门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法.pdf

本发明涉及门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法，门极灵敏触发单向晶闸管芯片，在P型连接孔与N+发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条。门极灵敏触发单向晶闸管芯片的制造方法，在N+发射区扩散与光刻沟槽窗口步骤之间增加了LPCVD多晶硅薄膜沉积、离子注入多晶硅掺杂、光刻薄膜电阻条、LPCVD氧化层保护和离子注入掺杂退火步骤，本发明的优点：在晶闸管的门极电极G和阴极电极K之间增加了一个电阻，使用时可以省掉一个电阻，减小了产品电参数受温度的影响，可以在-40～110℃范围内使用，触发电流可控性和一致性好，批与批之间可以将IGT的范围控制在20uA之内，抗干扰能力强，门极灵敏度高。

1.  门极灵敏触发单向晶闸管芯片，包括N+发射区、阴极电极K、门极电极G、P型连接孔、沟槽、对通隔离扩散区和P型短基区，其特征是：所述P型连接孔与N+发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔并形成欧姆接触点。

2.  根据权利要求1所述的门极灵敏触发单向晶闸管芯片，其特征是：所述表面薄膜电阻条由掺杂多晶硅薄膜制成，该表面薄膜电阻条的阻值与温度呈反比。

3.  根据权利要求1或2所述的门极灵敏触发单向晶闸管芯片，其特征是：所述表面薄膜电阻条的阻值为10～80KΩ。

4.  门极灵敏触发单向晶闸管芯片的制造方法，包括步骤如下：硅片化学以及机械抛光、氧化、双面光刻对通隔离扩散窗口、对通隔离扩散、P型短基区扩散、光刻N发射区窗口、N发射区扩散、光刻沟槽窗口、蚀刻沟槽、玻璃钝化、光刻引线孔、正面蒸铝膜、背面蒸镀电极、反刻正面铝电极、真空合金、芯片测试和锯片，其特征是：在N发射区扩散与光刻沟槽窗口步骤之间增加了LPCVD多晶硅薄膜沉积、离子注入多晶硅掺杂、光刻表面薄膜电阻条、LPCVD氧化层保护和离子注入掺杂退火步骤，经过上述五个步骤在P型连接孔与N+发射区之间制成一个表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔并形成欧姆接触点；
所述LPCVD多晶硅薄膜沉积步骤采用LPCVD化学气相沉积法生长厚度为6000～10000？多晶硅；
所述离子注入多晶硅掺杂步骤的能量为40～50KV，剂量为1.5～3.0E13ions/cm2；
所述光刻薄膜电阻条步骤中采用腐蚀液腐蚀蚀刻多晶硅电阻条，使用重量比为HF∶冰醋酸∶HNO3＝1∶2∶(10～20)的腐蚀液，其中HF浓度为42％，冰醋酸浓度为99.8％以上，HNO3浓度为67％；
所述LPCVD氧化层保护步骤采用LPCVD化学气相沉积法生长厚度为3000～8000？二氧化硅；
所述离子注入掺杂退火步骤的退火温度为1050～1150℃，退火时间为1.5～2.5小时。

门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种芯片，尤其涉及一种门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法。
背景技术
目前门极灵敏触发单向晶闸管芯片在使用时I_GT离散性大，无法达到客户要求。使用环境和器件自身功耗的影响，导致器件壳温上升，门极灵敏度随温度而升高，触发电流I_GT变小，导致假触发。同样，在低温下，器件壳温下降，门极灵敏度随温度而下降，触发电流I_GT变大，导致器件在电路设计的额定电流下无法导通。
发明内容
本发明的目的是提供一种门极灵敏触发单向晶闸管芯片。
本发明的另一个目的是提供一种门极灵敏触发单向晶闸管芯片的生产方法。
本发明采用的技术方案是：
门极灵敏触发单向晶闸管芯片，包括N⁺发射区、阴极电极K、门极电极G、P型连接孔、沟槽、对通隔离扩散区和P型短基区，所述P型连接孔与N⁺发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔并形成欧姆接触点。
