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一种等离子显示器，包括形成在与等离子显示面板的每个显示单元中的放电空间接触的平面上的氧化镁层，该氧化镁层具有在受到电子束照射引起激励作用下执行在200－300nm波段内具有波峰的阴极发光光发射的氧化镁结晶体。通过有选择地引起寻址放电，设定每个显示单元处于照亮单元状态或非照亮单元状态；并且在有选择的扫描结束之后，通过施加维持脉冲仅使处于照亮单元状态中的显示单元执行维持放电。

1、  一种装备有等离子显示面板的等离子显示器，该等离子显示面板具有构成多条显示线的多个行电极对和与每个行电极对交叉的多个列电极从而形成多个显示单元，每个显示单元在交叉部分处具有一个放电空间，该等离子显示器包括：
氧化镁层，形成在与每个显示单元中的放电空间接触的平面上，该氧化镁层具有氧化镁结晶体，该氧化镁结晶体在受到电子束照射引起激励作用下执行波峰在200-300nm波段内的阴极发光光发射；
寻址装置，用于通过依次向每个行电极对中的一个行电极施加扫描脉冲并且基于图像信号按照像素数据向列电极施加像素数据脉冲而在每个显示单元内有选择地引起寻址放电，设定所述多个显示单元处于照亮单元状态或非照亮单元状态；和
维持装置，用于在上述寻址装置有选择地扫描一部分显示线或全部显示线结束之后，通过向每个行电极对施加维持脉冲，仅使处于照亮单元状态中的显示单元执行维持放电。

2、  根据权利要求1的等离子显示器，其中构成每个行电极对的各个行电极包括沿着行方向延伸的主体部分和沿着列方向从该主体部分突出的突出部分，使得在每个放电空间内两个突出部分通过一个放电间隙彼此面对。

3、  根据权利要求2的等离子显示器，其中所述行电极的每个突出部分包括位于所述放电间隙附近的较宽部分和用于连接该较宽部分和主体部分的狭窄部分。

4、  根据权利要求1的等离子显示器，其中所述氧化镁结晶体的粒径至少为2000埃。

5、  根据权利要求1的等离子显示器，其中所述氧化镁结晶体包括通过对加热镁时所产生的镁蒸汽进行汽相氧化而产生的氧化镁单晶。

6、  根据权利要求1的等离子显示器，其中所述氧化镁结晶体执行波峰在230-250nm波段内的阴极发光光发射。

7、  根据权利要求1的等离子显示器，其中所述氧化镁层形成在覆盖每个行电极对的介电层上。

8、  根据权利要求1的等离子显示器，其中所述扫描脉冲的脉冲宽度低于1μsec。

9、  根据权利要求1的等离子显示器，其中包含占体积至少10％的氙气的放电气体填充在所述放电空间中。

等离子显示器
发明领域
本发明涉及一种使用等离子显示面板的等离子显示器。
背景技术
等离子显示器包括具有分别与像素对应的多个显示单元的等离子显示面板。通过借助于多个子场构造图像信号的一场(或一帧)，等离子显示器实现灰度级显示，其中每个子场包括作为时间周期的寻址周期和维持周期。在寻址周期中，根据输入图像信号，通过使等离子显示面板的各显示单元有选择地放电来设定存在壁电荷的照亮模式状态和不存在壁电荷的非照亮模式状态中的任何一种状态。此外，在维持周期中，仅仅允许已经处于照亮模式状态中的显示单元保持在发光状态，其中在该发光状态中重复执行维持放电，重复的次数与每个子场的权重相对应。
此外，恰好在各子场的寻址周期之前设置对所有显示单元的状态进行初始化的复位周期。在复位周期中，首先引起用于在所有显示单元中形成壁电荷的写复位放电，并且通过连续引起用于擦除所有显示单元中形成的壁电荷的擦除复位放电，在擦除模式状态中对所有显示单元进行初始化。然而，由于在根据输入图像信号的显示图像中并不涉及伴随复位放电的发光，并且在所有的显示单元中一起引起该发光，所以显示图像的对比度尤其是显示表示暗场景的图像时的暗对比度下降。因此，已经提出了通过将一场(或一帧)的显示周期中的复位放电次数仅设置为一次从而抑制对比度下降的驱动方法(例如，日本专利申请公报特开平11-65517)。
