一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法.pdf

本发明公开了一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法。该方法依次包括如下步骤：在衬底上生长隔离层，背栅介质层及隔离层，光刻该介质层之上的隔离层，得到背栅电极的图形，淀积牺牲侧壁介质层，致密，于该层光刻100纳米以内、半圆形截面的线条，淀积无定形硅介质层，并金属诱导为多晶硅晶化介质层，得到沟道区介质层，光刻该介质层，得到沟道区，生长隔离层，淀积多晶硅栅介质层，再以该栅介质层为掩膜离子注入，光刻背栅介质层得到背栅的预刻孔，在多晶硅栅介质层上，淀积钝化层，光刻得到接触孔，溅铝。该方法将硅基nanowire场效应器件与传统“scaling down”加工方法相兼容，工艺简单，易于控制，所得晶体管具有高驱动能力，易于工艺实现，有望在未来的纳米集成电路中得到应用。

1、  一种制备纳米环栅MOSFET晶体管的方法，依次包括如下步骤：
1)在半导体衬底上生长隔离层；
2)在所述步骤1)的隔离层之上，依次生长背栅介质层及隔离层；
3)光刻所述步骤2)得到的隔离层，得到刻有背栅电极图形的隔离层；
4)在所述刻有背栅电极图形的隔离层之上，淀积一层牺牲侧壁介质层，并致密；
5)在所述牺牲侧壁介质层上光刻0.4-1.0微米的线条；
6)将所述步骤5)所得光刻线条的尺寸减小到200-400纳米，并使所述光刻线条的截面为矩形；
7)刻蚀所述步骤6)得到的光刻线条，使所述光刻线条的截面为半圆形，尺寸减小到100纳米以内；
8)在所述步骤7)所得刻有光刻线条的牺牲侧壁介质层之上，淀积无定形硅介质层，并使所述无定形硅介质层转变为金属诱导多晶硅晶化介质层，得到所述纳米环栅MOSFET晶体管沟道区的介质层；
9)光刻所述步骤8)所得金属诱导多晶硅晶化介质层，得到所述纳米环栅MOSFET晶体管的沟道区；
10)在所述步骤9)所得含有沟道区的金属诱导多晶硅晶化介质层之上，生长一层二氧化硅作为隔离层，并淀积一层多晶硅栅介质层；
11)以所述步骤10)所得多晶硅栅介质层为掩膜，进行离子注入；
12)光刻所述步骤2)所得背栅介质层，得到背栅的预刻孔；
13)在所述多晶硅栅介质层之上，依次淀积二氧化硅作为钝化层，光刻所述二氧化硅层得到接触孔，溅铝，得到所述纳米环栅MOSFET晶体管。

2、  根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述半导体衬底选自Si、Ge、SiGe或GaAs，或II-VI、III-V或IV-IV族的二元和三元化合物半导体中的任意一种或其任意组合的混合物；所述半导体衬底之上的隔离层为二氧化硅。

3、  根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，背栅介质层为多晶硅，厚度为4-5nm；所述背栅介质层之上的隔离层为氮化硅。

4、  根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，牺牲侧壁介质层为二氧化硅，所述致密温度为900℃，致密时间为30分钟，所述牺牲侧壁介质层的厚度为300nm；所述淀积方法为低压汽相淀积方法。

5、  根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：所述步骤6)中，采用带光刻胶进行电浆预处理的方法，将所述步骤5)所得光刻线条的尺寸减小到200-400纳米的步骤；所述步骤7)中，刻蚀步骤所用刻蚀液为氢氟酸∶水的体积比为1∶50的氢氟酸水溶液。

6、  根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：所述步骤8)中，采用金属诱导多晶硅晶化工艺，将所述无定形硅介质层转变为金属诱导多晶硅晶化介质层；所述淀积方法为低压汽相淀积方法。

7、  根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：所述步骤10)中，二氧化硅隔离层的厚度为40-50埃，所述多晶硅栅介质层的厚度为80-100纳米。

8、  根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：所述步骤11)中，注入的离子为磷，磷的注入剂量为4e+15/cm^-2，注入能量为40KeV。

9、  根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：所述步骤13)中，所述作为钝化层的二氧化硅的厚度为4000埃，所述溅铝厚度为8000埃。

