有机发光器件的制造方法.pdf

提供一种有机发光器件的制造方法，用于一种有机发光器件，其具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜。该方法包括：顺序地，在外部连接端子上设置保护膜去除层；在基板上形成保护膜；划分其上形成有该保护膜的该基板；以及用水、水溶液或溶剂来清洗该基板。作为清洗该基板的结果，将保护膜去除层和保护膜从外部连接端子去除。

1.  一种有机发光器件的制造方法，该有机发光器件具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜，该方法包括顺序地：
在所述外部连接端子上设置保护膜去除层；
在所述基板上形成保护膜；
划分其上形成有所述保护膜的所述基板；以及
用水、水溶液或溶剂来清洗所述基板，其中
作为清洗所述基板的结果，将所述保护膜去除层和所述保护膜从所述外部连接端子去除。

2.  根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中
所述保护膜去除层是溶于在清洗所述基板中使用的水、水溶液或溶剂的可溶性薄膜。

3.  根据权利要求2所述的有机发光器件的制造方法，其中
所述可溶性薄膜包含碱金属、碱土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和有机化合物中的至少一种。

4.  根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中
所述保护膜去除层包含由在清洗所述基板中使用的水、水溶液或溶剂膨胀的有机化合物层。

5.  根据权利要求4所述的有机发光器件的制造方法，其中
所述保护膜去除层包含与所述有机发光元件中含有的有机化合物相同的有机化合物。

6.  根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中
所述基板被划分以使所述保护膜去除层的截面被暴露，并且所述保护膜去除层在清洗所述基板时被溶解。

7.  一种有机发光器件的制造方法，该有机发光器件具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜，该方法包括：
为所述基板设置所述外部连接端子上的保护膜去除层和该保护膜去除层上的保护膜；
暴露所述保护膜去除层的截面；以及
用水、水溶液和溶剂中的至少一种来溶解所述保护膜去除层。

有机发光器件的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及有机发光器件的制造方法。
背景技术
[0002]作为自发射器件，有机发光器件近来引起了应用于平板显示器的注意，并且这种器件已经被进行了积极开发。
[0003]为了改进有机发光器件的发光特性，人们研究了与保护膜有关的技术，其中保护膜用于遮蔽可以从外部渗透的湿气和氧。透明绝缘膜，例如氮化硅膜和氮氧化硅膜，可以作为保护膜形成在有机发光元件的上方和周边上的广阔区域上，其中有机发光元件是有机发光器件的构成部件。
[0004]诸如柔性印刷电路板(以下称为FPC)的外部电路被电连接到有机发光器件的外部连接端子，以将显示信号传输到有机发光器件。在这种情况下，除非将作为绝缘膜的保护膜从外部连接端子去除，否则无法获得充分的电连接。因而，使用一种方法，通过该方法，当通过等离子体CVD等形成保护膜时，外部连接端子被覆盖有金属掩模等以防止在外部连接端子上形成保护膜。
[0005]日本专利公开No.2002-151254公开了以下四种防止在外部连接端子上形成保护膜的方法。利用第一种方法，在形成保护膜之前对外部连接端子的表面进行去极化。利用这种方法，在去极化的端子表面上不形成保护膜，并且外部连接端子与FPC等的端子电极可以通过在随后连接到FPC等之前进行端子表面的UV或臭氧处理被电连接。利用第二种方法，通过不同于金属掩模方法的方法将掩模带粘贴在外部连接端子上，形成保护膜，然后剥离掩模带，从而将保护膜与掩模带一起去除。利用第三种方法，外部连接端子的表面覆盖有与构成有机发光元件的有机化合物层对应的薄膜或用于覆盖阳极端部的材料，然后使用金属掩模进行光蚀刻，从而将保护膜与薄膜或覆盖材料一起去除。利用第四种方法，在外部连接端子的表面上设置具有对外部连接端子的低粘附力的薄膜，之后形成保护膜，然后利用带将保护膜剥离。