所述表面薄膜电阻条由掺杂多晶硅薄膜制成，该表面薄膜电阻条的阻值与温度呈反比。
所述表面薄膜电阻条的阻值为10～80KΩ。
门极灵敏触发单向晶闸管芯片的制造方法，包括步骤如下：硅片化学以及机械抛光、氧化、双面光刻对通隔离扩散窗口、对通隔离扩散、P型短基区扩散、光刻N⁺发射区窗口、N⁺发射区扩散、光刻沟槽窗口、蚀刻沟槽、玻璃钝化、光刻引线孔、正面蒸铝膜、背面蒸镀电极、反刻正面铝电极、真空合金、芯片测试和锯片，在N⁺发射区扩散与光刻沟槽窗口步骤之间增加了LPCVD多晶硅薄膜沉积、离子注入多晶硅掺杂、光刻表面薄膜电阻条、LPCVD氧化层保护和离子注入掺杂退火步骤，经过上述五个步骤在P型连接孔与N⁺发射区之间制成一个表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔并形成欧姆接触点；
所述LPCVD多晶硅薄膜沉积步骤采用LPCVD化学气相沉积法生长厚度为6000～10000？多晶硅；
所述离子注入多晶硅掺杂步骤的能量为40～50KV，剂量为1.5～3.0E13ions/cm²；
所述光刻薄膜电阻条步骤中采用腐蚀液腐蚀蚀刻多晶硅电阻条，使用重量比为HF∶冰醋酸∶HNO₃＝1∶2∶(10～20)的腐蚀液，其中HF浓度为42％，冰醋酸浓度为99.8％以上，HNO₃浓度为67％；
所述LPCVD氧化层保护步骤采用LPCVD化学气相沉积法生长厚度为3000～8000？二氧化硅；
所述离子注入掺杂退火步骤的退火温度为1050～1150℃，退火时间为1.5～2.5小时。
本发明在门极灵敏触发单向晶闸管芯片制作了一个阻值为10～80KΩ的表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔；通过调整该薄膜电阻的长、宽和厚度，以及使用离子注入控制掺杂量的方法，可以调整薄膜电阻R_GK的阻值，达到调整触发电流I_GT的目的。
利用LPCVD化学气相沉积法和离子注入掺杂方法在门极灵敏触发晶闸管的制作一个表面薄膜电阻条，当晶闸管的门极和阴极间加电流I_G时，在表面薄膜电阻条上产生一个电压降V_R，只有当V_R＝P-N结的门坎电压Vr时，晶闸管才会触发；该薄膜电阻阻值与温度关系成反比，温度升高时，该表面薄膜电阻条阻值减小，其上的电压降V_R减小，使该晶闸管触发电流I_GT减少缓慢；同理，温度降低时，该薄膜电阻阻值增大，其上的电压降V_R增大，使该晶闸管触发电流I_GT增加缓慢。
本发明的优点：
1、直接在晶闸管的门极电极G和阴极电极K之间增加了一个电阻，实际使用时可以重新外接一个电阻。
2、减小了产品电参数受温度的影响：可以在-40～110℃范围内使用。
3、触发电流可控性和一致性好，批与批之间可以将I_GT的范围控制在20uA之内。
4、抗干扰能力强，门极灵敏度高。
5、加工可靠性高、提高了产品合格率并改善了产品性能。
附图说明
图1为本发明的横向结构示意图。
图2为本发明的纵向结构示意图。
图3为表面薄膜电阻条、欧姆接触点局部结构示意图。
其中，101、N⁺发射区，201、阴极电极K，202、门极电极G，203、P型连接孔，301、欧姆接触点，401、表面薄膜电阻条，501、沟槽，601、对通隔离扩散区，602、P型短基区，701、氧化层。
具体实施方式
如图1至3所示，本发明的门极灵敏触发单向晶闸管芯片，包括N+发射区101、阴极电极K201、门极电极G202、P型连接孔203、沟槽501、对通隔离扩散区601和P型短基区602，所述P型连接孔203与N+发射区101之间连接有一个表面薄膜电阻条401，该表面薄膜电阻条401一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K201并形成欧姆接触点301，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔203并形成欧姆接触点301。表面薄膜电阻条401由掺杂多晶硅薄膜制成，该表面薄膜电阻条401的阻值与温度呈反比，且阻值为10～80KΩ。