当复位放电的次数仅仅设置为一次时，在随后的寻址周期和维持周期中的各种放电中发生放电延迟。因此，需要使施加给等离子面板以引起各种放电的各驱动脉冲的脉冲宽度加宽。然而，根据脉冲宽度的加宽部分，分别使寻址周期和维持周期加长，所以存在难以通过增大子场的数量而使显示灰度级数增大这样的问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种增加显示灰度级数的等离子显示器。
根据本发明的等离子显示器装备有等离子显示面板，该等离子显示面板具有构成多条显示线的多个行电极对和与每个行电极对交叉的多个列电极，从而形成多个显示单元，每个显示单元在交叉部分具有放电空间，该等离子显示器包括：氧化镁层，形成在与每个显示单元中的放电空间接触的平面上，该氧化镁层具有氧化镁结晶体，该氧化镁结晶体在受到电子束照射引起激励作用下执行波峰在200-300nm波段内的阴极发光光发射；寻址装置，用于通过依次向每个行电极对中的一个行电极施加扫描脉冲并且基于图像信号按照像素数据向列电极施加像素数据脉冲而在每个显示单元中有选择地引起寻址放电，设定所述多个显示单元处于照亮单元状态或非照亮单元状态；和维持装置，用于在上述寻址装置有选择地扫描一些显示线或全部显示线结束之后，通过向每个行电极对施加维持脉冲，仅使处于照亮单元状态中的显示单元执行维持放电。
附图说明
图1为概括地示出根据本发明的等离子显示器的构造图；
图2为示意性示出从图1中显示器的显示屏侧观察时PDP内部结构正视图；
图3为沿图2中示出的线V3-V3的横截面视图；
图4为沿图2中示出的线W2-W2的横截面视图；
图5示出了具有立方多晶结构的氧化镁单晶；
图6示出了具有立方多晶结构的氧化镁单晶；
图7示出了氧化镁单晶粉末是如何附着到介电层和凸起的介电层表面上而形成氧化镁层；
图8示出图1中表示的等离子显示器中使用的示例性发光驱动序列；
图9示出了根据上述发光驱动序列施加给PDP的各个驱动脉冲和施加这些脉冲的定时；
图10为示出氧化镁单晶粉末的粒径和CL光发射的波长之间关系曲线图；
图11为示出氧化镁单晶粉末的粒径和235nm的CL光发射强度之间关系的曲线图；
图12为示出当显示单元PC中没有形成氧化镁层时的放电概率、当根据常规汽相沉积法形成氧化镁层时的放电概率和按多晶结构形成氧化镁层时的放电概率；以及
图13为示出CL光发射的强度、其在235nm处的波峰和放电延迟时间之间的对应关系图。
具体实施方式
下面参考附图详细描述本发明的实施例。
图1为概括地示出根据本发明的等离子显示器的构造图。
如图1中所示，等离子显示器包括作为等离子显示面板地PDP 50、X-行电极驱动电路51、Y-行电极驱动电路53、列电极驱动电路55和驱动控制电路56。
PDP 50是由分别沿着二维显示屏的垂直方向延伸的列电极D₁到D_m和分别沿着二维显示屏的水平方向延伸的行电极X₁到X_n和行电极Y₁到Y_n形成。在该情况下，由彼此相邻的行电极成对形成的行电极对(Y₁，X₁)、(Y₂，X₂)、(Y₃，X₃)、……、(Y_n，X_n)在PDP 50上形成第一条显示线到第n条显示线。在各显示线和各列电极D₁到D_m的交叉部分(图1中由点划线包围的区域)，形成作为像素的显示单元PC。换而言之，在PDP 50上，属于第一条显示线的显示单元PC_1，1到PC_1，m、属于第二条显示线的显示单元PC_2，1到PC_2，m、……、属于第n条显示线的显示单元PC_n，1到PC_n，m排列成矩阵形式。
列电极D₁到D_m、行电极X₁到X_n和行电极Y₁到Y_n中每一个形成有端子t，以使各列电极D₁到D_m通过其端子t与列电极驱动电路55连接；各行电极X₁到X_n通过其端子t与X-行电极驱动电路51连接；以及各行电极Y₁到Y_n通过其端子t与列电极驱动电路53连接。