10、  权利要求1-9任一所述制备方法得到的纳米环栅MOSFET晶体管。

一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体建成电路及其制造技术领域，特别涉及一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法。
背景技术
CMOS(互补金属氧化物半导体)技术是当今集成电路的主流技术。随着器件尺寸的不断缩小，集成度呈指数增长，电路性能也不断得到改善。但是随着MOSFET器件的特征尺寸进入到深亚微米以及纳米的范围，短沟效应将对器件性能带来重要影响，与此同时传统的器件结构以及制备工艺也遇到了新的挑战。为了延续摩尔定律的有效性，新的器件结构如双栅器件，FINFET等以及其制备方法在近年被广泛研究。其中，环栅结构(GAA，Gate All Around)MOSFET在抑止短沟效应，提高电流控制等方面的优越能力，使得其是成为未来MOSFET器件结构的最有力竞争者之一。但是由于GAA MOSFET的结构相对复杂，如何顺利解决这种器件结构的制备对集成电路的发展有重要意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法。
本发明提供的制备纳米环栅MOSFET晶体管的方法，依次包括如下步骤：
1)在半导体衬底上生长隔离层；
2)在步骤1)的隔离层之上，依次生长背栅介质层及隔离层；
3)光刻步骤2)得到的隔离层，得到背栅电极的图形；
4)在上述刻有背栅电极图形的隔离层之上，淀积一层牺牲侧壁介质层，并致密；
5)在上述牺牲侧壁介质层上光刻0.4-1.0微米的线条；
6)将步骤5)所得光刻线条的尺寸减小到200-400纳米，并使该光刻线条的截面为矩形；
7)刻蚀步骤6)得到的光刻线条，使该光刻线条的截面为半圆形，尺寸减小到100纳米以内；
8)在步骤7)所得刻有光刻线条的牺牲侧壁介质层之上，淀积无定形硅介质层，并使该无定形硅介质层转变为金属诱导多晶硅晶化介质层，得到纳米环栅MOSFET晶体管沟道区的介质层；
9)光刻步骤8)所得金属诱导多晶硅晶化介质层，得到纳米环栅MOSFET晶体管的沟道区；
10)在步骤9)所得含有沟道区的金属诱导多晶硅晶化介质层之上，生长一层二氧化硅作为隔离层，并淀积一层多晶硅栅介质层；
11)以步骤10)所得栅介质层为掩膜，进行磷的离子注入；
12)光刻步骤2)所得背栅介质层，得到背栅的预刻孔；
13)在多晶硅栅介质层上，依次淀积二氧化硅作为钝化层，光刻二氧化硅层得到接触孔，溅铝，得到纳米环栅MOSFET晶体管。
上述制备纳米环栅MOSFET晶体管的方法的步骤1)中，所用半导体衬底选自Si、Ge、SiGe或GaAs，或II-VI、III-V或IV-IV族的二元和三元化合物半导体中的任意一种或其任意组合的混合物；该半导体衬底之上的隔离层为二氧化硅；
步骤2)中，背栅介质层为多晶硅，厚度为4-5nm，该背栅介质层之上的隔离层为氮化硅；
步骤4)中，牺牲侧壁介质层为二氧化硅，厚度250-400nm，致密步骤的温度为900℃，致密时间为30分钟；
步骤6)中，优选用带光刻胶进行电浆预处理(descume)的方法，将步骤5)所得光刻线条的尺寸减小到200-400纳米；
步骤7)中，刻蚀步骤所用刻蚀液为氢氟酸∶水的体积比为1∶50的氢氟酸水溶液；
步骤8)中，优选采用金属诱导多晶硅晶化工艺，将无定形硅介质层转变为金属诱导多晶硅晶化介质层；
步骤10)中，二氧化硅隔离层的厚度为40-50埃，多晶硅栅介质层的厚度为80-100纳米；
步骤11)中，离子注入步骤中，磷的注入剂量为4e+15/cm^-2，注入能量为40KeV；
步骤12)中，背栅预刻孔为边长1微米的正方形。
步骤13)中，作为钝化层的二氧化硅的厚度为4000埃，溅铝厚度为8000埃。
另外，利用上述制备方法得到的纳米环栅MOSFET晶体管，也属于本发明的保护范围。