门极灵敏触发单向晶闸管芯片的制造方法，包括步骤如下：
1、硅单晶片要求：ρ＝30-40-50Ω·cm，硅片厚度根据击穿电压、版面等参数调整(下述以t＝255±10um为例)。
2、硅片化学以及机械抛光：
利用化学机械抛光机对硅片进行单面减薄抛光，抛光后的硅片厚t＝220±5um。
2、氧化：
a.将待氧化的硅单晶片用甩干机甩干；
b.将甩干后的硅单晶片插在扩散舟上，将插有硅单晶片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入5L/min的纯净干氧气；
c.开启扩散炉进行升温，用4小时升到T＝1120±20℃；
d.当温度达到T＝1120±20℃并恒定后，将干氧气改为湿氧气，并开始计时，通湿氧气的时间为t＝4.5±1h；到时后再将湿氧气更换成干氧气，时间为t＝1.5h；
e.到时后开始降温，用6-8h将温度由T＝1120±20℃降至500℃以下，拉出有硅单晶片的扩散舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
f.检验氧化层厚度：要求氧化层厚度＝1.0-1.2um
3、双面光刻对通隔离扩散窗口：
a.匀胶(用苏州HFJ220胶(紫外负型光刻胶)，转速6000rpm，匀胶时间35sec)；
b.前烘(将匀胶后的硅片放入100±5℃的烘箱中烘烤25-30min)；c.双面曝光(用对通隔离扩散版掩蔽，紫外线曝光，曝光时间6-9秒)；
d.显影(将曝光后的硅片浸入HFJ2200型显影液(液状光刻胶显影液)中，浸泡6-8min，取出后甩干)；
e.坚膜(将显影后的硅片放入140±5℃的烘箱中烘烤30-40min)；
f.腐蚀(将坚膜后的硅片浸入42％氢氟酸∶96％氟化铵∶去离子水＝1mL∶2g∶3.3mL的SiO₂腐蚀液中，温度为37±2℃，腐蚀时间6-8min，取出后用去离子水冲10次)；
g.去胶(将腐蚀后的硅片放入95-98％浓硫酸∶35±2％双氧水＝1∶4的去胶液中，浸泡6-8min，将硅片取出，用去离子水冲洗12次)。
4、对通隔离扩散：
a.将待扩散的硅片涂敷B30扩散源(液状硼扩散源)，然后插在扩散舟上，将插有硅单晶片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入6L/min的纯净氮气和0.18L/min的纯净氧气；
b.开启扩散炉进行升温，用4小时升到T＝1070±15℃；
c.当温度达到T＝1070±15℃并恒定后，开始计时，扩散时间为t＝3.0±0.2h；
d.到时后开始降温，用4-6h将温度由T＝1070±15℃降至500℃以下，拉出有硅单晶片的扩散舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
e.检验扩散R_□：要求R_□＝4.5±0.8Ω/□；
f.将预扩散后的硅片插在扩散舟上，将插有硅单晶片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入5L/min的纯净氧气；
g.开启扩散炉进行升温，用4小时升到T＝1270±15℃；
h.当温度达到T＝1270±15℃并恒定后，开始计时，扩散时间为t＝120±4h；
i.到时后开始降温，用6-8h将温度由T＝1270±15℃降至500℃以下，拉出有硅单晶片的扩散舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
j.检验扩散Xj：要求Xj＝120±5um。
5、P型短基区扩散：
a.将待扩散的硅片去除氧化层后清洗，涂敷B30扩散源，然后插在扩散舟上，将插有硅单晶片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入6L/min的纯净氮气和0.18L/min的纯净氧气；
b.开启扩散炉进行升温，用4小时升到T＝1030±15℃；
