一种用于多晶硅铸锭的脱模层、多晶硅铸锭方法及铸锭用坩埚.pdf

1、10申请公布号CN104060324A43申请公布日20140924CN104060324A21申请号201410269640222申请日20140617C30B28/06200601C30B29/0620060171申请人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司地址338000江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室72发明人刘海何亮胡动力74专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强54发明名称一种用于多晶硅铸锭的脱模层、多晶硅铸锭方法及铸锭用坩埚57摘要本发明提供了一种用于多晶硅铸锭的脱模层，所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包

2、括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在9999以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为01MM2MM。采用高纯硅化物薄片作为脱模层，解决了现有涂层技术带来的粗糙界面对形核不利的问题，以及涂层颗粒引起长晶杂质原子以及杂质颗粒沾污的问题；本发明还提供了一种多晶硅锭的制备方法和铸锭用坩埚，将所述坩埚应用于多晶硅铸锭，可以改善铸锭底部及侧边红区的宽度，尤其是可以应用于准单晶硅铸锭，降低了现有涂层技术对准单晶侧部生长的不利影响，大幅提高准单晶的比例。51INTCL权利要求书1页说明书6页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书6页附图3页10申请公布号CN10

3、4060324ACN104060324A1/1页21一种用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在9999以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为01MM2MM。2根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述高纯硅化物薄片为纯度在9999以上的高纯氮化硅陶瓷片、高纯碳化硅陶瓷片、高纯石英陶瓷片和高纯石英玻璃中的至少一种。3根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述脱模层由底部脱模模块和侧壁脱模模块组成。4根据权利要求3所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，

4、其特征在于，所述底部脱模模块为与坩埚底部的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。5根据权利要求3所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述侧壁脱模模块为与坩埚侧壁的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。6根据权利要求4或5所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，当所述底部脱模模块或侧壁脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述高纯硅化物薄片的形状为正方形、长方形或三角形。7根据权利要求3所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述底部脱模模块的设置方式为在坩埚底部自然放置或者贴合设置，所述侧壁脱模模块的设置方式为贴合

5、设置。8一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤1在坩埚内壁设置脱模层，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在9999以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为01MM2MM；2在坩埚底部脱模层的上方铺设籽晶层，在所述籽晶层的上方装载固态硅料；3对所述坩埚进行加热，并控制所述籽晶层不被完全熔化；4控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶上结晶生长准单晶硅锭；5长晶结束后，脱模得到准单晶硅锭。9一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体和脱模层，所述本体包括底座及由底座向

6、上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，所述脱模层设置在朝向所述收容空间的所述本体底座和侧壁表面，所述脱模层的材质为纯度在9999以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为01MM2MM。权利要求书CN104060324A1/6页3一种用于多晶硅铸锭的脱模层、多晶硅铸锭方法及铸锭用坩埚技术领域0001本发明涉及多晶硅的制造领域，尤其涉及一种用于多晶硅铸锭的脱模层、准单晶硅铸锭方法及铸锭用坩埚。背景技术0002目前普遍采用的定向凝固系统法简称DSS多晶铸锭工艺，是采用氮化硅粉或是以氮化硅粉为主的混合物作为脱模剂。其工艺是将氮化硅粉或是以氮化硅粉为主的混合物以一定的比例调配于纯水或其它有

7、机溶剂中，形成悬浮液，再用喷枪将该脱模剂悬浮液喷涂在铸锭用石英坩埚内壁，形成脱模材料层。该方案的主要缺点是00031喷涂在坩埚壁内侧的氮化硅粉在晶体生长时容易作为成核中心，影响到晶体生长的质量；00042晶体生长工艺过程中，硅料融化后，粘附在坩埚壁上的氮化硅粉，容易被熔体冲刷下来，一方面造成晶体中氮化硅颗粒的夹杂；另一方面，该区域涂层被带走后，脱模效果受到很大影响，会造成沾埚等现象；00053为防止氮化硅在高温1150下的挥发，采用氮化硅脱模的铸锭工艺需要采用较高的一般为600MBAR气压，而炉内气氛压力越高越容易沾污硅材料。0006现有改进的多晶硅铸锭脱模技术，一是改变氮化硅与其它添加剂在悬

