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本发明提供一种显示面板。在显示基板和具有该显示基板的垂直配向模式的显示面板中形成第一狭长切口图案。第一狭长切口图案包括狭长切口、凸起对和凹槽对。在产生液晶的异常点方面，狭长切口彼此相接的叉开点和狭长切口的末端与凸起对具有相同的功能。暴露开关元件的输出电极的一部分的接触孔形成在阵列基板的保护层上。台阶凹陷对应于存储电极形成在保护层处，狭长切口的叉开点设置为对应于存储电极。引起在规则的位置处产生液晶的异常点，并且因此可以防止残像和斑点。

1、  一种显示面板，包括：
第一基板，包括公共电极和上基板，其中像素区域定义在所述上基板上，所述像素区域具有水平方向和垂直方向，所述公共电极具有第一狭长切口图案，所述第一狭长切口图案具有在所述像素区域中的狭长切口、凸起对和凹槽对，所述凸起对和所述凹槽对沿所述狭长切口交替设置，所述凹槽邻近相邻狭长切口彼此相接的叉开点，所述凸起对邻近所述狭长切口在垂直侧上的边缘；
第二基板，包括下基板；开关元件，在所述下基板上；保护层，具有暴露所述开关元件的输出电极的一部分且对应于所述凸起对的接触孔；以及像素电极，在该像素电极处具有第二狭长切口图案，所述第二狭长切口图案设置成与所述第一狭长切口图案交错的图案，其中所述像素电极在所述保护层上且通过所述接触孔连接到所述输出电极；以及
液晶层，在所述第一基板和所述第二基板之间。

2、  如权利要求1所述的显示面板，其中所述第一狭长切口图案包括：
水平狭长切口，从所述叉开点水平延伸；
右倾斜狭长切口，从所述叉开点朝着右垂直侧沿倾斜方向延伸，其中所述右倾斜狭长切口具有相应于所述接触孔的第一凸起对并具有末端；
右周边狭长切口，沿着所述右垂直侧延伸，并且连接到所述右倾斜狭长切口的末端；以及
左倾斜狭长切口和左周边狭长切口，与所述右倾斜狭长切口和所述右周边狭长切口水平镜像对称。

3、  如权利要求2所述的显示面板，其中所述右倾斜狭长切口包括：
第一凹槽对，设置在所述第一凸起对和所述叉开点之间；
第二凹槽对，设置在所述第一凸起对和所述右倾斜狭长切口的末端之间；以及
第二凸起对，设置在所述第二凹槽对和所述右倾斜狭长切口的末端之间。

4、  如权利要求3所述的显示面板，其中另一个凹槽设置在所述右周边狭长切口的外边缘与所述右倾斜狭长切口的外边缘以钝角相接的拐角处。

5、  如权利要求3所述的显示面板，其中从所述右周边狭长切口的外边缘与所述右倾斜狭长切口的外边缘以钝角相接的拐角到所述第二凸起对的距离小于15μm，而在所述拐角处没有形成凹槽。

6、  如权利要求3所述的显示面板，其中在所述下基板和所述保护层之间，所述第二基板还包括对应于所述叉开点的存储电极。

7、  如权利要求6所述的显示面板，其中所述保护层还具有对应于所述存储电极的台阶凹陷。

8、  如权利要求6所述的显示面板，其中所述第一基板包括：
滤色器图案，在所述上基板和所述公共电极之间，其中所述滤色器图案被图案化以对应于所述像素区域；
不透明图案，在所述上基板上，其中所述不透明被图案化以围绕所述滤色器图案；以及
覆盖层，在所述公共电极和所述滤色器图案之间。

9、  如权利要求6所述的显示面板，其中所述第二基板包括：
栅极线，在所述下基板上，其中所述栅极线沿所述水平方向延伸，并且连接到所述开关元件的控制电极；以及
数据线，在所述下基板上，其中所述数据线沿所述垂直方向延伸，且连接到所述开关元件的源极电极，并与所述右周边狭长切口和所述左周边狭长切口交叠。

10、  如权利要求9所述的显示面板，其中所述第二狭长切口图案包括：
第三倾斜狭长切口，与所述右倾斜狭长切口平行；
第四倾斜狭长切口，与所述左倾斜狭长切口平行；
水平狭长切口，从所述像素电极的右垂直侧切到左垂直侧，
其中凸起对和凹槽对分别设置在所述第三倾斜狭长切口和所述第四倾斜狭长切口处，并且所述凸起对和所述凹槽对图案化为与设置在所述右倾斜狭长切口和所述左倾斜狭长切口处的第一凸起对和第二凸起对相同。

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示器基板和基于该基板的显示面板。具体地，本发明涉及一种在垂直配向液晶显示(LCD)装置中用作上基板的显示器基板，以及包括该基板的显示面板。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)装置是最广泛使用的平板显示装置类型。LCD装置包括形成在两个基板上的电场发生电极以及插设在两个基板之间的液晶层。给电极施加电压来使液晶层中的液晶分子重新排列，由此控制光通过液晶层的透射率。