[0006]日本专利公开No.2004-165068公开了一种方法，通过这种方法，在包含外部连接端子的区域上形成激光可去除层，在其上形成保护膜，然后进行激光照射以将保护膜与激光可去除层一起去除。
[0007]典型地在沿基板侧宽度小于等于5mm的范围设置外部连接端子。因此，在由大基板制造多个面板的情况下，条状图案或格栅状图案可以视作用于形成保护膜的掩模，该条状图案具有遮蔽部，该遮蔽部具有外部连接端子的间距，在该格栅状图案中于外部连接端子上以及面板之间设置遮蔽部。在两种图案掩模中，开口远大于遮蔽部。因此，掩模具有低强度并且可被容易变形。作为结果，外部连接端子难以可靠地覆盖，保护膜可围绕外部连接端子回绕(wrap around)并与之粘附，从而在外部电路连接期间产生电阻。在增加遮蔽部的尺寸以赋予掩模强度的情况下，面板框可变宽，并且面板之间的距离可增加，从而减少了由一个基板可以制造的面板的数目。
[0008]如日本专利公开No.2002-151254中所述的利用掩模带剥离保护膜的方法被用于由大基板获得大量的基板。但是，这种方法可能需要在形成保护膜之前粘贴掩模带的工艺，以及在形成保护膜之后剥离带的工艺。因此，要进行的工艺的数目增加。在日本专利公开No.2002-151254中公开的所有其它方法中，也可能需要附加的工艺来去除保护膜。因此，制造有机发光器件所需的工艺时间可能延长，生产率会下降，并且制造成本可能升高。
发明内容
[0009]根据本发明的一个方面，提供一种有机发光器件的制造方法，用于一种有机发光器件，其具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜。该方法包括：顺序地，在外部连接端子上设置保护膜去除层；在基板上形成保护膜；划分其上形成有该保护膜的该基板；以及用水、水溶液或溶剂来清洗该基板。作为清洗该基板的结果，将保护膜去除层和保护膜从外部连接端子去除。
根据本发明的另一个方面，提供一种有机发光器件的制造方法，该有机发光器件具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜。该方法包括：为基板设置外部连接端子上的保护膜去除层和该保护膜去除层上的保护膜；暴露该保护膜去除层的截面；以及用水、水溶液和溶剂中的至少一种来溶解该保护膜去除层。
[0010]本发明的进一步特征从以下参照附图对示例性实施例的描述中将变得明了。
附图说明
[0011]图1A-1D是例示根据本发明的制造方法的实施例的截面示意图。
[0012]图2是例示根据本发明的制造方法的实施例的平面示意图。
[0013]图3A和图3B是例示根据本发明的外部连接端子的掩模开口形状的实施例的示意图。
[0014]图4是例示根据本发明的制造方法中的ACF连接状态的实施例的截面示意图。
[0015]图5A-5C是例示根据本发明的制造方法的实施例的截面示意图。
[0016]图6示出在实例2中测量接触电阻所在的位置的实例。
具体实施方式
[0017]根据本发明各个方面的方法所制造的有机发光器件的实施例具有：基板，其设置有外部连接端子；设置于该基板上的多个有机发光元件；和覆盖所述有机发光元件的保护膜。
[0018]根据本发明各个方面的制造方法的实施例包括顺序地(即，按照所述的顺序)执行的以下工艺(i)-(iv)：
(i)在外部连接端子上设置保护膜去除层的工艺，其中保护膜去除层用于去除在外部连接端子上设置的保护膜(即，保护膜去除层布置工艺)；
(ii)在基板上形成保护膜的工艺(即，保护膜形成工艺)；
(iii)划分其上形成有该保护膜的该基板的工艺(即，基板划分工艺)；以及
(iv)清洗该基板的工艺(即，清洗工艺)。
[0019]以下将参照附图描述第一实施例。图1A-1D是例示根据本发明的制造方法的实施例的截面示意图。
[0020]首先，将解释有机发光器件。在第一实施例中制造的有机发光器件中，TFT电路2形成在基板1上的相应位置中。适于有机发光器件的基板1的实例可以包括以下基板中的至少一种：玻璃基板，含合成树脂等的绝缘基板，其表面上形成有氧化硅、氮化硅等的绝缘层的导电基板，和半导体基板。基板1可以是例如透明或不透明的。
