有改进的背后照明系统的液晶显示屏 【技术领域】
本发明涉及装有背后照明系统的液晶显示屏,它包括至少一个有放电室的气体放电灯和至少一个有介质材料的电容耦合装置。本发明还涉及有至少一个气体放电灯的背后照明系统并涉及气体放电灯。
背景技术
液晶显示屏是无源显示系统,即,它本身不发光。这些显示屏的原理基础是,光透过或不透过液晶层。这就是说,产生图象需用外部光源。在反射型液晶显示屏中用环境光作外部光源。在透射型液晶显示屏中在背后照明系统中产生人造光。
背后照明系统可包括作为光源的气体放电灯。除在所谓的热电极经发光而产生电子外,经强电场中发射电子或直接经离子轰击(感应离子二次发射)也会引起气体放电。按电容性操作模式,电容性耦合装置用作电极。这些电容性耦合装置用介质材料形成,介质材料在一边与放电气体接触,在另一边与外电流电路电导连接。交流(AC)电压加到电容性耦合装置,在放电室内产生交流电场,在放电室中电子移动并按已知方式激励气体放电。
这种气体放电灯已由德国专利DE19915616成为已知的,其中,用烧结的铁电材料代替常用的金属电极作为耦合装置。用的烧结的铁电材料最好是掺杂有一定量的供者/受者组合物的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3。所述材料有大介电常数和矩形磁滞回线。
所用材料的缺点是颗粒粗。结果电容性耦合装置的机械强度下降。另一个缺点是铁电材料的居里温度低,为80℃,所以,灯的工作温度极低。
【发明内容】
本发明的目的是,为克服现有技术地缺点,提供一种有改进的背后照明的液晶显示屏,特别提供一种装有改进的光源的液晶显示屏。
为达到该发明目的,提供装有背后照明系统的液晶显示屏,它包括至少一个有放电室的气体放电灯和至少一个有介质材料的电容耦合装置,介质材料包括[A’a1n1+A”a2n2+...An’annn+][B’b1m1+B”b2m2+...Bm’bmmn+]O3,其中阳离子A’a1n1+A”a2n2+...An’annn+包括选自Ba2+,Pb2+,Sr2+和Ca2+中的至少一种或多种阳离子,以及选自下列阳离子中的一种或几种Cs1+,Rb1+,Tl1+,K1+,Pb2+,Ag1+,Sr2+,Na1+,Bi3+,La3+,Mg2+,Zn2+,Ca2+,Ce3+,Cd2+,Pr3+,Nd3+,Eu3+,Gd3+和Sm3+;B’b1m1+B”b2m2+...Bm’bmmn+包括选自Ti4+,Zr4+和Sn4+中的至少一种或几种以及选自下列阳离子组中的至少一种或几种Mn2+,Cr2+,In3+,V2+,Fe2+,Pb4+,Li1+,Co2+,Sc3+,Zn2+,Cu2+,U6+,Mg2+,Hf4+,Mo3+,Ni2+,Nb4+,Ti3+,W4+,Mo4+,Fe3+,Mn3+,V3+,Re4+,Ir4+,Ru4+,W5+,Ta5+,Cr3+,Ga3+,Co3+,Mo5+,Ni3+,Sb5+,W6+,Nb5+,Mo6+,Fe4+,Re5+,V4+,Te6+,V5+,Cu3+,Al3+,Mn4+,Ge4+,Y3+,Gd3+,Dy3+,Ho3+,Er3+,Yb3+,Tb3+和Lu3+,
0.98≤a1+a2+...+an≤1.02,
0.98≤b1+b2+...+bm≤1.02,
a1+a2+...+an+b1+b2+...+bm≤2,
a1*n1+a2*n2+...+an*nn+b1*m1+b2*m2+...+bm*mm≤6.