最广泛使用的LCD装置是具有两个其上形成有电场发生电极的基板的LCD装置。通常，LCD装置包括形成在第一基板上的像素电极和覆盖第二基板整个表面的公共电极。通过给每个像素电极施加合适的电压而显示图像。薄膜晶体管(TFT)连接到每个像素电极，用于切换施加到像素电极的电压。每条栅极线传输控制TFT的信号，并且每条数据线给像素电极传输电压。栅极线和数据线形成在基板上。
然而，LCD装置的一个缺点是视角窄。因此，已经开发了各种技术来加宽视角。这些技术之一是这样的方法，该方法将像素分成包括相对于第一基板和第二基板垂直配向液晶分子的多域(multi-domain)结构，并且在像素电极和公共电极上形成狭长切口图案(也称为突出图案)。
频繁发生的问题是在狭长切口图案中产生残像和斑点(spot)，或者在摩擦屏幕后还残存斑点。
发明内容
根据本发明的一个实施例，显示器基板包括基础基板，该基础基板具有沿着水平方向和垂直方向定义的像素区域。显示器基板还包括在基础基板上的透明电极。透明电极包括在像素区域中具有狭长切口的狭长切口图案。沿着狭长切口交替地排列成对的凸起和成对的凹槽。凹槽可以实质上邻近相邻狭长切口彼此相接的叉开点设置，并且成对的凸起可以实质上邻近像素区域的边缘设置。
根据本发明的另一个实施例，第一显示面板包括第一基板、第二基板以及第一基板与第二基板之间的液晶层。第一基板包括公共电极和上基板，上基板上定义了沿水平方向和垂直方向延伸的像素区域。公共电极包括具有在像素区域中的狭长切口、凸起对和凹槽对的第一狭长切口图案，其中凸起对和凹槽对沿着狭长切口交替设置。凹槽基本上邻近相邻狭长切口彼此相接的叉开点，并且凸起对基本上邻近狭长切口在垂直侧上的一个边缘。第二基板包括：下基板；开关元件，形成在下基板上；保护层，具有接触孔，暴露开关元件的输出电极的一部分，并且对应于凸起对；以及像素电极，具有第二狭长切口图案，与第一狭长切口图案设置成交错图案。像素电极设在保护层上，并且通过接触孔连接到输出电极。
根据本发明的再一个实施例，第二显示面板包括第一基板、第二基板和在第一基板与第二基板之间的液晶层。第一基板包括：上基板，具有像素区域，该像素区域具有水平方向和垂直方向；多个突出，在像素区域中分别形成在上基板上；以及公共电极，包括第一突出图案，第一突出图案具有在突出上的凸起对和凹槽对。凸起对和凹槽对沿着突出交替设置，凹槽实质上邻近相邻突出彼此相接的叉开点，而凸起对实质上邻近突出设置在垂直侧中的切开部分。第二基板包括：下基板；开关元件，形成在下基板上；保护层，具有暴露开关元件的输出电极的一部分且对应于凸起对的接触孔；以及像素电极。在像素电极上，第二突出图案具有与第一突出图案交错的图案。像素电极形成在保护层上，并且通过接触孔连接到输出电极。
根据本发明的显示基板和显示面板，通过控制液晶异常点的产生位置，可以防止残像的产生。因此，可以提高显示面板的显示质量。
附图说明
参考附图，结合具体的示范性实施例会更好地理解本发明。
图1是图解根据本发明第一实施例的显示面板的平面图；
图2是图解沿着图1中的I-I’线剖取的显示面板的截面图；
图3是图解图1中第一基板的平面图；
图4是图解图3中邻近狭长切口彼此相接的叉开点的第一狭长切口图案的放大图；
图5A是图解图3中连接到第一倾斜狭长切口的第一周边狭长切口的放大图；
图5B是图解形成在倾斜狭长切口与周边狭长切口相接的拐角处的凹槽的另一个示例的平面图；
图6是图解图1中的第二基板的平面图；
图7至9是图解图1中的显示基板的制造方法的工艺图；
图10是图解根据本发明第二实施例的显示面板的截面图；和
图11是图解根据本发明第三实施例的显示面板的平面图。
具体实施方式
下面，参考附图更加全面地描述本发明，附图中示出了本发明的示范性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应当解释为限于在此揭示的示范性实施例。相反，提供这些示范性实施例是为了使该揭示透彻和完整，并且对本领域的技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，可能会夸大层和区的尺寸和相对尺寸。