8、浮液中的配比；二是改善喷涂工艺。但是这两种改进手段都不能从根本上解决以上问题。鉴于此，多晶硅铸锭领域急需一种脱模技术来解决或尽量避免上述问题，以获取高质量的多晶硅锭。发明内容0007为了解决上述问题，本发明提供了一种用于多晶硅铸锭的脱模层，采用高纯硅化物薄片作为脱模层，解决了现有涂层技术带来的粗糙界面对形核不利的问题，以及涂层颗粒引起长晶杂质原子以及杂质颗粒沾污的问题；将所述脱模层应用于多晶硅铸锭，可以改善铸锭底部及侧边红区的宽度，尤其是可以应用于准单晶硅铸锭，降低了现有涂层技术对准单晶侧部生长的不利影响，大幅提高准单晶的比例。0008本发明是通过以下技术方案实现的。0009第一方面，本发明提

9、供了一种用于多晶硅铸锭的脱模层，所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在9999以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为01MM2MM。0010优选地，所述高纯硅化物薄片为纯度在9999以上的高纯氮化硅SI3N4陶瓷片、高纯碳化硅SIC陶瓷片、高纯石英陶瓷片和高纯石英玻璃中的至少一种。0011所述高纯硅化物薄片包括高纯硅化物陶瓷片和高纯硅化物玻璃，所述高纯硅化物陶瓷片为高纯硅化物粉体经压片、高温烧结工艺获得；所述高纯硅化物陶瓷片为硅化物单说明书CN104060324A2/6页4晶粒致密堆砌的多晶体；而所述硅化物玻璃

10、主要是经过熔炼并切割磨制而成，所述硅化物玻璃为连续致密的网络结构；0012所述高纯硅化物陶瓷片和硅化物玻璃的共同优点是表面平整光滑，结构致密，耐高温、化学稳定性好、耐腐性能好，以其作为脱模层，不仅可以将坩埚内壁与硅料有效隔离，实现良好的脱模效果；另一方面，所述高纯硅化物薄片表面平整光滑，内部结构致密，纯度高，有效地实现微米级光滑的晶体成核界面，排除了侧部颗粒杂质的引入，从根本上抑制了侧部成核，有效改善铸锭底部及侧边红区的宽度，位错区域比例大大降低，有利于晶体质量和铸锭良率的提高；此外，在长晶过程中，所述高纯硅化物薄片与硅锭粘连，但是由于彼此热胀系数不同，在硅锭制备的冷却过程中易产生应力，在该应

11、力作用下，由于薄片质脆，薄片会自行开裂与硅锭分离，因此不会对硅锭造成破坏性的影响。0013更优选地，所述高纯硅化物薄片为高纯石英玻璃。0014所述高纯石英玻璃通常由石英熔炼并切割磨制而成，所述高纯石英玻璃具有近程有序、远程无序的无规网络结构而且整体均匀密实，表面平整光滑，耐腐蚀，以此作为脱模层，可以形成光滑的晶体成核界面，石英与硅料的成分接近，不会形成杂质形核中心，有利于晶体质量和铸锭良率的提高；虽然在长晶过程中易于硅锭粘连，但是石英玻璃与硅锭的热膨胀系数不同，而且玻璃薄片质脆，所以冷却过程中，薄片在较小的应力下会自行开裂，与硅锭分离；而且所述高纯石英玻璃成本低廉而且易得。0015优选地，所述

12、脱模层由底部脱模模块和侧壁脱模模块组成。0016优选地，所述底部脱模模块为与坩埚底部的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。0017优选地，所述侧壁脱模模块为与坩埚侧壁的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。0018优选地，当所述底部脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述底部脱模模块的形成过程为将所述多块高纯硅化物薄片相互拼接铺贴，尽量保证拼接处缝隙最小小于1MM，以覆盖所述坩埚底部的绝大部分区域，形成底部脱模模块。0019优选地，当所述侧壁脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述侧壁脱模模块的形成过程为将所述多

13、块高纯硅化物薄片相互拼接铺贴，尽量保证拼接处缝隙最小小于1MM，以覆盖所述坩埚的某一侧壁的绝大部分区域，形成侧壁脱模模块。0020优选地，当所述底部脱模模块或侧壁脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述高纯硅化物薄片的形状为正方形、长方形或三角形。0021更优选地，所述三角形为直角三角形。0022所述正方形、长方形或三角形的高纯硅化物薄片为压片烧结制备的圆形高纯硅化物陶瓷片经过研磨获得。0023所述正方形、长方形或三角形的高纯石英玻璃为大块高纯石英玻璃经切割获得。0024优选地，所述底部脱模模块的设置方式为在坩埚底部自然放置或者贴合设置，所述侧壁脱模模块的设置方式为贴合设置。0025所