图2为示意性示出从图1中的显示面侧观察时PDP 50内部结构的正视图。在图2中，选取列电极D₁到D₃与第一显示线(Y₁，X₁)和第二显示线(Y₂，X₂)的交叉部分用于说明。图3为沿图2中的线V3-V3获得的PDP 50横截面视图，以及图4为沿图2中的线W2-W2获得的PDP 50横截面视图。
如图2中所示，每个行电极X是由沿着二维显示屏的水平方向延伸的总线电极(主体部分)Xb和设置成在总线电极Xb上与每个显示单元PC相对应的位置相接触的T形透明电极(突出部分)Xa构成。每个行电极Y是由沿着二维显示屏的水平方向延伸的总线电极(主体部分)Yb和设置成在总线电极Yb上与每个显示单元PC相对应的位置相接触的T形透明电极(突出部分)Ya构成。透明电极Xa、Ya由导电透明膜例如ITO等制成，而总线电极Xb、Yb由例如金属膜制得。如图3中所示，由透明电极Xa和总线电极Xb构成的行电极X和由透明电极Ya和总线电极Yb构成的行电极Y形成在前透明基板的背面，前透明基板的前面是PDP 50的显示屏。在这个结构中，每个行电极对(X，Y)中的透明电极Xa、Ya朝向与其形成一对的行电极延伸，并且透明电极Xa、Ya都包括具有一个顶端的较宽部分和用于连接该较宽部分和主体部分的狭窄部分。它们的较宽部分的顶端通过一个预定宽度的放电间隙g1彼此相对。而且，在前透明基板10的背面，形成一个黑或暗的光吸收层(光屏蔽层)11以沿着二维显示屏的水平方向在该对行电极(X₁，Y₁)和与该行电极对邻接的行电极对(X₂，Y₂)之间延伸。而且，在前透明基板10的背面上，形成介电层12以覆盖行电极对(X，Y)。如图3中所示，在介电层12的背面(与行电极对接触的表面相对的面)上，在与形成有光吸收层11和与该光吸收层11邻接的总线电极Xb、Yb的区域相对应的部分形成有凸起的介电层12A。在凸起的介电层12A和介电层12的表面上形成有氧化镁层11，该氧化镁层11包含在受到稍后描述的电子束照射引起的激励作用下执行波峰在200-300nm(纳米)波段内的阴极发光光发射的氧化镁结晶体。
在与前透明基板10平行设置的背面基板14上，在与各行电极对(X，Y)中的透明电极Xa、Ya相对的位置上，形成沿着垂直于行电极对(X，Y)的方向延伸的各列电极D。在背面基板14上，还形成白色列电极保护层15用于覆盖列电极D。在列电极保护层15上形成分隔区16。分隔区16形成为阶梯状，其具有在与各行电极对(X，Y)的各总线电极Xb、Yb相对应的位置上沿着二维显示屏的水平方向延伸的水平壁16A、和在彼此邻接的列电极D之间的各中间位置上沿着二维显示屏的垂直方向延伸的垂直壁16B。对于各显示线来说，如图2所示，分隔区16形成为阶梯状，并且在彼此相邻的分隔区16之间存在如图2所示的间隙SL。而且阶梯状分隔区16限定显示单元PC，各显示单元包括独立的放电空间S和透明电极Xa、Ya。放电空间S中充满至少包含占体积10％氙气的放电气体。如图3中所示，在各显示单元PC中的水平壁16A的侧面、垂直壁16B的侧面和列电极保护层15的表面上，形成荧光材料层17以覆盖这些表面。实际上，荧光材料层17包括三种类型的荧光材料，用于发出红光、绿光和蓝光。如图3中所示，在各显示单元PC的放电空间S和间隙SL之间，水平壁16A与氧化镁层13邻接以彼此靠近。另一方面，如图4中所示，氧化镁层13不与垂直壁16B邻接，因此其之间存在间隙r1。换而言之，在二维显示屏上沿水平方向上彼此邻接的显示单元PC的放电空间S通过间隙r1与另一个连通。