[0021]通过根据含TFT电路2的基板1上的预定图案进行光刻，可以形成平坦化膜3，平坦化膜3包含丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂、降冰片烯(norbornene)树脂、氟树脂等中的一种或多种。平坦化层3用于使在设置TFT电路2时可能产生的凹部和凸部平坦化。平坦化层3的材料及其制造方法不受特别限制，只要例如可以至少部分地平坦化在设置TFT电路2时可能产生的任何凹部和凸部。在平坦化膜和TFT电路之间可以形成含无机材料的绝缘层3a，该无机材料例如是氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。
[0022]形成下电极4以电连接与平坦化层3上的有机发光元件相对应的位置中的TFT电路2的一部分。下电极4可以是例如透明电极或反射电极。在下电极4是透明电极的情况下，其合适的构成材料的实例可以包括例如ITO和In₂O₃中的至少一种。在下电极是反射电极的情况下，其合适的构成材料的实例可以包括：金属，该金属例如是Au、Ag、Al、Pt、Cr、Pd、Se和Ir中的至少一种；组合多种这些金属的合金；和金属化合物，例如碘化铜。下电极4可以具有例如0.1μm-1μm的厚度。
[0023]堤岸(bank)5设置在下电极4的外围部中。堤岸5的构成材料的实例包括例如无机绝缘层、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂和酚醛清漆树脂，该无机绝缘层包含氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的一种或多种。该堤岸可以具有例如1μm-5μm的厚度。
[0024]在选择适当的配置的情况下，例如，在考虑有机发光元件的发光功能的情况下，设置于下电极4上的有机化合物层6可以被配置为单层或多层。构成有机化合物层6的层的具体实例可以包括空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、和电子注入层中的一种或多种。根据一种方案，公知的化合物可以用作这些层的构成材料。有机化合物层6的发光区域可以例如在特定层中或在相邻层的界面处。有机化合物层6可以通过例如真空汽相沉积方法、喷墨方法等形成。在汽相沉积方法等的情况下，有机层可以使用高精度掩模被形成；而在喷墨方法等的情况下，有机层可以利用高精度排放被形成在发光区域上。
[0025]上电极7形成在有机化合物层6上。上电极7可以例如是透明电极或反射电极。与下电极4的材料类似的材料也可以用作上电极7的构成材料。
[0026]通过形成上电极7，可以在基板1上形成含下电极4、有机化合物层6和上电极7的有机发光元件。当从大基板形成多个有机发光器件时，所述多个有机发光器件可以按矩阵的形式排列在大基板10上，例如如图2所示。在一种方案中，当形成下电极4时，存在于每个有机发光器件中的外部连接端子8可以被同时形成。
[0027]以下将解释工艺(i)(保护膜去除层布置工艺)的实施例。
[0028]在工艺(i)(保护膜去除层布置工艺)中，在外部连接端子上形成作为保护膜去除层12的可溶性薄膜。适于形成该可溶性薄膜的方法实例包括汽相沉积方法和溅射方法。在一种方案中，当可溶性薄膜包含与有机化合物层相同的材料时，可溶性薄膜可以与有机化合物层同时形成。可溶性薄膜可以例如形成在外部连接端子及其周边上，距离布置有机发光元件的显示区域20一定距离，如图3A所示；或者，可溶性薄膜也可以被形成以使得其在基板设置有外部连接端子的一侧从一端延伸到另一端，如图3B所示。
[0029]根据这一工艺的实施例，金属掩模可以被用于仅在外部连接端子上形成可溶性薄膜。但是，在一种方案中，不是遮蔽外部连接端子，所用的掩模可以具有比其遮蔽部小得多的开口。作为结果，掩模可以具有高强度并可以仅展现少量的变形。因此，当保护膜被形成以防止其形成在外部连接端子上时可能遇到的问题，例如膜回绕(wraparoud)和框扩展(frame expansion)，不会过度发生或者甚至根本不会发生，并且膜可以因此形成在预选的位置。