在有气体放电灯的电容性耦合装置中,用按本发明的介质材料获得性能改进的液晶显示屏。按本发明的介质材料制成较小的尺寸(≤20μm)。结果,包括本发明的介质材料的电容性耦合装置有较强的机械强度,显然也更耐久。由于提高了击穿强度,因而有可能用更薄的膜层制造电容性耦合装置。另一优点是,与上述的现有技术相比,介质材料的阴极电压降较小,即,耦合到气体放电灯的电流损失较小。总而言之,由此得到了更有效的气体放电灯。还有一个优点是,按本发明的介质材料本身能更牢固地粘接到玻璃上,这就增强了气体放电灯的真空密封性。而且,按本发明的介质材料的居里温度高于80℃。
阳离子A’a1n1+A”a2n2+...An’annn+最好包括Ba2+,阳离子B’b1m1+B”b2m2+...Bm’bmmn+最好包括Nb5+、Co2+和Mn3+。
有该介质材料的电容耦合装置本身具有高强度,低阴极电压降,居里温度为125℃。
电容性耦合装置最好还包括助烧剂。
助烧剂最好是SiO2。
用助烧剂改善了电容性耦合装置的制造。此外,助烧剂对介质材料以及电容性耦合装置的性能都有正面影响。
特别优选的阳离子A’a1n1+A”a2n2+...An’annn+最好包括Ba2+和Mg2+,阳离子B’b1m1+B”b2m2+...Bm’bmmn+包括Y3+,W6+,Mo6+和Mn2+,添加剂是SiO2。
有该介质材料的电容性耦合装置本身具有高强度,低阴极电压降,居里温度是125℃。
本发明还涉及背后照明装置,它包括至少一个气体放电灯,本发明还涉及有放电室和至少一个电容耦合装置的气体放电灯,电容耦合装置有介质材料,介质材料的组分包括:
[A’a1n1+A”a2n2+...An’annn+][B’b1m1+B”b2m2+...Bm’bmmn+]O3其中,阳离子A’a1n1+A”a2n2+...An’annn+包括Ba2+,Pb2+,Sr2+和Ca2+中至少一种或几种,以及选自下列阳离子中的一种或几种:Cs1+,Rb1+,Tl1+,K1+,Pb2+,Ag1+,Sr2+,Na1+,Bi3+,La3+,Mg2+,Zn2+,Ca2+,Ce3+,Cd2+,Pr3+,Nd3+,Eu3+,Gd3+和Sm3+;阳离子B’b1m1+B”b2m2+...Bm’bmmn+包括选自Ti4+,Zr4+和Sn4+中的至少一种或几种以及选自下列阳离子组中的一种或几种阳离子:Mn2+,Cr2+,In3+,V2+,Fe2+,Pb4+,Li1+,Co2+,Sc3+,Zn2+,Cu2+,U6+,Mg2+,Hf4+,Mo3+,Ni2+,Nb4+,Ti3+,W4+,Mo4+,Fe3+,Mn3+,V3+,Re4+,Ir4+,Ru4+,W5+,Ta5+,Cr3+,Ga3+,Co3+,Mo5+,Ni3+,Sb5+,W6+,Nb5+,Mo6+,Fe4+,Re5+,V4+,Te6+,V5+,Cu3+,Al3+,Mn4+,Ge4+,Y3+,Gd3+,Dy3+,Ho3+,Er3+,Yb3+,Tb3+和Lu3+,
0.98≤a1+a2+...+an≤1.02,
0.98≤b1+b2+...+bm≤1.02,
a1+a2+...+an+b1+b2+...+bm≤2,
a1*n1+a2*n2+...+an*nn+b1*m1+b2*m2+...+bm*mm≤6.
【附图说明】
从以下参见附图对最佳实施例的描述,本发明的其它特点,特征和优点将变得更清楚,其中,
图1是背后照明系统的结构示意图;
图2是气体放电灯示意图;和
图3是电容性耦合装置的横截面示意图。
【具体实施方式】
液晶显示屏通常包括液晶单元和背后照明系统。液晶单元包括第1和第2偏光镜和液晶元件,液晶元件包括两个透明板,每个透明板支承透光电极矩阵。液晶材料装在两块透明板之间。液晶材料包括例如TN(扭绞丝状)液晶,STN(super twisted nematic)(即,层面扭绞丝状)液晶,DSTN(double super twisted nematic) (即,双层面扭绞丝状)液晶,FSTN(foilsuper twisted nematic) (即,薄片层面扭绞丝)液晶,VAN(Verticallyaligned)(即,垂直对准的)液晶,或OCB(optically compensated bend)(即,光补偿弯曲)液晶,液晶元件夹在两个偏光镜之间,可看到其中第2偏光镜。