应当理解的是，当称元件或层“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层或者“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在其它元件或层上、直接连接到其它元件或层或者直接耦接到其它元件或层，或者它们之间可以存在插入元件或层。相反，当称元件“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层或者“直接耦接到”另一元件或层时，则它们之间不存在插入元件或层。相同的附图标记通篇指代相同的元件。正如这里所使用的，词语“和/或”包括一个或者多个相关所列项目的任何或所有组合。
应当理解的是，尽管词语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件、组分、区域、层和/部分，但是这些元件、组分、区域、层和/或部分不应当受限于这些词语。这些词语仅用于区别一个元件、组分、区域、层或者部分与另一个区域、层或部分。因此，下面讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可以称为第二元件、组分、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。
空间相对词语，例如“在...下方”、“在...之下”、“下面”、“在...上方”和“上面”等，在此可用于方便描述，来描述如图所示的一个元件或者特征相对于另一个元件(多个元件)或者特征(多个特征)的关系。应当理解的是，除了图中所示的取向之外，空间相对词语旨在涵盖器件在使用或者操作中的不同取向。例如，如果图中的器件被倒置，则被描述为“在”其它元件或者特征“之下”或者“下方”的元件会取向为“在”其它元件或者特征的“上方”。因此，示范性词语“在...之下”就能够包含之上和之下两种取向。器件还可以采取其他取向(旋转90度或者其他取向)，此处所用的空间相对性描述符做相应解释。
这里采用的术语仅为了描述特定的示范性实施例，并非要限制本发明。正如这里所使用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式“一(a、an)”和“该(the)”均同时旨在包括复数形式。还应当理解的是，词语“包含(comprises)”和/或“包括(comprising)”，当在本说明书中使用时，是指所述特征、数量、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但并不排除一个或者多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、组分和/或其组合的存在或增加。
这里，参考截面图来描述本发明的示范性实施例，这些截面图为本发明理想化示范性实施例(和中间结构)的示意图。因而，例如，由制造技术和/或公差引起的图形形状的变化是可能发生的。因此，本发明的示范性实施例不应解释为限于在此所示区域的特定形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差在内。例如，图示为矩形的注入区域典型地将具有圆形或者弯曲的特征和/或在其边缘上的注入浓度梯度，而非从注入区域到非注入区域的二元改变。同样，通过注入形成的埋入区域会导致在埋入区域与进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中所示区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出器件区域的实际形状，并且不旨在限制本发明的范围。
除非另有定义，此处使用的所有词语(包括技术和科学词语)都具有本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应当理解的是，除非在此加以明确定义，否则诸如通用字典中所定义的词语应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化或者过度形式化的意义。
下面，将参考附图详细描述本发明。
图1是图解根据本发明一个示范性实施例的显示面板的平面图，图2是示出沿图1中的I-I′线剖取的显示面板的截面图。
参考图1和图2，显示面板100包括第一基板101、第二基板105和液晶层107。