[0030]所用的可溶性薄膜的类型不被特别限制，只要它可以例如溶于在下述清洗工艺(工艺(iv))中用于清洗的水、水溶液或溶剂中。可溶性薄膜的构成材料的实例可以包括碱金属、碱土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、和有机化合物中的至少一种。碱金属的具体实例可以包括锂、钠、钾和铯。碱土金属的具体实例可以包括钙、锶、钡、镭、铍和镁。碱金属化合物的具体实例可以包括上述碱金属的氢氧化物和碳酸盐。
[0031]碱土金属化合物的具体实例可以包括上述碱土金属的氧化物。此外，有机化合物层(其可以是含空穴输送层、发光层、和电子输送层的叠层，或者任何单独的层)的构成材料是可用于可溶性薄膜的有机化合物的实例。
[0032]以下将描述工艺(ii)(保护膜形成工艺)。根据本实施例的各个方面，在工艺(ii)执行之前的工艺(i)中形成作为覆盖外部连接端子8的保护膜去除层12的可溶性薄膜。作为结果，可以不必用由金属等形成的面型掩模(area mask)覆盖包括外部连接端子8的区域。如图2所示，被形成以覆盖大基板10的整个表面的保护膜9的构成材料的类型不被特别限制。例如，该构成材料可以被选择以使得膜具有充分的电绝缘性能和气密性，并且甚至使得膜可以至少部分地防止有机发光元件退化。具体材料的实例包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种。真空汽相沉积方法、等离子体CVD方法、和溅射方法是可用于形成保护膜9的工艺的实例，但是这个列表不是限制性的。在一种方案中，在高温高湿条件(例如，温度60℃和湿度90％)下执行的耐久性试验中被确认不使湿气等透过的膜可用作保护膜9。
[0033]但是，对于能够防止氧和湿气从外部渗透和防止元件退化的保护膜9而言，可能有必要尽可能地抑制膜中存在的缺陷。为此，可能有必要控制所用的基板1上可能固有存在的粒子、在形成保护膜9之前的工艺中可能生成的粒子、和在等离子体CVD工艺中可能生成的粒子。此外，因为由基板表面的大的凹部和凸部也可以在保护膜9中诱发缺陷，所以在一种方案中，可能是下面的情况：在下电极的外周边上设置的堤岸的形状和通孔的形状中不存在相对于水平方向的锐角。在已经形成保护膜之后，还可以执行老化工艺。在老化工艺的一个实例中，将有机发光器件暴露到高温高湿条件若干小时，从而加速初始退化。作为结果，不符合预定标准的有机发光器件可以作为缺陷品被丢弃。
[0034]以下将描述工艺(iii)(基板划分工艺)。在已经进行工艺(ii)(保护膜形成工艺)之后，可以使用例如划片机或激光束来切割大的基板10。当切割基板时，可以沿图1A或图2所示的划线30进行切割。当沿划线30进行切割时，可以暴露作为形成于外部连接端子8上的保护膜去除层12的可溶性薄膜的截面，如图1B所示。在用划片机切割基板的情况下，碎片(即，切片)可以粘附在基板的切割部分的附近。在碎片粘附到外部连接端子的情况下，它们可以导致当外部连接端子和FPC被电连接在ACF中时的缺陷连接。
[0035]因此，在执行工艺(iii)(基板划分工艺)时产生的碎片可以在随后的工艺(iv)(清洗工艺)中去除。这些碎片可能单独通过吹风难以去除。因此，碎片可以通过如下的方法直接去除：浸入液体(例如水或溶剂)中，并进行超声辐射或使用刷子，同时使得液体在基板10附近流动。
[0036]当清洗基板10时，通过切割基板暴露的可溶性薄膜的截面与清洗溶剂(即，水、水溶液或其它溶剂)接触。作为结果，可溶性薄膜开始从截面溶解，并且溶剂进一步沿可溶性薄膜和基板的界面渗透。因此可溶性薄膜和基板之间的粘附强度降低甚至消失，并且可溶性薄膜可以几乎完全溶解。作为结果，设置在外部连接端子8上的可溶性薄膜可以被去除，并且设置在外部连接端子8上的保护膜9可以与可溶性薄膜的残渣一起被剥离和去除。
[0037]在可溶性薄膜的构成材料包括碱金属、碱土金属、碱金属化合物和碱土金属化合物中的至少一种的情况下，在工艺(iv)中使用的清洗溶剂可以是纯水，其可以溶解这些金属和金属化合物。在用纯水清洗之后，可以进一步使用诸如醇(例如，乙醇和异丙醇中的至少一种)或丙酮的有机溶剂进行清洗。