液晶元件装有用于生产和显示彩色图像的滤色镜。滤色镜包括多个象素的马赛克装置,每个象素透过红(R)、绿(G)和蓝(B)色光中的任何一种光。滤光镜最好设在第1偏光镜与液晶元件之间。
背后照明系统可以是例如“正面照(direct-lit)”的照明系统,或“侧面照(side-lit)”的照明系统,它包括光波导和耦合构件。
按图1,背后照明系统包括光源1,光源1通常放在外壳2中,外壳的内边上最好0有反光镜,此外,背后照明系统还包括散光板3和准直器4。
光源1是有至少一个电容性耦合装置6的气体放电灯,它最好发白光或基本上发白光。
图2是有两个电容性耦合装置的气体放电灯的一个实施例。气体放电灯有用作它的放电室5的玻璃管。放电室5的内侧涂有磷或磷的化合物,放电室5的内径为3mm,外径为4mm,长度为40cm,放电室5内充有50mbar的Ar(氩)气和5mg的Hg(汞)。电容性耦合装置6的每端形成有按本发明的介质材料构成的圆柱形管。最好电容性耦合装置6的外径为4mm,壁厚0.5mm,长度为10mm。按真空密封方式经电容耦合装置6用熔融工艺把放电室5密封到盘形介质帽7,电容耦合装置6和放电室5的内径相同。每个耦合装置6的外边加银浆层并经烘烤,作为电接触层8。用该电接触层8把气体放电灯连接到外电源。在本例中灯驱动电路9用作外电源,供给频率为40KHz约30mA的电流和约350V的平均电压。稳定工作中灯发出约600流明的光量。驱动电路9还包括能短时产生1500V的气体放电灯的点火电压的元件。点火后产生稳定的气体放电。电子到达电容性耦合装置6的介质材料表面并附着在此,导致感应离子二次发射系数γ增大,由此,使气体放电灯的效率提高。
图3是按本发明的电容性耦合装置6的横截面示意图。充有气体的内部空间12被包括按本发明介质材料的介质层10包围。用于电接触的金属化层11设有介质层10。或者,在介质层10上,即对着内部空间的一边上还可以设薄介质层作为保护层。
选作放电室5中的填充气体的混合气最好包括至少一种稀有气体,或稀有气体和汞。多种混合气体可用作按本发明的气体放电灯的填充气体。特别是可用已知的低压气体放电灯中的填充气体。
可用于电容性耦合装置6的介质材料例如有:BaTiO3,PbTiO3,SrTiO3,CaTiO3,BaZrO3,BaSnO3,PbZrO3,PbSnO3,SrSnO3,SrZrO3,CaZrO3,CaSnO3或这些组分中的两种或多种组分的混合物。此外可用的介质材料包括:BaTiO3,PbTiO3,SrTiO3,CaTiO3,BaZrO3,BaSnO3,PbZrO3,PbSnO3,SrSnO3,SrZrO3,CaZrO3,CaSnO3和这些化合物的混合物,以及选自下列阳离子组中的一种或多种阳离子:Cs1+,Rb1+,Tl1+,K1+,Pb2+,Ag1+,Sr2+,Na1+,Bi3+,La3+,Mg2+,Zn2+,Ca2+,Ce3+,Cd2+,Pr3+,Nd3+,Eu3+,Gd3+,Sm3+,Mn2+,Cr2+,In3+,V2+,Fe2+,Pb4+,Li1+,Co2+,Sc3+,Zn2+,Cu2+,U6+,Hf4+,Mo3+,Ni2+,Nb4+,Ti3+,W4+,Mo4+,Fe3+,Mn3+,V3+,Re4+,Ir4+,Ru4+,W5+,Ta5+,Cr3+,Ga3+,Co3+,Mo5+,Ni3+,Sb5+,W6+,Nb5+,Mo6+,Fe4+,Re5+,V4+,Te6+,V5+,Cu3+,Al3+,Mn4+,Ge4+,Y3+,Gd3+,Dy3+,Ho3+,Er3+,Yb3+,Tb3+和Lu3+。除这些介质材料外,电容耦合装置6还含助烧剂。助烧剂的添加量是介质材料总量的0.01至5wt%。电容性耦合装置6最好包括作为添加的助烧剂的SiO2。
电容性耦合装置6最好包括掺有Nb5+、Mn2+和Co2+的BaTiO3。还有一优选实施例设想电容性耦合装置6最好包括掺有Y3+、W6+、Mo6+和Mn2+的BaTiO3加上添加的助烧剂SiO2。有这两种介质材料中的一种介质材料的电容性耦合装置6本身具有高强度,低阴极电压降,居里温度为125℃。与市售的有金属电极的阴冷极灯相比,有掺杂Nb5+,Mn2+和Co2+的BaTiO3作为它的耦合装置6的气体放电灯阴极电压降降低了20%。有掺杂Y3+,W6+和Mn2+的BaTiO3作为它的电容性耦合装置6的气体放电灯加SiO2作添加的助烧剂,与市售的有金属电极的冷阴极灯相比它的阴极电压降降低了40%。