第一基板101和第二基板105彼此面对地放置在液晶层107的相反侧上。液晶层107中的液晶分子109可以沿基本垂直于第一基板101和第二基板105的方向取向。液晶分子109可以设置在上配向层102和下配向层之间。上偏光板(未示出)和下偏光板(未示出)可以分别附着到第一基板101和第二基板105的外侧。
在示范性实施例中，显示基板可以对应于第一基板101。第一基板101包括上基板200、形成在上基板200上的挡光图案210、滤色器图案230、覆盖层250和公共电极270。第一基板101可以称为滤色器基板101。
上基板200具有用于透光的像素区域(PA)和围绕像素区域(PA)以挡光的不透明区域(SA)。像素区域(PA)具有水平(horizontal)侧和垂直(vertical)侧。像素区域(PA)基本上为矩形。
滤色器图案230设置在像素区域(PA)中。滤色器图案230包括红、绿和蓝滤光器。基本相同的滤色器可以设置在沿水平方向排列的多个像素区域(PA)中，不同的滤色器可以设置在沿垂直方向排列的多个像素区域(PA)中。
挡光图案210设置在不透明区域(SA)中，以围绕红、绿和蓝滤光器。
覆盖层250覆盖挡光图案210和滤色器图案230。
图3是图解图1中的第一基板101的平面图。
参考图1、2和3，公共电极270设置在覆盖层250上。第一狭长切口图案272形成在公共电极270中。第一狭长切口图案272可以对应于贯穿公共电极270形成的开口。第一狭长切口图案272可以包括多个狭长切口、凸起对和凹槽对。
在示范性实施例中，狭长切口可以将像素区域(PA)分成多个域。凸起对和凹槽对可以防止在多个域中被配向的液晶层107中产生异常点SP的斑点。
异常点SP可以被定义为因为液晶的取向相对于周边液晶分子109的方向会突然改变而形成的没有特定方向的特定点。在相对于其周围电场实质上较强或者较弱的位置处会产生异常点SP。正异常点会产生在电场实质上大于周围电场的位置处。另外，负异常点会产生在电场实质上小于周围电场的位置处。在正异常点处液晶的方向会汇聚，而在负异常点处液晶的方向会散开。正异常点和负异常点可以交替产生。
在传统LCD中，在异常点SP处液晶会失去光阀(optical shutter)功能，并且在异常点SP位置处显示面板100上会无规律地显示残像或者斑点。在本发明的显示装置中，异常点SP的位置被控制为不变，从而可以防止残像和斑点的产生。
在公共电极270的边缘上可以形成彼此相对的三角形凸起，它们由狭长切口定义且彼此相对，并且三角形凸起被定义为凸起对。在彼此相对的边缘上可以形成彼此相对的凹槽，并且彼此相对的凹槽被定义为凹槽对。
在电场实质上小于周边电场的凸起对处会产生负异常点。在电场实质上大于周边电场的凹槽对处会产生正异常点。因为液晶的异常点SP产生的位置是一致且不变的，并且感觉不到像素区域(PA)之间的差别，所以不产生残像和斑点。
狭长切口形成在对应于每个像素区域(PA)的公共电极270上。在示范性实施例中，第一狭长切口图案272包括水平狭长切口271、第一倾斜狭长切口273、第一周边狭长切口277、第二倾斜狭长切口275和第二周边狭长切口279。
图4是图解图3中狭长切口彼此相接的叉开点附近的第一狭长切口图案272的放大图。
参考图3和4，水平狭长切口271、第一倾斜狭长切口273和第二倾斜狭长切口275彼此相接在一点。该点可以称为叉开点(DP，divergence point)。在控制液晶的异常点SP方面，狭长切口彼此相接的叉开点(DP)具有与凸起对基本相同的功能。
水平狭长切口271从叉开点(DP)平行于像素区域(PA)的水平侧形成。从像素区域(PA)的左垂直侧的中心到叉开点(DP)形成水平狭长切口271。
第一倾斜狭长切口273可以沿从像素区域(PA)的水平侧向下倾斜约45°的方向从叉开点(DP)延伸到像素区域(PA)的右垂直侧。第一周边狭长切口277从第一倾斜狭长切口273的末端延伸到像素区域(PA)的垂直方向。第一周边狭长切口277的一部分可以布置在像素区域(PA)中，而其余部分可以布置在不透明区域(SA)中。
凸起对和凹槽对向远离叉开点(DP)的方向交替形成在第一倾斜狭长切口273上。凸起对和凹槽对之间的间隔可为约30μm至45μm。凸起对和凹槽对的数量可视像素区域(PA)的大小而不同。
在示范性实施例中，第一凸起对284、第二凹槽对286和第二凸起对288可以从靠近叉开点(DP)布置的第一凹槽对282开始依次在倾斜方向上形成在第一倾斜狭长切口273上。位于轮廓中的第二凸起对288可以与不透明区域(SA)隔开小于30μm。
