璃2包括：寻址电极3；位于寻址电极3上方的介质4，其具有约20微米的厚度，该介质4用于保护寻址电极3。
寻址电极3具有第一部分5和第二部分6，其中，第一部分5与上基板的X电极8的位置对应，第二部分6与上基板的Y电极9的位置对应。
在本实施例中，位于第二部分6上的介质4比位于第一部分5上的介质4薄，这样，在第二部分6上，放电更容易产生，从而降低显示器件的暗场强度，提高显示单元对比度。优选的，第二部分6上地介质4比第一部分上的介质4薄2um～5um。
图2是根据本发明实施例的三种电极的结构示意图。如图2所述，寻址电极3与X电极8和Y电极9的长度方向垂直排列。寻址电极3包括：第一部分5和第二部分6。由图2可见，第二部分6比第一部分5宽，从而增大寻址放电过程中电容的容量，提高寻址效率。优选的，第二部分6的宽度为第一部分5的宽度的1.3倍～1.7倍。
进一步，寻址电极3还包括：第三部分11，用于连接第一部分5和第二部分6，并且，所述第一部分、所述第一部分5和第三部分11均为四边形。优选的，所述第二部分和第三部分具有相同的宽度。
在本实施例中，X电极8和Y电极9进行维持放电。
实施例2
如图1和2所示，根据本实施例的一种等离子显示面板的下基板包括：具有如图2所示结构的寻址电极3，该寻址电极3包括：第一部分5和第二部分6，在与上基板的连接时，第一部分5与上基板的X电极8的位置对应，第二部分6与上基板的Y电极9的位置对应，其中，第二部分6宽于第一部分5。由于包括具有这种结构的寻址电极3，因此，根据本实施例的下基板增大寻址放电过程中电容的容量，提高寻址效率。优选的，第二部分的宽度为第一部分的宽度的1.3倍～1.7倍。
相对于现有的整体加宽寻址电极的方法，根据本实施例的下基板虽然增加了部分寻址电极的宽度，但是其他部分寻址电极的宽度得到了减小，从而使得寻址电极的整体面积没有增加，从而在提高寻址效率的同时，降低了寻址电极电容以及无效功耗。例如，现有的寻址电极整体宽度为60um，在本实施例中，第一部分5的宽度降低到50um，第二部分6的宽度增加到80um，从而使得寻址电极的面积保持不变或变小。
进一步，根据本实施例的下基板还可以包括：具有如图1所示结构的介质4，其中，位于第二部分6上的介质4比位于第一部分5上的介质4薄。这样，在第二部分6上，放电更容易产生，从而降低显示器件的暗场强度，提高显示单元对比度。优选的，位于第二部分6上的介质4比位于第一部分上的介质4薄2um～5um。
进一步，寻址电极3还包括：第三部分11，用于连接第一部分5和第二部分6，并且，第一部分5、第二部分6和第三部分11均为四边形。优选的，第一部分5和第三部分11具有相同的宽度。
实施例3
下面将描述制作本发明实施例中的下基板和等离子显示面板的方法。
在本发明的实施例中，通过使用不同的厚度的介质材料及工艺的优化组合，可以制备出具有如图2所示结构的寻址电极和具有如图1所示结构的介质，该方法主要采用如下步骤：
S11，使用印刷、干燥、曝光、显影和烧结完成寻址电极制作，其中，该寻址电极在对应的Y电极下方适当地增加宽度，得到如图2所示的寻址电极3。
S12，在寻址电极3的第一部分5和第二部分6上方制作具有不同厚度的介质层。这里，使用印刷工艺，第一层选择β印刷，第二层选择方块电极上无图案印刷。
S13、使用印刷法或涂覆法制备障壁层，用喷砂法或湿法刻蚀制作出底层障壁；
S14、将完成障壁制作的玻璃基板在550℃～600℃高温下烧结。
S15、采用印刷或喷涂工艺制作荧光粉涂层。
S16、以上结束下基板的制作。
S17、上下基板对合封接，完成屏制作。
在本发明中，增加了与Y电极对应的部分寻址电极的宽度，从而提高寻址效率。此外，还利用具有不同厚度的介质来限定寻址放电产生的位置，使得寻址的主放电产生在BUS电极的下方，从而有利于降低显示器件暗场亮度，提高显示屏的对比度。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。