此处，形成氧化镁层13的氧化镁结晶体包括通过对镁进行加热产生镁蒸汽、然后在汽相中对镁蒸汽进行氧化而产生的氧化镁结晶体，例如汽相法镁晶体，其受到照射到其中的电子束的激励而进行阴极发光光发射，该光发射的波峰在200-300nm波长范围内(尤其是在230-250nm中的235nm附近)。汽相法氧化镁结晶体包括直径为2000埃或更大的镁单晶，具有其中固体晶体彼此配合的多晶结构，例如如图5中SEM摄影图像所示，或者具有如图6中SEM摄影图像所示的固体单晶结构。与其他方法制备的氧化镁相比，该镁单晶具有高纯度、精细微粒、较少的颗粒聚集等优点，并且有助于改善放电特性如放电延迟，这将在后面描述。在该实施例中，其中所使用的汽相氧化镁单晶的平均粒径按BET法测量为500埃或更大，最好为2000埃或更大。然后，如图7中所示，通过喷射法、静电涂层法等在介电层12的表面上施加氧化镁单晶，从而形成氧化镁层13。可选择地，可以通过汽相沉积法或溅射法在介电层12的表面上形成薄膜氧化镁层，然后在薄膜氧化镁层上施加汽相法氧化镁单晶，从而形成氧化镁层13。
驱动控制电路56向X-行电极驱动电路51、Y-行电极驱动电路53和列电极驱动电路55中的每一个提供各种控制信号，用于按照如图8所示的采用子场法(子帧法)的发光驱动序列驱动具有上述结构的PDP 50。此外，在图8中示出的发光驱动序列中，一场(一帧)具有N个子场SF1到SF(N)，在每个子场中顺序执行寻址阶段W、维持阶段I和擦除阶段E。然而，仅仅在起始子场SF1中在寻址阶段W之前执行复位阶段R。
X-行电极驱动电路51包括复位脉冲发生器和维持脉冲发生器。在复位阶段R中，X-行电极驱动电路51的复位脉冲发生器产生要施加给PDP 50中行电极X的复位脉冲(随后描述)。在维持阶段I中，X-行电极驱动电路51的维持脉冲发生器产生要施加给行电极X的维持脉冲(随后描述)。
Y-行电极驱动电路53包括复位脉冲发生器、扫描脉冲发生器和维持脉冲发生器。在复位阶段R中，Y-行电极驱动电路53的复位脉冲发生器产生要施加给PDP 50中行电极Y的复位脉冲(随后描述)。在寻址阶段W中，Y-行电极驱动电路53的扫描脉冲发生器产生要施加给PDP 50中行电极Y的负极性扫描脉冲(随后描述)。在维持阶段I中，Y-行电极驱动电路53的维持脉冲发生器产生要施加给行电极Y的维持脉冲(随后描述)。
在寻址阶段W中，列电极驱动电路55产生要施加给PDP 50中列电极D的像素数据脉冲。
图9引用子场SF1到SF(N)中的SF1来示出施加给PDP 50中列电极D和行电极X和Y的各种脉冲的施加定时。
如图9中所示，首先，在复位阶段R，Y-行电极驱动电路53对行电极Y₁到Y_n施加复位脉冲RP_Y，该复位脉冲RP_Y具有一个上升沿部分和一个下降沿部分，其中在上升沿部分行电极Y上的电压随着时间的流逝而逐渐增大并且达到正极性的峰值电压Vry，在下降沿部分电压值逐渐降低并且达到负极性的电压值Vsel。此外，电压值Vsel是施加负极性扫描脉冲时行电极Y上的电压值和完全没有施加电压时行电极Y上的电压值之间的电压。此外，峰值电压Vry是比施加维持脉冲时行电极Y上的电压值高的电压值，本文下面将对维持脉冲进行描述。如图9中所示，在复位脉冲RP_Y电压值增大的过程中，X-行电极驱动电路51向行电极X₁到X_n施加具有负极性电压Vrx的复位脉冲P_X。
此处，当复位脉冲RP_X和复位脉冲RP_Y一起施加时，分别在所有显示单元PC_1，1到PC_n，m内的行电极X和Y之间引起微弱写复位放电。在该写复位放电刚好结束后，在每个显示单元PC的放电空间S中氧化镁层13的表面上形成预定量的壁电荷。也就是说，结果是形成所谓的壁电荷的状态，其中正极性电荷形成在氧化镁层13表面上行电极X的附近，负极性电荷形成在行电极Y的附近。此后，当复位脉冲RP_Y的电压值从峰值电压Vry逐渐降落时，在该期间分别在所有显示单元PC_1，1到PC_n，m内行电极X和Y之间引起微弱擦除复位放电。作为擦除复位放电的结果，清除了在所有显示单元PC_1，1到PC_n，m内形成的壁电荷。也就是说，作为复位阶段R的结果，在壁电荷数量少于预定量的所谓未照亮模式状态下，对所有显示单元PC_1，1到PC_n，m进行初始化。