[0038]在可溶性薄膜的构成材料包括有机化合物的情况下，在工艺(iv)中使用的清洗溶剂可以是能溶解该有机化合物的诸如醇(例如，乙醇和异丙醇中的至少一种)或丙酮的有机溶剂。
[0039]在用这些溶剂清洗之后，也可以使用纯水进行进一步清洗。
[0040]当在工艺(iv)中清洗基板1时，可以用位于清洗槽内的清洗刷40刷洗基板的切割部分，例如如图1C所示。该方法可以提供用于去除保护膜的薄片，该薄片可以与在切割大基板时可能产生的任何碎片一起被有效地去除。此外，当用浸有能溶解有机化合物的诸如醇(例如，乙醇和异丙醇中的至少一种)或丙酮的有机溶剂的棉来擦外部连接端子8时，去除有机化合物的效果会高。
[0041]如以上所述，通过进行工艺(iv)，可以去除在外部连接端子8上设置的保护膜9，如图1C和1D所示。
[0042]在工艺(iv)之后，有机发光器件可以被干燥。该干燥可以通过从温水中拉起或利用干吹风来进行。
[0043]然后，将FPC 14电连接到所获得的有机发光器件的外部连接端子8(图4)。更具体地，ACF 13被压力预接合到外部连接端子8，FPC 14和外部连接端子8的位置被对准。在一个进行压力预接合的方案中，其可以在低温下进行。对准也可以自动进行。
[0044]在所用的ACF 13中，膜中包含的导电粒子的形状可以具有突起部。在导电粒子的表面具有突起部而不是球面的情况下，可以有助于导电性。导电粒子可以是含例如金属粉末的粒子或涂有金属的树脂粒子。廉价且具有对退化的高抵抗性的碳等也可以用作导电粒子。导电粒子的直径可以小于等于10μm，具体值根据有机化合物层的厚度而定。导电粒子的表面上的突起部的角度可以小于等于90°。
[0045]根据本实施例，在已经进行压力预接合之后，可以用热压接合头进行热压接合。用于热压接合的压力、温度和时间不被特别限制，只要可以实现例如外部连接端子8与FPC 14的电极端子的电连接。
[0046]在一种方案中，可以经压力敏感粘附剂16将圆形偏振片17粘贴到设置于有机发光元件上的保护膜9，例如如图4所示。类似于传统的圆形偏振片，圆形偏振片17可以通过将偏振片与1/4λ片(相位差片)组合而获得。
[0047]根据本实施例的各个方面，外部连接端子的掩蔽和/或保护膜剥离和去除工艺可以简化。此外，在工艺(iv)(清洗工艺)中，设置于外部连接端子8上的保护膜9可以与可溶性薄膜的残渣一起剥离和去除。因此，可以不必提供新的和/或单独的用于选择性地剥离和去除设置于外部连接端子8上的保护膜9的工艺。因此，可以降低有机发光器件的制造成本。
[0048]根据本实施例制造的有机发光器件是有源型有机发光器件，但根据本发明各个方面的有机发光器件也可以是无源型有机发光器件。此外，在根据本实施例制造的有机发光器件中，外部连接端子仅设置在一侧，而根据本发明的实施例也可以包括其中外部连接端子设置于两侧或更多侧上的配置。
[0049]以下将描述根据本发明各个方面的第二实施例。与第一实施例的部件类似的部件的解释将被省略。
[0050]在本实施例中，形成于基板上的外部连接端子和有机发光元件通过与第一实施例相同的方法被形成。
[0051]在本实施例中使用的保护膜去除层是有机材料。在一种方案中，保护膜去除层可以是包含与有机发光元件中含的有机化合物相同的有机化合物的有机化合物层。因此，在本实施例中，工艺(i)(保护膜去除层布置工艺)可以通过如下的方法执行：在形成有机发光元件的工艺中，在形成有机化合物层的同时，(在外部连接端子上)形成具有与有机化合物层的层配置类似的层配置的保护膜去除层。
[0052]在本实施例中，在工艺(i)之后，工艺(ii)(保护膜形成工艺)和工艺(iii)(基板划分工艺)可以通过与第一实施例类似的方法顺序进行。一旦已经进行了工艺(iii)，含有机化合物层的保护膜去除层被暴露在切割表面中。
[0053]在本实施例中，当进行工艺(iv)(清洗工艺)时，可以使得暴露的有机化合物层(有机化合物层的暴露部分)与水、水溶液或溶剂接触。在使得暴露部分与水、水溶液或溶剂接触的情况下，设置于外部连接端子上的保护膜可以与作为保护膜去除层的有机化合物层一起剥离。适用于工艺(iv)的水溶液的实例可以包括但不限于纯水、臭氧水、有机碱清洗溶液、DHF和添加表面活性剂的水溶液。
