晶圆的切割方法 【技术领域】
本发明属于半导体加工方法，特别是一种晶圆的切割方法。
背景技术
如图1所示，习知晶圆10在完成制作后，使其上形成复数个晶片12，且相邻晶片12间形成有切割道14，用以将每一晶片12自晶圆10上切割下来。
为了使晶圆10在切割过程中，被切割下来的晶片12不致散飞，通常在切割时，首先将晶圆10固定于保护层16上，再以切割刀延着切割道14将每一晶片12切割下来，最后再将保护层16去除。
然而，在切割过程中，切割屑将污染到每一晶片12，所以，最后必须将切割完成的每一晶片12以清水予以清洗，再行烘干，如此，导致制程的复杂，使得制造成本提高。
【发明内容】
本发明的目的是提供一种避免切割时对晶圆污染、免除清洗烘干、简化制程、有效降低成本的晶圆的切割方法。
本发明包括如下步骤：
步骤一
黏着第一保护层
提供第一保护层；
提供设有复数个晶片的晶圆，相邻晶片间形成有切割道，且晶圆设有上表面及下表面，晶圆的下表面系固定于第一保护层上；
步骤二
黏着第二保护层
提供覆盖于晶圆上表面以保护晶圆上表面不受污染的第二保护层；
步骤三
切割
提供切割刀由晶圆的上表面朝着切割道进行切割成复数个晶片；
步骤四
取下第一、二保护层
自切割后的每一晶片上取下第一保护层及第二保护层。
其中：
第一保护层为具有藉由黏着固定晶圆下表面第一黏胶层的胶带。
第二保护层为具有藉由黏着固定晶圆上表面第二黏胶层的胶带。
由于本发明包括于设有复数相互之间形成切割道晶片并具有上、下表面晶圆下表面黏着第一保护层、于晶圆上表面黏着第二保护层、以切割刀由晶圆的上表面朝着切割道进行切割成复数个晶片及自切割后的每一晶片上取下第一、二保护层。晶圆在切割时，其上表面系被第二保护层覆盖保护住，因此，切割屑不会污染切割后的晶片，无须再对晶片进行清洗及烘干作业，可有效简化生产制程及降低切割成本。不仅避免切割时对晶圆污染，而且免除清洗烘干、简化制程、有效降低成本，从而达到本发明地目的。
【附图说明】
图1、为习知晶圆的切割方法示意图。
图2、为本发明步骤一示意图。
图3、为本发明步骤二示意图。
图4、为本发明步骤二示意图。
【具体实施方式】
如图2所示，本发明包括如下步骤：
步骤一
黏着第一保护层20
如图1所示，首先提供为具有第一黏胶层22胶带的第一保护层20；
提供设有复数个晶片24的晶圆23，相邻晶片24间形成有切割道26，且晶圆23设有上表面28及下表面30，晶圆23的下表面30系设于第一保护层20上，藉由第一黏胶层22与第一保护层20黏着固定；
步骤二
黏着第二保护层32
如图3、图4所示，提供为具有第二黏胶层34胶带的第二保护层32，藉由第二黏胶层34黏着固定于晶圆23的上表面28上，用以保护每一晶片24；
步骤三
切割
提供切割刀进行晶圆23的切割作业，该切割刀由晶圆23的上表面28朝着切割道26进行切割成复数个晶片24；
步骤四
取下第一、二保护层
自切割后的每一晶片24上取下第一保护层20及第二保护层32，即完成晶圆23的切割。
由于晶圆23在切割时，其上表面28系被第二保护层32覆盖保护住，因此，切割屑不会污染切割后的晶片24，无须再对晶片24进行清洗及烘干作业，可有效简化生产制程及降低切割成本。