此后，在寻址阶段W，列电极驱动电路55产生像素数据脉冲，用于根据输入图像信号设定是否使每个显示单元PC在子场中发光。例如，在使显示单元PC发光时，列电极驱动电路55产生用于每个显示单元PC的高电压像素数据脉冲，当不使显示单元PC发光时，产生低电压像素数据。此外，对于每条显示线(m个)，列电极驱动电路55顺序地向列电极D₁到D_m施加作为像素脉冲组DP₁、DP₂、……、DP_n的像素数据脉冲。在该施加期间，与像素数据脉冲组DP₁到DP_n中的每个脉冲定时同期地，Y-行电极驱动电路53依次向行电极Y₁到Y_n施加负极性扫描脉冲SP。扫描脉冲SP的宽度小于1μsec。只在施加了扫描脉冲SP和施加了高电压像素数据脉冲的显示单元PC中有选择地引起寻址放电，由此在显示单元PC的放电空间S内在氧化镁层13和荧光材料层17的表面上形成了预定量的壁电荷。另一方面，在施加了扫描脉冲SP但施加了低电压像素数据脉冲的显示单元PC中不引起如上所述的寻址放电，因此保持了之前的壁电荷形成状态。即，作为寻址阶段W的执行结果，根据输入图像信号，每个显示单元PC设定为处于存在预定量壁电荷的照亮模式状态和不存在预定量壁电荷的未照亮模式状态中的任意一种状态。
此后，在维持阶段I，X-行电极驱动电路51和Y-行电极驱动电路53中的每一个交替地反复向行电极X₁到X_n和Y₁到Y_n施加正维持脉冲IP_X和IP_Y。施加维持脉冲IP_X和IP_Y的次数取决于各子场的亮度加权。此处，对每一次施加维持脉冲IP_X和IP_Y来说，仅仅已经设定为处于形成了预定量壁电荷的照亮模式状态中的显示单元PC进行维持放电，荧光材料层17根据该放电进行发光，并且在面板50的表面上形成图像。
此后，在擦除阶段E，Y-行电极驱动电路53对所有的行电极Y₁到Y_n施加正的擦除脉冲EP。作为施加该擦除脉冲EP的结果，在所有显示单元PC中引起擦除放电并且消除了显示单元PC中剩余的所有壁电荷。
如上所述，在每个显示单元PC中形成的氧化镁层13中包含的汽相氧化镁单晶受到照射到其中的电子束的激励而发射在200-300nm(尤其是在230-250nm中235nm附近)的波长范围内具有波峰的CL光，如图10中所示。在该情况下，如图11中所示，因为汽相基氧化镁单晶具有较大的粒径，发射出的在235nm处具有波峰的CL光显示出较高的波峰强度。尤其是，当生长汽相氧化镁结晶体时，因为在比一般情况高的温度下对镁进行加热，所以一同形成了具有2000埃或更大的相对大粒径的单晶(如图5或6)和平均粒径为500埃的汽相氧化镁单晶。在这种情况下，由于在比一般情况高的温度下对镁进行加热，所以镁与氧气反应伴随的火焰也变得更长了。因此，在火焰和周围环境之间产生了更大的温度差，因此判断出具有更大粒径的一组氧化镁单晶包括显示出与200-300nm(尤其是235nm)相对应的高能级的更多个单晶。
图12为示出当显示单元PC中没有形成氧化镁层时的放电概率、当显示单元PC中形成有根据常规汽相沉积法的氧化镁层时的放电概率、和当显示单元PC中形成有包含氧化镁单晶的氧化镁层且该氧化镁单晶在受到电子束的照射时发射波峰处于200-300nm波长范围内(尤其是在230-250nm中235nm附近)的CL光时的放电概率。在图12中，水平轴表示放电间隔，即从产生放电的时间到产生下一次放电的时间之间的时间间隔。
如所示，与具有由常规汽相沉积法形成的氧化镁层的显示单元PC相比，当每个显示单元PC在放电空间S中包括含有氧化镁单晶的氧化镁层13时，放电概率增大，其中该氧化镁单晶在受到电子束的照射时发射在200-300nm波长范围内(尤其是在230-250nm中235nm附近)具有波峰的CL光。如图13中所示，汽相氧化镁单晶能够降低放电空间S中产生的放电延迟，因为它具有更高强度的CL光发射，尤其是在它们受到电子束的照射时在235nm处具有波峰的CL光发射。