[0054]在一种方案中，由于含无机化合物的保护膜与含有机化合物的有机化合物层之间的吸收率(例如，吸水率)的差别，保护膜可以在被使得与水、水溶液或溶剂接触时被剥离。
[0055]例如，构成保护膜的无机材料的吸水率可以是几乎0％，而构成保护膜去除层的有机化合物层可以具有从10^-1％到百分之几的吸水率。因此，当使得暴露部分与水或水溶液接触时，基本上仅保护膜去除层膨胀(即，扩展)，从而剥离在保护膜去除层上设置的保护膜。此外，由于有机化合物层可以具有对外部连接端子的低粘附力，所以有时通过超声清洗或刷清洗可以将有机化合物层容易地从外部连接端子剥离。在工艺(iv)已经如此执行之后，可以假定一种状态，其中实际上没有保护膜或有机化合物层形成于外部连接端子上。
[0056]对所获得的有机发光元件可以进一步进行老化，并且由于初始退化而不符合标准要求的有机发光器件可以被丢弃。
[0057]当进行老化时，有机发光器件通常被使得在高温高湿条件下保持若干小时。这些高温高湿条件是例如温度60℃和湿度90％的条件。在保护膜中存在缺陷的情况下，由于暴露到上述高温高湿环境，在有机发光器件的显示部分中快速出现诸如白浊的变化。
[0058]以下将基于其具体实例更详细地解释根据本发明的有机发光器件。本发明不受下述实例的限制，并且在不脱离本发明范围的情况下可以进行各种改变。
实例
实例1
[0059]通过下述方法制造有机发光器件。(有机发光元件和保护膜去除层的制造)
[0060]TFT 2形成在玻璃基板(基板1)上。TFT 2还包括信号布线2a。然后绝缘层3a和平坦化层3根据预定图案按所述顺序被叠置和形成在玻璃基板上。然后在平坦化层3上按像素单位形成由铝(Al)-铟锡氧化物(ITO)制成的薄膜，并且形成下电极6。下电极6具有150nm的厚度。然后通过光蚀刻工艺形成堤岸5(聚酰亚胺树脂，商标名称)以围绕在先前工艺中形成的下电极6的周缘。堤岸5具有2000nm的厚度。
[0061]用纯水清洗其上形成有堤岸5的基板1约5分钟，然后通过在约200℃下烘培2小时进行脱水。然后形成于基板上的下电极被UV/臭氧清洗，然后构成有机化合物层的空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层按所述顺序通过真空汽相沉积方法形成。更具体地，通过在1×10^-3Pa的压力条件下在下电极4上形成N，N’-α-二萘基联苯胺(α-NPD)的膜而形成空穴输送层。在这种情况下，空穴输送层的厚度是40nm。然后通过产生绿发射光的香豆素着色剂(香豆素540)和三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)的汽相共沉积在空穴输送层上形成发光层。在这种情况下，进行共沉积使得香豆素着色剂占整个发光层的1.0％(体积百分比)。膜厚是30nm。
[0062]然后，在发光层上形成如下所示的邻二氮杂菲化合物的膜，并形成电子输送层。电子输送层具有10nm的厚度。

[0063]然后通过碳酸铯和邻二氮杂菲化合物的汽相共沉积在电子输送层上形成电子注入层。在这种情况下，执行共沉积以使得碳酸铯占整个电子注入层的2.9％(体积百分比)。膜厚是40nm。
[0064]将其上形成有电子注入层的基板移到另一溅射设备，然后通过在电子注入层上溅射铟锡氧化物(ITO)形成上电极7。上电极7具有60nm的厚度。
[0065]然后通过使用金属合金掩模在外部连接端子8上溅射来形成作为可溶性薄膜的锶膜，在该金属合金掩模中仅有机发光器件的外部连接端子8处于开口中。更具体地，有机发光器件被在溅射室中传递(在室内预先布置含锶的溅射靶)，外部连接端子8被定位以覆盖面型掩模，并且有机发光器件被固定。然后使得氩气以100sccm的流量流入溅射室，室中的压力保持在2.0Pa，通过利用DC电源诱发等离子体来形成锶膜(保护膜去除层12)。在这种情况下锶膜具有100nm的厚度(图1A)。
(保护膜的形成和基板的去除)
[0066]然后，如图1B所示，通过VHF等离子体CVD方法在整个有机发光器件上形成保护膜9，如图1B所示，从而覆盖在先前工艺中形成的锶膜。当形成保护膜时，使用SiH₄气体和N₂气体作为气态材料，并且所述气体分别以4sccm和200sccm的流量流动。此外，保护膜在40W的高频功率和70Pa的压力的条件下形成。保护膜具有3μm的厚度。在形成保护膜之后，将大基板从膜形成设备移到前室，然后开始通风(释放真空)，并在完成通风之后，将室盖打开，并将其上形成有保护膜的基板取至外部。