c.当温度达到T＝1030±15℃并恒定后，开始计时，扩散时间为t＝1.2±0.2h；
d.到时后开始降温，用4-6h将温度由T＝1030±15℃降至500℃以下，拉出有硅单晶片的扩散舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
e.检验扩散R_□：要求R_□＝20±2Ω/□；
f.将预扩散后的硅片插在扩散舟上，将插有硅单晶片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入5L/min的纯净氧气；
g.开启扩散炉进行升温，用4小时升到T＝1270±15℃；
h.当温度达到T＝1270±15℃并恒定后，开始计时，扩散时间为t＝25±4h；
i.到时后开始降温，用6-8h将温度由T＝1270±15℃降至500℃以下，拉出有硅单晶片的扩散舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
j.检验扩散R_□、Xj：要求R_□＝32±3Ω/□，Xj＝43±3um。
6、光刻N⁺发射区窗口：
a.匀胶(用苏州HFJ220胶，转速6000rpm，匀胶时间35sec)；
b.前烘(将匀胶后的硅片放入100±5℃的烘箱中烘烤25-30min)；c.曝光(用N⁺发射区版掩蔽，紫外线曝光，曝光时间6-9秒)；
d.显影(将曝光后的硅片浸入HFJ2200型显影液中，浸泡6-8min，取出后甩干)；
e.坚膜(将显影后的硅片放入140±5℃的烘箱中烘烤30-40min)；
f.腐蚀(将坚膜后的硅片浸入42％氢氟酸∶96％氟化铵∶去离子水＝1mL∶2g∶3.3mL的SiO₂腐蚀液中，温度为37±2℃，腐蚀时间6-8min，取出后用去离子水冲10次)；
g.去胶(将腐蚀后的硅片放入95-98％浓硫酸∶35±2％双氧水＝1∶4的去胶液中，浸泡6-8min，将硅片取出，用去离子水冲洗12次)
7、N⁺发射区扩散：
a.将待扩散的硅片插在扩散舟上，将插有硅单晶片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入5L/min的纯净氮气和2L/min的纯净氧气；
b.开启扩散炉进行升温，用4小时升到T＝1010±15℃；
c.当温度达到T＝1010±15℃并恒定后，再通入1.8L/min的携源氮气，源为高纯三氯氧磷，开始计时，扩散时间为t＝1.2±0.2h，到时后关闭携源氮气，继续恒温0.3h；
d.到时后开始降温，用3-4h将温度由T＝1010±15℃降至500℃以下，拉出有硅单晶片的扩散舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
e.检验扩散R_□：要求R_□＝4.0±0.5Ω/□；
f.将待再分布的硅片插在扩散舟上，将插有硅单晶片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入5L/min的纯净氧气；
g.开启扩散炉进行升温，用4小时升到T＝1220±15℃；
h.当温度达到T＝1220±15℃并恒定后，开始计时，扩散时间为t＝4±1h；
i.到时后开始降温，用6-8h将温度由T＝1220±15℃降至500℃以下，拉出有硅单晶片的扩散舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
j.检验扩散Xj：要求Xj＝12±2um。
8、LPCVD多晶硅薄膜沉积：
a、将硅片装入LPCVD专用石英舟，400℃时推入LPCVD炉管中心，抽取真空；
b、真空到达极限真空后，用2小时升温到620～640℃；
c、到达温度并恒定后，开启75～100sccm的SiH4沉积，开始计时，沉积60～100min；
d、到时后关闭SiH4，抽取残气至极限真空，开始降温，用4h降温至400℃，充N2打开炉门，拉出有硅单晶片的石英舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
e、检验多晶硅膜厚：要求膜厚6000～10000？。