第二倾斜狭长切口275和第二周边狭长切口279形成为相对于第一倾斜狭长切口273和第一周边狭长切口277关于水平狭长切口271镜像对称。因此，凸起对和凹槽对可以交替产生在对应于第一倾斜狭长切口273的第二倾斜狭长切口275中。
第一狭长切口图案272还包括第三倾斜狭长切口274和第四倾斜狭长切口276，第三倾斜狭长切口274与第一倾斜狭长切口273隔开且与第一倾斜狭长切口273平行，第四倾斜狭长切口276与第二倾斜狭长切口275隔开且与第二倾斜狭长切口275平行。
第一狭长切口图案272还包括第三周边狭长切口278a和第四周边狭长切口278b，第三周边狭长切口278a从第三倾斜狭长切口274的一个侧端延伸到水平方向11，第四周边狭长切口278b从第四倾斜狭长切口276的一个侧端延伸到水平方向11。
第一狭长切口图案272还包括第五周边狭长切口278c和第六周边狭长切口278d，第五周边狭长切口278c从第三倾斜狭长切口274的另一个侧端延伸到垂直方向15，第六周边狭长切口278d从第四倾斜狭长切口276的另一个侧端延伸到垂直方向15。
第三倾斜狭长切口274和第四倾斜狭长切口276关于水平狭长切口271彼此镜像对称，凸起对和凹槽对可以交替产生。
图5A是图解图3中第一周边狭长切口277结合第一倾斜狭长切口273的放大图。
参考图3和5A，第一周边狭长切口277平行于右垂直侧，并且结合到第一倾斜狭长切口273的端部。
在第一周边狭长切口277的末端处引起负异常点。在引起液晶的异常点SP方面，第一周边狭长切口277的末端具有与凸起对基本相同的功能。
最靠近第一周边狭长切口277末端的第二凸起对288引起负异常点。因此，在第二凸起对288和第一周边狭长切口277的末端处可以同样地引起负异常点。可能难以预知在相同极性的连续异常点SP中其它极性的异常点SP的位置，并且其它极性的异常点SP的位置总会改变。
因此，图5A中描述的凹槽对或者凹槽289可以形成在第二凸起对288与第一周边狭长切口277的末端之间，以使正异常点产生在规则的位置处。
第一周边狭长切口277的外边缘和第一倾斜狭长切口273的外边缘成钝角，例如135°，并且可以形成拐角。最靠近拐角的凸起对为第二凸起对288。
参考图3和5A，凹槽289还可以形成在拐角的顶点上，从而在拐角的顶点和第二对凸起288之间的距离大于15μm时，交替地排列正异常点和负异常点。
凹槽289从第一倾斜狭长切口273的外边缘开始平行于水平方向形成，并且平行地与第一周边狭长切口277的外边缘连接。因此，凹槽289为L形状。
当从拐角的顶点到第二凸起对288的距离小于15μm时，因为正负间的间隙变窄不利于控制异常点SP，所以在该拐角的顶点上可不形成凹槽。。
第二倾斜狭长切口275和第二周边狭长切口279分别与第一倾斜狭长切口273和第一周边狭长切口277关于横过水平狭长切口271的水平线镜像对称。因此，第一和第二凸起对与第一和第二凹槽对可以形成在第二倾斜狭长切口275上，凹槽289可以形成在第二倾斜狭长切口275与第二周边狭长切口279相接的拐角中。
同样，参考图3和5A，凹槽289可以形成在第三倾斜狭长切口274与第三周边狭长切口278a相接、第四倾斜狭长切口276与第四周边狭长切口278b相接的拐角中。
第一倾斜狭长切口273和第二倾斜狭长切口275可以彼此垂直设置。因此，多域结构中液晶的方向可以均匀地分布在四个方向上。
图5B是图解倾斜狭长切口和周边狭长切口相接的拐角中形成的另一个示例凹槽的平面图。
图5B所示的狭长切口与图5A所示的狭长切口除了凹槽289b的形状外基本相同。因此，相同的元件采用相同的附图标记，并且因此可以省略相同元件的描述。
参考图5A和5B，凹槽289b形成在第一至第四倾斜狭长切口273、275、274和276与第一至第四周边狭长切口277、279、278a和278b分别相接的拐角处。
图5B中描述的凹槽289b与图5A中描述的凹槽289除了凹槽289b具有三角形凸起形状外基本相同。
凹槽289b平行于第一倾斜狭长切口273的外边缘延伸，并且约成135°与第一周边狭长切口277的外边缘连接。因此，凹槽289b具有三角形的角形状。
图6是图解图1所示第二基板105的平面图。
参考图1、2、3和6，第二基板105包括下基板300、形成在下基板300上的栅极线311、数据线321、存储电极331、存储线333、开关元件350、钝化层360和像素电极370。第二基板105也可称为阵列基板105。