(基板的切割和基板的清洗)
[0067]其上按矩阵状配置形成有有机发光器件的大基板被置于划片机中，使得划线30位于在外部连接端子8上形成的锶膜上，如图2所示，并将基板切割成分立的器件。由于碎片粘附到被切割的有机发光器件的切割部分，因此基板被清洗。清洗在含纯水作为清洗液(溶剂)的清洗槽中进行，如图1C所示，并使用清洗刷40来清洗有机发光器件。在这种情况下，溶剂沿可溶性薄膜与外部连接端子的界面渗透，并且可溶性薄膜显现被溶解。作为结果，形成于外部连接端子8上的保护膜9与可溶性薄膜的残渣一起被剥离和去除。然后，用干空气使得有机发光器件干燥。
(安装外部电路的工艺)
[0068]然后进行FPC安装以将用于驱动有机发光器件的驱动电路与外部电路电连接。ACF 13被放置在有机发光器件的外部连接端子8上，并在约1秒和80℃的温度的条件下进行压力预接合。位于ACF 13上的保护片被去除，并且FPC 14与外部连接端子8对准。然后，加热至230℃的温度的热压力接合头被放置在FPC 14上，并在3MPa接合压力和12秒压力接合时间的条件下，在加热的情况下施加压力。作为结果，外部连接端子8和FPC 14被热压力接合在一起。
[0069]然后，通过用压力敏感粘附剂16将圆形偏振片17粘贴到保护膜9上获得有机发光器件。总共五个有机发光器件被生产出。
[0070]在光从所获得的有机发光器件的有机发光元件发射期间测量亮度，并使用亮度值来评估外部连接端子8是否正常安装。结果显示在表1中。关于确定标准，亮度相对于预定亮度减少2％或更多的结果被用×(差)指示，其它结果用○(好)指示。
[0071]当形成于外部连接端子8上的可溶性薄膜(保护膜去除层12)的厚度变化时，相同的方法被用于确定FPC 14的安装是否正常。
表1

注)×：亮度减少大于等于2％的部分；
○：亮度在整个区域上不减少。
[0072]如表1所示，在作为可溶性薄膜的锶膜的厚度是10nm时，在加速试验之前，在五个有机发光器件中的编号为4的基板的某些有机发光元件中出现亮度减少5％的部分。这明显是因为由锶膜的小厚度导致的外部连接端子8不能被充分覆盖，并且因此保护膜被直接形成在外部连接端子8的一部分上，从而产生保护膜不能被剥离和去除的部分，这导致差的电接触。
[0073]此外，通过将所获得的有机发光器件在温度60℃和湿度90％的条件下暴露500小时，进行加速试验。加速试验后的有机发光器件的性能通过当有机发光元件发光时测量的亮度来评估。在已经进行加速试验之后，在锶膜厚度是10nm的五个有机发光器件中的编号为2的基板的有机发光元件中出现亮度减少。在可溶性薄膜厚度为20nm到500nm的有机发光器件中，即使在加速试验之后也没有出现亮度减少的部分。因此，通过在外部连接端子8上形成具有足够厚度的可溶性薄膜(保护膜去除层12)，可以将保护膜9与可溶性薄膜一起剥离。作为结果，FPC 14可以被正常地安装。
[0074]有机发光器件通过上述工艺制造。由于在根据本发明制造有机发光器件的方法中从外部连接端子去除保护膜的工艺可以与其它工艺组合，因此工艺数目的增加少，生产率增加，并且可以降低成本。因此本实例的工艺提供了一种有机发光器件的制作方法，通过该方法可以减少用于去除位于外部连接端子上的保护膜的工艺数目，并可以从大基板获得大量的有机发光器件。因此，在实例中，可以在不增加用于剥离覆盖外部连接端子的保护膜的任何特殊工艺的情况下暴露外部连接端子。
实例2
[0075]以与实例1相同的方式在玻璃基板上形成下电极和所有前述部件。本实例与实例1之间的差别在于，外部连接端子的组被布置以使得在大基板的每个面板上彼此面对，如图5A所示。
[0076]有机化合物层和上电极然后被顺序形成在下电极和外部连接端子上。