9、离子注入多晶硅掺杂及退火：
a、将硅片装入EATON NV1080离子注入机靶盘；
b、设定注入能量40～50KV，剂量1.5～3.0E13ions/cm²，直接注入，注入完毕将硅片取下装入片架，进行检验；
c、检验注入剂量：要求剂量1.5～3.0E13ions/cm²；
d、将注入后硅片装入退火石英舟，推入退火炉，用1h升温到1100±50℃，开始记时，退火时间为1.5～2.5小时；
e、到达时间后，开始降温，用2～3h降温至500℃以下，将装有硅单晶片的退火舟拉出退火炉，将硅片卸下装入片架，进行检验；
f、检验R_□，要求R_□＝2000±500Ω/□；
10、光刻薄膜电阻条：
a.匀胶(用苏州HFJ220胶，转速6000rpm，匀胶时间35sec)；
b.前烘(将匀胶后的硅片放入100±5℃的烘箱中烘烤25-30min)；c.曝光(用多晶硅薄膜电阻条版掩蔽，紫外线曝光，曝光时间6-9秒)；
d.显影(将曝光后的硅片浸入HFJ2200型显影液中，浸泡6-8min，取出后甩干)；
e.坚膜(将显影后的硅片放入140±5℃的烘箱中烘烤30-40min)；
f.腐蚀(将坚膜后的硅片浸入重量比为HF∶冰醋酸∶HNO3＝1∶2∶(10～20)的Si腐蚀液中，其中HF浓度为42％，冰醋酸浓度为99.8％以上，HNO3浓度为67％的SiO₂腐蚀液中，温度为10±2℃，腐蚀时间2～3min，取出后用去离子水冲10次)；
g.去胶(将腐蚀后的硅片放入95-98％浓硫酸∶35±2％双氧水＝1∶4的去胶液中，浸泡6-8min，将硅片取出，用去离子水冲洗12次)。
h、检验电阻条宽度和阻值：要求宽度为设计宽度±10um，电阻条阻值＝10～80KΩ
11、LPCVD LTO氧化层保护：
a、将硅片装入LPCVD LTO专用石英舟，常温时推入LPCVD炉管中心，抽取真空；
b、真空到达极限真空后，用2小时升温到400±50℃；
c、到达温度并恒定后，开启40～50sccm的SiH4和40～50sccm的O₂沉积，开始计时，沉积30～80min；
d、到时后关闭SiH₄和O₂，抽取残气至极限真空，开始降温，用4h降温至100℃以下，充N2打开炉门，拉出有硅单晶片的石英舟，将硅单晶片取出插到片架上，进行检验；
e、检验LTO氧化层膜厚：要求膜厚3000～8000？。
12、光刻沟槽窗口：
a.匀胶(用BN308胶(紫外负型光刻胶)，转速3000rpm，匀胶时间40sec)；
b.前烘(将匀胶后的硅片放入100±5℃的烘箱中烘烤25-30min)；c.曝光(用沟槽版掩蔽，紫外线曝光，曝光时间6-9秒)；
d.显影(将曝光后的硅片浸入HFJ2200型显影液中，浸泡6-8min，取出后甩干)；
e.坚膜(将显影后的硅片放入140±5℃的烘箱中烘烤30-40min)；
f.腐蚀窗口处的SiO₂(将坚膜后的硅片浸入42％氢氟酸∶96％氟化铵∶去离子水＝1mL∶2g∶3.3mL的SiO₂腐蚀液中，温度为37±2℃，腐蚀时间6-8min，取出后用去离子水冲10次)；
g.坚膜(将显影后的硅片放入140±5℃的烘箱中烘烤30-40min)。
13、湿法腐蚀腐蚀单面沟槽：
腐蚀液是重量比为HF∶冰醋酸∶HNO₃＝1∶1∶(1.5～2.5)的混合液(其中HF是浓度为48％的溶液，冰醋酸是纯的，HNO₃是浓度为68％的溶液)，腐蚀时将腐蚀液的温度控制在9～12℃，腐蚀时间控制在5～8min，腐蚀后的沟槽深度为60-80um。
14、玻璃钝化膜沉积：
配制INK：乙基纤维素∶丁基卡毕醇＝(2.5-3.2)g∶100ml；持续搅拌；直至充分溶解；玻璃浆料调制：INK∶GP230玻璃粉＝1∶(2-3)；搅拌直至完全均匀，刮涂玻璃浆料：用塑料刮刀将玻璃浆料刮到硅片的沟槽中；要求将沟槽填平，在120±10℃的热板上烘60-70Sec；烧出温度470-490℃，时间15-35min(N₂：2-3L/min，O₂：2-3L/min保护)；用擦盘将沟槽外的玻璃粉擦掉；烧成温度860±10℃，时间5-15min(N₂：2-3L/min，O₂：2-3L/min保护)。