栅极线311将栅极信号从外部传输给开关元件。形成在下基板300上的栅极线311沿着像素区域PA的水平侧排列。每条栅极线311的一部分形成多个栅极电极。施加栅极信号的接触焊垫(contact pad)可以形成在栅极线311的切开部分中。与此相反，栅极线311的切开部分可以直接连接到产生电路部分(generating circuit part)布置在下基板300上的输出级。
存储电极331和存储线333形成在下基板300上且与栅极线311在相同的层中。存储电极331布置为与滤色器基板101中狭长切口图案272的叉开点DP相对应，并且布置在彼此相邻的栅极线311当中。
存储线333包括从存储电极331延伸到水平方向11的第一存储线、从第一存储线延伸到像素区域PA的垂直侧的第二存储线。存储电极331和存储线333的形成方法可以不同地改变。
栅极绝缘层319覆盖栅极线311、存储电极331和存储线333。
沿垂直侧排列的多条数据线321形成在栅极绝缘层319上。漏极电极345形成在栅极绝缘层319上。漏极电极345的切开部分布置在第一凸起对284的正下方，该第一凸起对284形成在滤色器基板101的第一倾斜狭长切口273处。
在数据线321中，源极电极341朝着漏极电极345突出。线性半导体层342沿着数据线321在垂直方向15上排列在数据线321和漏极电极345下方。线性半导体层342具有与源极电极341和漏极电极345交叠的沟道层。沟道层对应于栅极电极312。
开关元件350包括栅极电极312、栅极绝缘层319、沟道层、源极电极341和半导体层342。
钝化层360覆盖开关元件350和数据线321。接触孔381形成在钝化层360中，该接触孔381暴露漏极电极345的部分切开部分。因此，接触孔381对应于形成在滤色器基板101第一倾斜狭长切口273处的第一凸起对284。
形成在钝化层360中的台阶凹陷与凸起对类似，具有指定负异常点的功能。钝化层360在接触孔381中凹陷，并且形成第一台阶凹陷。
因此，由于第一凸起对布置为对应于接触孔381上钝化层360的第一台阶凹陷，所以第一和第二凹槽对布置在第一台阶凹陷的周边。因此，第一台阶凹陷指定了负异常点，第一和第二凹槽对指定了负异常点周边的正异常点。因此，异常点SP可以可靠地在规则点处形成。
像素电极370形成在钝化层360上，并且通过接触孔381连接到漏极电极345。第二狭长切口图案形成在像素电极370中。第二狭长切口图案的狭长切口部分与第一狭长切口图案的狭长切口部分交替布置。因此，像素区域PA被分成多个域。
第二狭长切口图案372可以包括第五倾斜狭长切口371和第六倾斜狭长切口373。
第五倾斜狭长切口371布置为对应于第一倾斜狭长切口273和第三倾斜狭长切口274之间的间隔，并且平行于第一倾斜狭长切口273形成。第六倾斜狭长切口373布置为对应于第二倾斜狭长切口275和第四倾斜狭长切口276之间的间隔，并且与第二倾斜狭长切口275平行形成。
对应于形成在第一倾斜狭长切口273和第二倾斜狭长切口275中的第一凸起对284和第二凸起对288及第一凹槽对282和第二凹槽对286，在第五倾斜狭长切口371和第六倾斜狭长切口373中分别形成基本相同的凸起对和凹槽对。
第二狭长切口图案372还可以包括水平狭长切口375。水平狭长切口375具有从像素电极370的右垂直侧到像素电极370的左垂直侧的铲形(scooped-out shape)，进口对称延伸开。因此，像素电极370基本关于水平线镜像对称。
钝化层360可以包括钝化层和有机绝缘层。
钝化层覆盖开关元件350。有机绝缘层形成在钝化层上。对应于存储电极331的第二台阶凹陷385可以形成在有机绝缘层中，以通过减少存储电极331和像素电极370之间的距离来增加存储容量。
存储电极331布置为与滤色器基板101的第一狭长切口图案272的叉开点DP相对应。第二台阶凹陷385引起负异常点。具有凸起对功能的叉开点DP引起负异常点。因此，在叉开点DP上加强了负异常点。引起正异常点的第一凹槽对282设置在叉开点DP的周边中。因此，交替形成正负异常点。异常点SP稳定地形成在规则位置处。