14、述贴合设置为先在所述坩埚底部或者坩埚侧壁涂覆粘结剂，然后通过粘结剂将底部脱模模块与坩埚底部粘接，通过粘结剂将侧壁脱模模块与坩埚侧壁粘接。0026优选地，所述粘结剂为硅溶胶粘结剂。说明书CN104060324A3/6页50027所述粘结剂将脱模层与坩埚内壁粘连在一起，粘结剂的粘结力较弱，在室温下可以将脱模层固定在坩埚内壁，在高温铸锭过程中，粘结剂的作用会渐渐失效，所以粘结剂的使用不会对脱模效果造成不利的影响。0028本发明提供的一种用于多晶硅铸锭的脱模层，与现有技术相比，具有以下有益效果00291本发明提供的脱模层为硅化物薄片，所述硅化物薄片能够有效地实现微米级光滑的晶体成核界面，排除了侧部颗粒

15、杂质的引入，从根本上抑制了侧部成核，有效改善铸锭底部及侧边红区的宽度，制得硅锭的花纹位错区域比例大大低于采用普通氮化硅涂层的硅锭，有利于晶体质量和铸锭良率的提高；00302本发明提供的脱模层材质与硅锭的热胀系数不同，而且脱模层很薄且质脆，在硅锭制备的冷却过程中易产生应力，在该应力作用下，脱模层会自行开裂与硅锭分离，因此不会对硅锭造成破坏性的影响。0031第二方面，本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤00321在坩埚内壁设置脱模层，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在9999以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为01MM2MM；0033

16、2在坩埚底部脱模层的上方铺设籽晶层，在所述籽晶层的上方装载固态硅料；00343对所述坩埚进行加热，并控制所述籽晶层不被完全熔化；00354控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶上结晶生长准单晶硅锭；00365长晶结束后，脱模得到准单晶硅锭。0037优选地，步骤1中所述高纯硅化物薄片为纯度在9999以上的高纯氮化硅SI3N4陶瓷片、高纯碳化硅SIC陶瓷片、高纯石英陶瓷片和高纯石英玻璃中的至少一种。0038更优选地，步骤1中所述高纯硅化物薄片为纯度在9999以上的高纯石英玻璃。0039优选地，步骤1中所述脱模层由底部脱模模块和侧

17、壁脱模模块组成。0040优选地，步骤1中所述底部脱模模块为与坩埚底部的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。0041优选地，步骤1中所述侧壁脱模模块为与坩埚侧壁的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。0042优选地，当所述底部脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述底部脱模模块的形成过程为将所述多块高纯硅化物薄片相互拼接铺贴，尽量保证拼接处缝隙最小小于1MM，以覆盖所述坩埚底部的绝大部分区域，形成底部脱模模块。0043优选地，当所述侧壁脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述侧壁脱模模块的形成过程为将所述多块高纯硅

18、化物薄片相互拼接铺贴，尽量保证拼接处缝隙最小小于1MM，以覆盖所述坩埚的某一侧壁的绝大部分区域，形成侧壁脱模模块。0044优选地，当所述底部脱模模块或侧壁脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述高纯硅化物薄片的形状为正方形、长方形或三角形。0045优选地，步骤2中所述籽晶层的籽晶为100晶向的单晶硅块或是以100为说明书CN104060324A4/6页6主要晶向的多晶硅块。0046本发明提供的多晶硅铸锭的制备方法，尤其适用于准单晶硅铸锭，制备的准单晶硅锭中全单晶的比例大幅提高。0047第三方面，本发明提供了一种多晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚包括本体和脱模层，所述本体包括底座及由底座向上延伸

19、的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，所述脱模层设置在朝向所述收容空间的所述本体底座和侧壁表面，所述脱模层的材质为纯度在9999以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为01MM2MM。0048优选地，所述高纯硅化物薄片为纯度在9999以上的高纯氮化硅SI3N4陶瓷片、高纯碳化硅SIC陶瓷片、高纯石英陶瓷片和高纯石英玻璃中的至少一种。0049更优选地，所述高纯硅化物薄片为纯度在9999以上的高纯石英玻璃。0050优选地，所述脱模层由底部脱模模块和侧壁脱模模块组成。0051优选地，所述底部脱模模块为与坩埚底部的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。0052优