15、光刻引线孔：
a.匀胶(用BN308胶，转速3000rpm，匀胶时间40sec)；
b.前烘(将匀胶后的硅片放入100±5℃的烘箱中烘烤25-30min)；c.曝光(用引线孔版掩蔽，紫外线曝光，曝光时间6-9秒)；
d.显影(将曝光后的硅片浸入HFJ2200型显影液中，浸泡6-8min，取出后甩干)；
e.坚膜(将显影后的硅片放入140±5℃的烘箱中烘烤30-40min)；
f.腐蚀窗口处的SiO₂(将坚膜后的硅片浸入42％氢氟酸∶96％氟化铵∶去离子水＝1mL∶2g∶3.3mL的SiO₂腐蚀液中，温度为37±2℃，腐蚀时间6-8min，取出后用去离子水冲10次)；
g.去胶(将腐蚀后的硅片放入95-98％浓硫酸∶35±2％双氧水＝1∶4的去胶液中，浸泡6-8min，将硅片取出，用去离子水冲洗12次)。
16、蒸镀双面电极：
用MARK50高真空电子束蒸发台蒸镀Ti-Ni-Ag，Ti膜厚＝1000-2000？；Ni膜厚＝5000-7000？；Ag膜厚＝1.0-2.0um。按设备操作规程进行预抽、预抽达到2Pa以下时，关于予抽阀、打开高阀进行高抽；待真空室的压强达到4×10^-3Pa时打开工件转动并开启烘烤电源，当烘烤温度达到180℃后恒温30分钟，关闭烘烤电源；待真空达到2×10^-3Pa时开启电子枪电源，延时3分钟后开高压、调节灯丝电流进行Ti源的预熔；Ti源的预熔用0.4A的束流进行扫描，当观察到Ti源已经融化在一起，Ti源的表面已无氧化物时，打开档板用0.4A的束流进行慢蒸1分钟；然后转动坩埚，调节灯丝电流进行Ni源的预熔；Ni源的预熔用0.4A的束流进行扫描，当观察到Ni源已经融化在一起，Ni源的表面已无氧化物时，打开档板用0.4A的束流进行慢蒸3分钟；然后转动坩埚，调节灯丝电流进行Ag源的预熔；Ag源的预熔用0.6A的束流进行扫描，当观察到Ag源已经融化在一起，Ag源的表面已无氧化物时，打开档板用0.6A的束流进行慢蒸5分钟；蒸镀结束后将灯丝电流调到零，关闭挡板，关闭高压，关闭高真空计和工件转动，再关高阀、前级阀、关主泵；对真空室进行冷却，待冷却10分钟以后开始充气，充气时氮气流量≤2L/min；充气结束，打开真空室，取出硅片；
重复上述过程蒸镀另一面电极。
17、反刻双面金属电极：
a.匀胶(用BN308胶，转速3000rpm，匀胶时间40sec)；
b.前烘(将匀胶后的硅片放入100±5℃的烘箱中烘烤25-30min)；c.曝光(用背面反刻版掩蔽，紫外线曝光，曝光时间6-9秒)；
d.显影(将曝光后的硅片浸入HFJ2200型显影液中，浸泡6-8min，取出后甩干)；
e.坚膜(将显影后的硅片放入140±5℃的烘箱中烘烤30-40min)；
f.腐蚀窗口处的TiNi-Ag(将坚膜后的硅片浸入HF∶冰醋酸∶HNO₃＝1∶1∶(15～25)的混合腐蚀液中，其中HF是浓度为48％的溶液，冰醋酸是纯的，HNO₃是浓度为68％的溶液，温度为25±3℃，腐蚀时间6-8min，取出后用去离子水冲10次)；
g.去胶(将腐蚀后的硅片放入剥离液中浸泡3-6min，将硅片取出，用去离子水冲洗12次)。
18、合金：
将待合金的硅片插在扩散舟上，将插有硅片的扩散舟送入扩散炉的恒温区内，在扩散管道内通入5L/min的纯净氮气，恒温温度490-520℃，恒温20-30min，然后取出。
19、芯片测试：
用JUNO的自动测试台进行测试V_DRM、V_RRM、I_EB、R_GK、V_FGM、I_DRM、I_RRM、I_H、I_L、I_GT、V_GT等参数。
20、锯片：
用砂轮切割机(锯片机)对硅片进行切割，速度为20-30mm/sec。
21、芯片包装。
经过上述步骤在P型连接孔与N⁺发射区之间制成一个表面薄膜电阻条401，该表面薄膜电阻条401一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K201并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔203并形成欧姆接触点301。