液晶层107在滤色器基板101和阵列基板105之间垂直配向。液晶层107包括液晶LC。液晶LC通过形成在像素电极370和公共电极270之间的电场改变排列角度。形成在公共电极中的第一狭长切口图案272通过扭曲电场的方向来重新排列液晶LC的方向。形成在像素电极中的第二狭长切口图案372通过扭曲电场的方向引起液晶LC的方向重新排列。因此，液晶LC的不同方向提高了多个域中的侧可见性。
每个像素区域PA中液晶的异常点总是在凸起对和凹槽对处产生，因此像素中的间隙会不可见。因此，提高了显示质量。
滤色器基板101和显示面板100可应用于所有类型的垂直配向模式液晶面板。本发明可应用于控制液晶的电极被图案化且液晶在垂直方向取向的所有液晶显示(LCD)面板，而与像素电极370的产生方法、滤色器基板的位置或者形成在第二基板105上的有机绝缘层无关。因此，省略了上述示例的图解。
图7至9是图解图1所示显示基板的制造方法的工艺图。图7和9所示的显示基板可以与图1和6所示的滤色器基板基本相同地设置。因此，相同的元件采用相同的附图标记，并且因此省略对这些相同元件的描述。
为了制造显示基板101，挡光材料层沉积在基础基板(base substrate)200上，并且在基础基板200上被图案化。因此，不透明图案210在不透明区域SA中形成。彩色光致抗蚀剂层沉积在不透明图案210定义的像素区域PA处。通过重复图案化工艺形成滤色器图案230。通过涂敷树脂覆盖挡光图案210和滤色器图案230来形成覆盖层250。
图8示出通过在覆盖层250上沉积诸如ITO或IZO的透明导电材料形成公共电极层261。
参考图3和9，通过制作利用图案化公共电极层261形成的第一狭长切口图案272来形成公共电极270。用于制作第一狭长切口图案272的蚀刻掩模具有对应于凸起对和凹槽对形状的图案。
最后，通过形成覆盖公共电极270的上配向层102完成显示基板101。
图10是图解根据本发明实施例的显示面板的截面图。
参考图10，除了第一狭长切口图案被第一突出图案672所取代之外，滤色器基板501可以设置为与图1、3和5所示的滤色器基板基本相同，在第一突出图案672上凸起对和凹槽对交替形成。因此，相同的元件采用相同的附图标记，并且因此省略了对这些相同元件的描述。
包括图9所示滤色器基板501的显示面板500与图1和6所示的显示面板100基本相同，除了第二狭长切口图案被阵列基板中的第二突出图案772所取代之外。因此，相同的元件采用相同的附图标记，并且因此而省略了重复的描述。
参考图10，可以提供与图7至9所示的制造显示基板的方法基本相同的制造滤色器基板501的方法，除了形成公共电极层之后在公共电极上形成有机层，并且通过图案化该有机层形成具有狭长切口形状的突出而形成第一突出图案672之外。因此，相同的元件采用相同的附图标记，并且因此省略对这些相同元件的描述。
图11是图解根据本发明实施例的显示面板的平面图。
参考图11，显示面板800包括滤色器基板、阵列基板和液晶层。
参考图11，滤色器基板可以设置为与图1所示的滤色器基板101基本相同，除了形成在公共电极上的第一狭长切口图案972的形状之外。因此，滤色器基板包括上基板、形成在上基板上的不透明图案、滤色器图案、覆盖层和公共电极。因此，对相同的元件采用相同的附图标记，并且因此而省略对这些相同元件的描述。
在像素区域PA中形成两组第一狭长切口图案972。两组第一狭长切口图案972的大小可以不同，但是两组第一狭长切口图案972的形状基本相同。第一狭长切口图案972沿垂直方向15排列。
参考图11，每个第一狭长切口图案972可以设置为与图1和3所示的第一狭长切口图案272基本相同，除了删除了第三倾斜狭长切口274和第四倾斜狭长切口276、删除了第三到第六周边狭长切口278a、278b、278c和278d，以及将第一倾斜狭长切口273和第二倾斜狭长切口275及水平狭长切口271的左侧和右侧互换之外。
在第一倾斜狭长切口973和第二倾斜狭长切口975中，从水平狭长切口971与第一倾斜狭长切口973和第二倾斜狭长切口975相接的叉开点开始交替布置凸起对和凹槽对。
而且，在第一倾斜狭长切口973和第二倾斜狭长切口975与第一和第二周边狭长切口连接的拐角处形成凹槽。
在像素区域PA中的垂直方向15上排列两个第一狭长切口图案972。因此，在垂直方向15上交替排列第一倾斜狭长切口973和第二倾斜狭长切口975，从而可以形成Z字形形状。
阵列基板包括下基板、形成在下基板上的栅极线1011、数据线1021、存储电极1031、存储线1033、开关元件1050、保护层和像素电极。