本发明提供的制备纳米环栅MOSFET晶体管的方法，将硅基nanowire场效应器件与传统的“scaling down”加工方法相兼容，从版图的优化设计，自创ASHING精细硅基纳米弧线条技术，综合应用金属诱导多晶硅晶化(MILC)工艺和实际可行的工艺流程设计结合，实现一种基于环栅结构，具备栅电极对沟道的很强控制作用，可以达到高驱动能力，易于工艺实现，具有类芯-壳结构的场效应晶体管器件。该制备方法工艺简单，易于控制，具有较高的实用价值，有望在未来的纳米集成电路中得到应用。
附图说明
图1为半导体衬底上生长隔离层的工艺步骤。
图2为生长背栅介质层的工艺步骤。
图3为生长背栅介质层的隔离层的工艺步骤。
图4为淀积牺牲侧壁介质层二氧化硅的工艺步骤。
图5为牺牲侧壁介质层上光刻0.4-1.0微米线条的工艺步骤。
图6为附带光刻胶进行电浆预处理使纳米线条尺寸减小的工艺步骤。
图7为通过在1∶50氢氟酸溶液中的反复漂洗光刻线条的截面刻蚀为半圆形的工艺步骤。
图8为淀积α-Si介质层的工艺步骤。
图9为金属诱导多晶硅晶化(MILC)的工艺步骤。
图10为在MILC介质层之上，光刻形成沟道区的工艺步骤。
图11为生长二氧化硅作为隔离层的工艺步骤。
图12为淀积多晶硅栅介质层的工艺步骤。
具体实施方式
本发明提供的制备纳米环栅MOSFET晶体管的方法中，所用光刻、刻蚀、电浆预处理等步骤均为标准的半导体制备工艺步骤，可参考苏州大学出版社出版的《半导体器件物理与工艺》。
下面结合附图对本发明提供的制备纳米环栅MOSFET晶体管的方法作进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。
实施例1、制备纳米环栅MOSFET晶体管
本发明提供的制备纳米环栅MOSFET晶体管的方法，依次包括如下步骤：
1)如图1所示，在半导体衬底A上生长隔离层B；所用半导体衬底A为硅衬底，隔离层B为二氧化硅；
2)在步骤1)的隔离层B之上，生长背栅介质层C，该背栅介质层C为多晶硅，厚度为300nm，如图2所示；再在该背栅介质层C之上，生长隔离层氮化硅；
3)光刻步骤2)得到的隔离层，得到刻有背栅电极图形的隔离层D，如图3所示；
4)在上述刻有背栅电极图形的隔离层D之上，淀积一层牺牲侧壁介质层E₁，并致密；该牺牲侧壁介质层为二氧化硅，厚度为250nm，采用通干燥氧气的方法进行致密，致密温度为900℃，致密时间为30分钟；
5)在上述牺牲侧壁介质层上光刻0.4～1.0微米的线条E₂，如图5所示；
6)用附带光刻胶进行电浆预处理(descume)的方法，将步骤5)所得光刻线条的尺寸E₂减小到100纳米以内，并使该光刻线条的截面为矩形，所得光刻线条为E₃，如图6所示；
7)刻蚀步骤6)得到的光刻线条E₃，使该光刻线条的截面为半圆形，尺寸减小到100纳米以内，所得光刻线条为E₄，如图7所示；所用刻蚀液为氢氟酸∶水的体积比为1∶50的氢氟酸水溶液；
8)在步骤7)所得刻有光刻线条E₄的牺牲侧壁介质层之上，淀积无定形硅介质层F，如图8所示；并采用金属诱导多晶硅晶化工艺，先在该无定形硅介质层F上淀积一层二氧化硅H，再将该无定形硅介质层F转变为金属诱导多晶硅晶化介质层G，得到纳米环栅MOSFET晶体管沟道区的介质层，如图9所示；
9)光刻步骤8)所得金属诱导多晶硅晶化介质层G，得到纳米环栅MOSFET晶体管的沟道区，如图10所示；
10)在步骤9)所得含有沟道区的金属诱导多晶硅晶化介质层之上，生长一层厚度为50埃的二氧化硅作为隔离层I，如图11所示，并淀积一层厚度为100纳米的多晶硅栅介质层J，如图12所示；
11)以步骤10)所得栅介质层J为掩膜，进行磷的离子注入，磷的注入剂量为4e+15/cm^-2，注入能量为40KeV；
12)光刻步骤2)所得背栅介质层C，得到背栅的预刻孔，该背栅预刻孔为边长1微米的正方形；
13)在多晶硅栅介质层J之上，依次淀积厚度为4000埃的二氧化硅作为钝化层，光刻二氧化硅层得到接触孔，溅铝，该铝层的厚度为8000埃，得到本发明提供的纳米环栅MOSFET晶体管。
经测定，该纳米环栅MOSFET晶体管的阈值电压为0.4V。