[0077]更具体地，通过真空汽相沉积方法制造α-NPD膜并形成空穴输送层。空穴输送层具有50nm的厚度。然后，通过真空汽相沉积方法按100∶6的重量比汽相共沉积铝螯合物络合物(alumichelatecomplex)(Alq₃)和香豆素6以形成发光层。发光层具有50nm的厚度。然后制造(邻)二氮杂菲化合物(Bphen)的膜，并形成电子输送层。电子输送层具有10nm的厚度。前述工艺的(邻)二氮杂菲化合物和碳酸铯(Cs₂CO₃)按100∶1的重量比被汽相共沉积，并形成电子注入层。电子注入层具有40nm的厚度。在汽相沉积期间利用掩模在由堤岸分离的每个有机发光元件的区域上(和外部连接端子8上)分离地形成这些有机化合物层。
[0078]设置于外部连接端子8上的有机化合物层用作保护膜去除层12(图5B)。
[0079]然后通过溅射方法在电子注入层上制造ITO膜，并形成上电极。上电极具有220nm的厚度。作为结果，在大基板10上形成按矩阵状配置而排列的有机发光器件。
[0080]然后，通过等离子体CVD方法形成保护膜9以覆盖有机发光器件的整个表面，如图5C所示。更具体地，该膜通过等离子体CVD方法在80W的高频功率、90Pa的压力、和作为气态材料的SiH₄气体和N₂气体的流量分别为10sccm和500sccm的条件下形成。所形成的保护膜具有3μm的厚度。
[0081]然后，用划片机从没有形成较大基板10的保护膜和有机发光元件的侧面划分有机发光器件。划线30的切割表面具有含保护膜和玻璃基板的叠层结构。相对照地，与外部连接端子最接近的划线30a的切割表面具有含保护膜、有机化合物层和玻璃基板的叠层结构。
[0082]用刷清洗所划分的有机发光器件，并去除粘附到切割表面的碎片(即，切片)。在刷清洗期间，转动刷40在距离切割表面10mm的范围内转动以去除在切割表面附近大量存在的碎片。纯水用作清洗期间的清洗液。作为结果，在与外部连接端子最接近的划线30a上，设置于外部连接端子上的保护膜和有机化合物层被一起剥离，并且几乎全部被去除。这明显可能是因为以下原因：有机化合物层的构成材料吸水并膨胀，而保护膜几乎不表现出膨胀。作为结果，保护膜从有机化合物层剥离，并且对外部连接端子具有低粘附力的有机化合物层也通过刷清洗被清洗并去除。
[0083]然后将有机发光器件加热到80℃并干燥。上述工艺制造有机发光器件。
[0084]然后将预定长度的ACF压力预接合到外部连接端子。镀有金的直径约5μm的塑料珠被用作ACF 13中包含的导电粒子13a。导电粒子13a具有形成于其上的高度约0.5μm的突起部，而不具有球形。其表面涂有金。然后将基板对准标记和FPC的FPC对准标记对准。在对准标记之后，将结构置于热压力接合头下方，将加热器头加热到ACF的熔化温度，并且在3MPa的接合压力和15秒的压力接合时间下完成压力接合。由此制造总共四个有机发光器件。
(有机发光器件的评估)
[0085]首先，测量在所获得有机发光器件中的外部连接端子的接触电阻。如图6的实例所示，在有机发光器件的基板1上存在从其去除保护膜和有机化合物层的区域60，并且外部连接端子8暴露在该区域中。外部连接端子8上存在其中粘贴ACF的区域61，并且FPC 14从其上被压力接合。
[0086]测量外部连接端子8与FPC 14的端子部14a之间的初始电阻值。上述测量通过使用数字万用表VOAC(Iwatsu Co.，Ltd.)来进行。
[0087]对于进行测量的所有四个所制造的有机发光器件而言，外部连接端子中的任何五条线路(每一个器件)的接触电阻在3.0Ω到5.0Ω的范围内。
[0088]当从外部电路向所制造的有机发光器件供应发光信号时，所有的四个有机发光器件被确认发光。
[0089]然后在高温高湿条件下针对本实例制造的有机发光器件进行耐久性实验。该实验在温度60℃和湿度90％的条件下进行。针对实验后的有机发光器件通过上述方法测量外部连接端子的接触电阻。结果表明相对于耐久性实验之前的电阻增加在10％内。当从外部电路向所实验的有机发光器件供应发光信号时，所有的四个有机发光器件被确认发光。
[0090]因此，可以低成本地去除外部连接端子上存在的保护膜，而不用传统的掩蔽方法和光刻方法，并且没有任何附加工艺。此外，本实例所制造的有机发光器件的安装部被发现具有类似于传统配置的耐久性。
[0091]尽管参考示例性实施例描述了本发明，但是应该理解本发明不限制于所公开的示例性实施例。所附的权利要求的范围应按照最宽范的解释以包括所有的这种修改和等同结构及功能。