阵列基板可以设置为与图1所示的阵列基板105基本相同，除了像素区域PA是通过对应于两个第一狭长切口图案972将像素区域PA分成两个区域而生成之外。因此，对相同的元件采用相同的附图标记，并且因此而省略对这些相同元件的描述。
两条栅极线1011包含在像素区域PA。例如，第一栅极线GL1沿水平方向11延伸，且对应于滤色器基板的两个第一狭长切口图案972之间的间隔。第二栅极线GL2沿水平方向11延伸，且对应于像素区域PA的边缘。
数据线1021沿垂直方向15延伸。
像素电极被图案化以在像素区域PA中被电分隔。像素电极相对于像素PA中的第一栅极线GL1在垂直方向上被电分隔为主像素电极和子像素电极。
开关元件1050电连接第一栅极线GL1和子像素电极SPE。其它开关元件1050电连接第二栅极线GL2和主像素电极MPE。开关元件1050的漏极电极从栅极电极上方延伸到第一狭长切口图案972中的第二倾斜狭长切口975的第一凸起对的下方。主像素电极MPE和子像素电极SPE通过接触孔1083彼此电连接到漏极电极。
在覆盖开关元件1050的保护层上通过接触孔1083形成台阶。该台阶与凸起对类似在液晶中引起负异常点。由于接触孔1083形成在凸起对的正下方，所以在该凸起对处可靠地形成负异常点。
存储电极1031和存储线1033各个地布置在主像素电极MPE和子像素电极SPE下方，并且在一帧期间存储主像素和子像素的电压。在存储电极1031所形成处的保护层上形成台阶以增加存储容量，并且该台阶在液晶中引起负异常点。存储电极1031布置为对应于图11中的第一狭长切口图案972的叉开点。叉开点以凸起对在液晶中引起负异常点。因为存储电极1031形成在叉开点的正下方，所以以凸起对可靠地形成负异常点。
分别连接到主像素电极MPE和子像素电极SPE的开关元件1050可以连接到相同的数据线1021。在将像素电压施加给沿水平方向11排列的第一线的像素电极的水平扫描周期期间，以分时法(time division method)通过数据线1021给主像素电极MPE和子像素电极SPE施加不同的像素电压。
第二狭长切口图案1072分别形成在对应于第一狭长切口图案972的主像素电极MPE和子像素电极SPE中。第二狭长切口图案包括第五倾斜狭长切口1071、第六倾斜狭长切口1073和不均匀图案狭长切口1074。
第五倾斜狭长切口1071与第一倾斜狭长切口973平行地形成，并且第一倾斜狭长切口973对应于两个第五倾斜狭长切口1071之间的间隔布置。第六倾斜狭长切口1073与第二倾斜狭长切口975平行地形成，并且第二倾斜狭长切口975对应于两个第六倾斜狭长切口1073之间的间隔布置。第五倾斜狭长切口1071和第六倾斜狭长切口1073彼此连接，并且大致形成V形。因此，第一倾斜狭长切口973和第二倾斜狭长切口975从主像素电极MPE和子像素电极SPE在垂直方向15上交替排列成Z字形。
多个不均匀图案狭长切口1074从第五倾斜狭长切口1071和第六倾斜狭长切口1073的边缘朝着第一倾斜狭长切口973和第二倾斜狭长切口975以规则的节距形成。
因此，像素区域PA由形成在公共电极上的第一狭长切口图案972和分别形成在主像素电极MPE和子像素电极SPE上的第二狭长切口图案1072分成多个域。因此，在每个域中液晶的配向方向不同，并且因此显示面板800可以在各种视角处具有优秀的显示质量。
参考图11，可以提供与图7至9所示的滤色器基板的制造方法基本相同的制造滤色器基板的方法，除了第一狭长切口图案972的形状不同。因此将省略重复描述。
根据本发明的实施例，显示基板和显示面板总被应用在控制液晶的电极被图案化以及液晶被配向为垂直方向的情况中。
因此，可以应用本发明以便提高LCD装置的显示质量。
如上所述，本发明的实施例包括具有有利特征的显示基板和/或显示面板。通过适当的应用，这些特征可以通过控制在液晶中产生异常点的位置来减少或者防止残像的产生。因此，可以提高显示质量。
前述是为了说明本发明，而不应被解释为对本发明的限制。尽管已经描述了本发明的几个示范性实施例，但是本领域的技术人员易于理解的是，可以在实质上没有脱离本发明的新颖的教导和优点的前提下对示范性实施例中进行各种修改。因此，所有这样的修改旨在被包括在权利要求所定义的本发明的范围内。因此，应当理解的是，前述的是对本发明的说明而不应被解释为限于所揭示的具体示范性实施例，并且对所揭示的示范性实施例以及其它示范性实施例的修改旨在被包括在所附权利要求的范围内。本发明由所附的权利要求以及其中应包括的权利要求的等同技术方案定义。