因此，即使为了限制与显示图像时所不涉及的复位放电相关的光发射来提高对比度、产生施加给行电极Y的复位脉冲RP_Y以便它的电压如图9中所示慢慢地变化以产生微弱的复位放电，仍可以在一短暂持续时间内稳定地产生该微弱复位放电。特别是，由于各显示单元PC所使用的结构使得在T形透明电极Xa、Ya之间的放电间隙附近局部地产生放电，这种结构有助于避免不规则的复位放电太强以致于在全体行电极上产生放电，并且还避免了列电极和行电极之间的强烈错误放电。
而且，由于较高的放电概率(较短的放电延迟)允许在复位阶段R中写复位放电和擦除复位放电所引起的激发效应(priming effect)持续比较长的时间，所以寻址阶段W中产生的寻址放电和维持阶段I中产生的维持放电变得更快。这能够使分别施加给列电极D和行电极Y以产生寻址放电的各像素脉冲DP和扫描脉冲SP的脉冲宽度Wa减至低于1μsec，如图9中所示，因此可以相应地减少寻址阶段W消耗的处理时间。此外，更快的寻址放电和维持放电可以减少施加给行电极以产生维持放电的维持脉冲IP_Y的脉冲宽度Wb，如图9中所示，因此可以相应地减少维持阶段I消耗的处理时间。
因此，通过减少寻址阶段W和维持阶段I消耗的处理时间，可以在一个场(或一帧)显示周期中设置数量增加了的子场，由此增大了灰度级数。
虽然在上述实施例中PDP 50使用的结构所具有的显示单元PC形成在行电极X和行电极Y之间，其中行电极X和行电极Y形成一对，例如行电极对(X₁，Y₁)、(X₂，Y₂)、(X₃，Y₃)、……、(X_n，Y_n)，但是PDP 50也可以使用所具有的显示单元PC形成在彼此邻接的所有行电极之间这样的结构。尤其是，在这种可行的结构中，显示单元PC可以分别形成在行电极X₁、Y₁之间、行电极Y₁、X₂之间；行电极X₂、Y₂……之间、行电极Y_n-1、X_n之间以及行电极X_n、Y_n之间。
此外，虽然在上述实施例中PDP 50使用的结构所具有的行电极X、Y形成在前透明基板10上，并且列电极D和荧光材料层17分别形成在背面基板14上，但是PDP 50还可以使用具有的列电极D以及行电极X、Y形成在前透明基板10上、并且荧光材料层17形成在背面基板14上这样的结构。
此外，在上述实施例中，作为用于灰阶驱动PDP 50的驱动方法，描述了所谓的选择性写寻址，其中对所有显示单元进行初始化(复位阶段R)，使得在成对行电极之间由壁电荷引起的电势低于一个预定值，根据输入图像信号，壁电荷有选择地形成在各显示单元中，即，形成壁电荷使得成对行电极之间的电势等于或大于一个预定值(寻址阶段W)。然而，作为用于灰阶驱动PDP 50的驱动方法，可以采用所谓的选择性擦除寻址，其中壁电荷形成在所有显示单元中，即，形成壁电荷使得成对行电极之间的电势等于或大于一个预定值(复位阶段R)，根据像素数据有选择地擦除各显示单元中形成的壁电荷，即，由壁电荷引起的成对行电极之间电势低于一个预定值(寻址阶段W)。当采用有选择的擦除寻址时，可以用与采用有选择写寻址的情况相同的方式来缩短寻址周期和维持周期。
而且，在上述实施例中，示例出在对所有显示线执行了寻址扫描后对所有显示线进行维持阶段这样的结构。然而，在对多条显示线进行了寻址扫描之后(每次对一组显示线的寻址扫描结束)，可以对所有显示线进行维持阶段。
如上所述，根据本发明，等离子显示器包括形成在与每个显示单元内的放电空间接触的平面上的氧化镁层，该氧化镁层包含氧化镁结晶体，该氧化镁结晶体在受到电子束照射引起激励后执行波峰在200-300nm波段内的阴极发光光发射；寻址装置，用于通过对行电极对中的一个行电极施加扫描脉冲、并且对列电极施加与基于图像信号的像素数据相对应的像素数据脉冲而在各显示单元中有选择地引起寻址放电，从而使显示单元处于照亮单元状态或非照亮单元状态；和维持装置，用于在对多条显示线或全部显示线进行有选择地扫描结束之后，对各行电极对施加维持脉冲，从而仅使处于照亮单元状态中的显示单元进行维持放电。因此可以缩短各个寻址周期和维持周期，结果，能够增加显示灰度级数。