20、选地，所述侧壁脱模模块为与坩埚侧壁的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。0053优选地，当所述底部脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述底部脱模模块的形成过程为将所述多块高纯硅化物薄片相互拼接铺贴，尽量保证拼接处缝隙最小小于1MM，以覆盖所述坩埚底部的绝大部分区域，形成底部脱模模块。0054优选地，当所述侧壁脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述侧壁脱模模块的形成过程为将所述多块高纯硅化物薄片相互拼接铺贴，尽量保证拼接处缝隙最小小于1MM，以覆盖所述坩埚的某一侧壁的绝大部分区域，形成侧壁脱模模块。0055优选地，当所述底部脱模模块或侧壁脱模

21、模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述高纯硅化物薄片的形状为正方形、长方形或三角形。0056与现有技术相比，本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚具有以下优点00571所述坩埚在铸锭之前不需要喷涂涂层，所述脱模层起到了脱模和隔离的双重作用，使用方便，操作简单，可以降低铸锭的生产成本；00582本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚，采用100MBAR的长晶气压工艺，也可以保证硅锭成功脱模，杜绝沾埚现象；00593本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚适用于多晶硅铸锭，尤其适用于全单晶的准单晶生长技术，有助于准单晶比例的大幅提高。附图说明0060图1为实施例1中装载有固态硅料的石英坩埚的俯视图；0061图2为实施

22、例1中装载有固态硅料的石英坩埚的剖面图；0062图3为实施例1中准单晶硅锭的脱模效果图；0063图4为实施例1制备的准单晶硅锭的少子寿命图；0064图5为实施例2中底部脱模模块的铺贴方式的俯视图；0065图6为对比例制备的准单晶硅锭的少子寿命图。说明书CN104060324A5/6页7具体实施方式0066为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。0067实施例10068一种用于多晶硅铸锭的脱模层，应用于准单晶硅铸造，具体步骤如下00691取方形石英坩埚，在坩埚底部铺设

23、与坩埚底部大小和形状基本相同的高纯硅化物薄片作为底部脱模模块，并在坩埚的四个侧壁的表面采用硅溶胶粘结剂分别粘贴与坩埚侧面大小和形状基本相同的高纯硅化物薄片作为侧壁脱模模块，所述底部脱模模块与四个侧壁脱模模块共同构成脱模层，所述脱模层的厚度为01MM2MM；所述高纯硅化物薄片为高纯SI3N4陶瓷片、高纯SIC陶瓷片、高纯石英陶瓷片和高纯石英玻璃中的至少一种；优选地，所述高纯硅化物薄片为高纯石英玻璃；00702在所述底部脱模模块的上方铺设籽晶层，在所述籽晶层的上方装载固态硅料，图1为实施例1中装载有固态硅料的石英坩埚的俯视图，其中，10为石英坩埚，201、202、203、204均为侧壁脱模模块，3

24、0为固态硅料；图2为实施例1中装载有固态硅料的石英坩埚的剖面图，其中，10为石英坩埚，201、203为侧壁脱模模块，205为底部脱模模块，30为固态硅料，40为籽晶层；结合图1和图2可以看出，所述侧壁脱模模块201、202、203、204和所述底部脱模模块205共同构成脱模层，所述底部脱模模块205将所述籽晶层40与坩埚底部隔离，所述侧壁脱模模块201、202、203、204将硅料与坩埚的四个侧壁隔离；00713对所述坩埚进行加热，并控制所述籽晶层不被完全熔化；00724控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶上结晶生长准单晶

25、硅锭。00735长晶结束后，脱模得到准单晶硅锭；图3为实施例1中准单晶硅锭的脱模效果图，其中10为石英坩埚，20为脱模层，50为准单晶硅锭，如图3所示，所述脱模层20与所述准单晶硅锭50粘接为一体，并与石英坩埚10的内壁分离，从而实现脱模；而脱模层20与准单晶硅锭50粘接后，由于彼此的热胀系数不同，石英玻璃薄片与硅晶体在冷却过程中产生应力，在该应力作用下，脱模层20极容易碎裂，没有对硅锭50造成任何破坏性的影响，所得硅锭50整体完好，无开裂。0074取本实施例制备的准单晶硅锭进行少子寿命检测和分析，应用SEMILABWT2000面扫描测得平均少子寿命为64微秒；对准单晶硅锭头部表面进行晶体取向

26、分析，测得准单晶比例高达90。0075实施例20076一种用于多晶硅铸锭的脱模层，应用于准单晶硅铸造，具体步骤如下00771取方形石英坩埚，在坩埚底部设置底部脱模模块，并在坩埚的四个侧壁的表面采用硅溶胶粘结剂分别贴合设置侧壁脱模模块，所述底部脱模模块与四个侧壁脱模模块共同构成脱模层，所述脱模层的厚度为01MM2MM；所述底部脱模模块为多块高纯硅化物陶瓷片的拼接组合，所述侧壁脱模模块可以为与坩埚侧面大小和形状基本相同的高纯硅化物陶瓷片，也可以为多块高纯硅化物陶瓷片的拼接组合；图5为实施例2中底部脱模模块的铺贴方式的俯视图，其中10为石英坩埚，501为高纯硅化物陶瓷片，50为底部脱模模块，由图说明

27、书CN104060324A6/6页85可知，多块高纯硅化物薄片501相互拼接铺贴，尽量保证拼接处缝隙最小小于1MM，以覆盖所述坩埚底部的绝大部分区域，形成底部脱模模块50；侧壁脱模模块也可以为底部脱模模块50相同的拼接组合，其中，高纯硅化物薄片501的形状不限，只要可以两两拼接，并保证拼接缝隙最小小于1MM即可，所述高纯硅化物薄片501的形状优选为正方形，长方形和直角三角形；所述高纯硅化物薄片501为高纯SI3N4陶瓷片、高纯SIC陶瓷片、高纯石英陶瓷片和高纯石英玻璃中的一种或两种以上的组合；00782在所述底部脱模模块的上方铺设籽晶层，在所述籽晶层的上方装载固态硅料，所述底部脱模模块将所述籽

28、晶层与坩埚底部隔离，所述侧壁脱模模块将硅料与坩埚的四个侧壁隔离；00793对所述坩埚进行加热，并控制所述籽晶层不被完全熔化；00804控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶上结晶生长准单晶硅锭。00815长晶结束后，脱模得到准单晶硅锭。0082取本实施例制备的准单晶硅锭进行少子寿命检测和分析，应用SEMILABWT2000面扫描测得平均少子寿命为59微秒；对准单晶硅锭头部表面进行晶体取向分析，测得准单晶比例高达88。0083对比例00841取方形石英坩埚，在坩埚底部和侧壁喷涂氮化硅涂层；00852在所述坩埚底部涂层的上方铺设

29、籽晶层，所述籽晶层的取材与铺设方式与实施例1相同，在所述籽晶层的上方装载固态硅料，所述固态硅料与实施例1中使用的固态硅料相同，所述底部氮化硅涂层将所述籽晶层与坩埚底部隔离，所述侧壁氮化硅涂层将硅料与坩埚的四个侧壁隔离；00863对所述坩埚进行加热，加热制度同实施例1，并控制所述籽晶层不被完全熔化，未熔化的籽晶层比例同实施例1；00874控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，所述温度控制同实施例1，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶上结晶生长准单晶硅锭。00885长晶结束后，脱模得到准单晶硅锭。0089取对比例制备的准单晶硅锭进行少子寿命检测和分析，应用SEM

30、ILABWT2000面扫描测得平均少子寿命为51微秒；对准单晶硅锭头部表面进行晶体取向分析，测得准单晶比例为63。0090与实施例1制备的准单晶硅锭相比，实施例1制备的准单晶硅锭的少子寿命长，位错密度低，准单晶比例大幅提高。0091图4和图6分别为实施例1和对比例制备的准单晶硅锭的少子寿命图；对比图4和图6可知，实施例1制备的准单晶铸锭的底部及侧边红区的宽度明显窄于对比例制备的准单晶硅锭，这说明本发明提供的脱模层可以排除侧部颗粒杂质的引入，从根本上抑制了侧部成核，有效改善了铸锭底部及侧边红区的宽度，有利于晶体质量和铸锭良率的提高。0092以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。说明书CN104060324A1/3页9图1图2说明书附图CN104060324A2/3页10图3图4说明书附图CN104060324A103/3页11图5图6说明书附图CN104060324A11